CN216596943U - 一种大容量存储板卡及存储设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于存储技术领域，提供了一种大容量存储板卡及存储设备，其中，所述大容量存储板卡包括基板以及设置在所述基板上的处理器、DDR3颗粒、桥片、万兆网芯片和多个存储盘，所述DDR3颗粒、所述桥片以及所述万兆网芯片均与所述处理器电连接，所述多个存储盘与所述桥片电连接。本实用新型可以通过多个存储盘来提高存储板卡的容量，并通过万兆网芯片来提高存储板卡的读取速率，从而实现存储板卡的大容量以及快读取，以满足用户需求。
Description
技术领域
本实用新型属于存储技术领域，尤其涉及一种大容量存储板卡及存储设备。
背景技术
由于国外芯片在国内市场上的供应量变化，导致市场上原有的大容量的存储板越来越少，价格也越来越高。而国内芯片行业正处于发展初期，因此，存储板卡也只能缓慢的进行发展，大容量，快速读取的存储板比较少，这导致了现有的存储板卡满足不了市场需求。
现有的存储板卡主要存在的问题是其存储容量小且读取速率慢，无法满足用户对存储板卡大容量且快读取要求的情况。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种大容量存储板卡，旨在解决现有的存储板卡容量小且读取速率慢的问题。
本实用新型实施例提供了一种大容量存储板卡，包括基板以及设置在所述基板上的处理器、DDR3颗粒、桥片、万兆网芯片和多个存储盘，所述DDR3 颗粒、所述桥片以及所述万兆网芯片均与所述处理器电连接，所述多个存储盘与所述桥片电连接。
更进一步地，所述基板上设置有液冷结构。
更进一步地，所述处理器的型号为FT-2000/4。
更进一步地，所述DDR3颗粒的容量为4GB，所述DDR3颗粒的地址线和控制信号线采用fly-by方式布线，所述DDR3颗粒的数据信号线采用点对点的方式布线。
更进一步地，所述桥片的型号为PEX8764。
更进一步地，所述万兆网芯片的型号为WX1820AL。
更进一步地，所述存储盘为四个，且型号均为S1200ITT4-T1M24T-C1。
更进一步地，所述桥片通过PCIE3.0 X8接口与所述处理器电连接。
更进一步地，所述桥片配置有多个用于连接存储盘的扩展接口。
本实用新型实施例还提供了一种存储设备，所述存储设备包括外壳以及收容于所述外壳内如上述的大容量存储板卡。
本实用新型所达到的有益效果：通过增设多个存储盘以及万兆网芯片，从而可以通过多个存储盘来提高存储板卡的容量，并通过万兆网芯片来提高存储板卡的读取速率，实现存储板卡的大容量以及快读取，以满足用户需求。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种大容量存储板卡的结构示意图；
图2是本实用新型实施例提供的一种大容量存储板卡的框架示意图；
图3是本实用新型实施例提供的一种大容量存储板卡的结构框图；
图4是本实用新型实施例提供的一种大容量存储板卡中处理器与DDR3颗粒之间的地址、控制信号布线图；
图5是本实用新型实施例提供的一种大容量存储板卡中处理器与DDR3颗粒之间的数据信号布线图。
其中，100、存储板卡；1、基板；2、处理器；3、DDR3颗粒；4、桥片； 5、万兆网芯片；6、存储盘；
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语包括相关所列项目的任何及所有组合。
实施例一
本实施例提供了一种大容量存储板卡100，结合附图1和附图2所示，包括基板1以及设置在所述基板1上的处理器2、DDR3颗粒3、桥片4、万兆网芯片5和多个存储盘6，所述DDR3颗粒3、所述桥片4以及所述万兆网芯片5 均与所述处理器2电连接，所述多个存储盘6与所述桥片4电连接。
其中，所述大容量存储板卡100简称存储板卡100，所述基板1为线路板 (电路板)，万兆网芯片5也称万兆网卡、万兆网模块等，所述存储盘6为 M.2固态硬盘。
本实施例中，所述基板1上设置有液冷结构，以使所述存储板卡100通过液冷的方式进行散热，从而提高散热效果。具体的，整板采用液冷散热方式，可使板内所有大功率器件热量散出。
本实施例中，所述处理器2的型号为飞腾公司的FT-2000/4 (FT-2000/4B1144-EN4-I)。当然，根据实际需求，其还可以选用其它的型号。
本实施例中，所述DDR3颗粒3的容量为4GB，这样可以为所述存储板卡100提供更多的缓存容量。当然，根据实际需求，还可以对其容量进行适应性调整。
其中，所述DDR3颗粒3由紫光股份有限公司生产，当然，根据实际需求，还可以选用紫光股份有限公司生产的DDR4颗粒，作为缓存单元。
本实施例中，所述DDR3颗粒3的地址线和控制信号线采用fly-by方式布线，所述DDR3颗粒3的数据信号线采用点对点的方式布线，这样可以保证所述DDR3颗粒3以最高速率进行工作。当然，根据实际需求，所述DDR3颗粒 3还可以采用其它的方式进行布线。
本实施例中，所述桥片4的型号为PEX8764。当然，根据实际需求，其还可以选用其它的型号，如飞腾公司生产的其它桥片型号。
其中，所述桥片4通过PCIE3.0 X8接口与所述处理器2电连接，从而实现两者的快速通信。
本实施例中，所述万兆网芯片5的型号为北京网迅科技的WX1820AL，其可以实现两路10G万兆网，从而提高读写速率。当然，根据实际需求，其还可以选用其它的型号，如采用中电32所的88E1111网络PHY芯片，以实现三路千兆网络。
本实施例中，所述存储盘6为四个，且型号均为北京亿芯科技的 S1200ITT4-T1M24T-C1。当然，根据实际需求，所述存储还可以设置为其它的数量，如三个、五个、六个等，其还可以选用其它的型号。
