CN216649646U - 体声波谐振器、滤波器及双工器 - Google Patents
体声波谐振器、滤波器及双工器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN216649646U CN216649646U CN202220158729.1U CN202220158729U CN216649646U CN 216649646 U CN216649646 U CN 216649646U CN 202220158729 U CN202220158729 U CN 202220158729U CN 216649646 U CN216649646 U CN 216649646U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode layer
- resonance region
- layer
- resonator
- bulk acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
一种体声波谐振器、滤波器及双工器，涉及谐振器技术领域。该体声波谐振器包括具有空腔的基底以及依次设于基底上的第一电极层、压电层和第二电极层，第一电极层通过贯穿设置于压电层内的引出金属引出至压电层靠近第二电极层的一侧；其中，空腔、第一电极层、压电层和第二电极层在基底的厚度方向重叠的区域形成相互间隔的第一谐振区域和第二谐振区域；在第二谐振区域内，第一电极层靠近空腔的一面设有键合层。该体声波谐振器能够有效调节谐振器的机电耦合系数和滤波器的相对带宽，且可调范围较广。
Description
技术领域
本实用新型涉及谐振器技术领域，具体而言，涉及一种体声波谐振器、滤波器及双工器。
背景技术
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为一种MEMS芯片在通信领域发挥着重要作用，FBAR滤波器具有尺寸小(μm级)、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
其中，体声波谐振器的机电耦合系数直接影响滤波器的相对带宽。为调整谐振器的带宽，目前较常用的方式是通过控制电极层厚度与压电层厚度的比值来控制机电耦合系数，借此来调节谐振器的带宽。然而，电极层厚度和压电层厚度与谐振器的性能有关，不能任意调节，因此，现有技术中机电耦合系数和相对带宽的可调范围较小，难以满足日益发展的需求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种体声波谐振器、滤波器及双工器，其能够有效调节谐振器的机电耦合系数和滤波器的相对带宽，且可调范围较广。
本实用新型的实施例是这样实现的：
本实用新型的一方面，提供一种体声波谐振器，该体声波谐振器包括具有空腔的基底以及依次设于基底上的第一电极层、压电层和第二电极层，第一电极层通过贯穿设置于压电层内的引出金属引出至压电层靠近第二电极层的一侧；其中，空腔、第一电极层、压电层和第二电极层在基底的厚度方向重叠的区域形成相互间隔的第一谐振区域和第二谐振区域；在第二谐振区域内，第一电极层靠近空腔的一面设有键合层。该体声波谐振器能够有效调节谐振器的机电耦合系数和滤波器的相对带宽，且可调范围较广。
可选地，在第一谐振区域内的第一电极层和在第二谐振区域内的第一电极层互联，且在第一谐振区域内的第二电极层和在第二谐振区域内的第二电极层互联。
可选地，在第一谐振区域内的第一电极层和在第二谐振区域内的第一电极层相互隔离，且在第一谐振区域内的第二电极层和在第二谐振区域内的第二电极层互联。
可选地，体声波谐振器还包括位于第二电极层和压电层之间的缓冲层，且缓冲层在基底上的正投影分别与第一谐振区域和第二谐振区域在基底上的正投影无交叠。
可选地，基底包括晶圆和位于晶圆上的键合材料，键合材料上设有用于形成空腔的凹槽，第一电极层位于键合材料远离晶圆的一面。
可选地，第一电极和第二电极的材料分别为钼、铝、铂、银、钨和金中的任意一种。
可选地，压电层的材料为氮化铝、铌酸锂、钽酸锂以及锆钛酸铅中的任意一种。
本实用新型的另一方面，提供一种滤波器，该滤波器包括上述的谐振器。
本实用新型的又一方面，提供一种滤波器，该滤波器包括第一谐振器和与第一谐振器串联的第二谐振器，第一谐振器采用上述的体声波谐振器，且第一谐振器在第一谐振区域内的第一电极层和在第二谐振区域内的第一电极层互联，在第一谐振区域内的第二电极层和在第二谐振区域内的第二电极层互联。
本实用新型的再一方面，提供一种双工器，该双工器包括上述的滤波器。
本实用新型的有益效果包括：
