CN216312955U - 一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于供电稳压电路领域,提供了一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路,所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块,连接所述电压基准模块的降压模块,连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块,及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。旨在解决现有技术中嵌入式软件开发,选用可编程单片机,开发周期长,一旦选定单片机,选择就被固定,局限性大的技术问题。
Description
技术领域
本发明属于供电稳压电路领域,尤其涉及一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路。
背景技术
目前车载半导体制冷/制热系统;分别使用12V和24V系统直接供电,需求要两种负载;当只用一种负载时,多用嵌入式软件开发调节负载输出电压,两种负载匹配时,管理成本高,而嵌入式软件开发,选用可编程单片机,开发周期长,一旦选定单片机,选择就被固定,局限性大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路,旨在解决现有技术中嵌入式软件开发,选用可编程单片机,开发周期长,一旦选定单片机,选择就被固定,局限性大的技术问题。
本发明是这样实现的,一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路,所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块,连接所述电压基准模块的降压模块,连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块,及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。
本发明的进一步技术方案是:所述电压基准模块包括电阻R4、电阻R7、稳压二极管D6及三极管Q3,所述电阻R4及所述稳压二极管D6的阴极均连接所述电源的阳极,所述二极管D6的阳极连接所述三极管Q3的发射极,所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R7的一端。
本发明的进一步技术方案是:所述降压模块包括电阻R5、电阻R6、稳压二极管D1A、MOS管Q1、电感线圈L1及有极电容C1,所述电阻R5的一端、所述稳压二极管D1A的阴极及所述有极电容C1的阳极均连接电源阳极,所述电阻R5的另一端分别连接所述电阻R6的一端及所述三极管Q3的基极,所述电阻R6的另一端分别连接所述电感线圈L1的一端及所述有极电容C1的阴极,所述稳压二极管D1A的阳极分别连接所述电感线圈L1的另一端及所述MOS管Q1的漏极,所述MOS管Q1的源极连接GND。
本发明的进一步技术方案是:所述振荡模块包括电阻R10、电阻R11、电阻R3、电阻R12、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D2、稳压二极管D3、稳压二极管D4、三极管Q2及运算放大器U1A,所述电阻R10的一端、稳压二极管D4的阴极、电容C2的一端、所述运算放大器U1A的阳极、所述电阻R3的一端及所述三极管Q2的集电极均连接所述电阻R4的另一端,所述电阻R10的另一端分别连接所述电阻R11的一端、所述电容C4的一端及所述运算放大器U1A的同相输出端,所述电阻R12的一端、所述电容C3的一端、所述稳压二极管D3的阴极及所述运算放大器U1A的反向输入端均连接所述电阻R7的另一端,所述电阻R3的另一端分别连接所述二极管D2的阴极、所述运算放大器U1A的输出端及三极管Q2的基极,所述二极管D2的阳极分别连接所述三极管Q2的发射极及所述MOS管Q1的栅极,所述稳压二极管D4的阳极、所述电容C2的另一端、所述电容C4的另一端、所述电阻R11的另一端、所述稳压二极管D3的阳极、所述电容C3的另一端、所述电阻R12的另一端及所述运算放大器U1A的阴极均连接GND。
本发明的有益效果是:此种主负载供电稳压电路使用最基本的电子器件:阻容件,电感,二三极管;可选性、可调整性强,开发周期短,使用单一负载,管理成本好;兼容12V/24V车辆,并且结构简单、成本低、效果好。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路的电器原理图。
具体实施方式
图1示出了本发明提供的一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路,所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块,连接所述电压基准模块的降压模块,连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块,及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。通过电压基准模块为整个电路提供稳定的基准电压,并通过振荡模块使降压模块输出所需电压。
所述电压基准模块包括电阻R4、电阻R7、稳压二极管D6及三极管Q3,所述电阻R4及所述稳压二极管D6的阴极均连接所述电源的阳极,所述二极管D6的阳极连接所述三极管Q3的发射极,所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R7的一端。
所述降压模块包括电阻R5、电阻R6、稳压二极管D1A、MOS管Q1、电感线圈L1及有极电容C1,所述电阻R5的一端、所述稳压二极管D1A的阴极及所述有极电容C1的阳极均连接电源阳极,所述电阻R5的另一端分别连接所述电阻R6的一端及所述三极管Q3的基极,所述电阻R6的另一端分别连接所述电感线圈L1的一端及所述有极电容C1的阴极,所述稳压二极管D1A的阳极分别连接所述电感线圈L1的另一端及所述MOS管Q1的漏极,所述MOS管Q1的源极连接GND。
