CN216699953U - 一种c频段单本振双极化双输出的电路板结构 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种C频段单本振双极化双输出的电路板结构，包括电路板本体，电路板本体上设置有双极化接入孔，双极化射频放大电路、双极化射频梳状滤波器BPF电路、DRO震荡电路、双极化有源混频电路、双极化中频放大电路、双极化低通滤波器、矩阵开关电路、输出接口。信号从双极化接入孔接入后，经过双极化射频放大电路后再经过DRO震荡电路在双极化有源混频电路的混合后，最终从输出接口稳定输出。本申请的C频段单本振双极化双输出的电路板结构，简化电路排布，实现双极化的信号处理，具有较高的工作稳定性。

Description

一种C频段单本振双极化双输出的电路板结构

技术领域

本申请涉及低噪声降频放大器技术领域，具体是一种C频段单本振双极化双输出的电路板结构。

背景技术

低噪声降频放大器由混频器、本机振荡器构成。低噪声降频放大器的工作流程就是先将卫星高频信号放大，再利用本地振荡电路，根据LNB种类决定中频范围，将高频卫星信号转换至中频并再一次放大，以利于同轴电缆的传输及卫星接收机的解调和工作。目前常见的用于LNB的电路板结构，电路排布复杂且仅限于对单极化的输入信号进行处理，功能单一。

实用新型内容

本申请的目的在于提供C频段单本振双极化双输出的电路板结构，简化电路排布，实现双极化的信号处理。

为实现上述目的，本申请提供了一种C频段单本振双极化双输出的电路板结构，包括电路板本体，所述电路板本体上设置有双极化接入孔，双极化射频放大电路、双极化射频梳状滤波器BPF电路、DRO震荡电路、双极化有源混频电路、双极化中频放大电路、双极化低通滤波器、矩阵开关电路、输出接口；所述双极化接入孔包括垂直极化接入孔、水平极化接入孔；所述双极化射频放大电路包括与所述垂直极化接入孔连接的一级垂直极化放大电路、与所述水平极化接入孔连接的一级水平极化放大电路、与所述一级垂直极化放大电路输出端连接的二级垂直极化放大电路、与所述一级水平极化放大电路输出端连接的二级水平极化放大电路；所述双极化射频梳状滤波器BPF电路包括与所述二级垂直极化放大电路输出端连接的垂直极化梳状滤波器、与所述二级水平极化放大电路输出端连接的水平极化梳状滤波器；所述双极化有源混频电路包括与所述垂直极化梳状滤波器输出端连接的垂直极化有源混频电路、与所述水平极化梳状滤波器输出端连接的水平极化有源混频电路；所述DRO震荡电路分别与所述垂直极化有源混频电路、所述水平极化有源混频电路连接，所述DRO震荡电路与所述双极化射频放大电路屏蔽间隔设置；所述双极化中频放大电路包括一级垂直极化中频放大电路、一级水平极化中频放大电路、二级垂直极化中频放大电路、二级水平极化中频放大电路，所述一级垂直极化中频放大电路的输入端与所述垂直极化有源混频电路连接，所述一级水平极化中频放大电路的输入端与所述水平极化有源混频电路连接；所述双极化低通滤波器包括与所述一级垂直极化中频放大电路输出端连接的垂直极化多层低通滤波器、与所述一级水平极化中频放大电路输出端连接的水平极化多层低通滤波器、多路LC滤波电路，多路所述LC滤波电路分别与所述垂直极化多层低通滤波器、所述水平极化多层低通滤波器连接，所述LC滤波电路的输出端与所述矩阵开关电路的输入端连接；所述矩阵开关电路的输出端与所述二级垂直极化中频放大电路、所述二级水平极化中频放大电路的输入端连接；所述输出接口包括与所述二级垂直极化中频放大电路输出端连接的第一输出口、与所述二级水平极化中频放大电路输出端连接的第二输出口。