本申请提供的体声波谐振器包括具有空腔的基底以及依次设于基底上的第一电极层、压电层和第二电极层，第一电极层通过贯穿设置于压电层内的引出金属引出至压电层靠近第二电极层的一侧；其中，空腔、第一电极层、压电层和第二电极层在基底的厚度方向重叠的区域形成相互间隔的第一谐振区域和第二谐振区域；在第二谐振区域内，第一电极层靠近空腔的一面设有键合层。本申请通过的空腔、第一电极层、压电层和第二电极层在基底的厚度方向重叠的区域形成了第一谐振区域和第二谐振区域，如此，可以形成两个谐振器，与此同时，本申请还在第二谐振区域内的第一电极层靠近空腔的一面形成有键合层(该键合层可以作为负载层)，这样，第一谐振区域的谐振器和第二谐振区域的谐振器的谐振频率则不同(位于第二谐振区域的谐振器的谐振频率要远小于位于第一谐振区域的谐振器)。这样一来，在位于第一谐振区域的谐振器的工作频率下，位于第二谐振区域的谐振器可以等效为电容。如此，通过位于第一谐振区域的谐振器和该电容电连接，可以有效地调节谐振器的机电耦合系数和滤波器的相对带宽，且可调范围较广。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的结构示意图之一；
图2为图1的等效电路图；
图3为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的结构示意图之二；
图4为图3的等效电路图；
图5为本实用新型实施例提供的滤波器的结构示意图；
图6为图5的等效电路图；
图7为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的制备过程示意图之一；
图8为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的制备过程示意图之二；
图9为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的制备过程示意图之三；
图10为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的制备过程示意图之四；
图11为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的制备过程示意图之五；
图12为本实用新型实施例提供的体声波谐振器的制备过程示意图之六。
图标：10-基底；11-空腔；12-晶圆；13-键合材料；20-第一电极层；30-压电层；40-第二电极层；50-引出金属；A-第一谐振区域；B-第二谐振区域；60-键合层；70-缓冲层；80-衬底；91-第一凹槽；92-第二凹槽；93-第三凹槽；200-第二谐振器。
具体实施方式
下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式。在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本实用新型的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，这些概念和应用属于本实用新型和随附权利要求的范围内。
应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本实用新型的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。
诸如“在...下方”或“在...上方”或“上部”或“下部”或“水平”或“垂直”的相关术语在本文中可用来描述一个元件、层或区域与另一个元件、层或区域的关系，如图中所示出。应当理解，这些术语和上文所论述的那些术语意图涵盖装置的除图中所描绘的取向之外的不同取向。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而且并不意图限制本实用新型。如本文所使用，除非上下文明确地指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”意图同样包括复数形式。还应当理解，当在本文中使用时，术语“包括”指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者增添一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或上述各项的组。
除非另外界定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本实用新型所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样界定。
请参照图1至图4，本实施例提供一种体声波谐振器，该体声波谐振器包括具有空腔11的基底10以及依次设于基底10上的第一电极层20、压电层30和第二电极层40，第一电极层20通过贯穿设置于压电层30内的引出金属50引出至压电层30靠近第二电极层40的一侧；其中，空腔11、第一电极层20、压电层30和第二电极层40在基底10的厚度方向重叠的区域形成相互间隔的第一谐振区域A和第二谐振区域B；在第二谐振区域B内，第一电极层20靠近空腔11的一面设有键合层60。该体声波谐振器能够有效调节谐振器的机电耦合系数和滤波器的相对带宽，且可调范围较广。
请参照图1和图3，上述基底10具有空腔11，该空腔11可以是由牺牲材料的释放得到，由于谐振器的空腔11为本领域技术人员所熟知，故本申请不做赘述。
可选地，上述第一电极和第二电极的材料可以分别为钼、铝、铂、银、钨和金中的任意一种。具体地，本领域技术人员可以根据需要自行选择，本申请不做具体限制。
