CN216389421U

CN216389421U - 一种发光器件

Info

Publication number: CN216389421U
Application number: CN202123031105.8U
Authority: CN
Inventors: 万垂铭; 徐波; 朱文敏; 林仕强; 温绍飞; 曾照明
Original assignee: APT Electronics Co Ltd
Current assignee: APT Electronics Co Ltd
Priority date: 2021-12-03
Filing date: 2021-12-03
Publication date: 2022-04-26
Anticipated expiration: 2031-12-03

Abstract

本实用新型公开了一种发光器件，包括：支架、LED芯片、第一硅胶层、光转换层、光反射层与第二硅胶层；所述LED芯片固定在所述支架上；所述第一硅胶层铺设在所述LED芯片的上表面，所述光转换层铺设在所述第一硅胶层上；所述光反射层铺设在所述光转换层四周；所述第二硅胶层铺设于所述光转换层上表面与所述光反射层上表面。通过在LED芯片上铺设第一硅胶层，在光转换层四周填充光反射层，提高出光效率与发光效率，避免金属件被氧化和硫化，从而提升发光器件亮度，提高产品的良品率。

Description

一种发光器件

技术领域

本实用新型属于发光二极管技术领域，具体涉及一种发光器件。

背景技术

现有的发光器件一般包括支架、LED芯片、光转换层及导线，现有技术一般将LED芯片固定在支架上，通过导线与支架相连形成通路，光转换层填充于支架内并覆盖LED芯片。这种方法会给发光器件成品带来以下不足：

1、光转换层一般由荧光粉加上硅胶混合后覆盖在芯片表面，这种荧光粉与硅胶混合制成的发光器件的色点的一致性较差；

2、为了增加LED的发光光强，往往需要将金属层表面镀银以增强光线反射，而银层易被空气氧化和硫化，因此使得发光器件存在导电性能差、发光效率低的问题；

3、发光器件的荧光层面积大，导致光强密度低。

实用新型内容

为了克服上述技术缺陷，本实用新型提供了一种发光器件，能够提高光反射率和发光器件的发光效率，提升发光器件亮度。

为了解决上述问题，本实用新型按以下技术方案予以实现的：

一种发光器件，包括：支架、LED芯片、第一硅胶层、光转换层、光反射层与第二硅胶层；

所述LED芯片固定在所述支架上；

所述第一硅胶层铺设在所述LED芯片的上表面，所述光转换层铺设在所述第一硅胶层上；

所述光反射层铺设在所述光转换层四周；

所述第二硅胶层铺设于所述光转换层上表面与所述光反射层上表面。

进一步的，所述第一硅胶层包括：粘附层和斜坡件，所述粘附层填充于所述LED芯片和所述光转换层之间，所述斜坡件设在所述光转换层的至少两个相对的侧面。

进一步的，所述斜坡件为类三角形，其最高点低于所述光转换层的上表面。

进一步的，所述LED芯片上设有电极，所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的部分上表面，或所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的整个上表面。

进一步的，所述光转换层设有一对向内凹陷的内槽，所述内槽位于导线与所述LED芯片连接处。

进一步的，所述光反射层铺设在所述光转换层四周，铺设于所述支架上、所述斜坡件及所述LED芯片上未被所述光转换层覆盖的部分。

进一步的，所述光转换层为荧光膜或荧光片。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型公开了一种发光器件，通过在LED芯片上铺设有第一硅胶层，在光转换层四周填充光反射层，以提高出光效率与发光效率，避免金属件被氧化和硫化，从而提升发光器件亮度，提高产品的良品率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：

图1为实施例1所述的发光器件的剖面结构图一；

图2为实施例1所述的发光器件的剖面结构图二；

图3为实施例1所述的发光器件的内槽与外部连通的示意图；

图4为实施例1所述的发光器件的内槽封闭的示意图；

图5为实施例1所述的步骤S2的示意图。

标记说明：1、支架；2、LED芯片；3、第一硅胶层；31、粘附层；32、斜坡件；4、光转换层；41、内槽；5、光反射层；6、第二硅胶层；7、导线。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

如图1，本实施例公开了一种发光器件，包括支架1、LED芯片2、第一硅胶层3、光转换层4、光反射层5与第二硅胶层6、导线7。

LED芯片2固定在支架1上；第一硅胶层3铺设在LED芯片2的上表面，光转换层4铺设在第一硅胶层3上；光反射层5铺设在光转换层4四周；第二硅胶层6铺设于光转换层4上表面与光反射层5上表面。

LED芯片的个数根据需求可设置一个或以上，光转换层根据需要可铺设一层或以上。

如图2，具体的，第一硅胶层3包括粘附层31和斜坡件32，粘附层31填充于LED芯片2和光转换层4之间，斜坡件32位于LED芯片2的上表面和光转换层4的至少两个相对的侧面，斜坡件32可以使得LED芯片2发出的光更多地进入光转换层4，使得LED芯片出光更多，提高出光效率，提升发光器件亮度。

具体的，斜坡件32为类三角形，其最高点低于光转换层4的上表面。

具体的，光反射层5铺设在光转换层4四周，铺设于支架1上表面、斜坡件32及LED芯片2上未被光转换层覆盖的部分，提高光发射率，提升器件发光效率，同时相当于形成保护层，保护支架被氧化或硫化。

在上述实施例中，LED芯片2表面至少设有一个电极，电极通过导线7与支架1实现电连接，光转换层4覆盖除电极所在区域外的LED芯片的部分上表面，或光转换层4覆盖除电极所在区域外的LED芯片的整个上表面。

如图3、图4，在上述实施例中，光转换层4的长和宽大于LED芯片2的长和宽，或者等于LED芯片2的长和宽；光转换层4设有一对向内凹陷的内槽41，内槽可以是封闭的，也可以是与外部连通的，内槽41位于导线7与LED芯片2连接处，用于空出导线7与LED芯片2连接的位置；一对内槽41的大小大于将导线7与LED芯片焊接时所用的瓷嘴的大小。

具体的，光转换层4为荧光膜或荧光片，其色点一致性好，封装后发光器件的色点一致性好，良品率高。

在上述实施例中，采用正装芯片封装，正装芯片生产工艺成熟，价格成本低，有效降低发光器件的制作成本。

本实施例中的发光器件是通过以下步骤制作得到的：

S1、将LED芯片2固定在支架1上表面，LED芯片2通过导线7与支架2实现电连接；

S2、如图5，在LED芯片2上表面铺设一层第一硅胶层3，在第一硅胶层3上铺设荧光膜或荧光片，形成一层光转换层4；

S3、在光转换层4四周填充一层光反射层5；

S4、在光转换层4上表面和光反射层5上表面铺设一层第二硅胶层6。

具体的，在步骤S1中：

第一硅胶层3通过非接触式点胶或者喷射方式涂覆在LED芯片2上表面。

具体的，在步骤S2中：

第一硅胶层3在光转换层4的挤压下，形成粘附层31和斜坡件32，粘附层31位于LED芯片2与光转换层4之间，斜坡件32位于LED芯片2的上表面和光转换层4的至少两个相对的侧面。

具体的，在步骤S3中：

光反射层5铺设在光转换层4的四周，覆盖支架1上表面和LED芯片2未被光转换层4覆盖的上表面部分。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims

1.一种发光器件，其特征在于，包括：支架、LED芯片、第一硅胶层、光转换层、光反射层与第二硅胶层；

所述LED芯片固定在所述支架上；

所述光反射层铺设在所述光转换层四周；

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一硅胶层包括：粘附层和斜坡件，所述粘附层填充于所述LED芯片和所述光转换层之间，所述斜坡件设在所述光转换层的至少两个相对的侧面。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述斜坡件为类三角形，其最高点低于所述光转换层的上表面。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述LED芯片上设有电极，所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的部分上表面，或所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的整个上表面。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层设有一对向内凹陷的内槽，所述内槽位于导线与所述LED芯片连接处。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述光反射层铺设在所述光转换层四周，铺设于所述支架上、所述斜坡件及所述LED芯片上未被所述光转换层覆盖的部分。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层为荧光膜或荧光片。