作为优选，所述矩阵开关电路为2*2SWITCH矩阵开关。

作为优选，所述垂直极化多层低通滤波器、所述水平极化多层低通滤波器均为多层陶瓷滤波器。

作为优选，所述一级垂直极化放大电路、所述一级水平极化放大电路、所述二级垂直极化放大电路、所述二级水平极化放大电路分别与逻辑控制芯片连接。

作为优选，所述逻辑控制芯片的型号为FET/DC MC4000。

有益效果：本申请的C频段单本振双极化双输出的电路板结构，将垂直极化和水平极化信号通过双极化接入孔接入至双极化射频放大电路时，信号经过一级垂直极化放大电路、二级垂直极化放大电路、一级水平极化放大电路、二级水平极化放大电路后，实现了射频信号增益、信噪比、电路信号稳定性和信号质量的提高，且从双极化射频放大电路传出的信号经过DRO震荡电路后，本振信号具有较高的稳定性。本申请的C频段单本振双极化双输出的电路板结构电路简洁、排布合理，产品稳定性和可靠性高，且通过采用震荡信号和射频信号在外面混频的方式，使得本振信号更稳定，信噪比更高。电路简洁且排布合理，人工操作工序更简单，频率锁相精准。也就是说，加工制作工序简单，人工成本低，适合批量生产。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例中C频段单本振双极化双输出的电路板结构的结构示意图；

图2为本申请实施例中C频段单本振双极化双输出的电路板结构的电路连接示意图。

附图标记：111、垂直极化接入孔；112、水平极化接入孔；211、一级垂直极化放大电路；212、一级水平极化放大电路；221、二级垂直极化放大电路；222、二级水平极化放大电路；311、垂直极化梳状滤波器；312、水平极化梳状滤波器；400、DRO震荡电路；511、垂直极化有源混频电路；512、水平极化有源混频电路；611、一级垂直极化中频放大电路；612、一级水平极化中频放大电路；621、二级垂直极化中频放大电路；622、二级水平极化中频放大电路；711、垂直极化多层低通滤波器；712、水平极化多层低通滤波器；800、矩阵开关电路；910、第一输出口；920、第二输出口。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例：如图1-2所示的一种C频段单本振双极化双输出的电路板结构，包括电路板本体，电路板本体为现有技术中的任意一种电路板基板。

电路板本体上设置有双极化接入孔，双极化射频放大电路、双极化射频梳状滤波器BPF电路、DRO震荡电路400、双极化有源混频电路、双极化中频放大电路、双极化低通滤波器、矩阵开关电路800、输出接口。信号从双极化接入孔接入后，经过双极化射频放大电路后再经过DRO震荡电路400在双极化有源混频电路的混合后，最终从输出接口稳定输出。

双极化接入孔包括垂直极化接入孔111、水平极化接入孔112，垂直极化接入孔111用于将外部的垂直极化信号接入至双极化射频放大电路，水平极化接入孔112用于将外部的水平极化信号接入至双极化射频放大电路。

双极化射频放大电路包括与垂直极化接入孔111连接的一级垂直极化放大电路211、与水平极化接入孔112连接的一级水平极化放大电路212、与一级垂直极化放大电路211输出端连接的二级垂直极化放大电路221、与一级水平极化放大电路212输出端连接的二级水平极化放大电路222。在本实施例中，一级垂直极化放大电路211、一级水平极化放大电路212、二级垂直极化放大电路221、二级水平极化放大电路222均可以对应是现有技术中的任意一种。一级垂直极化放大电路211、一级水平极化放大电路212、二级垂直极化放大电路221、二级水平极化放大电路222分别与逻辑控制芯片连接，逻辑控制芯片的型号为FET/DC MC4000。

