CN216597997U - 基站 - Google Patents

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哈米德.礼萨.梅马尔.扎德.德黑兰
张建中
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Abstract

本公开涉及一种通信方法和系统。本公开提供了天线和包括该天线的基站。该天线包括子阵列，该子阵列包括第一单位单元和第二单位单元以及馈电网络。第一单位单元和第二单位单元分别包括为四边形形状的第一贴片和第二贴片。馈电网络包括：第一传输线，其两端分别终止在第一贴片和第二贴片的第一拐角的下方；第二传输线，其两端分别终止在第一贴片和第二贴片的第三拐角的下方；第三传输线，其两端终止在第一贴片的第二拐角和第二贴片的第四拐角的下方；以及第四传输线，终止在第一贴片的第四拐角和第二贴片的第二拐角的下方。第一拐角与相应的第一贴片和第二贴片上的第三拐角相对，第二拐角与相应的第一贴片和第二贴片上的第四拐角相对。

Description

基站
本申请是三星电子株式会社的国际申请日为2019年8月27日、名称为“包含内置的差分馈电方案的高增益和大带宽的天线”、国家申请号为 201990000682.2的实用新型专利申请的分案申请。
技术领域
本公开总体上涉及天线结构。更具体地，本公开涉及一种在大频率范围上产生适度的辐射增益的天线结构。
背景技术
为了满足自部署4G通信系统以来对无线数据业务增加的需求，已努力开发改进的5G或pre-5G的通信系统。因此，5G或pre-5G的通信系统也称为“超越4G网络”或“后LTE系统”。5G通信系统被认为是在更高的频率 (mmWave)频段(例如，60GHz频段)中实现的，以实现更高的数据速率。为了减少无线电波的传播损耗并增加传输距离，波束成形、大规模多输入多输出(MIMO)、全维度MIMO(FD-MIMO)、阵列天线、模拟波束成形、大规模天线技术已经在5G通信系统中进行了讨论。此外，在5G通信系统中，基于高级小型小区、云无线接入网(RAN)、超密集网络、设备到设备 (D2D)通信、无线回程、移动网络、协作通信、协作多点(CoMP)、接收端干扰消除等的系统网络的改进开发正在进行中。在5G系统中，已经开发了作为高级编码调制(ACM)的混合FSK和QAM调制(FQAM)和滑动窗口叠加编码(SWSC)和作为高级访问技术的滤波器组多载波(FBMC)、非正交多址(NOMA)和稀疏码多路访问(SCMA)。
互联网是人类以人为中心的连接网络，人们可以在该网络中生成和消费信息。现在，互联网正在发展为物联网(IoT)，在该物联网中，诸如事物等分布式实体无需人工干预即可交换和处理信息。万物互联(IoE)通过与云服务器的连接将IoT技术和大数据处理技术结合在一起。IoT的实施需要诸如“传感技术”、“有线/无线通信和网络基础设施”、“服务接口技术”和“安全技术”之类的技术要素，最近已经研究了传感器网络、机器对机器(M2M) 通信、机器类型通信(MTC)等。这样的物联网环境可以提供智能互联网技术服务，该服务通过收集和分析在连接的事物之间生成的数据为人类生活创造新的价值。通过现有信息技术(IT)与各种工业应用之间的融合和组合，物联网可以应用于各种领域，包括智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或互联汽车、智能电网、医疗保健、智能家电和高级医疗服务。
与此相应，已经进行了各种尝试以将5G通信系统应用于IoT网络。例如，诸如传感器网络、机器类型通信(MTC)和机器对机器(M2M)通信之类的技术可以通过波束成形、MIMO和阵列天线来实现。云无线接入网络 (RAN)作为上述大数据处理技术的应用也可以被视为5G技术与IoT技术之间融合的示例。
实用新型内容
技术问题
大规模多输入多输出(MIMO)的概念旨在提高下一代电信系统的覆盖范围和频谱效率。在下一代电信系统中，用户专用于一个或多个空间方向以实现预期的通信目的。基于大规模MIMO的系统会生成多个波束，并为一个用户或一组用户主动地形成波束，以提高所需的辐射效率。一些大规模 MIMO天线系统具有大量天线元件。因此，整个系统的性能取决于单个元件的性能，与工作频率下的波长相比，这些元件具有较高的增益和相当小的结构。工作频率的范围可以为2.3-2.6GHz和/或3.4-3.6GHz。
由于设计频率和产生的波长的原因，在设计其增益等于或优于6dB并且具有3.2-3.9GHz范围内的宽带辐射并同时保持可以批量生产的简单而经济的整体天线结构的天线元件时会遇到困难。
此外，大规模MIMO通信系统所要求的滤波掩模通常由外部滤波器或诸如空腔或表面声波滤波器之类的滤波器实现，以便为带外抑制提供高衰减。这些滤波掩模可能导致与多个触点的物理点的互连、焊接和机械限制相关的损耗。这些滤波掩模通常笨重且昂贵。
问题的解决方案
在一个实施例中，天线包括子阵列。所述子阵列包括：第一单位单元和第二单位单元，所述第一单位单元包括第一贴片，所述第二单位单元包括第二贴片，所述第一贴片和所述第二贴片均为四边形形状。所述馈电网络包括：第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线。所述第一传输线终止于所述第一贴片的第一拐角和所述第二贴片的第一拐角的下方。所述第二传输线终止于所述第一贴片的第三拐角和所述第二贴片的第三拐角的下方，其中，所述第一拐角与相应的所述第一贴片和所述第二贴片上的第三拐角相对。所述第三传输线终止于所述第一贴片的第二拐角和所述第二贴片的第四拐角的下方。所述第四传输线终止于所述第一贴片的第四拐角和所述第二贴片的第二拐角的下方，其中，所述第二拐角与相应的所述第一贴片和所述第二贴片上的第四拐角相对。
在另一实施例中，基站包括包含子阵列的天线。所述子阵列包括第一单位单元和第二单位单元。所述第一单位单元包括第一贴片。所述第二单位单元包括第二贴片。所述第一贴片和所述第二贴片均为四边形形状。所述馈电网络包括第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线。所述第一传输线终止于所述第一贴片的第一拐角和所述第二贴片的第一拐角的下方。所述第二传输线终止于所述第一贴片的第三拐角和所述第二贴片的第三拐角的下方，其中，所述第一拐角与相应的所述第一贴片和所述第二贴片上的第三拐角相对。所述第三传输线终止于所述第一贴片的第二拐角和所述第二贴片的第四拐角的下方。所述第四传输线终止于所述第一贴片的第四拐角和所述第二贴片的第二拐角的下方，其中，所述第二拐角与相应的所述第一贴片和所述第二贴片上的第四拐角相对。
