CN216216787U - 升压保护电路、功率放大器及芯片 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供了一种升压保护电路，其包括电压检测电路、电流镜电路以及偏置电路；所述电压检测电路包括电压检测模块和限流电路；所述电压检测模块包括第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第五晶体管；所述限流电路包括第三电阻和第四晶体管；所述电流镜电路包括第四电阻、第五电阻、第七电阻、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管。本实用新型还提供了一种功率放大器和芯片。采用本实用新型的技术方案，其电路的漏电流小且版图面积小。

Description

升压保护电路、功率放大器及芯片
技术领域
本实用新型涉及放大器电路领域，尤其涉及一种应用于WiFi6E的升压保护电路、功率放大器以及芯片。
背景技术
目前，在无线收发系统中，射频的功率放大器是重要的组成部分之一，功率放大器将信号进行功率放大，获得足够的射频功率以后，信号才能馈送到天线上辐射出去。
其中，当使用功率放大器的设备在充电或者温度变化情况下，功率放大器的输出功率和电源电流急剧增加，从而产生很大的热量，对于散热能力差的电路来说，温度升高同样导致电源电流的进一步增加，并形成正反馈，最终导致功率放大器损坏。当功率放大器电路中的晶体管过压情况出现时，晶体管的热稳定可能被破坏。因此，功率放大器的升压保护电路成为保护晶体管不因为过压或者过流情况而被烧坏重要部分。
相关技术的升压保护电路包括电压检测电路、电流镜电路和被控制的偏置电路。如图1所示的升压保护电路为相关技术中常用的一种升压保护电路。其中，所述电压检测电路包括电阻R1’、电阻R2’、电阻R3’、电阻R4’、电阻R5’、晶体管Q1’、晶体管Q2’、晶体管Q3’。所述电流镜电路包括电阻R6’、电阻R7’、晶体管Q4’以及晶体管Q5’。所述偏置电路模块包括电阻R8’、晶体管Q6’、二极管D2’以及二极管D3’。检测电路与电源电压Vcc连接，通过电阻分压驱动晶体管。当电源电压Vcc升高时候，电压检测电路通过控制电阻R3’和电阻R4’的分压使得晶体管Q2’开启，晶体管Q4’、晶体管Q5’、电阻R6’以及电阻R7’构成的电流镜电路开启，从而将电压信号转化为一个和Vcc有关的电流信号。当电流镜电路开启后，晶体管Q6’关闭，从而关闭功率放大电路的晶体管Q0’的基极偏置。所以该电路主要是通过降低功率放大电路的电流，进而保护晶体管不因为过压或者过流情况而被烧坏。
然而，相关技术的升压保护电路的电阻R3’和电阻R4’组成的电压检测电路时，电阻R3’和电阻R4’的电阻值需要很大，对应的版图面积也很大，因此，不适合将电阻R3’和电阻R4’集成在射频集成电路中。另外，该升压保护电路的电路结构本身的漏电流较大，当该升压保护电路用于Wifi 6E时，设备关机状态下，升压保护电路的电源电压Vcc需要一直开启，而电源电压Vbias则关闭。该结构中当电源电压Vbias关闭后，电压检测电路依旧在工作，从而产生额外的功耗以及漏电流，很大程度的限制了其实用性。
因此，实有必要提供一种新的升压保护电路、功率放大器以及芯片解决上述问题。
实用新型内容
针对以上现有技术的不足，本实用新型提出一种电路的漏电流少且版图面积小的升压保护电路、功率放大器以及芯片。
为了解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供了一种升压保护电路，其用于对功率放大器的射频放大晶体管进行升压保护，所述升压保护电路包括依次连接的电压检测电路、电流镜电路以及偏置电路；
所述电压检测电路包括电压检测模块和限流电路；所述电压检测模块包括第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第五晶体管；所述限流电路包括第三电阻和第四晶体管；
所述第一电阻的第一端连接至电源电压；
所述第一电阻的第二端分别连接至所述第一晶体管的基极和所述第一晶体管的集电极；
所述第一晶体管的发射极分别连接至所述第二晶体管的基极、所述第二晶体管的集电极以及所述第五晶体管的基极；
所述第二晶体管的发射极分别连接至所述第三晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极；
所述第三晶体管的发射极通过串联所述第二电阻后连接至接地；
所述第五晶体管的发射极作为所述电压检测电路的输出端；