双极化射频梳状滤波器BPF电路包括与二级垂直极化放大电路221输出端连接的垂直极化梳状滤波器311、与二级水平极化放大电路222输出端连接的水平极化梳状滤波器312。在本实施例中，垂直极化梳状滤波器311、水平极化梳状滤波器312均可以对应是现有技术中的任意一种梳状滤波器。通过垂直极化梳状滤波器311、水平极化梳状滤波器312的设置，信号经过双极化射频放大电路后提高射频信号的增益、信噪比、电路信号稳定性、信号质量，然后经过垂直极化梳状滤波器311、水平极化梳状滤波器312进行滤波，再经过DRO震荡电路400、双极化有源混频电路外混频后输出，使得本振信号更稳定。

双极化有源混频电路包括与垂直极化梳状滤波器311输出端连接的垂直极化有源混频电路511、与水平极化梳状滤波器312输出端连接的水平极化有源混频电路512。在本实施例中，垂直极化有源混频电路511、水平极化有源混频电路512均可以对应是现有技术中的任意一种。

DRO震荡电路400分别与垂直极化有源混频电路511、水平极化有源混频电路512连接，DRO震荡电路400与双极化射频放大电路屏蔽间隔设置。在本实施例中，DRO震荡电路400可以是现有技术中的任意一种。信号经过垂直极化有源混频电路511、水平极化有源混频电路512时，通过DRO震荡器400对经过垂直极化有源混频电路511、水平极化有源混频电路512的信号进行调频控制，使得整个信号在经过垂直极化有源混频电路511、水平极化有源混频电路512后，能处于稳定的状态，即提高输出的本振信号的稳定性。

双极化中频放大电路包括一级垂直极化中频放大电路611、一级水平极化中频放大电路612、二级垂直极化中频放大电路621、二级水平极化中频放大电路622，一级垂直极化中频放大电路611的输入端与垂直极化有源混频电路511连接，一级水平极化中频放大电路612的输入端与水平极化有源混频电路512连接。在本实施例中，一级垂直极化中频放大电路611、一级水平极化中频放大电路612、二级垂直极化中频放大电路621、二级水平极化中频放大电路622均可以对应是现有技术中的任意一种。

双极化低通滤波器包括与一级垂直极化中频放大电路611输出端连接的垂直极化多层低通滤波器711、与一级水平极化中频放大电路612输出端连接的水平极化多层低通滤波器712、多路LC滤波电路，多路LC滤波电路分别与垂直极化多层低通滤波器711、水平极化多层低通滤波器711连接，LC滤波电路的输出端与矩阵开关电路800的输入端连接。在本实施例中，垂直极化多层低通滤波器711、水平极化多层低通滤波器712均可以是现有技术中的任意一种，如多层陶瓷滤波器。垂直极化多层低通滤波器711、水平极化多层低通滤波器712用于对信号进行陷波处理，然后在经过LC滤波电路对信号进行滤波处理。矩阵开关电路800可以是现有技术中的任意一种，如2*2SWITCH矩阵开关。

矩阵开关电路800的输出端与二级垂直极化中频放大电路621、二级水平极化中频放大电路622的输入端连接。输出接口包括与二级垂直极化中频放大电路621输出端连接的第一输出口910、与二级水平极化中频放大电路622输出端连接的第二输出口920，矩阵开关电路800可以通过不同的极化切换电压来完成第一输出口910、第二输出口920需要的垂直极化和水平极化的卫星信号。

本实施例的C频段单本振双极化双输出的电路板结构，信号通过双极化射频梳状滤波器BPF电路陷波、再经双极化低通滤波器再陷波、然后通过LC滤波电路滤波，解决了来自5G手机基站的干扰信号。需要说明的是，来自5G手机基站的干扰信号频率为3.4GHz-3.7GHz，在本实施例中，C频段单本振双极化双输出的电路板结构的工作输入频率设置为3.8GHz-4.2GHz，中频输出的频率设置为950MHz-1350MHz。双极化射频梳状滤波器BPF电路对3.4GHz-3.7GHz的滤除为-28DB，双极化低通滤波(950MHz-1350MHz)和LC滤波电路对中频信号的滤除为-42DB，因此能很好地确保在5G基站的环境下使用，解决了传统的产品不能在有5G基站的环境下使用的问题。通过对5G基站信号的滤除，在接收的过程中，避免了5G手机基站的信号的干扰，使得电路板的接收稳定性提高，进而提高电路板的工作稳定性。