在另一个实施例中，天线包括子阵列。所述子阵列包括第一单位单元、第二单位单元、馈电网络以及解耦元件对。所述第一单位单元包括第一贴片。所述第二单位单元包括第二贴片。所述馈电网络包括第一传输线和第二传输线。所述解耦元件对包括与所述第一传输线相对应的第一解耦元件和与所述第二传输线相对应的第二解耦元件。
在本公开中，频繁地使用术语天线模块、天线阵列、波束和波束控制。天线模块可以包括一个或更多个阵列。一个天线阵列可以包括一个或更多个天线元件。每个天线元件可以能够同时或大约同时提供一个或更多个极化，例如垂直极化、水平极化、或垂直极化和水平极化两者。可以将同时或大约同时的垂直极化和水平极化折射到正交极化天线。天线模块沿特定方向以增益集中的方式辐射接收的能量。在特定方向上的能量辐射在概念上称为波束。波束可以是来自一个或更多个天线元件或一个或更多个天线阵列的辐射图案。
根据以下附图、描述和权利要求，其他技术特征对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
在进行下面的详细描述之前，阐明在整个本公开中使用的某些词语和短语的定义可能是有利的。术语“耦合”及其派生词是指两个或多个元素之间的任何直接或间接通信，无论这些元素是否彼此物理接触。术语“发送”、“接收”和“通信”及其派生词涵盖直接和间接通信。术语“包括”和“包含”及其派生词是指包括但不限于。术语“或”是包含性的，意味着和/或。短语“与...关联”及其派生词意指包括、包含在其中、与之互连、包含、包含在其中、与之连接、与之耦合、与之通信、与之交错、并置、与之接近、具有、具有某种属性、与之有关系等。术语“控制器”是指控制至少一个操作的任何设备、系统或其一部分。这样的控制器可以以硬件、或硬件和软件和/或固件的组合来实现。与任何特定控制器关联的功能可以是本地或远程的集中式或分布式。短语“至少一个”当与项目列表一起使用时，意味着可以使用一个或更多个所列项目的不同组合，并且可能只需要列表中的一个项目。例如，“A、B和C中的至少一个”包括以下组合中的任何一个：A；B；C；A和 B；A和C；B和C；以及A和B和C。
此外，以下描述的各种功能可以由一个或更多个计算机程序实现或支持，每个计算机程序由计算机可读程序代码形成并体现在计算机可读介质中。术语“应用”和“程序”是指适于在合适的计算机可读程序代码中实施的一个或更多个计算机程序、软件组件、指令集、过程、功能、对象、类、实例、相关数据或其一部分。短语“计算机可读程序代码”包括任何类型的计算机代码，包括源代码、目标代码和可执行代码。短语“计算机可读介质”包括能够由计算机访问的任何类型的介质，例如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、硬盘驱动器、光盘(CD)、数字视频光盘(DVD)或任何其他类型的内存。“非暂时性”计算机可读介质不包括传输暂时性电或其他信号的有线、无线、光学或其他通信链路。非暂时性计算机可读介质包括可永久存储数据的介质以及可存储数据并随后覆盖的介质，例如可重写光盘或可擦除存储设备。
在本公开全文中提供了其他某些单词和短语的定义。本领域普通技术人员应该理解，在很多情况下，即使不是大多数情况，这种定义也适用于这种定义的单词和短语的先前以及将来的使用。
实用新型的有益效果
本公开的实施例包括天线和包含该天线的基站。
附图说明
为了更完整地理解本公开及其优点，现在结合附图参考以下描述，其中相同的附图标记表示相同的部分：
图1示出了根据本公开的各种实施例的网络的系统；
图2示出了根据本公开的各种实施例的基站；
图3A示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的俯视透视图；
图3B示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的侧视图；
图3C示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的分解图；
图4A至图4B示出了根据本公开的各种实施例的示例馈电网络；
图5A示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的俯视透视图；
图5B示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的侧视图；
图5C示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的分解图；以及
图6示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的示例馈电网络。
具体实施方式
下文讨论的图1至图6以及用于描述本公开的原理的各种实施例仅是示例性的，并且不应以任何方式解释为限制本公开的范围。本领域技术人员将理解，可以在任何适当布置的无线通信系统中实现本公开的原理。
为了满足自部署4G通信系统以来对无线数据业务增加的需求，已努力开发改进的5G或pre-5G的通信系统。因此，5G或pre-5G的通信系统也称为“超越4G网络”或“后LTE系统”。
5G通信系统被认为是在较高的频率(mmWave)频段和低于6GHz的频段(例如3.5GHz频段)中实现的，以实现更高的数据速率。为了减少无线电波的传播损耗并增加传输覆盖范围，在5G通信系统中讨论了波束成形、大规模MIMO、全维度MIMO(FD-MIMO)、阵列天线、模拟波束成形、大规模天线技术等。
此外，在5G通信系统中，基于高级小型小区、云无线接入网(RAN)、超密集网络、设备到设备(D2D)通信、无线回程、移动网络、协作通信、协作多点(CoMP)、接收端干扰消除等的系统网络的改进开发正在进行中。
图1示出了根据本公开的实施例的示例无线网络。图1中所示的无线网络的实施例仅用于说明。在不脱离本公开的范围的情况下，可以使用无线网络100的其他实施例。
如图1所示，无线网络100包括gNB 101、gNB 102和gNB103。gNB 101 与gNB 102和gNB 103通信。gNB 101还与至少一个网络130(例如，互联网、专有互联网协议(IP)网络或其他数据网络)通信。
