CN216290166U - 半导体电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种半导体电路，包括电路板和高压集成电路，高压集成电路包括电源欠压保护电路、逆变桥驱动电路和报错电路，电源欠压保护电路包括欠压检测单元和故障逻辑控制单元，故障逻辑控制单元的信号输入端与欠压检测单元电连，故障逻辑控制单元的信号输出端分别与逆变桥驱动电路和报错电路电连；欠压检测单元包括依次电连接的延时电路、充电电路和欠压检测电路，欠压检测电路的输入端还与电源电连，欠压检测电路的输出端与故障逻辑控制单元电连。本实用新型所提出的半导体电路，可实现高压集成电路刚工作时，欠压保护无效，工作一段时间后，欠压保护功能生效。

Description

半导体电路

技术领域

本实用新型涉及功率半导体领域，特别涉及一种半导体电路。

背景技术

半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品,兼有GTR(大功率晶体管)高电流、低饱和电压和高耐压的优点，以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。半导体电路内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便，不仅减小了体积，缩短了开发时间，也增强了可靠性，适应了当今功率器件的发展方向。

半导体电路包括高压集成电路，即HVIC，是一种把MCU信号转换成驱动IGBT信号的集成电路产品。HVIC把PMOS管、NMOS管、三极管、二极管、稳压管、电阻、电容集成在一起，形成斯密特、低压LEVELSHIFT、高压LEVELSHIFT、脉冲发生电路、延时电路、滤波电路、过电流保护电路和过热保护电路、欠压保护电路、自举电路等电路。HVIC一方面接收MCU的控制信号，驱动后续IGBT或MOS工作，另一方面将系统的状态检测信号送回MCU。

HVIC应用时，如其电源VCC均与其它电子元器件共用，在系统逐步启动，未运行稳定时，难免出现VCC波动，触发智能功率模块欠压保护，从而导致系统启动失败。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提出一种半导体电路，旨在解决上述背景技术中所提出的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种半导体电路，包括电路板和高压集成电路，所述高压集成电路包括电源欠压保护电路、逆变桥驱动电路和报错电路，所述电源欠压保护电路包括欠压检测单元和故障逻辑控制单元，所述故障逻辑控制单元的信号输入端与所述欠压检测单元电连接，所述故障逻辑控制单元的信号输出端分别与所述逆变桥驱动电路和所述报错电路电连接；

所述欠压检测单元包括依次电连接的延时电路、充电电路和欠压检测电路，所述欠压检测电路的输入端还与电源电连接，所述欠压检测电路的输出端与所述故障逻辑控制单元电连接，所述延时电路用于使得所述充电电路延时充电。

优选地，所述延时电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容器和第一比较器，所述第一电阻的一端与所述电源电连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻电连接后接地，所述第三电阻的一端与所述电源电连接，所述第三电阻的另一端与所述第一电容器电连接后接地，所述第一比较器的同向输入端与所述第三电阻和所述第一电容器的公共端电连接，所述第一比较器的反向输入端与所述第一电阻和所述第二电阻的公共端电连接。

优选地，所述延时电路还包括第二电容器，所述第二电容器的一端与所述第一比较器的输出端电连接，另一端接地。

优选地，所述充电电路包括第一MOS管、第四电阻和第三电容器，所述第一MOS管的栅极与所述第二电容器电连接，所述第一MOS管的源极与所述第四电阻电连接后接地，所述第一MOS管的漏极与所述电源电连接，所述第三电容器的一端接地，另一端与所述欠压检测电路电连接。

优选地，所述充电电路还包括单向二极管，所述单向二极管的正极与所述第一MOS管和所述第四电阻的公共端电连接，所述单向二极管的负极与所述第三电容器电连接。

优选地，所述欠压检测电路包括第二比较器，所述第二比较器的反向输入端与所述第三电容器电连接，所述第二比较器的同向输入端与所述电源电连接，所述第二比较器的输出端与所述故障逻辑控制单元电连接。

优选地，所述电源欠压保护电路还包括第五电阻、第一施密特触发器和第一滤波器，所述第五电阻的一端与所述电源电连接，所述第五电阻的另一端接地，所述第一施密特触发器、所述第一滤波器和所述欠压检测单元依次电连接，所述第一施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第一滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

优选地，所述高压集成电路还包括过流保护电路，所述过流保护电路包括第六电阻和依次电连接的第二施密特触发器、第二滤波器和第一电平转换器，所述第一电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接，所述第六电阻的一端与过流信号检测输入端电连接，所述第六电阻的另一端接地，所述第二施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第二滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