还有，可选地，压电层30的材料为氮化铝、铌酸锂、钽酸锂以及锆钛酸铅中的任意一种。同样地，压电层30的具体材料的选择本领域技术人员可以自定，本申请不做具体限制。
示例性地，可以在压电层30上设有通孔，通过在压电层30远离第一电极层20的一面形成引出金属50，并将引出金属50填充于该通孔内，从而实现将第一电极层20引出至压电层30设有第二电极层40的一侧。其中，引出金属50可以和第二电极层40同材料，也可以是在制备第二电极层40时同时制备的。
请参照图1和图3，空腔11、第一电极层20、压电层30和第二电极层40在基底10的厚度方向重叠的区域形成第一谐振区和第二谐振区，其中，第一谐振区和第二谐振区在基底10上的正投影无交叠区域。
本申请提供的体声波谐振器包括第一谐振区域A和第二谐振区域B，这样，能够形成左右两个谐振器(此处的方向以图1和图3的视角为准)，且在第二谐振区域B内的第一电极层20靠近空腔11的一面设有键合层60，如此，右侧的谐振器由于增加了可以作为负载层的键合层60，因此，其谐振频率要远小于左侧的谐振器。这样一来，在左侧谐振器的工作频率下，右侧谐振器可以等效为电容。如此，通过串联或并联这些电容，可以有效地调节谐振器的机电耦合系数和滤波器的相对带宽，且可调范围较广。
综上所述，本申请提供的体声波谐振器包括具有空腔11的基底10以及依次设于基底10上的第一电极层20、压电层30和第二电极层40，第一电极层20通过贯穿设置于压电层30内的引出金属50引出至压电层30靠近第二电极层40的一侧；其中，空腔11、第一电极层20、压电层30和第二电极层40在基底10的厚度方向重叠的区域形成相互间隔的第一谐振区域A和第二谐振区域B；在第二谐振区域B内，第一电极层20靠近空腔11的一面设有键合层60。本申请通过的空腔11、第一电极层20、压电层30和第二电极层40在基底10的厚度方向重叠的区域形成了第一谐振区域A和第二谐振区域B，如此，可以形成两个谐振器，与此同时，本申请还在第二谐振区域B内的第一电极层20靠近空腔11的一面形成有键合层60(该键合层60可以作为负载层)，这样，第一谐振区域A的谐振器和第二谐振区域B的谐振器的谐振频率则不同(位于第二谐振区域B的谐振器的谐振频率要远小于位于第一谐振区域A的谐振器)。这样一来，在位于第一谐振区域A的谐振器的工作频率下，位于第二谐振区域B的谐振器可以等效为电容。如此，通过位于第一谐振区域A的谐振器和该电容电连接，可以有效地调节谐振器的机电耦合系数和滤波器的相对带宽，且可调范围较广。
需要说明的是，上述左侧的谐振器和右侧的谐振器(也即电容)可以是串联也可以是并联，具体地，本领域技术人员可以根据实际需求而定。
示例性地，在一种可行的实施例中，请参照图1，在第一谐振区域A内的第一电极层20和在第二谐振区域B内的第一电极层20互联，且在第一谐振区域A内的第二电极层40和在第二谐振区域B内的第二电极层40互联。
这样，其等效电路则为图2所示，左侧的谐振器和右侧的电容则为并联连接的形式。
示例性地，在另一种可行的实施例中，请参照图3所示，在第一谐振区域A内的第一电极层20和在第二谐振区域B内的第一电极层20相互隔离，且在第一谐振区域A内的第二电极层40和在第二谐振区域B内的第二电极层40互联。
这样，其等效电路可以参考图4所示，此时，左侧的谐振器和右侧的电容则为串联连接的形式。
请参照图1和图3，可选地，体声波谐振器还包括位于第二电极层40和压电层30之间的缓冲层70，且缓冲层70在基底10上的正投影分别与第一谐振区域A和第二谐振区域B在基底10上的正投影无交叠。
其中，缓冲层70的材料可以为二氧化硅。应理解，二氧化硅仅为示例，不应看做是对缓冲层70的具体材料的唯一限制。具体地，本领域技术人员可以自行选择合适材料。
请参照图1和图3，在本实施中，基底10包括晶圆12和位于晶圆12上的键合材料13，键合材料13上设有用于形成空腔11的凹槽，第一电极层20位于键合材料13远离晶圆12的一面。
需要说明的是，上述键合层60和该键合材料13的材料可以相同。其可以是通过同一材料同时制备出来的。
示例性地，请参照图7至图12，本申请以左侧的谐振器和右侧的电容并联为例，对本申请提供的体声波谐振器的制备方法做以简单说明。
当体声波谐振器的左侧谐振器和右侧谐振器为并联时，其制备过程如下：
在衬底80上依次沉积缓冲层70，压电层30和第一电极层20，并图案化第一电极层20，以得到如图7所示的结构；在第一电极层20上沉积键合材料13，并进行图案化，以得到如图8所示的结构。
然后，在晶圆12上沉积一层键合材料13，并进行图案化，以得到图9所示的结构。
将图8和图9得到的结构进行键合，以使第一电极层20上的键合材料13和晶圆12上的键合材料13键合在一起，形成总键合层60，其中，未键合的键合材料13作为负载层(也即前文中的键合层60)，如图10所示。
请参照图11所示，去除衬底80。然后，刻蚀缓冲层70和压电层30以形成露出第一电极层20的第一凹槽91，并刻蚀缓冲层70以形成露出压电层30的第二凹槽92和第三凹槽93，第二凹槽92和第三凹槽93间隔设置，以得到如图12所示的结构。