所述第四晶体管的基极分别连接至所述第四晶体管的集电极和偏置电压；
所述第四晶体管的发射极连接至所述第三电阻的第一端；
所述第三电阻的第二端连接至所述第五晶体管的集电极；
所述电流镜电路的输入端连接至所述电压检测电路的输出端，所述电流镜电路的输出端连接至所述偏置电路的输入端；所述电流镜电路包括第四电阻、第五电阻、第七电阻、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管；
所述第七电阻的第一端作为所述电压检测电路的输出端；
所述第七电阻的第二端连接至所述第六晶体管的集电极；
所述第六晶体管的基极连接至所述第四电阻的第一端；
所述第四电阻的第二端连接至所述偏置电压；
所述第六晶体管的发射极分别连接至所述第七晶体管的基极、所述第七晶体管的集电极以及所述第八晶体管的基极；
所述第七晶体管的发射极以及所述第八晶体管的发射极均连接至接地；
所述第八晶体管的集电极连接至所述第五电阻的第一端；
所述第五电阻的第二端作为所述电流镜电路的输出端；
所述偏置电路用于将接收的所述镜像电流进行调整，以控制所述射频放大晶体管的基极电压；
所述偏置电路的输出端作为所述升压保护电路的输出端。
优选的，所述偏置电路包括第六电阻、第八电阻、第九晶体管、第一二极管以及第二二极管；
所述第六电阻的第一端连接至所述偏置电压；
所述第六电阻的第二端分别连接至所述第九晶体管的基极和所述第一二极管的正极端，并作为所述偏置电路的输入端；
所述第一二极管的负极端通过串联所述第二二极管后连接至接地；
所述第九晶体管的集电极连接至所述电源电压；
所述第九晶体管的发射极作为所述偏置电路的输出端，且所述第九晶体管的发射极通过串联所述第八电阻后连接至接地。
优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管以及所述第八晶体管均为异质结双极晶体管。
优选的，所述第九晶体管为异质结双极晶体管。
优选的，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第五电阻、所述第六电阻、所述第七电阻以及所述第八电阻均为参数可调。
优选的，所述电源电压的电压值大于所述偏置电压的电压值。
本实用新型的实施例还提供了一种功率放大器，其包括射频放大晶体管和如上中任意一项所述的升压保护电路，所述偏置电路的输出端连接至所述射频放大晶体管的基极，所述射频放大晶体管的集电极用于连接所述功率放大器的输出端，所述射频放大晶体管的发射极连接至接地。
优选的，所述功率放大器还包括第一电容、第二电容以及第一电感；
所述第一电容的正极端作为所述功率放大器的输入端；
所述第一电容的负极端分别连接至所述偏置电路的输出端和所述射频放大晶体管的基极；
所述射频放大晶体管的集电极分别连接至所述第一电感的第二端和所述第二电容的正极端；
所述第一电感的第一端连接至所述电源电压；
所述第二电容的负极端作为所述功率放大器的输出端。
优选的，所述射频放大晶体管为异质结双极晶体管。
本实用新型的实施例还提供了一种芯片，所述芯片包括如上中任意一项所述的升压保护电路，或者如上中任意一项所述的功率放大器；所述芯片为异质结双极晶体管工艺制成。
与相关技术相比，本实用新型的升压保护电路通过在电压检测电路设置电压检测模块和限流电路，所述电压检测模块包括第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第五晶体管；所述限流电路包括第三电阻和第四晶体管。电压检测电路通过多个晶体管进行稳压和限流。其中，电压检测模块中的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管均采用二极管连接方式，即晶体管的集电极和基极连接，该结构有利于解决第一电阻和第二电阻的阻值过大造成的版图面积大的问题，使得升压保护电路的版图面积小，有利于将电路集成到芯片中。并同时电压检测模块中加入第五晶体管和限流电路加入第四晶体管的电路结构可以有效降低关机状态下漏电流。另外，所述电流镜电路包括第四电阻、第五电阻、第七电阻、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管。其中第六晶体管的集电极通过第七电阻与电压检测模块中的第五晶体管的发射极相连，第六晶体管的基极通过串联第四电阻后连接到偏置电压，所述第六晶体管的发射极分别连接至所述第七晶体管的基极、所述第七晶体管的集电极以及所述第八晶体管的基极。所述电流镜电路的电路结构加入第六晶体管，从而减少反向的漏电流。因此，使得升压保护电路、功率放大器以及芯片中的电路的漏电流小且版图面积小。
