CN216622524U - 一种s波段耐功率测试装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种S波段耐功率测试装置，包括放大电路，所述放大电路的输出端与双定向耦合器连接，所述双定向耦合器的输出端与检波器电路的输入端连接，所述检波器电路的输出端与过反射保护电路连接；所述过反射保护电路的输出端与调制电路连接，所述调制电路的输出端与所述放大电路的供电端连接；该S波段耐功率测试装置通过在检波器的输出端设置调制电路和过反射保护电路，当发射功率高于正常值时，通过调制电路关断功率放大电路的供电端，从源头上防止过发射现象的发生，从而起到保护功率测试设备的作用。

Description

一种S波段耐功率测试装置

技术领域

本实用新型涉及微波射频领域，特别涉及一种S波段耐功率测试装置。

背景技术

微波射频领域中很多器件需要进行耐功率考核，现有的很多检测设备都是套用现有的放大器，此类耐功率考核设备无法保证设备本身稳定可靠工作，从而影响器件的耐功率考核效果。当被测器件因本身耐功率不足损毁时会造成全反射，如果没有过发射保护电路，大概率会导致测试设备损毁。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供一种能够保证功率测试设备不会发生损坏的S波段耐功率测试装置。

为了实现上述目的，本实用新型提供的技术方案是：一种S波段耐功率测试装置，包括放大电路，所述放大电路的输出端与双定向耦合器连接，所述双定向耦合器的输出端与检波器电路的输入端连接，所述检波器电路的输出端与过反射保护电路连接；所述过反射保护电路的输出端与调制电路连接，所述调制电路的输出端与所述放大电路的供电端连接。

作为优选的一种技术方案，所述检波器的输出端连接有采样电路，所述采样电路的输出端与显示屏连接。

作为优选的一种技术方案，所述检波器电路包括检波器，所述检波器的输入端与所述双定向耦合器的输出端连接，所述检波器的输出端与比较器的输入端连接，所述比较器的输出端与触发器连接。

作为优选的一种技术方案，所述过反射保护电路包括非门，所述非门的输入端与所述触发器的输出端连接，所述非门的输出端与与门的输入端连接，所述与门的输出端与调制电路的输入端连接。

作为优选的一种技术方案，所述调制电路包括第一MOS管驱动器，所述第一MOS管驱动器的输入端与所述与门的输出端连接，所述第一MOS管驱动器的输出端与第二MOS管驱动器的输入端连接，所述第二MOS管驱动器的输出端分别与第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极连接。

作为优选的一种技术方案，所述第一MOS管的漏极与电源连接，所述第二MOS管的源极接地。

作为优选的一种技术方案，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极与放大电路的供电端连接。

作为优选的一种技术方案，所述放大电路包括前级放大器，所述前级放大器的输出端与限幅器连接，所述限幅器的输出端连接有末级放大器，所述末级放大器的输出端与所述双定向耦合器连接。

本实用新型相对于现有技术的有益效果是：该S波段耐功率测试装置通过在检波器的输出端设置调制电路和过反射保护电路，当发射功率高于正常值时，通过调制电路关断功率放大电路的供电端，从源头上防止过发射现象的发生，从而起到保护功率测试设备的作用。

附图说明

图1是本实用新型的结构图框架图；

图2是本实用新型中检波器电路以及过反射保护电路的原理图；

图3是本实用新型中调制电路的原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本申请。

参照图1，本实施例提供一种S波段耐功率测试装置，包括放大电路，放大电路包括前级放大器，前级放大器的输出端与限幅器连接，限幅器的输出端连接有末前级放大器，末前级放大器的输出端与末级放大器连接，末级放大器的输出端与双定向耦合器连接，在此需要说明的是，由于上述放大电路中各个放大器的具体结构以及工作原理在本领域中属于现有技术，因此在本实施例中对于上述放大电路的具体结构以及工作原理就不再赘述。

进一步的，双定向耦合器U15的输出端与检波器电路的输入端连接，所述检波器电路的输出端与过反射保护电路连接；如图3所示，检波器电路包括检波器U1，在本实施例中，检波器U1的型号采用AD8310，检波器U1的输入端与双定向耦合器的输出端连接，检波器U1的输出端与比较器U2的输入端连接，在本实施例中，比较器U2的型号采用AD8561，比较器U2的输出端与触发器U3连接，在本实施例中，触发器U3的型号采用MC14538。过反射保护电路包括非门U4，在本实施例中，非门U4的型号为IXDI614，非门U4的输入端与触发器U3的输出端连接，非门U4的输出端与与门U5的输入端连接，在本实施例中，与门U5的型号为SN74HC08NSR，与门U5的输出端与调制电路的输入端连接。