gNB 102为gNB 102的覆盖区域120内的第一多个UE提供对网络130 的无线宽带接入。第一多个UE包括UE 111，其可以位于小型企业(SB) 中；UE 112，其可以位于企业(E)中；UE 113，其可以位于WiFi热点(HS) 中；UE 114，其可以位于第一住宅(R)中；UE 115，其可以位于第二住宅 (R)中；UE 116，其可以是诸如移动电话机、无线膝上型计算机、无线PDA 等之类的移动设备(M)。gNB 103为gNB 103的覆盖区域125内的第二多个UE提供对网络130的无线宽带接入。第二多个UE包括UE 115和UE 116。在一些实施例中，gNB 101至gNB 103中的一个或更多个可以使用5G、LTE、 LTE-A、WiMAX、WiFi或其他无线通信技术彼此通信并且与UE 111至UE116 通信。
根据网络类型，术语“基站”或“BS”可以指被配置为提供对网络的无线接入的任何组件(或组件集合)，例如传输点(TP)、传输接收点(TRP)、增强型基站(eNodeB或gNB)、5G基站(gNB)、宏小区、毫微微小区、 WiFi接入点(AP)或其他启用无线功能的设备。基站可以根据一种或更多种无线通信协议(例如5G 3GPP新无线接口/接入(NR)、长期演进(LTE)、高级LTE(LTE-A)、高速分组访问(HSPA)、Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac)等提供无线访问。为了方便起见，术语“BS”和“TRP”在本公开中可互换使用，以指代提供到远程终端的无线接入的网络基础设施组件。另外，根据网络类型，术语“用户设备”或“UE”可以指代任何组件，例如“移动站”、“用户站”、“远程终端”、“无线终端”、“接收点”或“用户设备”。为了方便起见，在本公开中使用术语“用户设备”和“UE”来指代无线接入BS的远程无线设备，无论UE是移动设备(诸如，移动电话机或智能电话机)还是通常被视为固定设备(例如，台式计算机或自动售货机)。
虚线表示覆盖区域120和覆盖区域125的大致范围，仅出于例示和说明的目的而将其显示为大致圆形。应当清楚地理解，取决于gNB的配置以及与自然和人为障碍物相关的无线电环境的变化，与gNB相关的覆盖区域(例如覆盖区域120和覆盖区域125)可以具有其他形状，包括不规则形状。
尽管图1示出了无线网络的一个示例，但是可以对图1进行各种改变。例如，无线网络可以以任何适当的布置包括任意数量的gNB和任意数量的 UE。此外，gNB 101可以直接与任何数量的UE通信，并向那些UE提供对网络130的无线宽带接入。类似地，gNB 102至gNB103均可以直接与网络 130通信，并向UE提供对网络130的直接无线宽带接入。此外，gNB101、 gNB 102和/或gNB 103可以提供对其他或附加外部网络(例如，外部电话网络或其他类型的数据网络)的访问。
图2示出了根据本公开的实施例的示例gNB 102。图2中所示的gNB 102 的实施例仅用于说明，并且图1的gNB 102和gNB 103可以具有相同或相似的配置。但是，gNB具有各种各样的配置，并且图2并不将本公开的范围限于gNB的任何特定实现。
如图2所示，gNB 102包括多个天线205a至205n、多个射频(RF)收发器210a至210n、发送(TX)处理电路215和接收(RX)处理电路220。 gNB 102还包括控制器/处理器225、存储器230以及回程或网络接口235。在各种实施例中，天线205a至205n可以是高增益和大带宽天线，其可以基于多个谐振模式的构思来设计并且可以包含一个堆叠或多个贴片的天线方案。例如，在各种实施例中，多个天线205a至205n中的每一个可以包括一个或更多个天线面板，该天线面板包括一个或更多个子阵列(例如，图3A 至图3C中示出的子阵列300或图5A至图5C中示出的子阵列500)。
RF收发器210a至210n从天线205a至205n接收输入RF信号，例如由无线网络100中的UE发送的信号。RF收发器210a至210n将输入RF信号下变频以生成IF或基带信号。IF或基带信号被发送到RX处理电路220， RX处理电路220通过对基带或IF信号进行滤波、解码和/或数字化来生成已处理的基带信号。RX处理电路220将已处理的基带信号发送到控制器/处理器225以进行进一步处理。
TX处理电路215从控制器/处理器225接收模拟或数字数据(例如语音数据、网络数据、电子邮件或交互式视频游戏数据)。TX处理电路215对输出基带数据进行编码、复用和/或数字化以生成已处理的基带或IF信号。RF 收发器210a至210n从TX处理电路215接收输出的已处理的基带或IF信号，并且将基带或IF信号上变频为经由天线205a至205n发送的RF信号。
控制器/处理器225可以包括一个或更多个控制gNB 102的整体操作的处理器或其他处理设备。例如，根据公知的原理，控制器/处理器225可以通过RF收发器210a至210n、RX处理电路220和TX处理电路215控制前向信道信号的接收和反向信道信号的发送。控制器/处理器225也可以支持附加功能，例如更高级的无线通信功能。例如，控制器/处理器225可以支持波束成形或定向路由选择操作，其中对来自/去往多个天线205a至205n的输出/ 输入信号进行不同的加权，以有效地在合意的方向控制输出信号。控制器/ 处理器225可以在gNB 102中支持多种其他功能中的任何一种功能。
控制器/处理器225还能够执行驻留在存储器230中的程序和其他进程，例如OS。控制器/处理器225可以根据执行进程的需要将数据移入或移出存储器230。
控制器/处理器225还耦合到回程或网络接口235。回程或网络接口235 允许gNB102通过回程连接或网络与其他设备或系统通信。接口235可以支持通过任何适当的有线或无线连接的通信。例如，当将gNB 102被实现为蜂窝通信系统(例如支持5G、LTE或LTE-A的蜂窝通信系统)的一部分时，接口235可以允许gNB 102通过有线或无线回程连接与其他gNB通信。当将gNB 102实现为接入点时，接口235可以允许gNB 102通过有线或无线局域网或通过有线或无线连接与较大的网络(例如，互联网)进行通信。接口 235包括支持通过有线或无线连接的通信的任何合适的结构，例如以太网或 RF收发器。
存储器230耦合到控制器/处理器225。存储器230的一部分可以包括 RAM，并且存储器230的另一部分可以包括闪存或其他ROM。
尽管图2示出了gNB 102的一个示例，但是可以对图2进行各种改变。例如，gNB 102可以包括图2中所示的任意数量的每种组件。作为特定示例，接入点可以包括多个接口235，并且控制器/处理器225可以支持路由功能以在不同的网络地址之间路由数据。作为另一特定示例，尽管被示为包括TX 处理电路215的单个实例和RX处理电路220的单个实例，但是gNB 102可以包括每种的多个实例(例如每个RF收发器一个)。另外，图2中的各个组件可以组合，进一步细分或省略，并且可以根据特定需要添加其他组件。