所述振荡模块包括电阻R10、电阻R11、电阻R3、电阻R12、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D2、稳压二极管D3、稳压二极管D4、三极管Q2及运算放大器U1A,所述电阻R10的一端、稳压二极管D4的阴极、电容C2的一端、所述运算放大器U1A的阳极、所述电阻R3的一端及所述三极管Q2的集电极均连接所述电阻R4的另一端,所述电阻R10的另一端分别连接所述电阻R11的一端、所述电容C4的一端及所述运算放大器U1A的同相输出端,所述电阻R12的一端、所述电容C3的一端、所述稳压二极管D3的阴极及所述运算放大器U1A的反向输入端均连接所述电阻R7的另一端,所述电阻R3的另一端分别连接所述二极管D2的阴极、所述运算放大器U1A的输出端及三极管Q2的基极,所述二极管D2的阳极分别连接所述三极管Q2的发射极及所述MOS管Q1的栅极,所述稳压二极管D4的阳极、所述电容C2的另一端、所述电容C4的另一端、所述电阻R11的另一端、所述稳压二极管D3的阳极、所述电容C3的另一端、所述电阻R12的另一端及所述运算放大器U1A的阴极均连接GND。
此主负载供电稳压电路在工作时,运算放大器U1A作为振荡模块的核心器件,通电初始运算放大器U1A的同相输出端即B点(U1A_PIN3)电压VB建立;同时运算放大器U1A的反向输入端即C点(U1A_PIN2)电压为0;运算放大器U1A的输出端即U1A_PIN1输出高电平;进而三极管Q2高电平打开开始工作,从而使MOS管Q1打开开始工作;此时电阻R5、电阻R6、电感线圈L1 及MOS管Q1形成通路;由于电感线圈L1的储能作用,使电阻R5两端电压即A点电压上升有个延迟斜线,当A点(R5两端电压)达到约6.8V(稳压二极管管D6+三极管Q3的PN特性电压)左右时,三极管Q3被导通;同时电路串联电流特性电阻R6两端电压此时会是约5.2V;而电阻R5 和电阻R6两端的电压和等于有极电容C1两端电压为6.8+5.2=12V;(12V为此电路目标稳压输出电压值)。
而当三极管Q3导通后,通过电阻R7、电容C3及电阻R12形成的RC时间延迟,使得C点(U1A_PIN2)上升,当C点(U1A_PIN2)电压上升至等于B点(U1A_PIN3)电压时,运算放大器U1A作用生效,U1A_PIN1翻转输出低电平并通过三极管Q2和二极管D2关断MOS管Q1,MOS管Q1从打开至关断,形成了振荡的一个半周波,MOS管Q1关断后电感线圈L1储能释放,一个延迟时间后A点(R5两端电压)减小至三极管Q3断开,使得当C点(U1A_PIN2)电压掉至小于B点(U1A_PIN2)电压,远算放大器U1A再次发生作用,从输出低翻转再输出高,通过三极管Q2打开MOS管Q1,从上一个关断至此次打开,形成了另一个振荡半周波;至此开始循环以上电路作用,平衡有极电容C1两端电压,及实现电路目标稳压输出电压值。
而在主负载供电稳压电路中稳压二极管D3和稳压二极管D4的作用是分别对各自器件负极点电压进行稳压保护作用,所以电路输出为12V/24V(9-36V)系统宽电压输入。
此种主负载供电稳压电路使用最基本的电子器件:阻容件,电感,二三极管;可选性、可调整性强,开发周期短,使用单一负载,管理成本好;兼容12V/24V车辆,并且结构简单、成本低、效果好。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种车载半导体制冷制热的主负载供电稳压电路,其特征在于,所述主负载供电稳压电路包括电压基准模块,连接所述电压基准模块的降压模块,连接所述电压基准模块及所述降压模块的振荡模块,及电性连接所述电压基准模块、所述降压模块及所述振荡模块的电源。
2.根据权利要求1所述的主负载供电稳压电路,其特征在于,所述电压基准模块包括电阻R4、电阻R7、稳压二极管D6及三极管Q3,所述电阻R4及所述稳压二极管D6的阴极均连接所述电源的阳极,所述二极管D6的阳极连接所述三极管Q3的发射极,所述三极管Q3的集电极连接所述电阻R7的一端。
3.根据权利要求2所述的主负载供电稳压电路,其特征在于,所述降压模块包括电阻R5、电阻R6、稳压二极管D1A、MOS管Q1、电感线圈L1及有极电容C1,所述电阻R5的一端、所述稳压二极管D1A的阴极及所述有极电容C1的阳极均连接电源阳极,所述电阻R5的另一端分别连接所述电阻R6的一端及所述三极管Q3的基极,所述电阻R6的另一端分别连接所述电感线圈L1的一端及所述有极电容C1的阴极,所述稳压二极管D1A的阳极分别连接所述电感线圈L1的另一端及所述MOS管Q1的漏极,所述MOS管Q1的源极连接GND。
4.根据权利要求3所述的主负载供电稳压电路,其特征在于,所述振荡模块包括电阻R10、电阻R11、电阻R3、电阻R12、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D2、稳压二极管D3、稳压二极管D4、三极管Q2及运算放大器U1A,所述电阻R10的一端、稳压二极管D4的阴极、电容C2的一端、所述运算放大器U1A的阳极、所述电阻R3的一端及所述三极管Q2的集电极均连接所述电阻R4的另一端,所述电阻R10的另一端分别连接所述电阻R11的一端、所述电容C4的一端及所述运算放大器U1A的同相输出端,所述电阻R12的一端、所述电容C3的一端、所述稳压二极管D3的阴极及所述运算放大器U1A的反向输入端均连接所述电阻R7的另一端,所述电阻R3的另一端分别连接所述二极管D2的阴极、所述运算放大器U1A的输出端及三极管Q2的基极,所述二极管D2的阳极分别连接所述三极管Q2的发射极及所述MOS管Q1的栅极,所述稳压二极管D4的阳极、所述电容C2的另一端、所述电容C4的另一端、所述电阻R11的另一端、所述稳压二极管D3的阳极、所述电容C3的另一端、所述电阻R12的另一端及所述运算放大器U1A的阴极均连接GND。
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