参照图3，调制电路包括第一MOS管驱动器U11，在本实施例中，第一MOS管驱动器U11的型号为TC4428，第一MOS管驱动器U11的输入端与与门U5的输出端连接，第一MOS管驱动器U11的输出端与第二MOS管驱动器LTC4444的输入端连接，第二MOS管驱动器LTC4444的输出端分别与第一MOS管Q3的栅极和第二MOS管Q4的栅极连接，所述第一MOS管Q3的源极与第二MOS管Q4的漏极连接，第一MOS管Q3的漏极与电源连接，第二MOS管Q4的源极接地，第一MOS管Q3的源极与第二MOS管Q4的漏极与放大电路的供电端连接。

在一些实施例中，检波器的输出端连接有采样电路，所述采样电路的输出端与显示屏连接，在此需要说明的是，由于通过采样电路连接显示屏对于本领域技术人员来说属于常规技术手段，故在此不再赘述。

设备外界给进TTL信号以规定功率设备输出信号的脉宽与占空比，本实施例中将占空比限制为30％，脉宽限制为100us，当TTL信号参数超过设定值时，设备报警并停止工作，防止输出脉冲信号对被测件造成损坏。只有当TTL信号满足设定条件后，设备会将TTL信号输送给调制电路。调制电路控制末前级放大器与末级放大器，保证输出功率脉宽与占空比满足条件。

射频输入信号输入前级放大器，经前级放大器后输入限幅器，限幅器的作用是限制信号幅度，避免输入信号幅度过大的情况导致器件损坏。射频信号经限幅器后依次输入末前级放大器和末级放大器，将输入的信号放大到一定功率后，经输出定向耦合器将该放大后的信号输出。本限幅器中限幅输出为13dBm，当前级放大器输入信号过大时，末前级的输入信号稳定在13dBm，保证功放稳定可靠工作。

设备通过AC/DC电路将输入的220V交流电转为50V直流电，并通过DC/DC电路将50V电压转换为各级放大电路工作所需要的电压值。

输出的大功率射频信号会经过双定向耦合器U11，其中双定向耦合器U11的正向耦合端与反向耦合端通过检波器同时输出功率电平信号和BITE信号。其中电平信号会进入采样电路并将实际输出功率实时显示在显示屏上。BITE信号是将电平信号通过比较器后输出，判断输出信号有无和过反射功率是否超过正常值。当发射功率高于正常值时，通过脉冲调制电路关断功率放大电路的供电端，从源头上防止过发射现象的发生，从而起到保护功率测试设备的作用。本实施例中，当反射信号超过43dBm时，反向功率检波器上报BITE信号为正，通过调制器关断射频信号，防止全反射现象的发生。

以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种S波段耐功率测试装置，包括放大电路，其特征在于：所述放大电路的输出端与双定向耦合器连接，所述双定向耦合器的输出端与检波器电路的输入端连接，所述检波器电路的输出端与过反射保护电路连接；所述过反射保护电路的输出端与调制电路连接，所述调制电路的输出端与所述放大电路的供电端连接。

2.根据权利要求1所述的S波段耐功率测试装置，其特征在于：所述检波器的输出端连接有采样电路，所述采样电路的输出端与显示屏连接。

3.根据权利要求1所述的S波段耐功率测试装置，其特征在于：所述检波器电路包括检波器，所述检波器的输入端与所述双定向耦合器的输出端连接，所述检波器的输出端与比较器的输入端连接，所述比较器的输出端与触发器连接。

4.根据权利要求3所述的S波段耐功率测试装置，其特征在于：所述过反射保护电路包括非门，所述非门的输入端与所述触发器的输出端连接，所述非门的输出端与与门的输入端连接，所述与门的输出端与调制电路的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的S波段耐功率测试装置，其特征在于：所述调制电路包括第一MOS管驱动器，所述第一MOS管驱动器的输入端与所述与门的输出端连接，所述第一MOS管驱动器的输出端与第二MOS管驱动器的输入端连接，所述第二MOS管驱动器的输出端分别与第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极连接。

6.根据权利要求5所述的S波段耐功率测试装置，其特征在于：所述第一MOS管的漏极与电源连接，所述第二MOS管的源极接地。

7.根据权利要求5所述的S波段耐功率测试装置，其特征在于：所述第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极与放大电路的供电端连接。

8.根据权利要求1所述的S波段耐功率测试装置，其特征在于：所述放大电路包括前级放大器，所述前级放大器的输出端与限幅器连接，所述限幅器的输出端连接有末级放大器，所述末级放大器的输出端与所述双定向耦合器连接。

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