这时，请参照图1所示，沉积第二电极层40，并对第二电极层40进行图案化，便可以得到左侧的谐振器和右侧的电容呈并联连接时的体声波谐振器。
需要说明的是，当左侧的谐振器和右侧的电容呈串联时，其制备过程和上述制备过程(即左侧的谐振器和右侧的电容呈并联时的制备过程)原理相同，区别在于需要将第一谐振区域A和第二谐振区域B的第一电极层20刻蚀开即可。因此，本申请对左侧的谐振器和右侧的电容呈串联时的制备过程不再赘述，本领域技术人员可参考上述左侧的谐振器和右侧的电容呈并联时的制备过程推理得到。
本实用新型的另一方面，提供一种滤波器，该滤波器包括上述的谐振器。由于上述的谐振器的具体结构及其有益效果均已在前文做了详细阐述，故本申请对此不再赘述。
请参照图5，本实用新型的又一方面，提供一种滤波器，该滤波器包括第一谐振器和与第一谐振器串联的第二谐振器200，第一谐振器采用前文中的体声波谐振器，且第一谐振器在第一谐振区域A内的第一电极层20和在第二谐振区域B内的第一电极层20互联，在第一谐振区域A内的第二电极层40和在第二谐振区域B内的第二电极层40互联。
需要说明的是，第二谐振器200为普通的谐振器(即具有一个谐振区域)。
其中，该滤波器的第一谐振器采用前文中的体声波谐振器，具体为前文中左侧谐振器和右侧电容呈并联时的体声波谐振器。这样，第一谐振器和第二谐振器200串联后，其等效电路图如图6所示。
本实用新型的再一方面，提供一种双工器，该双工器包括上述的任意一个滤波器。需要说明的是，前文中提供了两种滤波器，在这里，本申请提供的双工器可以包括上述的任意一种滤波器。由于上述的两种滤波器的具体结构均已在前文做了详细阐述，故本申请在此不再赘述。
以上所述仅为本实用新型的可选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括具有空腔的基底以及依次设于所述基底上的第一电极层、压电层和第二电极层，所述第一电极层通过贯穿设置于所述压电层内的引出金属引出至所述压电层靠近所述第二电极层的一侧；
其中，所述空腔、所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层在所述基底的厚度方向重叠的区域形成相互间隔的第一谐振区域和第二谐振区域；在所述第二谐振区域内，所述第一电极层靠近所述空腔的一面设有键合层。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在所述第一谐振区域内的所述第一电极层和在所述第二谐振区域内的所述第一电极层互联，且在所述第一谐振区域内的所述第二电极层和在所述第二谐振区域内的所述第二电极层互联。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在所述第一谐振区域内的所述第一电极层和在所述第二谐振区域内的所述第一电极层相互隔离，且在所述第一谐振区域内的所述第二电极层和在所述第二谐振区域内的所述第二电极层互联。
4.根据权利要求2或3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括位于所述第二电极层和所述压电层之间的缓冲层，且所述缓冲层在所述基底上的正投影分别与所述第一谐振区域和所述第二谐振区域在所述基底上的正投影无交叠。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述基底包括晶圆和位于所述晶圆上的键合材料，所述键合材料上设有用于形成所述空腔的凹槽，所述第一电极层位于所述键合材料远离所述晶圆的一面。
6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料分别为钼、铝、铂、银、钨和金中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料为氮化铝、铌酸锂、钽酸锂以及锆钛酸铅中的任意一种。
8.一种滤波器，其特征在于，包括根据权利要求1至7中任一项所述的体声波谐振器。
9.一种滤波器，其特征在于，包括第一谐振器和与所述第一谐振器串联的第二谐振器，所述第一谐振器采用权利要求1至7中任一项所述的体声波谐振器，且所述第一谐振器在第一谐振区域内的第一电极层和在第二谐振区域内的所述第一电极层互联，在所述第一谐振区域内的第二电极层和在所述第二谐振区域内的所述第二电极层互联。
10.一种双工器，其特征在于，包括权利要求8所述的滤波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220158729.1U CN216649646U (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 体声波谐振器、滤波器及双工器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220158729.1U CN216649646U (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 体声波谐振器、滤波器及双工器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216649646U true CN216649646U (zh) | 2022-05-31 |