优选地，所述高压集成电路还包括使能端检测电路，所述使能端检测电路包括第七电阻和依次电连接的第三施密特触发器、第三滤波器和第二电平转换器，所述第二电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接，所述第七电阻的一端与使能输入端电连接，所述第七电阻的另一端接地，所述第三施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第三滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

优选地，所述报错电路包括第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述故障逻辑控制单元的信号输出端电连接，所述第二MOS管的漏极与故障保护输出端电连接，所述第二MOS管的源极接地。

与现有技术相比，本实用新型实施例的有益技术效果在于：

本实用新型所提出的半导体电路，可实现高压集成电路刚工作时，欠压保护无效，工作一段时间后，欠压保护功能生效，避免HVIC应用时，如其电源VCC均与其它电子元共用，在系统逐步启动，未运行稳定时，触发智能功率模块欠压保护情况，从而导致系统启动失败情况。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中半导体电路的电路图；

图2为图1实施例中欠压检测单元的电路图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。

另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提到的半导体电路，是一种将功率开关器件和高压驱动电路等集成在一起，并在外表进行密封封装的一种电路模块，在电力电子领域应用广泛，如驱动电机的变频器、各种逆变电压、变频调速、冶金机械、电力牵引、变频家电等领域应用。这里的半导体电路还有多种其他的名称，如模块化智能功率系统(Modular Intelligent Power System，MIPS)、智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)，或者称为混合集成电路、功率半导体模块、功率模块等名称。在本实用新型的以下实施例中，统一称为模块化智能功率系统(MIPS)。

实施例一

请参见图1-2，本实用新型实施例提出一种模块化智能功率系统，该模块化智能功率系统包括电路板10和高压集成电路，高压集成电路包括电源欠压保护电路20、逆变桥驱动电路30和报错电路40，电源欠压保护电路20包括欠压检测单元21和故障逻辑控制单元22，故障逻辑控制单元22的信号输入端与欠压检测单元21电连接，故障逻辑控制单元22的信号输出端分别与逆变桥驱动电路30和报错电路40电连接；

欠压检测单元21包括依次电连接的延时电路211、充电电路212和欠压检测电路213，欠压检测电路213的输入端还与电源电连接，欠压检测电路213的输出端与故障逻辑控制单元22电连接，延时电路211用于使得充电电路212延时充电。

本实施例中，高压集成电路作为模块化智能功率系统内部的驱动芯片，用于产生逆变桥驱动信号以驱动逆变桥工作。高压集成电路设置在电路板10上，其包括有电源欠压保护电路20、逆变桥驱动电路30和报错电路40，电源欠压保护电路20用于电源欠压保护，在电源电压低于欠压保护值时，电源欠压保护电路20启动，以对模块化智能功率系统进行保护。电源欠压保护电路20启动后，同时通过报错电路40进行报错，以提醒工作人员模块化智能功率系统运行出错。

模块化智能功率系统在启动运行时，各电子元器件之间共用电源，电源电压会受到干扰而出现波动，有可能会使得电源电压低于欠压保护值，在低于欠压保护值时，电源欠压保护电路2020会启动，导致模块化智能功率系统启动失败。

为使得模块化智能功率系统成功启动，本实施例提出一种可实现模块化智能功率系统刚启动时，欠压保护功能失效的电源欠压保护电路20。本实施例所提出的电源欠压保护电路20包括欠压检测单元21和故障逻辑控制单元22，故障逻辑控制单元22接收到电源欠压信号后，输出高电平信号至逆变桥驱动电路30，此时，逆变桥驱动电路30的上下桥驱动信号无论是高电平还是低电平，均被锁止，对应的信号输出端均输出为低电平信号。同时，故障逻辑控制单元22所输出的高电平信号也将输出至报错电路40，触发故障保护，使得每个通道的驱动信号均被置为低电平。

进一步的，本实施例所提出的欠压检测单元21包括延时电路211、充电电路212和欠压检测电路213，充电电路212用于向电容器充电，延时电路211用于延迟充电电路212向电容器充电，也即在系统刚运行时，充电电路212不会向电容器充电，欠压检测电路213不工作，此时也就不存在欠压保护功能。而当系统运行一段时间后，充电电路212触发，向电容器充电至预设电压值，该电容器的电压值即为电源欠压保护电路20的欠压值，此时，电源欠压保护电路20开始工作，若电源电压跌落至小于欠压保护值，电源欠压保护电路20将触发欠压保护功能。