附图说明
下面结合附图详细说明本实用新型。通过结合以下附图所作的详细描述，本实用新型的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中,
图1为相关技术的升压保护电路的应用电路原理图；
图2为本实用新型实施例的升压保护电路的电路结构图；
图3为本实用新型实施例的电压检测电路的电路结构图；
图4为本实用新型实施例的电流镜电路的电路结构图；
图5为本实用新型实施例的偏置电路的电路结构图；
图6为本实用新型实施例的升压保护电路的应用电路原理图；
图7为图6中的射频放大晶体管的集电极电流与电源电压的关系曲线示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。
在此记载的具体实施方式/实施例为本实用新型的特定的具体实施方式，用于说明本实用新型的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本实用新型实施方式及本实用新型范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本实用新型的保护范围之内。
本实用新型提供一种升压保护电路100。所述升压保护电路100用于对功率放大器的射频放大晶体管进行升压保护。具体的，所述升压保护电路100连接于功率放大器的射频放大晶体管Q0的基极。
请同时参考图2-5所示，图2为本实用新型实施例的升压保护电路的电路结构图。
所述升压保护电路100包括依次连接的电压检测电路1、电流镜电路2以及偏置电路3。
所述电压检测电路1包括电压检测模块11和限流电路12。所述电压检测模块11包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3以及第五晶体管Q5。所述限流电路12包括第三电阻R3和第四晶体管Q4。
所述电压检测电路1的电路结构为：
所述第一电阻R1的第一端连接至电源电压Vcc。
所述第一电阻R1的第二端分别连接至所述第一晶体管Q1的基极和所述第一晶体管Q1的集电极。
所述第一晶体管Q1的发射极分别连接至所述第二晶体管Q2的基极、所述第二晶体管Q2的集电极以及所述第五晶体管Q5的基极。
所述第二晶体管Q2的发射极分别连接至所述第三晶体管Q3的基极和所述第三晶体管Q3的集电极。
所述第三晶体管Q3的发射极通过串联所述第二电阻R2后连接至接地。
所述第五晶体管Q5的发射极作为所述电压检测电路1的输出端。
所述第四晶体管Q4的基极分别连接至所述第四晶体管Q4的集电极和偏置电压Vbias。
所述第四晶体管Q4的发射极连接至所述第三电阻R3的第一端。
所述第三电阻R3的第二端连接至所述第五晶体管Q5的集电极。
本实施方式中，所述电源电压Vcc的电压值大于所述偏置电压Vbias的电压值。其中所述电源电压Vcc向所述电压检测电路1的整个电路提供电压，并同时向功率放大器的射频放大晶体管Q0相关电路提供电压。
所述电流镜电路2包括第四电阻R4、第五电阻R5、第七电阻R7、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7以及第八晶体管Q8。
其中，所述电流镜电路2的电路连接关系为：
所述电流镜电路2的输入端连接至所述电压检测电路1的输出端，所述电流镜电路2的输出端连接至所述偏置电路3的输入端。
所述电流镜电路2的电路结构为：
所述第七电阻R7的第一端作为所述电压检测电路1的输出端。
所述第七电阻R7的第二端连接至所述第六晶体管Q6的集电极。
所述第六晶体管Q6的基极连接至所述第四电阻R4的第一端。
所述第四电阻R4的第二端连接至所述偏置电压Vbias。
所述第六晶体管Q6的发射极分别连接至所述第七晶体管Q7的基极、所述第七晶体管Q7的集电极以及所述第八晶体管Q8的基极。
所述第七晶体管Q7的发射极以及所述第八晶体管Q8的发射极均连接至接地。
所述第八晶体管Q8的集电极连接至所述第五电阻R5的第一端。
所述第五电阻R5的第二端作为所述电流镜电路2的输出端。
所述偏置电路3用于将接收的所述镜像电流进行调整，以控制所述射频放大晶体管Q0的基极电压。
其中，所述偏置电路3的电路连接关系为：
所述偏置电路3的输出端作为所述升压保护电路100的输出端。
所述偏置电路3可以采用相关技术的电路结构，本实施方式中，所述偏置电路3根据前后电路结构进行稍微调整，以实现提高电路性能。
