CN216624267U - 圆角引线桥堆框架 - Google Patents

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王双
姚文康
吕强
熊鹏程
王毅
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Abstract

圆角引线桥堆框架。涉及一种半导体技术领域,尤其涉及圆角引线桥堆框架。包括设置在封装体内的框架一、框架二、框架三和框架四;其特征在于,所述框架一呈长条状,间隔设置在所述框架二的一侧;所述框架四间隔设置在所述框架二的另一侧;所述框架三间隔设置在所述框架二的上方,并设有延伸至所述框架二与框架四之间的连接部。本案产品铜底板为整体由冲切模具冲出,芯片和框架堆叠与铜底板上面,四根引脚焊接在铜底板的一边,保持了原有的引线结构外观同时,降低了材料的用量,提高了制备的效率。

Description

圆角引线桥堆框架
技术领域
本实用新型涉及一种半导体技术领域,尤其涉及圆角引线桥堆框架。
背景技术
整流桥是将整流管封在一个壳内,分为全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起;半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。
圆引线整流桥作为整流桥产品的一种,传统的产品,如图是设计四个引线组成的产品结构,在组装过程中,需要放置四次引线,芯片放置至少两次,焊料至少放置两次,产品结构应力大,生产工艺复杂,劳动强度大,工作效率低。
针对上述问题,申请人于2011年11月申请了一件授权公告号为CN 202332843 U的实用新型专利;公开了一种能降低产品整体高度的矮本体整流桥堆,包括设置在封装体内部的具有纵向引脚的框架一 ~ 四、芯片一 ~ 四和跳线一 ~ 四,所述跳线一 ~ 四在所述封装体内部以横向方向设置。随着产品要求的不断提升, 原先开发的产品结构已经很难满足高端客户的需要,而且铜带较宽,制备过程中产生的废铜较多。
实用新型内容
本实用新型针对以上问题,提供了一种结构紧凑、降低产品成本、加工简便的圆角引线桥堆框架。
本实用新型的技术方案是:圆角引线桥堆框架,包括设置在封装体内的框架一、框架二、框架三和框架四;其特征在于,所述框架一呈长条状,间隔设置在所述框架二的一侧;
所述框架四间隔设置在所述框架二的另一侧;
所述框架三间隔设置在所述框架二的上方,并设有延伸至所述框架二与框架四之间的连接部。
所述框架三呈L型结构,与框架一和框架二之间形成镂空区。
所述框架二上设有键合的芯片二,所述芯片二通过跳线二与框架一电性连接。
所述框架三上设有键合的芯片三,所述芯片三通过跳线三与框架一电性连接。
所述框架一、框架二和框架三之间设有连接筋。
所述连接筋呈T型结构。
所述框架四上设有上下间隔设置的芯片A和芯片B;
所述芯片A通过跳线A与框架三电性连接;
所述芯片B通过跳线B与框架二电性连接。
所述框架一的底部设有向下延伸的引脚一;
所述框架二的底部设有向下延伸的引脚二;
所述连接部的底部设有向下延伸的引脚三;
所述框架四的底部设有向下延伸的引脚四。
所述框架四上用于键合芯片B的芯片B键合区向框架二一侧方向凸出。
所述框架一为负极框架,所述框架四为正极框架,所述框架二和框架三分别为交流框架。
本实用新型包括设置在封装体内的框架一、框架二、框架三和框架四;框架一呈长条状,间隔设置在框架二的一侧;框架四间隔设置在框架二的另一侧;框架三间隔设置在框架二的上方,并设有延伸至框架二与框架四之间的连接部。本案产品铜底板为整体由冲切模具冲出,芯片和框架堆叠与铜底板上面,四根引脚焊接在铜底板的一边,保持了原有的引线结构外观同时,降低了材料的用量,提高了制备的效率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图,
图2是四个芯片连接状态结构示意图,
图3是图2的侧部结构示意图;
图中1是框架一,2是框架二,3是框架三,31是连接部,4是框架四, 5是镂空区,
61是芯片二,62是芯片三,63是芯片A,64是芯片B;
71是跳线二,72是跳线三,73是跳线A,74是跳线B,
8是连接筋,
91是引脚一,92是引脚二,93是引脚三,94是引脚四。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
参照如图1所示,圆角引线桥堆框架,包括设置在封装体内的框架一1、框架二2、框架三3和框架四4;其特征在于,所述框架一1呈长条状,间隔设置在所述框架二2的一侧;
所述框架四4间隔设置在所述框架二2的另一侧;
所述框架三3间隔设置在所述框架二2的上方,并设有延伸至所述框架二2与框架四4之间的连接部31。
所述框架三3呈L型结构,与框架一1和框架二2之间形成镂空区5。镂空区5保证框架一1和框架二2的高电压的绝缘强度,间隙小容易引起打火。本案引线的铜材的直径采用的是0.7mm,框架片的铜材厚度是0.2mm,框架片比铜引线加工简单,生产效率高。