图3A至图3C示出了根据本公开的各种实施例的子阵列。图3A示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的俯视透视图。图3B示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的侧视图。图3C示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的分解图。
子阵列300包括第一单位单元和第二单位单元(例如，在图4A至图4B 中描述的第一单位单元401和第二单位单元402)。第一单位单元包括第一贴片321，第二单位单元包括第二贴片322。提供了为第一单位单元和第二单位单元中的每一个单位单元馈电的馈电网络350。包括第一单位单元和第二单位单元的子阵列300包括接地面305、第一层310、第二层320、第三层 330和第四层340。接地面305由金属构成并且位于第一层310的下侧。
第一层310由基板构成。第一层310包括位于第一层310的与接地面305 相反的一侧上的馈电网络350。馈电网络350将功率传输到子阵列300的第一单位单元和第二单位单元。网络350可以是串联/分支馈电网络。馈电网络 350包括第一传输线351、第二传输线352、第三传输线353、第四传输线354、第一激励端口361和第二激励端口362。馈电网络350被配置为与设置在第二层320中的第一贴片321和第二贴片322相对应。
第二层320由基板构成。例如，第二层320可以是电磁(EM)或介电材料层。在一些实施例中，在第一层310和第二层320之间提供空间。该空间包括馈电网络350，但是除此之外没有金属化元件。尽管示出为充满空气的空的空间，但是该空间可以包括介电材料。第二层320包括第一贴片321 和第二贴片322。在一些实施例中，第一贴片321和第二贴片322位于第二层320的顶部。例如，第一贴片321和第二贴片322可以粘贴或堆叠在第二层320上，或在第二层320上生长。第二层320的介电材料允许EM辐射穿过第二层320的介电材料到达第三层330的中空腔室。在其他实施例中，当第二层320是EM材料时，第一贴片321和第二贴片322可以包括允许EM 辐射穿过第一贴片321和第二贴片322到达第三层330的中空腔室的介电材料。
第一贴片321和第二贴片322中的每个以四边形形状设置并且包括四个拐角。例如，第一贴片321包括第一拐角321a、第二拐角321b、第三拐角321c和第四拐角321d。第一拐角321a布置成与第三拐角321c相对。第二拐角321b布置成与第四拐角321d相对。该描述不应被解释为限制性的。在各个实施例中，第一贴片321可以是其中第一拐角与第三拐角相对并且第二拐角与第四拐角相对的正方形、矩形或任何其他形状。
第二贴片322包括第一拐角322a、第二拐角322b、第三拐角322c和第四拐角322d。第一拐角322a布置成与第三拐角322c相对。第二拐角322b 布置成与第四拐角322d相对。该描述不应被解释为限制性的。在各种实施例中，第二贴片322可以是其中第一拐角与第三拐角相对并且第二拐角与第四拐角相对的正方形、矩形或任何其他形状。
馈电网络350向第一单位单元和第二单位单元两者馈电，并且被配置为对应于第二层320中的第一贴片321和第二贴片322。例如，第一传输线351 包括第一激励端口361并终止于第一贴片321的第一拐角321a和第二贴片 322的第一拐角322a的下方。第二传输线352终止于第一贴片321的第三拐角321c和第二贴片322的第三拐角322c的下方。第三传输线353包括第二激励端口362，并且终止于第一贴片321的第二拐角321b和第二贴片322 的第四拐角322d的下方。第四传输线354终止于第一贴片321的第四拐角 321d和第二贴片322的第二拐角322b的下方。尽管以下术语用于描述第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线中的终止点，但该描述是相对的，并且不应被解释为对本文所讨论的天线或子阵列的朝向的限制。可以为透视图修改终止点，并且该终止点旨在涵盖上述各个拐角中的任意一个的上方、周围、附近或侧面的任何位置。例如，下面的术语“终止”可以用于描述第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线中的任何一个终止于比相应的贴片的中心更靠近拐角的位置。
第三层330是由外壳形成的中空腔室。封闭的部分包括四个侧面，并且在每一端开口。空腔外壳的每一端上的开口在第二层320和第四层340之间设置气隙335。该气隙335允许电磁波从第一贴片321和第二贴片322穿过中空腔室传输至第四层340。第三层330改进了子阵列300的隔离性和方向性。
第四层340由基板构成。例如，第四层340可以是EM或介电材料层。第四层340包括第三贴片341和第四贴片342。在一些实施例中，第三贴片 341和第四贴片342位于第四层340的靠近第三层330的中空腔室的底侧上。例如，第三贴片341和第四贴片342可以被粘贴、堆叠或生长在第四层340 上。第四层340的介电材料允许EM辐射穿过第四层340以被天线205a至 205n辐射。在其他实施例中，当第四层340是EM材料时，第三贴片341 和第四贴片342可以包括介电材料，该介电材料允许EM辐射穿过第三贴片 341和第四贴片342以被天线205a至205n辐射。
第三贴片341和第四贴片342分别对应于第二层320上的第一贴片321 和第二贴片322。第一单位单元包括第一贴片321和第三贴片341。第二单位单元包括第二贴片322和第四贴片342。第三贴片341和第四贴片342均分别大于第一贴片321和第二贴片322。也即是，第一单位单元的第三贴片 341大于第一单位单元的第一贴片321，并且第二单位单元的第四贴片342 大于第二单位单元的第二贴片322。
在子阵列300中，第一贴片321和第二贴片322位于馈电网络350附近，并通过第一层310与馈电网络350分开。第三贴片341和第四贴片342通过第三层330提供的气隙335与第一贴片321和第二贴片322分开。该配置允许子阵列300在较高的增益和较低的交叉极化抑制率下获得所需的辐射。