实施例二

请参见图2，本实用新型实施例所提出的延时电路211包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容器C1和第一比较器X1，第一电阻R1的一端与电源电连接，第一电阻R1的另一端与第二电阻R2电连接后接地，第三电阻R3的一端与电源电连接，第三电阻R3的另一端与第一电容器C1电连接后接地，第一比较器X1的同向输入端In1与第三电阻R3和第一电容器C1的公共端电连接，第一比较器X1的反向输入端In2与第一电阻R1和第二电阻R2的公共端电连接。本实施例中，第一电阻R1和第二电阻R2构成分压电路并连接至第一比较器X1的反向输入端In2，第三电阻R3和第一电容器C1连接至第一比较器X1的同向输入端In1，当第一比较器X1的同向输入端In1的电压大于第一比较器X1的反向输入端In2的电压时，第一比较器X1的输出端输出高电平信号，当第一比较器X1的同向输入端In1的电压小于第一比较器X1的反向输入端In2的电压时，第一比较器X1的输出端输出低电平信号。

实施例三

请参见图2，本实用新型实施例所提出的延时电路211还包括第二电容器C2，第二电容器C2的一端与第一比较器X1的输出端电连接，另一端接地。本实施例中，当第一比较器X1的同向输入端In1的电压大于第一比较器X1的反向输入端In2的电压时，第一比较器X1输出高电平信号，向第二电容器C2充电，而后触发充电电路212工作。第一比较器X1的同向输入端In1的电压和第一比较器X1的反向输入端In2的电压会反复变化，有可能T1时刻同向输入端的电压大于反向输入端的电压，而在T2时刻同向输入端的电压小于反向输入端的电压，如此，若没有第二电容器C2，则会反复触发后续的充电电路212和欠压检测电路213工作。为此，本实施例通过第二电容器C2能够很好避免上述问题，因为只有当第二电容器C2两端的电压达到预设值时，才会触发后续的充电电路212和欠压检测电路213工作。

实施例四

请参见图2，本实用新型实施例所提出的充电电路212包括第一MOS管Q1、第四电阻R4和第三电容器C3，第一MOS管Q1的栅极与第二电容器C2电连接，第一MOS管Q1的源极与第四电阻R4电连接后接地，第一MOS管Q1的漏极与电源电连接，第三电容器C3的一端接地，另一端与欠压检测电路213电连接。本实施例中，当第一比较器X1的输出端输出高电平信号时，第一MOS管Q1导通，向第三电容器C3充电，第三电容器C3两端的电压即为电源欠压保护电路20的欠压保护值。当电源电压跌落至小于欠压保护值时，第二比较器的输出端将输出高电平信号至故障逻辑控制单元22，故障逻辑控制单元22再将高电平信号分别输出至逆变桥驱动电路30和报错电路40，以触发电源欠压报错和保护功能。

实施例五

请参见图2，本实用新型实施例所提出的充电电路212还包括单向二极管D，单向二极管D的正极与第一MOS管Q1和第四电阻R4的公共端电连接，单向二极管D的负极与第三电容器C3电连接。本实施例中，单向二极管D用于当电源电压跌落时，避免第三电容器C3电压被释放掉。在电源给第三电容器C3充电过程中，第三电容器C3两端的电压会逐渐升高，并达到第三电容器C3的稳定电压值。在后续过程中，为避免当电源电压跌落时，第三电容器C3两端的电压被释放掉，因此，在第一MOS管Q1与第四电阻R4的公共端电连接有单向二极管D。单向二极管D的正极与第一MOS管Q1和第四电阻R4的公共端电连接，单向二极管D的负极与第三电容器C3电连接，基于单向二极管D的正向导通反向截止的特性，第三电容器C3两端的电压无法反向输出。

实施例六

请参见图2，本实用新型实施例所提出的欠压检测电路213包括第二比较器X2，第二比较器X2的反向输入端In4与第三电容器C3电连接，第二比较器X2的同向输入端In3与电源电连接，第二比较器X2的输出端与故障逻辑控制单元22电连接。本实施例中，第二比较器X2同向输入端与电源电连接，第二比较器X2的反向输入端In4与第三电容器C3电连接，第三电容器C3两端的电压即为电源欠压保护电路20的欠压保护值，当第二比较器X2的同向输入端In3的电压小于第二比较器X2的反向输入端In4的电压时，第二比较器X2的输出端输出高电平信号。