具体的，所述偏置电路3包括第六电阻R6、第八电阻R8、第九晶体管Q9、第一二极管D1以及第二二极管D2。
所述偏置电路3的电路结构为：
所述第六电阻R6的第一端连接至所述偏置电压Vbias。
所述第六电阻R6的第二端分别连接至所述第九晶体管Q9的基极和所述第一二极管D1的正极端，并作为所述偏置电路3的输入端。
所述第一二极管D1的负极端通过串联所述第二二极管D2后连接至接地。
所述第九晶体管Q9的集电极连接至所述电源电压Vcc。
所述第九晶体管Q9的发射极作为所述偏置电路3的输出端。所述第九晶体管Q9的发射极用于连接至所述射频放大晶体管Q0的基极。所述第九晶体管Q9的发射极通过串联所述第八电阻R8后连接至接地。
本实施方式中，所述第一晶体管Q1、所述第二晶体管Q2、所述第三晶体管Q3、所述第四晶体管Q4、所述第五晶体管Q5、所述第六晶体管Q6、所述第七晶体管Q7、所述第八晶体管Q8以及所述第九晶体管Q9均为异质结双极晶体管(英文：Heterojunction bipolartransistor，简称HBT)。因此，所述升压保护电路100更加适合用于集成电路工艺HBT工艺中，并应用于现在较为热门的IEEE802.11ax WiFi 6E模组中，具有很高的实用性。
本实施方式中，为了更好在达到电路的性能指标，并避免因制造工艺的误差造成工作不稳定。所述第一电阻R1、所述第二电阻R2、所述第三电阻R3、所述第五电阻R5、所述第六电阻R6、所述第七电阻R7以及所述第八电阻R8均为参数可调。
所述升压保护电路100的电路工作原理如下：
请参考图6所示，图6为本实用新型实施例的升压保护电路的应用电路原理图。
通过调节所述电压检测模块11的第一电阻R1和第二电阻R2的比值，达到控制第五晶体管Q5开启关闭的目的。
当所述电源电压Vcc为3.85V时，第一晶体管Q1的发射极电压为2.5V，不足以开启第五晶体管Q5，所述电流镜电路2关闭，根据镜像电流源的原理，使得第五电阻R5上不产生电流，所述第九晶体管Q9开启从而实现所述电源电压Vcc给所述射频放大晶体管Q0的基极供电，从而开启所述偏置电路3，所述射频放大晶体管Q0的相关功率放大电路也正常工作。
当所述电源电压Vcc为5V时，第一晶体管Q1的发射极电压达到2.86V，第五晶体管Q5开启，所述偏置电压Vbias给电流镜电路3供电，根据镜像电流源的原理，在第五电阻R5处产生电流I2，流经所述第九晶体管Q9的基极电流Ib9降低，从而达到关闭偏置电路3的功能。从而关闭所述射频放大晶体管Q0的相关功率放大电路，实现通过控制偏置电流，并且在保证电源电压增大情况不会对晶体管造成永久性破坏的目的。
为了解决所述电压检测模块11的第一电阻R1和第二电阻R2的电阻值过大，考虑到集成电路版图面积的因素，大电阻很难实现。通过升压保护电路100在电压检测电路1设置电压检测模块11和限流电路12。其中，电压检测电路1通过多个晶体管进行稳压和限流。其中，电压检测模块中的第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及第三晶体管Q3均采用二极管连接方式，即晶体管的集电极和基极连接，该结构有利于解决第一电阻R1和第二电阻R2的阻值过大造成的版图面积大的问题，使得升压保护电路的版图面积小，有利于将电路集成到芯片中。以AWSC工艺库为例，1kΩ的电阻的尺寸为3um×60um，说明该改进型保护电路的尺寸完全可以放在集成电路中，60um的尺寸也可做可切设计，方便进行实物的调试，因此，升压保护电路100具有很好的实用性。
同时，升压保护电路100应用于芯片模组时，考虑到当芯片模组由发送TX、接收RX两条通路时候，发送TX关闭情况下电源电压Vcc依旧开启，偏置电压Vbias关闭，需要在功率放大器关机状态下，即为偏置电压Vbias为0V情况下的漏电电流。电压检测模块11中加入第五晶体管Q5和限流电路12加入第四晶体管Q4的电路结构可以有效降低关机状态下漏电流。在ADS仿真中可知，偏置电压Vbias＝0V漏电流Ileak仅为64.7uA，从而能够很好的降低功耗，使用在具有升压保护电路100的手机等设备中可以很好的保护电池。
另外，所述电流镜电路2包括第四电阻R4、第五电阻R5、第七电阻R7、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7以及第八晶体管Q8。其中，所述第六晶体管Q6的集电极通过所述第七电阻R7与电压检测模块11中的第五晶体管Q5的发射极相连，所述第六晶体管Q6的基极通过串联所述第四电阻R4后连接到偏置电压Vbias，所述第六晶体管Q6的发射极分别连接至所述第七晶体管Q7的基极、所述第七晶体管Q7的集电极以及所述第八晶体管Q8的基极。所述电流镜电路2的电路结构加入所述第六晶体管Q6，从而减少反向的漏电流。
