CN216144989U - 一种光模块 - Google Patents

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CN216144989U CN202122038633.XU CN202122038633U CN216144989U CN 216144989 U CN216144989 U CN 216144989U CN 202122038633 U CN202122038633 U CN 202122038633U CN 216144989 U CN216144989 U CN 216144989U
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杨世海
杨柳
陈思涛
张强
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

本申请提供的光模块包括电路板、光源、偏置电流源、MCU和硅光芯片,硅光芯片包括第一光功率探测器和第二光功率探测器;当MCU监测到第一光功率探测器或第二光功率探测器的输出电压发生变化时,生成第一控制信号和第二控制信号,首先相位转换器根据第一控制信号将硅光芯片调整至预设工作状态;然后偏置电流源根据第二控制信号向光源输入电流,输入不同的电流以使不同温度下第一光功率探测器和第二光功率探测器的输出电压调整至预设温度下硅光芯片处于预设工作状态时对应的输出电压。通过上述调整可实现出光光功率稳定在预设温度下硅光芯片处于预设工作状态时对应的光功率。

Description

一种光模块
技术领域
本申请涉及通信技术领域,尤其涉及一种光模块。
背景技术
由硅光芯片实现光电转换功能已经成为高速光模块目前采用的一种主流方案。由于硅光芯片采用的硅材料不是理想的激光芯片发光材料,不能在硅光芯片制作过程集成发光单元,所以硅光芯片需要由外置光源提供光。在硅光光模块中,硅光芯片内包括MZ(Mach-Zehnder,马赫-曾德尔)调制器,外置光源发射的光载波信号进入MZ调制器,高速数据流以驱动电压的方式加载到光载波信号上完成对光的调制。
外置光源的出光光功率会随着温度的变化而变化,为了实现出光功率不变,需要改变外置光源的偏置电流,现阶段多采用电流与温度形成一一映射关系,但由于激光器存在工艺差异,生产过程中需要寻找该映射关系,增加生产成本。
实用新型内容
本申请提供了一种光模块,以实现外置光源的出光光功率的动态调整。
本申请提供的光模块包括:
电路板;
光源,与所述电路板电连接,用于发出不携带信号的光;
硅光芯片,与所述电路板连接,输入光口用于接收所述不携带信号的光,输出光口用于输出信号光,包括第一光功率探测器和第二光功率探测器;
MCU,设置在所述电路板上,与所述硅光芯片电连接,用于采集所述第一光功率探测器的输出电压和所述第二光功率探测器的输出电压,并生成第一控制信号和第二控制信号,并将所述第一控制信号和所述第二控制信号分别发送至相位转换器和偏置电流源;
所述相位转换器,根据接收到的所述第一控制信号将所述硅光芯片调整至预设工作状态;
所述偏置电流源,与所述MCU电连接,根据接收到的所述第二控制信号,向所述光源输入与温度对应的偏置电流,使第一光功率探测器的输出电压、第二光功率探测器的输出电压达到预设输出电压;
其中所述预设输出电压为预设温度下所述硅光芯片处于所述预设工作状态时,所述第一光功率探测器和第二光功率探测器对应的输出电压。
有益效果:本申请提供的光模块包括电路板、光源、偏置电流源、MCU和硅光芯片,硅光芯片包括第一光功率探测器和第二光功率探测器;当温度发生变化时,硅光芯片工作状态发现偏移,且光源的输出光功率会发生变化,第一光功率探测器和第二光功率探测器的输出电压随之发生变化,进而第一光功率探测器的输出电压和第二光功率探测器的输出电压不相等。基于此,在本申请提供的光模块中,当MCU监测到第一光功率探测器或第二光功率探测器的输出电压发生变化时,生成第一控制信号和第二控制信号,首先相位转换器根据第一控制信号将硅光芯片调整至预设工作状态;然后偏置电流源根据第二控制信号向光源输入电流,输入不同的电流以使不同温度下第一光功率探测器和第二光功率探测器的输出电压调整至预设输出电压,其中预设输出电压为预设温度下硅光芯片处于预设工作状态时对应的光功率探测器输出电压。其中,预设温度为光源的工作温度范围内的任一温度,光源的工作温度范围与光源的输出光功率对应,进而通过上述调整可光源的输出光功率稳定在预设温度下硅光芯片处于预设工作状态时对应的光源输出光功率附近。
通过上述方案,本申请中不论温度如何变化,通过偏置电流源向光源输入不同大小的电流都可以将光源的光功率稳定在预设温度下硅光芯片处于预设工作状态时对应的光源输出光功率附近,因此本申请可以实现温度变化时光源的输出光功率的自动动态调整。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为光通信终端连接关系示意图;
图2为光网络单元结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种光模块结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种光模块结构的分解示意图;
