CN216213370U - 一种具有记忆金属接脚的功率器件to-247封装 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种具有记忆金属接脚的功率器件TO‑247封装，包括封装壳体和设置在封装壳体内的芯片，所述封装壳体一侧连接有引脚，所述引脚包括漏极；所述漏极延伸至封装壳体内腔设有漏极固定端，所述封装壳体内设有与漏极固定端底部连接的石墨耐高温固定片，所述石墨耐高温固定片上连接有记忆金属，用于接通漏极与芯片之间的电路；本实用新型根据现有需求进行设计，正常使用时，记忆金属能使漏极正常工作，而温度过高时，记忆金属会发生形变，记忆金属的覆盖部会翘起，使得漏极与芯片的连接断开，形成断路，进而保护器件，保护整个电力系统。

Description

一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体是一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装。

背景技术

TO-247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装的序号，TO-247封装尺寸介于模块与单管之间，能封装大部分的电子元器件，

现有专利公告号为CN 208521919 U公开的一种基于TO-247封装的SIC器件封装结构中，为了避免在铜带在固定过程中对芯片表面造成损伤，所述铜带两端分别经锡膏与芯片、框架引脚固定连接。

但上述封装结构中，引脚均固定连接在框架内，在器件使用时，工作温度过高时，引脚不能及时断开，会引起器件的烧毁，缺少保护作用。针对以上问题，现在提出一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，包括封装壳体和设置在封装壳体内的芯片，所述封装壳体一侧连接有引脚，所述引脚包括漏极；

所述漏极延伸至封装壳体内腔设有漏极固定端，所述封装壳体内设有与漏极固定端底部连接的石墨耐高温固定片，所述石墨耐高温固定片上连接有记忆金属，用于接通漏极与芯片之间的电路。

优选的，所述记忆金属包括固定部和覆盖部，所述固定部固定连接在石墨耐高温固定片顶部，所述覆盖部设置在漏极固定端顶部，所述覆盖部与漏极固定端顶部接触但不固定连接。

优选的，所述漏极固定端伸入封装壳体内部。

优选的，所述引脚还包括一组栅极和两组源极，所述封装壳体靠近引脚的一侧设有用于栅极、源极、和漏极端部伸入的四组卡接口。

优选的，所述栅极和源极伸入卡接口的端部均固定在封装壳体内部，且栅极和源极与芯片电性连接。

优选的，与所述漏极对应的卡接口连通设置在封装壳体内腔的活动腔，用于记忆金属形变时活动。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型中漏极固定端通过记忆金属与芯片实现电路的连通，正常使用时，记忆金属能使漏极正常工作，而温度过高时，记忆金属会发生形变，记忆金属的覆盖部会翘起，使得漏极与芯片的连接断开，形成断路，进而保护器件，保护整个电力系统；

本实用新型中记忆金属只连接在一个接脚上，其他接脚正常连接，利于器件的封装。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型中记忆金属与漏极固定端连接的结构示意图。

图3为本实用新型中记忆金属形变的结构示意图。

图中：100--封装壳体、200--芯片、300--栅极、400--源极、500--漏极、501--漏极固定端、600--石墨耐高温固定片、700--记忆金属、701--固定部、702--覆盖部。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-图3，本实用新型实施例中，一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，包括封装壳体100和设置在封装壳体100内的芯片200，所述封装壳体100一侧连接有引脚，所述引脚包括漏极500；

所述漏极500延伸至封装壳体100内腔设有漏极固定端501，所述封装壳体100内设有与漏极固定端501底部连接的石墨耐高温固定片600，所述石墨耐高温固定片600上连接有记忆金属700，用于接通漏极500与芯片200之间的电路；

需要注意的是，本申请中记忆金属700在温度处于200度以下时，记忆金属700不会发生形变，温度超出200度时，记忆金属700发生形变。

所述记忆金属700包括固定部701和覆盖部702，所述固定部701固定连接在石墨耐高温固定片600顶部，所述覆盖部702设置在漏极固定端501顶部，所述覆盖部702与漏极固定端501顶部接触但不固定连接。

记忆金属700发生形变时，记忆金属700的覆盖部702会翘起，使得漏极与芯片的连接断开，形成断路，进而保护器件；

所述漏极固定端501伸入封装壳体100内部。

所述引脚还包括一组栅极300和两组源极400，所述封装壳体100靠近引脚的一侧设有用于栅极300、源极400、和漏极500端部伸入的四组卡接口。

本申请中的封装结构具有四组引脚，可采用罗姆的SCT3xxx xR系列的碳化硅MOSFET器件，该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35％；SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。

所述栅极300和源极400伸入卡接口的端部均固定在封装壳体100内部，且栅极300和源极400与芯片200电性连接；本实用新型中记忆金属700只连接在一个接脚上，其他接脚正常连接，利于器件的封装。

与所述漏极500对应的卡接口连通设置在封装壳体100内腔的活动腔，用于记忆金属700形变时活动，利于电路的断开。

本实用新型的工作原理是：在使用该一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装时，将栅极300和源极400正常封装在封装壳体100内部，封装漏极500时，将漏极500的漏极固定端501固定连接在石墨耐高温固定片600上，之后将记忆金属700连接，记忆金属700受热时恢复高温相形状，即覆盖部702翘起断开电路，在高温下对器件进行保护，冷却时又能恢复低温相形状，即覆盖部702与漏极固定端501接触连通电路。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。

Claims (6)

1.一种具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，包括封装壳体(100)和设置在封装壳体(100)内的芯片(200)，其特征在于：所述封装壳体(100)一侧连接有引脚，所述引脚包括漏极(500)；

所述漏极(500)延伸至封装壳体(100)内腔设有漏极固定端(501)，所述封装壳体(100)内设有与漏极固定端(501)底部连接的石墨耐高温固定片(600)，所述石墨耐高温固定片(600)上连接有记忆金属(700)，用于接通漏极(500)与芯片(200)之间的电路。

2.根据权利要求1所述的具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，其特征在于：所述记忆金属(700)包括固定部(701)和覆盖部(702)，所述固定部(701)固定连接在石墨耐高温固定片(600)顶部，所述覆盖部(702)设置在漏极固定端(501)顶部，所述覆盖部(702)与漏极固定端(501)顶部接触但不固定连接。

3.根据权利要求1所述的具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，其特征在于：所述漏极固定端(501)伸入封装壳体(100)内部。

4.根据权利要求1所述的具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，其特征在于：所述引脚还包括一组栅极(300)和两组源极(400)，所述封装壳体(100)靠近引脚的一侧设有用于栅极(300)、源极(400)、和漏极(500)端部伸入的四组卡接口。

5.根据权利要求4所述的具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，其特征在于：所述栅极(300)和源极(400)伸入卡接口的端部均固定在封装壳体(100)内部，且栅极(300)和源极(400)与芯片(200)电性连接。

6.根据权利要求4所述的具有记忆金属接脚的功率器件TO-247封装，其特征在于：与所述漏极(500)对应的卡接口连通设置在封装壳体(100)内腔的活动腔，用于记忆金属(700)形变时活动。

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