本实用新型的实施例还提供一种功率放大器，其包括射频放大晶体管Q0和所述升压保护电路100。其中，所述偏置电路3的输出端连接至所述射频放大晶体管Q0的基极，所述射频放大晶体管Q0的集电极用于连接所述功率放大器的输出端，所述射频放大晶体管Q0的发射极连接至接地。
以下通过具体的电路进行说明:
所述功率放大器还包括第一电容Cin、第二电容Cout以及第一电感L1。
所述功率放大器的电路结构为：
所述第一电容Cin的正极端作为所述功率放大器的输入端RFin。
所述第一电容Cin的负极端分别连接至所述偏置电路3的输出端和所述射频放大晶体管Q0的基极。
所述射频放大晶体管Q0的发射极连接至接地。
所述射频放大晶体管Q0的集电极分别连接至所述第一电感L1的第二端和所述第二电容Cout的正极端。
所述第一电感L1的第一端连接至所述电源电压Vcc。
所述第二电容Cout的负极端作为所述功率放大器的输出端RFout。
本实施方式中，所述射频放大晶体管Q0为异质结双极晶体管。
以下通过对具有所述升压保护电路100的所述功率放大器电路ADS仿真得到：
请参考图7所示，图7为图6中的射频放大晶体管Q0的集电极电流Ic与电源电压Vcc的关系曲线示意图。
由ADS仿真可得：m50点时，射频放大晶体管Q0的集电极电流Ic为最大值0.13mA。因此，具有所述升压保护电路100的所述功率放大器电路的漏电流小。
本实用新型的实施例还提供一种芯片，所述芯片包括所述升压保护电路100。所述芯片为异质结双极晶体管工艺制成。
本实用新型的实施例还提供另一种芯片，所述芯片包括所述功率放大器。所述芯片为异质结双极晶体管工艺制成。
需要指出的是，本实用新型采用的相关电路、电阻、二极管、电容、电感及晶体管均为本领域常用的电路、元器件，对应的具体的指标和参数根据实际应用进行调整，在此，不作详细赘述。
与相关技术相比，本实用新型的升压保护电路通过在电压检测电路设置电压检测模块和限流电路，所述电压检测模块包括第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第五晶体管；所述限流电路包括第三电阻和第四晶体管。电压检测电路通过多个晶体管进行稳压和限流。其中，电压检测模块中的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管均采用二极管连接方式，即晶体管的集电极和基极连接，该结构有利于解决第一电阻和第二电阻的阻值过大造成的版图面积大的问题，使得升压保护电路的版图面积小，有利于将电路集成到芯片中。并同时电压检测模块中加入第五晶体管和限流电路加入第四晶体管的电路结构可以有效降低关机状态下漏电流。另外，所述电流镜电路包括第四电阻、第五电阻、第七电阻、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管。其中第六晶体管的集电极通过第七电阻与电压检测模块中的第五晶体管的发射极相连，第六晶体管的基极通过串联第四电阻后连接到偏置电压，所述第六晶体管的发射极分别连接至所述第七晶体管的基极、所述第七晶体管的集电极以及所述第八晶体管的基极。所述电流镜电路的电路结构加入第六晶体管，从而减少反向的漏电流。因此，使得升压保护电路、功率放大器以及芯片中的电路的漏电流小且版图面积小。
需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本实用新型而非限制本实用新型的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下对本实用新型进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本实用新型的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。

Claims (10)

1.一种升压保护电路，其用于对功率放大器的射频放大晶体管进行升压保护，其特征在于，所述升压保护电路包括依次连接的电压检测电路、电流镜电路以及偏置电路；
所述电压检测电路包括电压检测模块和限流电路；所述电压检测模块包括第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第五晶体管；所述限流电路包括第三电阻和第四晶体管；