在一些实施例中，一个或更多个子阵列300可以被包括在天线中，例如天线205a至205n。例如，一个或更多个子阵列300可以被开发成包括以二乘四的布置所布置的八个子阵列300并且子阵列到子阵列和端口到端口的隔离都保持在高水平的天线205n。在另一示例中，可以将一个或更多个子阵列 300被开发成天线205n，该天线205n包括以一乘十六、二乘八或四乘四的布置所布置并且子阵列到子阵列和端口到端口的隔离保持在较高水平的十六个子阵列300。这些示例不旨在作为限制，并且在一些实施例中，一个或更多个子阵列300可以被开发为包括一百个或更多个子阵列300并且子阵列到子阵列以及端口到端口的隔离保持在较高水平的天线205n。在以上任何示例中，子阵列300可以同时或大约同时传播倾斜+45度和-45度的极化的场。本公开的实施例，例如在图3A至图3C中描述的实施例，可以以有利水平的交叉极化抑制率来辐射正交极化。
在各种实施例中，布置在天线205a至205n中的每个子阵列300的可用面积可以小于10,000平方毫米。例如，布置在天线205a至205n中的子阵列 300可以布置在62.5mm乘132mm的区域上。当在天线205a至205n中实现时，该特定布置可以被用于以高度隔离的包括如上所述的倾斜+45度和-45 度的极化的正交极化来辐射场。在使用十六个子阵列300来创建天线205a 至205n的一些实施例中，子阵列300可以具有朝向方位角的0.74λ的间隔和朝向仰角方向的1.48λ的间隔。
图4A至4B示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的示例馈电网络。子阵列400可以是子阵列300。馈电网络405可以是馈电网络350。馈电网络405可以是串联/分支馈电网络。
馈电网络405可以是图3A至图3C所示的馈电网络350。馈电网络405 沉积在基板上。馈电网络405包括第一传输线431、第二传输线432、第三传输线433和第四传输线434。第一传输线431包括第一激励端口441。第三传输线433包括第二激励端口442。第一传输线431可以是第一传输线351，第二传输线432可以是第二传输线352，第三传输线433可以是第三传输线 353，第四传输线434可以是第四传输线354，第一激励端口441可以是第一激励端口361，第二激励端口442可以是第二激励端口362。
图4A至图4B还示出了第一单位单元401和第二单位单元402。第一单位单元401包括第一贴片411和第三贴片421。第二单位单元402包括第二贴片412和第四贴片422。第一贴片411可以是第一贴片321。第二贴片412 可以是第二贴片322。第三贴片421可以是第三贴片341。第四贴片422可以是第四贴片342。
传输线431至434的布置提供了差分馈电方案，该差分馈电方案减少了子阵列400的交叉极化和另种极化的相位调整。例如，第一传输线431被配置为用于为+45度和-45度的倾斜极化的第一极化提供差分馈电方案。第一传输线431向第一贴片411的第一拐角411a和第二贴片412的第一拐角412a 馈电。第三传输线433被配置为用于为+45度和-45度的倾斜极化的第二极化提供差分馈电方案。第三传输线433为第一贴片411的第二拐角411b和第二贴片412的第四拐角412d馈电。
第二传输线432为由第一传输线431馈电的第一极化提供相位调整。第二传输线432为第一贴片411的第三拐角411c和第二贴片412的第三拐角 412c馈电。第四传输线434为由第三传输线433馈电的第二极化提供相位调整。第四传输线434为第一贴片411的第四拐角411d和第二贴片412的第二拐角412b馈电。
传输线431至434通过第一贴片411和第二贴片412互连。在一些实施例中，馈电结构通过第一传输线431和第三馈线433向第一单位单元401和第二单位单元402中的每一个馈电可以被称为对角线馈电。在一些实施例中，馈电结构通过传输线431至434穿过第一贴片411和第二贴片412向子阵列 400馈电可以被称为拐角馈电或交叉拐角馈电。例如，可以通过第一激励端口441将功率引入子阵列400。功率从第一激励端口441被分成两部分，并通过第一传输线431被馈送到第一贴片411的第一拐角411a和第二贴片412 的第一拐角412a。功率可以通过功率分配器(未示出)分成两部分。可以通过接近耦合激励将功率从第一传输线431传输到第一贴片411和第二贴片 412。接近耦合激励允许功率无需接触即可被传递到第一贴片411和第二贴片412。这使得第一传输线431以及第一贴片411和第二贴片412能够位于子阵列400的不同层上。
功率从第一拐角411a被馈送通过第一贴片411并在第三拐角411c处被第二传输线432接收。第二传输线432调整功率的相位并且将功率循环到第三拐角412c。然后，功率被馈送通过第二贴片412并在第一拐角412a处被接收。在同时或大约同时，由子阵列400引入的功率也被馈送通过第一传输线431到达第一拐角412a。功率从第一拐角412a被馈送通过第二贴片412 并在第三拐角412c处被第二传输线432接收。第二传输线432调整功率的相位并且将功率循环到第三拐角411c。然后，功率被馈送通过第一贴片411 并在第一拐角411a处被接收。
作为另一示例，可以通过第二激励端口442将功率引入子阵列400。功率从第二激励端口442被分成两部分，并通过第三传输线433馈送到第一贴片411的第二拐角411b和第二贴片412的第四拐角412d中的每一个。功率可以由功率分配器(未示出)分成两部分。可以通过接近耦合激励将功率从第三传输线433传输到第一贴片411和第二贴片412。功率从第二拐角411b 被馈送通过第一贴片411并在第四拐角411d处被第四传输线434接收。第四传输线434调整功率的相位并且将功率循环到第二拐角412b。然后，功率被馈送通过第二贴片412并在第四拐角412d处被接收。同时或大约同时，由子阵列400引入的功率也被馈送通过第三传输线433到达第四拐角412d。功率从第四拐角412d被馈送通过第二贴片412并在第二拐角412b处被第四传输线434接收。第四传输线434调节功率的相位并且将功率循环到第四拐角411d。然后，功率被馈送通过第一贴片411并在第二拐角411b处被接收。
在一些实施例中，可以通过第一激励端口441和第二激励端口442同时或大约同时将功率引入子阵列400，从而导致第一贴片411和第二贴片412 的每个拐角都被馈送功率，该功率为被另一拐角的相等功率均衡。例如，在第一拐角411a处引入的功率由在第三拐角411c处引入的功率均衡。类似地，在第二拐角411b处引入的功率由在第四拐角411d处引入的功率均衡。此外，在第一拐角411a处引入的功率由在第一拐角412a处引入的功率均衡，在第二拐角411b处引入的功率由在第四拐角412d处引入的功率均衡。