参照如图2、3所示;所述框架二2上设有键合的芯片二61,所述芯片二61通过跳线二71与框架一1电性连接。
所述框架三3上设有键合的芯片三62,所述芯片三62通过跳线三73与框架一1电性连接。
所述框架一1、框架二2和框架三3之间设有连接筋8。连接筋8在框架冲出时,保证框架一1、框架二2和框架三3的框架片相连接,保证各框架见的绝缘强度。
所述连接筋8呈T型结构,连接筋8在加工过程中会通过切筋设备进行切除,图中剖面线部分表示由切筋设备进行切除区域。
所述框架四4上设有上下间隔设置的芯片A63和芯片B64;
所述芯片A63通过跳线A73与框架三3电性连接;
所述芯片B64通过跳线B74与框架二2电性连接。
所述框架一1的底部设有向下延伸的引脚一91;
所述框架二2的底部设有向下延伸的引脚二92;
所述连接部31的底部设有向下延伸的引脚三93;
所述框架四4的底部设有向下延伸的引脚四94。
所述框架四4上用于键合芯片B64的芯片B键合区向框架二2一侧方向凸出。采用凸出的形式不仅可以将芯片A63和芯片B64错开,提高散热性能,而且降低芯片B64与框架二2连接的距离。
所述框架一1为负极框架,所述框架四4为正极框架,所述框架二2和框架三3分别为交流框架。
本案产品铜底板为整体由冲切模具冲出,芯片和框架堆叠与铜底板上面,四根引脚焊接在铜底板的一边,保持了原有的引线结构外观,包括以下步骤:
S1、铜底板制作,将矩形整板通过冲压模具冲出中间通孔以及连接在通孔四周的分隔孔;通过分隔孔初步将铜底板分隔成4个的铜板区域(即框架一1、框架二2、框架三3和框架四4),部分相连沟通一个整体;
S2、芯片放置,将四颗芯片放置在相应的铜板上;
S3、将铜板上的芯片通过跳线与其他铜板连接;
S4、将四个引线分别焊接在铜板的固定位置上;
S5、切断,通过冲压模具将铜底板连接处冲出切口,最终形成四个独立的铜板。
对于本案所公开的内容,还有以下几点需要说明:
(1)、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构,其他结构可参考通常设计;
(2)、在不冲突的情况下,本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例;
以上,仅为本案所公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.圆角引线桥堆框架,包括设置在封装体内的框架一、框架二、框架三和框架四;其特征在于,所述框架一呈长条状,间隔设置在所述框架二的一侧;
所述框架四间隔设置在所述框架二的另一侧;
所述框架三间隔设置在所述框架二的上方,并设有延伸至所述框架二与框架四之间的连接部。
2.根据权利要求1所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架三呈L型结构,与框架一和框架二之间形成镂空区。
3.根据权利要求1所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架二上设有键合的芯片二,所述芯片二通过跳线二与框架一电性连接。
4.根据权利要求1所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架三上设有键合的芯片三,所述芯片三通过跳线三与框架一电性连接。
5.根据权利要求1所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架一、框架二和框架三之间设有连接筋。
6.根据权利要求5所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述连接筋呈T型结构。
7.根据权利要求1所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架四上设有上下间隔设置的芯片A和芯片B;
所述芯片A通过跳线A与框架三电性连接;
所述芯片B通过跳线B与框架二电性连接。
8.根据权利要求1所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架一的底部设有向下延伸的引脚一;
所述框架二的底部设有向下延伸的引脚二;
所述连接部的底部设有向下延伸的引脚三;
所述框架四的底部设有向下延伸的引脚四。
9.根据权利要求7所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架四上用于键合芯片B的芯片B键合区向框架二一侧方向凸出。
10.根据权利要求7所述的圆角引线桥堆框架,其特征在于,所述框架一为负极框架,所述框架四为正极框架,所述框架二和框架三分别为交流框架。
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