所述第一电阻的第一端连接至电源电压；所述第一电阻的第二端分别连接至所述第一晶体管的基极和所述第一晶体管的集电极；
所述第一晶体管的发射极分别连接至所述第二晶体管的基极、所述第二晶体管的集电极以及所述第五晶体管的基极；
所述第二晶体管的发射极分别连接至所述第三晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极；
所述第三晶体管的发射极通过串联所述第二电阻后连接至接地；
所述第五晶体管的发射极作为所述电压检测电路的输出端；
所述第四晶体管的基极分别连接至所述第四晶体管的集电极和偏置电压；
所述第四晶体管的发射极连接至所述第三电阻的第一端；
所述第三电阻的第二端连接至所述第五晶体管的集电极；
所述电流镜电路的输入端连接至所述电压检测电路的输出端，所述电流镜电路的输出端连接至所述偏置电路的输入端；所述电流镜电路包括第四电阻、第五电阻、第七电阻、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管；
所述第七电阻的第一端作为所述电压检测电路的输出端；
所述第七电阻的第二端连接至所述第六晶体管的集电极；
所述第六晶体管的基极连接至所述第四电阻的第一端；
所述第四电阻的第二端连接至所述偏置电压；
所述第六晶体管的发射极分别连接至所述第七晶体管的基极、所述第七晶体管的集电极以及所述第八晶体管的基极；
所述第七晶体管的发射极以及所述第八晶体管的发射极均连接至接地；
所述第八晶体管的集电极连接至所述第五电阻的第一端；
所述第五电阻的第二端作为所述电流镜电路的输出端；
所述偏置电路用于将接收的所述电流镜电路输出的镜像电流进行调整，以控制所述射频放大晶体管的基极电压；
所述偏置电路的输出端作为所述升压保护电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的升压保护电路，其特征在于，所述偏置电路包括第六电阻、第八电阻、第九晶体管、第一二极管以及第二二极管；
所述第六电阻的第一端连接至所述偏置电压；
所述第六电阻的第二端分别连接至所述第九晶体管的基极和所述第一二极管的正极端，并作为所述偏置电路的输入端；
所述第一二极管的负极端通过串联所述第二二极管后连接至接地；
所述第九晶体管的集电极连接至所述电源电压；
所述第九晶体管的发射极作为所述偏置电路的输出端，且所述第九晶体管的发射极通过串联所述第八电阻后连接至接地。
3.根据权利要求1所述的升压保护电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管以及所述第八晶体管均为异质结双极晶体管。
4.根据权利要求2所述的升压保护电路，其特征在于，所述第九晶体管为异质结双极晶体管。
5.根据权利要求2所述的升压保护电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第五电阻、所述第六电阻、所述第七电阻以及所述第八电阻均为参数可调。
6.根据权利要求1所述的升压保护电路，其特征在于，所述电源电压的电压值大于所述偏置电压的电压值。
7.一种功率放大器，其包括射频放大晶体管，其特征在于，所述功率放大器还包括如权利要求1-6中任意一项所述的升压保护电路，所述偏置电路的输出端连接至所述射频放大晶体管的基极，所述射频放大晶体管的集电极用于连接所述功率放大器的输出端，所述射频放大晶体管的发射极连接至接地。
8.根据权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一电容、第二电容以及第一电感；
所述第一电容的正极端作为所述功率放大器的输入端；
所述第一电容的负极端分别连接至所述偏置电路的输出端和所述射频放大晶体管的基极；
所述射频放大晶体管的集电极分别连接至所述第一电感的第二端和所述第二电容的正极端；
所述第一电感的第一端连接至所述电源电压；
所述第二电容的负极端作为所述功率放大器的输出端。
9.根据权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述射频放大晶体管为异质结双极晶体管。
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-6中任意一项所述的升压保护电路，或者如权利要求7-9中任意一项所述的功率放大器；所述芯片为异质结双极晶体管工艺制成。
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