实施例七

请参见图1，本实用新型实施例所提出的电源欠压保护电路20还包括第五电阻R5、第一施密特触发器23和第一滤波器24，第五电阻R5的一端与电源电连接，第五电阻R5的另一端接地，第一施密特触发器23、第一滤波器24和欠压检测单元21依次电连接，第一施密特触发器23用于对电信号进行波形校正，第一滤波器24用于滤除电信号中的杂波。本实施例中，输入的电信号可能为圆形波、三角波等，为将输入的电信号校正为方形波，在电源欠压保护电路20中设置有第一施密特触发器23。在经第一施密特触发器23校正后，电信号中还可能夹杂有杂波，为此，在电源欠压保护电路20中还设置有第一滤波器24，以通过第一滤波器24滤除电信号中的杂波。其中，第一施密特触发器23的一端与电源电连接，另一端与第一滤波器24的一端电连接，第一滤波器24的另一端与欠压检测单元21电连接，以将经校正及滤波后的电信号输入至欠压检测单元21。第五电阻R5为下拉电阻，在没有输入电信号时，若受到外界电信号的干扰，可通过第五电阻R5将该电信号拉低为低电平，以避免逆变桥的误触发。需要说明的是，逆变桥中所包括的MOS管等功率器件均为高电平触发，也即在接收到高电平信号时会触发动作，而若接收到的为低电平信号，则不触发相应的动作。

实施例八

请参见图1，本实用新型实施例所提出的高压集成电路还包括过流保护电路50，过流保护电路50包括第六电阻R6和依次电连接的第二施密特触发器51、第二滤波器52和第一电平转换器53，第一电平转换器53还与故障逻辑控制单元22电连接，第六电阻R6的一端与过流信号检测输入端ITRIP电连接，第六电阻R6的另一端接地，第二施密特触发器51用于对电信号进行波形校正，第二滤波器52用于滤除电信号中的杂波。本实施例中，输入的电信号可能为圆形波、三角波等，为将输入的电信号校正为方形波，在过流保护电路50中设置有第二施密特触发器51。在经第二施密特触发器51校正后，电信号中还可能夹杂有杂波，为此，在过流保护电路50中还设置有第二滤波器52，以通过第二滤波器52滤除电信号中的杂波。在经过滤波处理后，再通过第一电平转换器53将电信号处理成故障逻辑控制单元22能够检测到的电压范围内，以使得故障逻辑控制单元22能够据此判断模块化智能功率系统是否存在故障。其中，第二施密特触发器51的一端与过流信号检测输入端ITRIP电连接，另一端与第二滤波器52的一端电连接，第二滤波器52的另一端与第一电平转换器53的一端电连接，第一电平转换器53的另一端与故障逻辑控制单元22电连接。第六电阻R6为下拉电阻，在没有输入电信号时，若受到外界电信号的干扰，可通过第六电阻R6将该电信号拉低为低电平，以避免逆变桥的误触发。需要说明的是，逆变桥中所包括的MOS管等功率器件均为高电平触发，也即在接收到高电平信号时会触发动作，而若接收到的为低电平信号，则不触发相应的动作。

实施例九

请参见图1，本实用新型实施例所提出的高压集成电路还包括使能端检测电路60，使能端检测电路60包括第七电阻R7和依次电连接的第三施密特触发器61、第三滤波器62和第二电平转换器63，第二电平转换器63还与故障逻辑控制单元22电连接，第七电阻R7的一端与使能输入端EN电连接，第七电阻R7的另一端接地，第三施密特触发器61用于对电信号进行波形校正，第三滤波器62用于滤除电信号中的杂波。本实施例中，输入的电信号可能为圆形波、三角波等，为将输入的电信号校正为方形波，在使能端检测电路60中设置有第三施密特触发器61。在经第三施密特触发器61校正后，电信号中还可能夹杂有杂波，为此，在使能端检测电路60中还设置有第三滤波器62，以通过第三滤波器62滤除电信号中的杂波。在经过滤波处理后，再通过第二电平转换器63将电信号处理成故障逻辑控制单元22能够检测到的电压范围内，以使得故障逻辑控制单元22能够据此判断模块化智能功率系统是否存在故障。其中，第三施密特触发器61的一端与使能输入端EN电连接，另一端与第三滤波器62的一端电连接，第三滤波器62的另一端与第二电平转换器63的一端电连接，第二电平转换器63的另一端与故障逻辑控制单元22电连接。第七电阻R7为下拉电阻，在没有输入电信号时，若受到外界电信号的干扰，可通过第七电阻R7将该电信号拉低为低电平，以避免逆变桥的误触发。需要说明的是，逆变桥中所包括的MOS管等功率器件均为高电平触发，也即在接收到高电平信号时会触发动作，而若接收到的为低电平信号，则不触发相应的动作。