最后应说明的是：以上仅所述为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种C频段单本振双极化双输出的电路板结构，包括电路板本体，其特征在于，所述电路板本体上设置有双极化接入孔，双极化射频放大电路、双极化射频梳状滤波器BPF电路、DRO震荡电路(400)、双极化有源混频电路、双极化中频放大电路、双极化低通滤波器、矩阵开关电路(800)、输出接口；

所述双极化接入孔包括垂直极化接入孔(111)、水平极化接入孔(112)；

所述双极化射频放大电路包括与所述垂直极化接入孔(111)连接的一级垂直极化放大电路(211)、与所述水平极化接入孔(112)连接的一级水平极化放大电路(212)、与所述一级垂直极化放大电路(211)输出端连接的二级垂直极化放大电路(221)、与所述一级水平极化放大电路(212)输出端连接的二级水平极化放大电路(222)；

所述双极化射频梳状滤波器BPF电路包括与所述二级垂直极化放大电路(221)输出端连接的垂直极化梳状滤波器(311)、与所述二级水平极化放大电路(222)输出端连接的水平极化梳状滤波器(312)；

所述双极化有源混频电路包括与所述垂直极化梳状滤波器(311)输出端连接的垂直极化有源混频电路(511)、与所述水平极化梳状滤波器(312)输出端连接的水平极化有源混频电路(512)；

所述DRO震荡电路(400)分别与所述垂直极化有源混频电路(511)、所述水平极化有源混频电路(512)连接，所述DRO震荡电路(400)与所述双极化射频放大电路屏蔽间隔设置；

所述双极化中频放大电路包括一级垂直极化中频放大电路(611)、一级水平极化中频放大电路(612)、二级垂直极化中频放大电路(621)、二级水平极化中频放大电路(622)，所述一级垂直极化中频放大电路(611)的输入端与所述垂直极化有源混频电路(511)连接，所述一级水平极化中频放大电路(612)的输入端与所述水平极化有源混频电路(512)连接；

所述双极化低通滤波器包括与所述一级垂直极化中频放大电路(611)输出端连接的垂直极化多层低通滤波器(711)、与所述一级水平极化中频放大电路(612)输出端连接的水平极化多层低通滤波器(712)、多路LC滤波电路，多路所述LC滤波电路分别与所述垂直极化多层低通滤波器(711)、所述水平极化多层低通滤波器(712)连接，所述LC滤波电路的输出端与所述矩阵开关电路(800)的输入端连接；

所述矩阵开关电路(800)的输出端与所述二级垂直极化中频放大电路(621)、所述二级水平极化中频放大电路(622)的输入端连接；

所述输出接口包括与所述二级垂直极化中频放大电路(621)输出端连接的第一输出口(910)、与所述二级水平极化中频放大电路(622)输出端连接的第二输出口(920)。

2.根据权利要求1所述的C频段单本振双极化双输出的电路板结构，其特征在于，所述矩阵开关电路(800)为2*2SWITCH矩阵开关。

3.根据权利要求1所述的C频段单本振双极化双输出的电路板结构，其特征在于，所述垂直极化多层低通滤波器(711)、所述水平极化多层低通滤波器(712)均为多层陶瓷滤波器。

4.根据权利要求1所述的C频段单本振双极化双输出的电路板结构，其特征在于，所述一级垂直极化放大电路(211)、所述一级水平极化放大电路(212)、所述二级垂直极化放大电路(221)、所述二级水平极化放大电路(222)分别与逻辑控制芯片连接。

5.根据权利要求4所述的C频段单本振双极化双输出的电路板结构，其特征在于，所述逻辑控制芯片的型号为FET/DC MC4000。

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