Family
ID=81729136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202220158729.1U Active CN216649646U (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 体声波谐振器、滤波器及双工器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN216649646U (zh) |
-
2022
- 2022-01-20 CN CN202220158729.1U patent/CN216649646U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1191688B1 (en) | Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure | |
| EP0973256B1 (en) | Thin film piezoelectric element | |
| JP4259576B2 (ja) | 分波器及び弾性表面波フィルタ | |
| KR100799391B1 (ko) | 박막 음향공진기 및 그 제조방법 | |
| US8319584B2 (en) | Contour-mode piezoelectric micromechanical resonators | |
| US9595939B2 (en) | Reactance filter having a steep edge | |
| US20030107456A1 (en) | Thin-film piezoelectric resonator, band-pass filter and method of making thin-film piezoelectric resonator | |
| CN108173528A (zh) | 滤波器 | |
| KR20050021309A (ko) | 압전 박막 공진자 및 그 제조 방법 | |
| CN111049490B (zh) | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| CN111030634B (zh) | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| CN114826196B (zh) | 一种可调谐的薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| EP4050796A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator and manufacturing method therefor, filter, and electronic device | |
| US11509287B2 (en) | Bi-polar border region in piezoelectric device | |
| CN114124021A (zh) | 一种弹性波谐振器及多通带滤波器 | |
| CN216649646U (zh) | 体声波谐振器、滤波器及双工器 | |
| EP1530291A2 (en) | Piezoelectric resonator, production method thereof, filter, duplexer, and communication device | |
| CN112953447B (zh) | 谐振器及电子设备 | |
| US6621193B1 (en) | Thickness extensional vibration mode piezoelectric resonator, ladder-type filter, and piezoelectric resonator component | |
| CN113381722A (zh) | 一种抑制能量泄露和寄生的高q值薄膜体声波谐振器 | |
| JP2005210681A (ja) | 圧電共振器、その製造方法、それを用いたフィルタ、共用器、および通信機器 | |
| CN207652404U (zh) | 滤波器 | |
| CN117375568B (zh) | 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法 | |
| CN218633883U (zh) | 一种谐振器和滤波器 | |
| CN215072336U (zh) | 薄膜体声波谐振器及滤波器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |