CN216377834U - 一种电子电镀综合园区废水深度处理系统 - Google Patents

Abstract

一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔。本实用新型解决了传统的污水深度处理工艺处理电子电镀综合废水的运行效果稳定性差，难以保障出水水质等问题。

Description

一种电子电镀综合园区废水深度处理系统

技术领域

本实用新型涉及污水净化领域，尤其涉及一种电子电镀综合园区废水深度处理系统。

背景技术

电子电镀综合园区受入园企业的影响，排放的废水不仅有电镀废水，还有线路板废水，废水种类多，污染浓度高，排放要求严。对于环境敏感地区，排放要求执行《地表水环境质量标准》(GB3838-2002)IV类标准和《电镀水污染物排放标准》(DB44/1597-2015)表3水污染物特别排放限值中较严者。

目前常用的处理工艺是将园区废水进行分类，各分类废水经预处理系统处理后，再进行综合处理。综合处理方法有化学沉淀法、生化处理法等，化学沉淀法，是以药剂使废水中重金属离子形成沉淀后，再以通过沉淀分离方式去除。生化处理法是利用水中的微生物细菌分解水中的有机物。但是电子电镀园区排放废水中，废水成份复杂且受产品种类影响，含有非常难氧化的络合剂及其它添加成份。因而在对出水要求较高的情况下，传统的化学沉淀及生化处理法无法有效的保障出水水质，导致出水浓度超标。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，解决传统的污水深度处理工艺处理电子电镀综合废水的运行效果稳定性差，难以保障出水水质等问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔；所述缓冲排放池的进口连接至预处理系统，所述缓冲排放池的出口连接至第一pH调节池的进口，所述第一pH调节池的出口连接至第一混凝池的进口，所述第一混凝池的出口连接至第一絮凝池的进口，所述第一絮凝池的出口连接至第一沉淀池的进口，所述第一沉淀池的出水口连接至pH回调池的进口，所述pH回调池的出口连接至厌氧池的进口，所述厌氧池的出口连接至缺氧池的进口，所述缺氧池的出口连接至好氧池的进口，所述好氧池的出口连接至MBR池的进口，所述MBR池的出水口连接至MBR产水池的进口，所述MBR产水池的出口连接至BAF滤池的进口，所述BAF滤池的出口连接至反硝化滤池的进口，所述反硝化滤池的出口连接至酸化池的进口，所述酸化池的出口连接至氧化池的进口，所述氧化池的出口连接至第二pH调节池的进口，所述第二pH调节池的出口连接至第二混凝池的进口，所述第二混凝池的出口连接至第二絮凝池的进口，所述第二絮凝池的出口连接至第二沉淀池的进口，所述第二沉淀池的出水口连接至MCR膜池的进口，所述MCR膜池的出水口连接至MCR产水池的进口，所述MCR产水池的出口连接至镍离子交换塔的进口，所述镍离子交换塔的出口连接至氟离子交换塔的进口。

进一步地，所述的第一沉淀池和pH回调池之间设置有第一中间水池，所述的第一中间水池的进口连接至第一沉淀池的出口，所述第一中间水池的出口连接至pH回调池的进口。

进一步地，所述的镍离子交换塔和氟离子交换塔之间设置有第二中间水池，所述第二中间水池的进口连接至镍离子交换塔的出口，所述第二中间水池的出口连接至氟离子交换塔的进口。

进一步地，所述第一沉淀池、MBR池、BAF滤池、第二沉淀池、MCR膜池的排泥口均连接至综合污泥池。

进一步地，在缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一中间水池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二中间水池中均设置有搅拌设备。

进一步地，所述的第一pH调节池、pH回调池、酸化池、第二pH调节池中均设置有pH在线调节装置。

进一步地，在氟离子交换塔的出水口连接有排放水池。

本实用新型提供的系统，通过采用混凝沉淀、生化反应、MBR、BAF、芬顿氧化、MCR、镍吸附和氟吸附等工艺，能很好地将电子电镀综合园区的废水进行深度处理，保证了出水达标。本实用新型系统具有应用普遍、运行稳定有效、操作管理方便等优点，能保证各类排放指标要求较高的条件下保证出水稳定达标。

以下将结合附图和实施例，对本实用新型进行较为详细的说明。

附图说明

图1为本实用新型一种电子电镀综合园区废水深度处理系统流程图。

具体实施方式

如图1所示的一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔；所述缓冲排放池的进口连接至预处理系统，所述缓冲排放池的出口连接至第一pH调节池的进口，所述第一pH调节池的出口连接至第一混凝池的进口，所述第一混凝池的出口连接至第一絮凝池的进口，所述第一絮凝池的出口连接至第一沉淀池的进口，所述第一沉淀池的出水口连接至pH回调池的进口，所述pH回调池的出口连接至厌氧池的进口，所述厌氧池的出口连接至缺氧池的进口，所述缺氧池的出口连接至好氧池的进口，所述好氧池的出口连接至MBR池的进口，所述MBR池的出水口连接至MBR产水池的进口，所述MBR产水池的出口连接至BAF滤池的进口，所述BAF滤池的出口连接至反硝化滤池的进口，所述反硝化滤池的出口连接至酸化池的进口，所述酸化池的出口连接至氧化池的进口，所述氧化池的出口连接至第二pH调节池的进口，所述第二pH调节池的出口连接至第二混凝池的进口，所述第二混凝池的出口连接至第二絮凝池的进口，所述第二絮凝池的出口连接至第二沉淀池的进口，所述第二沉淀池的出水口连接至MCR膜池的进口，所述MCR膜池的出水口连接至MCR产水池的进口，所述MCR产水池的出口连接至镍离子交换塔的进口，所述镍离子交换塔的出口连接至氟离子交换塔的进口。

进一步地，为了便于收集第一沉淀池的出水，控制污水流量，所述的第一沉淀池和pH回调池之间设置有第一中间水池，所述的第一中间水池的进口连接至第一沉淀池的出口，所述第一中间水池的出口连接至pH回调池的进口。

进一步地，为了便于收集镍离子交换塔的出水，控制污水流量，所述的镍离子交换塔和氟离子交换塔之间设置有第二中间水池，所述第二中间水池的进口连接至镍离子交换塔的出口，所述第二中间水池的出口连接至氟离子交换塔的进口。

进一步地，为了便于污泥的排放，所述第一沉淀池、MBR池、BAF滤池、第二沉淀池、MCR膜池的排泥口均连接至综合污泥池。

进一步地，为了能更好地实现调节水质水量、进行生化反应等作用，在缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一中间水池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二中间水池中均设置有搅拌设备。

进一步地，为了便于pH值的准确调节，所述的第一pH调节池、pH回调池、酸化池、第二pH调节池中均设置有pH在线调节装置。

进一步地，为了收集氟离子交换塔的产水，便于后续排放，在氟离子交换塔的出水口连接有排放水池。

使用本实用新型系统处理电子电镀综合园区废水的步骤：

(a)将经过传统预处理工艺处理后的电子电镀综合园区废水(络合废水、高有机废水、混排废水)收集到缓冲排放池，利用机械搅拌装置搅拌并停留时间一段时间，调质均匀；

(b)将缓冲排放池的废水经泵提升至第一pH调节池，加入NaOH并搅拌，调节pH至碱性9-10；

(c)第一pH调节池的废水自流进入反应池，投加Na2CO3并搅拌进行反应，进一步微调pH值，达到预设的pH值范围，减少波动；

(d)将反应池中的废水依次排入到第一混凝池、第一絮凝池，并依次投加混凝剂PAC，絮凝剂PAM，通过机械搅拌，充分反应，利用吸附、桥连等作用将废水中的金属离子等杂质形成易沉降的絮状物；

(e)然后第一絮凝池中的废水排入第一沉淀池进行固液分离，污泥排入到综合污泥地，出水排入到第一中间水池进行收集；

(f)废水从第一中间水池出水后进入pH回调池，加入H2SO4并搅拌，调节pH值至6.5～7.8；

(g)将pH回调池的废水提升至生化系统的厌氧池、缺氧池、好氧池，并搅拌进行厌氧、缺氧和好氧处理，实现脱氮除磷及去除废水中的有机物；

(h)经生化系统处理后的废水流入MBR池进行固液分离，MBR池中设置有MBR膜组件、产水系统、排泥装置，MBR池中分离出的污泥排入综合污泥地，经分离后的MBR产水则进入MBR产水池；

(i)将MBR产水池的出水提升进入到BAF池，BAF池中设置有布水系统、生物滤材填料、布气系统、反冲洗系统，进行生物氧化和截留悬浮物，截留的污泥排入综合污泥地；

(j)将BAF池的出水排入反硝化滤池并搅拌，反硝化滤池中设置有配水层、承托层、填料层、清水层，采用陶粒滤料作为反硝化生物的挂膜介质，去除废水中的硝态氮，将废水中的硝酸盐或亚硝酸盐转化为氮气；

(k)经反硝化滤池处理后的废水排入酸化池，投加硫酸并搅拌，调节pH至2.5-3酸性；

(l)将酸化池中的废水排入到氧化池进行芬顿反应，投加FeSO4及H2O2并搅拌反应生成强氧化性的羟基自由基，通过氧化作用，进一步去除水中的有机物，并将废水中络合态金属转化为离子态，保证后续化学沉淀处理工序的进行；