如上所述，在功率第一贴片411和第二贴片412之间流动时，第二传输线432调整功率的相位。第二传输线432执行的相位调整确保了第二传输线 432的每一端的功率相位是相等的。类似地，第四传输线434在功率在第一贴片411和第二贴片412之间流动时调整功率的相位。第四传输线434执行的相位调整确保了第四传输线434的每一端的功率相位是相等的。利用两条分开的传输线来调整第一单位单元401和第二单位单元402之间的相位，子阵列400的辐射图案和子阵列400在第一单位单元401和第二单位单元402 之间的差分馈电是稳定的。可以通过第一传输线431和第三传输线433提供向第一贴片411和第二贴片412的差分馈电。另外，第一单位单元401和第二单位单元402之间的相位调整提高了子阵列400的效率并控制了交叉极化抑制率。
在利用上述交叉拐角馈电的实施例中，第一单位单元401和第二单位单元402均通过加权激励来差分激励，以将副瓣电平控制在18dB以下。在第一激励端口441和第二激励端口442两者同时或大约同时将功率引入子阵列400的实施例中，副瓣可以被消除。通过同时或大约同时通过第一激励端口 441和第二激励端口442引入功率并减小副瓣电平，可以提高增益与物理面积的总比率的效率。当子阵列400被包括在目标阵列天线中时，基于消除了的副瓣，目标阵列天线可以在子阵列400之间不具有最佳间隔。这可以以有限的波束控制能力为代价来减少系统实现成本。然而，在整个优化过程中，可以通过由处理器(例如，控制器/处理器225)执行的算法来在系统级别克服系统实现成本。
例如，图4A所示的包括隔离的第一单位单元401和第二单位单元402 的子阵列400由于馈电网络405的特性而被加权激励所差分激励，以将副瓣电平控制在18dB以下。子阵列400可以表现出约为11.5dB辐射增益，而正交极化-交叉极化可以表现出大于20dB的辐射增益。
大规模MIMO阵列天线的当前迭代利用外部滤波掩模(filtering mask) (例如空腔或表面声波滤波器)来为带外抑制提供高衰减。滤波掩模是大型结构，其尺寸与天线本身相当，遭受与与触点的物理点的互连、焊接和机械限制相关的损耗。与互连相关的损耗导致覆盖范围减小。滤波掩模的其他缺点是共同设计的具有天线辐射的滤波器的发射和干扰。就产生的等效全向辐射功率(ERIP)和辐射增益而言，必要的滤波掩模是实现所需效率的重要障碍。如图4B示出的本公开的实施例，旨在通过包括内置在子阵列400的馈电网络405中的一个或更多个滤波结构450来克服该障碍。
例如，图4B示出了集成到第一传输线431和第三传输线433的每一个中的一对滤波结构450。一个或更多个滤波结构450中的每一个可以包括用于RF网络的各种滤波结构，例如SMD滤波器、商业现货成品(COTS)组件、寄生元件、短路探针或外壳空腔，以满足传统上在外部过滤器上设置的滤波元件的要求。通过在馈电网络405内集成一个或更多个滤波结构450，可以将子阵列400的增益提高到等于或大于11.5dB，当多个子阵列400被紧密地布置在天线阵列中时可以提高子阵列400之间的隔离度，保持较低的端口到端口的耦合，并且提供了不包含通常是笨重且昂贵的外部滤波器的设计。更具体地，一个或更多个滤波结构450有助于防止相关联的天线系统的带外辐射，并因此完全或部分地实现合意的频率掩模。
在一些实施例中，可以将附加的滤波器引入到馈电网络405中。例如，尽管在图4B中示出为包括集成到第一传输线431和第三传输线433的每一个中的一对滤波结构450，一些实施例可以包括集成到第一传输线431和第三传输线433的每一个中的两对滤波结构450。在这些实施例中，包括附加的滤波结构450可以导致实现更高阶的滤波特征。该描述不应被解释为限制性的。可以将任何合适数量的滤波结构450集成到第一传输线431、第二传输线432、第三传输线433和第四传输线434中的任何一个中，以实现合意的滤波要求。
图5A至图5C示出了根据本公开的各种实施例的子阵列。图5A示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的俯视透视图。图5B示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的侧视图。图5C示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的分解图。
子阵列500包括第一单位单元和第二单位单元(例如，图6中描述的第一单位单元601和第二单位单元602)。第一单位单元包括第一贴片531和多个垂直馈电件556。第二单位单元包括第二贴片532和多个垂直馈电件556。包括第一单位单元和第二单位单元的子阵列500被布置在第一层510、第二层520和第三层530中。
第一层510包括基板，并且还包括馈电网络550、第一激励端口561和第二激励端口562。馈电网络550将功率传输至子阵列500的第一单位单元和第二单位单元。馈电网络550可以是串联/分支馈电网络。馈电网络550 包括第一传输线551、第二传输线552、相移部分553、混合耦合器554和多个垂直馈电件556。第一传输线551耦合到第一激励端口561。第二传输线 552耦合到第二激励端口562。
第二层520是由外壳形成的中空腔室。封闭部分包括四个侧面，但是第二层520在每一端开口。空腔外壳的每一端上的开口在第一层510上的馈电网络550与第三层530的第一贴片531和第二贴片532之间提供气隙525。该气隙525允许电磁传输穿过第二层520中的中空腔室。气隙525进一步为从第一层510上的馈电网络550延伸以连接到第三层530上的水平馈电件 542的多个垂直馈电件556提供封闭区域。
第三层530由基板构成。例如，第三层530可以是EM材料层。第三层530包括解耦元件535a和535b、第一贴片531、以及第二贴片532。解耦元件535a和535b位于第一贴片531和第二贴片532之间以提高交叉极化抑制率。解耦元件535a在第一传输线551上执行解耦功能，并且解耦元件535b 在第二传输线552上执行解耦功能。
在一些实施例中，第一贴片531和第二贴片532可以包括介电材料。第一贴片531和第二贴片532的介电材料允许EM辐射穿过EM材料，以被天线205a至205n辐射。第一贴片531和第二贴片532均包括水平馈电件542 和开口544。每个开口544与水平馈电件542和垂直馈电件556两者相对应。例如，每个开口544被配置为允许多个垂直馈电件556中的一个穿过第三层 530并耦合到水平馈电件542。