更进一步地，所述桥片4配置有多个用于电连接固态硬盘的扩展接口，这样可以连接多个外置的固态硬盘，以扩展所述存储板卡100的容量。
本实施例中，所述存储板卡100可以通过兆易创新的GD32F103RET6实现 IPMI功能。
当然，根据实际需求，该大容量存储板卡100的基板1上还设置有其它必要的器件。
本实施例通过增设多个所述存储盘6以及所述万兆网芯片5，从而可以通过多个所述存储盘6来提高所述存储板卡100的容量，并通过所述万兆网芯片 5来提高所述存储板卡100的读取速率，实现所述存储板卡100的大容量以及快读取，以满足用户需求。另外，通过均采用国内生产的器件，还能减少所述存储板卡100对于外国进口器件所产生的依赖，并降低所述存储板卡100的生产成本。
实施例二
本实用新型还提供了另一种实施例，本实施例提供的是一种存储设备，所述存储设备包括外壳以及收容于所述外壳内的大容量存储板卡100。
其中，结合附图1和附图2所示，所述大容量存储板卡100包括基板1以及设置在所述基板1上的处理器2、DDR3颗粒3、桥片4、万兆网芯片5和多个存储盘6，所述DDR3颗粒3、所述桥片4以及所述万兆网芯片5均与所述处理器2电连接，所述多个存储盘6与所述桥片4电连接。
本实施例中的所述大容量存储板卡100与实施例一中的所述大容量存储板卡100相同或类似，因此，具体的限定及描述在本实施例中不再赘述。
本实施例中，所述外壳可以更好的保护所述大容量存储板卡100，避免所述大容量存储板卡100收到损伤。
另外，由于本实施例中的存储设备使用的是实施例一中的大容量存储板卡 100，因此，该存储设备也能达到实施例一中大容量存储板卡100所能达到的技术效果，在此不作赘述。
请参照图3，图3为本实用新型的大容量存储板卡100的结构框图，其中，大容量存储板卡100的长度和宽度可以根据需要设置，例如，长度为233mm，宽度为160mm。
为保证DDR3运行速率最高，DDR3采用如下拓扑方式布线：地址、控制信号如图4中黑色连线和箭头指示，采用fly-by方式布线。数据信号如图5中黑色线条指示，采用点对点方式布线。地址、控制信号这种布线方式能够保证 DDR3最高速率运行工作。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种大容量存储板卡，其特征在于，包括基板以及设置在所述基板上的处理器、DDR3颗粒、桥片、万兆网芯片和多个存储盘，所述DDR3颗粒、所述桥片以及所述万兆网芯片均与所述处理器电连接，所述多个存储盘与所述桥片电连接。
2.如权利要求1所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述基板上设置有液冷结构。
3.如权利要求1所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述处理器的型号为FT-2000/4。
4.如权利要求1所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述DDR3颗粒的容量为4GB，所述DDR3颗粒的地址线和控制信号线采用fly-by方式布线，所述DDR3颗粒的数据信号线采用点对点的方式布线。
5.如权利要求1所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述桥片的型号为PEX8764。
6.如权利要求1所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述万兆网芯片的型号为WX1820AL。
7.如权利要求1所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述存储盘为四个，且型号均为S1200ITT4-T1M24T-C1。
8.如权利要求1所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述桥片通过PCIE3.0 X8接口与所述处理器电连接。
9.如权利要求1至8中任一项所述的大容量存储板卡，其特征在于，所述桥片配置有多个用于连接固态硬盘的扩展接口。
10.一种存储设备，其特征在于，所述存储设备包括外壳以及收容于所述外壳内如权利要求1至9任意一项所述的大容量存储板卡。
Priority Applications (1)
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| CN202123221106.9U CN216596943U (zh) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | 一种大容量存储板卡及存储设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN216596943U true CN216596943U (zh) | 2022-05-24 |
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| CN202123221106.9U Active CN216596943U (zh) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | 一种大容量存储板卡及存储设备 |
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2021
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