实施例十

请参见图1，本实用新型实施例所提出的报错电路40包括第二MOS管Q2，第二MOS管Q2的栅极与故障逻辑控制单元22的信号输出端电连接，第二MOS管Q2的漏极与故障保护输出端FAULT电连接，第二MOS管Q2的源极接地。本实施例中，当故障逻辑控制单元22输出高电平信号时，第二MOS管Q2导通并经故障保护输出端FAULT输出低电平信号，外部MCU检测到故障保护输出端FAULT输出的低电平信号，触发故障保护，每个通道的驱动信号均被置为低电平。

以上的仅为本实用新型的部分或优选实施例，无论是文字还是附图都不能因此限制本实用新型保护的范围，凡是在与本实用新型一个整体的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型保护的范围内。

Claims (10)

1.一种半导体电路，其特征在于，包括电路板和高压集成电路，所述高压集成电路包括电源欠压保护电路、逆变桥驱动电路和报错电路，所述电源欠压保护电路包括欠压检测单元和故障逻辑控制单元，所述故障逻辑控制单元的信号输入端与所述欠压检测单元电连接，所述故障逻辑控制单元的信号输出端分别与所述逆变桥驱动电路和所述报错电路电连接；

所述欠压检测单元包括依次电连接的延时电路、充电电路和欠压检测电路，所述欠压检测电路的输入端还与电源电连接，所述欠压检测电路的输出端与所述故障逻辑控制单元电连接，所述延时电路用于使得所述充电电路延时充电。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述延时电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容器和第一比较器，所述第一电阻的一端与所述电源电连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻电连接后接地，所述第三电阻的一端与所述电源电连接，所述第三电阻的另一端与所述第一电容器电连接后接地，所述第一比较器的同向输入端与所述第三电阻和所述第一电容器的公共端电连接，所述第一比较器的反向输入端与所述第一电阻和所述第二电阻的公共端电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述延时电路还包括第二电容器，所述第二电容器的一端与所述第一比较器的输出端电连接，另一端接地。

4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述充电电路包括第一MOS管、第四电阻和第三电容器，所述第一MOS管的栅极与所述第二电容器电连接，所述第一MOS管的源极与所述第四电阻电连接后接地，所述第一MOS管的漏极与所述电源电连接，所述第三电容器的一端接地，另一端与所述欠压检测电路电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述充电电路还包括单向二极管，所述单向二极管的正极与所述第一MOS管和所述第四电阻的公共端电连接，所述单向二极管的负极与所述第三电容器电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体电路，其特征在于，所述欠压检测电路包括第二比较器，所述第二比较器的反向输入端与所述第三电容器电连接，所述第二比较器的同向输入端与所述电源电连接，所述第二比较器的输出端与所述故障逻辑控制单元电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述电源欠压保护电路还包括第五电阻、第一施密特触发器和第一滤波器，所述第五电阻的一端与所述电源电连接，所述第五电阻的另一端接地，所述第一施密特触发器、所述第一滤波器和所述欠压检测单元依次电连接，所述第一施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第一滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括过流保护电路，所述过流保护电路包括第六电阻和依次电连接的第二施密特触发器、第二滤波器和第一电平转换器，所述第一电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接，所述第六电阻的一端与过流信号检测输入端电连接，所述第六电阻的另一端接地，所述第二施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第二滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

9.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述高压集成电路还包括使能端检测电路，所述使能端检测电路包括第七电阻和依次电连接的第三施密特触发器、第三滤波器和第二电平转换器，所述第二电平转换器还与所述故障逻辑控制单元电连接，所述第七电阻的一端与使能输入端电连接，所述第七电阻的另一端接地，所述第三施密特触发器用于对电信号进行波形校正，所述第三滤波器用于滤除所述电信号中的杂波。

10.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述报错电路包括第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述故障逻辑控制单元的信号输出端电连接，所述第二MOS管的漏极与故障保护输出端电连接，所述第二MOS管的源极接地。

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