第一传输线551和第二传输线552通过子阵列500传输功率。在一个实施例中，可以通过第一激励端口561和第二激励端口562中的一个或其两者将功率引入子阵列500。从第一激励端口561将功率分成两部分，并通过第一传输线551被馈送到第一单位单元和第二单位单元两者的垂直馈电件 556。功率可以通过功率分配器(未显示)分为两部分。例如，如图5C所示，第一传输线551向与第一贴片531相对应的两个垂直馈电件556和与第二贴片532相对应的两个垂直馈电件556馈电。
从第二激励端口562将功率分成两部分，并通过第二传输线552被馈送到第一单位单元和第二单位单元两者的垂直馈电件556。功率可以通过功率分配器(未显示)分为两部分。例如，如图5C所示，第二传输线552向与第一贴片531相对应的两个垂直馈电件556和与第二贴片532相对应的两个垂直馈电件556馈电。第二传输线552形成内置的180度的混合耦合器。
垂直馈电件556将从第一激励端口561和第二激励端口562接收且通过第一传输线551和第二传输线552馈送的功率传输通过由第二层520形成的中空腔室。垂直馈电件556穿过开口544，并将功率分别传输到与垂直馈电件556耦合的水平馈电件542。水平馈电件542分别从第一贴片531和第二贴片532的周边向第一贴片531和第二贴片532中的每一个的其中水平馈电件542终止的内部传输功率。从终止点开始，可以以传输的形式从子阵列500 辐射功率。
解耦元件535a和535b通过减少第一贴片531和第二贴片532之间的耦合来帮助将辐射与子阵列500隔离。结合起来，解耦元件535a和535b的功能隔离了所产生的辐射并改进子阵列500的交叉极化抑制率从而减小或消除了辐射的副瓣。
利用图5A至图5C中描述的设计的天线，例如天线205a至205n，可以获得一些优点。例如，可以测量大于11.5dB的辐射增益。可以测量大于18dB 的交叉极化抑制率。可以测量大于20dB的回波损耗。可以测量大于20dB 的子阵列500的端口到端口的隔离。平面内的测量结果大于25dB。交叉耦合的测量结果大于30dB。带宽可以被测量为200MHz。
图6示出了根据本公开的各种实施例的子阵列的示例馈电网络。子阵列 600可以是在图5A至图5C中描述的子阵列500。馈电网络605可以是在图 5A至图5C中描述的馈电网络550。
如图6所示，子阵列600包括馈电网络605，解耦元件610a和610b、第一单位单元601、以及第二单位单元602。第一单位单元601包括第一贴片611、水平馈电件622、多个开口624和多个垂直馈电件(未示出，例如图5A至图5C所示的垂直馈电件556)。第二单位单元602包括第二贴片612、水平馈电件622、多个开口624和多个垂直馈电件(未示出，例如，图5A 至图5C所示的垂直馈电件556)。解耦元件610a和610b可以是解耦元件535a 和535b。第一贴片611可以是第一贴片531。第二贴片612可以是第二贴片 532。
馈电网络605包括第一传输线630、第一激励端口632、第二传输线640、第二激励端口642、水平馈电件622、多个垂直馈电件(未示出)以及多个开口624。第一传输线630可以是第一传输线551。第二传输线640可以是第二传输线552。水平馈电件622可以是水平馈电件542。多个垂直馈电件可以是多个垂直馈电件556，多个开口624可以是多个开口544。第一激励端口632可以是第一激励端口561。第二激励端口642可以是第二激励端口 562。
图6示出了馈电网络605、解耦元件610a和610b、第一单位单元601、以及第二单位单元602之间的关系。更具体地，图6示出了第一传输线630 和第二传输线640的终止点对应于开口624，以经由多个垂直馈电件(未示出)将第一传输线630和第二传输线640与水平馈电件622连接。图6进一步示出了解耦元件610a被布置为与第一传输线630相对应，并且解耦元件 610b被布置为与第二传输线640相对应。该布置允许解耦元件610a在第一传输线630和解耦元件610b上执行解耦功能，以在第二传输线640上执行等效的解耦功能。由解耦元件610a和610b执行的解耦功能可以结合起来，以隔离产生的辐射并提高子阵列600天线的交叉极化抑制率。在一些实施例中，解耦元件610a和610b可以减少或消除来自子阵列600的辐射的副瓣。
在一些实施例中，电磁波的相位的逐渐发展是天线面板的馈电网络中的相移的发展的结果。例如，可以通过使用通过激励端口接收的RF电流来操纵馈电网络的交叉极化来控制波束。
本公开不应被解释为限制性的。各种实施例是可能的。
在一些实施例中，馈电网络被配置为向子阵列提供交叉拐角馈电。
在一些实施例中，第一传输线和第三传输线被配置为经由交叉拐角馈电而提供第一单位单元和第二单位单元的交叉极化。在一些实施例中，交叉极化包括+45度和-45度的差异。
在一些实施例中，馈电网络还包括设置在第一传输线、第二传输线、第三传输线或第四传输线中的至少一个上的滤波器。
在一些实施例中，第一传输线导致子阵列的第一极化，并且第三传输线导致子阵列的第二极化，第一传输线和第三传输线提供子阵列的交叉极化，第二传输线被配置为提供用于第二极化的相位调整，第四传输线被配置为提供用于第一极化的相位调整。
在一些实施例中，子阵列还包括：第一层，其包括馈电网络；第二层，其包括第一贴片和第二贴片；第三层，其包括由外壳形成的中空腔室；以及第四层，其包括第三贴片和第四贴片。
在一些实施例中，第一单位单元进一步包括第三贴片，第二单元进一步包括第四贴片，第三贴片大于第一贴片，并且第四贴片大于第二贴片。
在一些实施例中，第三贴片位于第一贴片的正上方，第四贴片位于第二贴片的正上方。
在一些实施例中，中空腔室在(i)第一贴片与第三贴片之间以及(ii) 第二贴片与第四贴片之间提供气隙。
在一些实施例中，馈电网络被配置为向子阵列提供差分馈电。
本申请中的任何描述均不应理解为暗示任何特定的要素、步骤或功能是必须包含在权利要求范围内的必要要素。此外，除非使用确切的词语“用于……的装置”(其中是标识功能的分词短语)，否则所有权利要求均无意援引35U.S.C.§112(f)。

Claims (20)

1.一种基站，其特征在于，包括：
射频(RF)收发器，配置为提供要被发送的RF信号；和
天线阵列，配置为辐射所述RF信号，所述天线阵列包括子阵列，其中所述子阵列包括：
第一传输线；
第二传输线；
垂直馈电件；