(m)将氧化池的出水排入到第二pH调节池，加入NaOH搅拌，调节pH至10-11碱性；

(n)将第二pH调节池中的废水依次排入第二混凝池、凝絮池2进行二级混凝沉淀，开启搅拌装置，通过混凝(加混凝剂PAC、重捕剂)、絮凝(加絮凝剂PAM)后排入第二沉淀池进行固液分离，分离出的污泥排入到综合污泥地；

(o)将第二沉淀池的出水排入MCR膜池，利用MCR膜进一步分离水中的重金属，分离出的污泥排入到综合污泥地，经分离后的MCR产水则进入MCR产水池；MCR膜池中主要设置有浸没式超滤膜组件、鼓风吹扫装置、反冲洗装置、排泥装置、产水装置，浸没式超滤膜组件相比MBR膜组件，具有更大的填充密度、通量、更高的回收率以及更好的产水水质。浸没式超滤组件将大量的中空纤维膜丝浇筑于两端，纤维束的开口端用专用树脂浇铸成管板，配备相应的连接件，即形成标准膜组件，通过不同数量的膜组件并联即组装成浸没式超滤膜系统。运行时，将膜组件浸没到废水中，产品水的出口通过管道与水泵相接，由水泵的抽吸作用使中空纤维膜中心内部形成负压。由于中空纤维膜外部水的压力作用，使水分子从膜外侧被吸入膜中心管内，而粒径较大的固形物和细菌等被去除，从而完成过滤过程；

(p)将MCR产水池中的废水经泵提升入镍离子吸附塔，废水中的残余的镍离子通过与离子交换树脂中的离子交换去除，保证稳定的出水水质，并将镍离子吸附塔的出水排入到第二中间水池暂存；镍离子交换塔中主要设置有镍离子交换装置，镍离子交换装置中有镍离子交换树脂，用以与废水中残留的镍离子进行离子交换，进一步提高出水水质；也可设置提升泵及流量计，用以进水流量稳定。为了能让交换镍离子后的树脂重复使用，镍离子交换塔中还可以设置有树脂再生装置，利用酸、碱把树脂上吸附的镍离子重新清洗下来，用于恢复树脂交换的功能。

(q)将第二中间水池中的废水再提升进入氟离子交换塔，氟离子交换塔中设置有氟离子交换树脂和砂石层，利用氟离子交换树脂进一步去除氟，最后将处理结束的废水排入排放水池，检测出水达标后排放。

上面结合附图对本实用新型一种电子电镀综合园区废水深度处理系统进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的均落在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔；所述缓冲排放池的进口连接至预处理系统，所述缓冲排放池的出口连接至第一pH调节池的进口，所述第一pH调节池的出口连接至第一混凝池的进口，所述第一混凝池的出口连接至第一絮凝池的进口，所述第一絮凝池的出口连接至第一沉淀池的进口，所述第一沉淀池的出水口连接至pH回调池的进口，所述pH回调池的出口连接至厌氧池的进口，所述厌氧池的出口连接至缺氧池的进口，所述缺氧池的出口连接至好氧池的进口，所述好氧池的出口连接至MBR池的进口，所述MBR池的出水口连接至MBR产水池的进口，所述MBR产水池的出口连接至BAF滤池的进口，所述BAF滤池的出口连接至反硝化滤池的进口，所述反硝化滤池的出口连接至酸化池的进口，所述酸化池的出口连接至氧化池的进口，所述氧化池的出口连接至第二pH调节池的进口，所述第二pH调节池的出口连接至第二混凝池的进口，所述第二混凝池的出口连接至第二絮凝池的进口，所述第二絮凝池的出口连接至第二沉淀池的进口，所述第二沉淀池的出水口连接至MCR膜池的进口，所述MCR膜池的出水口连接至MCR产水池的进口，所述MCR产水池的出口连接至镍离子交换塔的进口，所述镍离子交换塔的出口连接至氟离子交换塔的进口。

2.根据权利要求1所述的电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，所述的第一沉淀池和pH回调池之间设置有第一中间水池，所述的第一中间水池的进口连接至第一沉淀池的出口，所述第一中间水池的出口连接至pH回调池的进口。

3.根据权利要求1所述的电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，所述的镍离子交换塔和氟离子交换塔之间设置有第二中间水池，所述第二中间水池的进口连接至镍离子交换塔的出口，所述第二中间水池的出口连接至氟离子交换塔的进口。

4.根据权利要求1所述的电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，所述第一沉淀池、MBR池、BAF滤池、第二沉淀池、MCR膜池的排泥口均连接至综合污泥池。

5.根据权利要求1所述的电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，在缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一中间水池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二中间水池中均设置有搅拌设备。

6.根据权利要求1所述的电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，所述的第一pH调节池、pH回调池、酸化池、第二pH调节池中均设置有pH在线调节装置。

7.根据权利要求1所述的电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，在氟离子交换塔的出水口连接有排放水池。

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