第一天线元件，包括水平馈电件；以及
第二天线元件，包括水平馈电件，
其中所述第一传输线和所述第二传输线通过所述垂直馈电件而与所述第一天线元件的所述水平馈电件和所述第二天线元件的所述水平馈电件连接，
其中所述第一传输线对与所述第一天线元件相对应的两个垂直馈电件馈电，并对与所述第二天线元件相对应的两个垂直馈电件馈电，以及
其中所述第二传输线对与所述第一天线元件相对应的两个垂直馈电件馈电，并对与所述第二天线元件相对应的两个垂直馈电件馈电。
2.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述天线阵列还包括用于所述天线元件的解耦元件，以提高交叉极化抑制率。
3.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述子阵列还包括相移部分。
4.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述子阵列还包括混合耦合器。
5.根据权利要求4所述的基站，其特征在于，所述混合耦合器是所述第二传输线的内置的180度的混合耦合器。
6.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述第一传输线耦合到第一激励端口，并且所述第二传输线耦合到第二激励端口。
7.根据权利要求6所述的基站，其特征在于，功率能够通过所述第一激励端口和所述第二激励端口中的一个或两者被引入到所述子阵列，以发射所述RF信号。
8.根据权利要求7所述的基站，其特征在于，每个天线元件配置为提供多于一种的极化。
9.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述天线阵列是正交极化天线。
10.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述天线阵列是大规模多输入多输出(MIMO)天线系统。
11.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述天线阵列的工作频率在6GHz以下的频带中。
12.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述天线阵列的工作频率在3.2-3.9GHz的范围内。
13.根据权利要求12所述的基站，其特征在于，所述天线阵列的所述工作频率在3.4-3.6GHz的范围内。
14.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述基站是配置为使用5G、LTE、LTE-A、WiMAX或WiFi通信协议来提供对网络的无线接入的基站。
15.根据权利要求14所述的基站，其特征在于，所述基站是5G通信系统的gNB。
16.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，所述第一传输线和所述第二传输线布置在第一层中作为馈电网络的部分，并且气隙提供在所述第一层上的所述馈电网络与所述第一天线元件和所述第二天线元件之间。
17.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，其中由所述第一传输线馈电并且连接到所述第一天线元件的所述两个垂直馈电件是所述第一天线元件的第一垂直馈电件和第三垂直馈电件，并且由所述第一传输线馈电并且连接到所述第二天线元件的所述两个垂直馈电件是所述第二天线元件的第一垂直馈电件和第三垂直馈电件，
其中由所述第二传输线馈电并且连接到所述第一天线元件的所述两个垂直馈电件是所述第一天线元件的第二垂直馈电件和第四垂直馈电件，并且由所述第二传输线馈电并且连接到所述第二天线元件的所述两个垂直馈电件是所述第二天线元件的第二垂直馈电件和第四垂直馈电件，
其中所述第一天线元件的所述水平馈电件是第一水平馈电件、第二水平馈电件、第三水平馈电件和第四水平馈电件，其中所述第一天线元件的所述第一垂直馈电件连接到所述第一天线元件的所述第一水平馈电件，所述第一天线元件的所述第二垂直馈电件连接到所述第一天线元件的所述第二水平馈电件，所述第一天线元件的所述第三垂直馈电件连接到所述第一天线元件的所述第三水平馈电件，所述第一天线元件的所述第四垂直馈电件连接到所述第一天线元件的所述第四水平馈电件，以及
其中所述第二天线元件的所述水平馈电件是第一水平馈电件、第二水平馈电件、第三水平馈电件和第四水平馈电件，其中所述第二天线元件的所述第一垂直馈电件连接到所述第二天线元件的所述第一水平馈电件，所述第二天线元件的所述第二垂直馈电件连接到所述第二天线元件的所述第二水平馈电件，所述第二天线元件的所述第三垂直馈电件连接到所述第二天线元件的所述第三水平馈电件，所述第二天线元件的所述第四垂直馈电件连接到所述第二天线元件的所述第四水平馈电件。
18.根据权利要求17所述的基站，其特征在于，其中所述第一天线元件和所述第二天线元件中的每个被提供为四边形形状，并包括与第三拐角相对布置的第一拐角和与第四拐角相对布置的第二拐角，
其中所述第一天线元件的所述第一垂直馈电件和所述第三垂直馈电件与所述第一天线元件的所述第一拐角和所述第三拐角相关联，并且所述第一天线元件的所述第二垂直馈电件和所述第四垂直馈电件与所述第一天线元件的所述第二拐角和所述第四拐角相关联，以及
其中所述第二天线元件的所述第一垂直馈电件和所述第三垂直馈电件与所述第二天线元件的所述第一拐角和所述第三拐角相关联，所述第二天线元件的所述第二垂直馈电件和所述第四垂直馈电件与所述第二天线元件的所述第二拐角和所述第四拐角相关联。
19.根据权利要求17所述的基站，其特征在于，其中通过所述第一传输线馈送的功率通过所述第一天线元件的所述第一垂直馈电件和所述第三垂直馈电件传输到所述第一天线元件的所述第一水平馈电件和所述第三水平馈电件，并通过所述第二天线元件的所述第一垂直馈电件和所述第三垂直馈电件传输到所述第二天线元件的所述第一水平馈电件和所述第三水平馈电件，以及
其中通过所述第二传输线馈送的功率通过所述第一天线元件的所述第二垂直馈电件和所述第四垂直馈电件传输到所述第一天线元件的所述第二水平馈电件和所述第四水平馈电件，并通过所述第二天线元件的所述第二垂直馈电件和所述第四垂直馈电件传输到所述第二天线元件的所述第二水平馈电件和所述第四水平馈电件。
20.根据权利要求1所述的基站，其特征在于，每个所述垂直馈电件耦合到对应的水平馈电件。
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