图5为本申请实施例提供的一种光模块的内部结构框图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
光通信的核心环节之一是光、电信号的相互转换。光通信使用携带信息的光信号在光纤/光波导等信息传输设备中传输,利用光在光纤/光波导中的无源传输特性可以实现低成本、低损耗的信息传输;而计算机等信息处理设备使用的是电信号,为了在光纤/光波导等信息传输设备与计算机等信息处理设备之间建立信息连接,就需要实现电信号与光信号的相互转换。
光模块在光纤通信技术领域中实现上述光、电信号的相互转换功能,光信号与电信号的相互转换是光模块的核心功能。光模块通过其内部电路板上的金手指实现与外部上位机之间的电连接,主要的电连接包括供电、I2C信号、数据信号以及接地等;采用金手指实现的电连接方式已经成为光模块行业的主流连接方式,以此为基础,金手指上引脚的定义形成了多种行业协议/规范。
图1为光通信终端连接关系示意图。如图1所示,光通信终端的连接主要包括光网络单元100、光模块200、光纤101及网线103。
光纤101的一端连接远端服务器,网线103的一端连接本地信息处理设备,本地信息处理设备与远端服务器的连接由光纤101与网线103的连接完成;而光纤101与网线103之间的连接由具有光模块200的光网络单元100完成。
光模块200的光口与光纤101连接,与光纤建立双向的光信号连接。光模块200的电口接入光网络单元100中,与光网络单元建立双向的电信号连接。光模块实现光信号与电信号的相互转换,从而实现在光纤101与光网络单元100之间建立连接。
具体地,来自光纤的光信号由光模块转换为电信号后输入至光网络单元100中,来自光网络单元100的电信号由光模块转换为光信号输入至光纤101中。光模块200是实现光电信号相互转换的工具,不具有处理数据的功能,在上述光电转换过程中,信息的载体在光与电之间变换,但信息本身并未发生变化。
光网络单元100具有光模块接口102,用于接入光模块200,与光模块200建立双向的电信号连接。光网络单元具有网线接口104,用于接入网线103,与网线103建立双向的电信号连接;光模块200与网线103之间通过光网络单元建立连接。具体地,光网络单元将来自光模块的信号传递给网线,将来自网线的信号传递给光模块,光网络单元作为光模块的上位机监控光模块的工作。
至此,远端服务器依次通过光纤101、光模块200、光网络单元100及网线103,与本地信息处理设备之间建立双向的信号传递通道。
常见的信息处理设备包括路由器、交换机、电子计算机等;光网络单元是光模块的上位机,向光模块提供数据信号,并接收来自光模块的数据信号,常见的光模块上位机还有光线路终端OLT等。
图2为光网络单元结构示意图。下面结合图2对前述实施例中光通信终端中的光网络单元进行说明。如图2所示,在光网络单元100中具有电路板105,在电路板105的表面设置笼子106;在笼子106中设置有与电路板105连接的电连接器,用于接入金手指等光模块电口;在笼子106上设置有散热器107,散热器107具有增大散热面积的翅片等凸起结构。
光模块200插入光网络单元100中,具体为光模块的电口插入笼子106中的电连接器,光模块的光口与光纤101连接。
笼子106位于光网络单元100的电路板105上,将电路板105上的电连接器包裹在笼子中;光模块插入笼子中,由笼子固定光模块,光模块产生的热量通过光模块壳体传导给笼子,最终通过笼子上的散热器107进行扩散。
图3为本申请实施例提供的一种光模块结构示意图,图4为该光模块结构爆炸示意图,下面结合图3和图4对前述实施例中光通信终端中的光模块进行说明。如图3、图4所示,本实用新型实施例提供的光模块200包括上壳体201、下壳体202、解锁手柄203、电口204、光口205、电路板300、硅光芯片400、光源500、第一光纤带600、第二光纤带700及光纤接口800,其中硅光芯片400及光源500设置在电路板300的同侧表面。
如图3所示,上壳体201与下壳体202形成两个开口的包裹腔体,具体可以是在同一方向的两端开口(204、205),也可以是在不同方向上的两处开口;其中一个开口为电口204,用于插入光网络单元等上位机中,另一个开口为光口205,用于外部光纤接入以连接内部光纤,电路板300、硅光芯片400及光源500等光电器件位于包裹腔体中。
上壳体201与下壳体202一般采用金属材料,利于实现电磁屏蔽及扇热;采用上壳体、下壳体组合的装配方式,便于将电路板等器件安装在壳体中,一般不会将光模块的壳体做成一体结果,这样在装配电路板等器件时,定位部件、扇热以及电磁屏蔽结构无法安装,也不利于生产自动化。
解锁手柄203位于包裹腔体/下壳体202的外壁,拉动解锁手柄的末端可以在使解锁手柄在外壁表面相对移动;光模块插入上位机时由解锁手柄将光模块固定在上位机的笼子里,通过拉动解锁手柄以解除光模块与上位机的卡合关系,从而可以将光模块从上位机的笼子里抽出。
电路板300一般为硬性电路板,硬性电路板由于其相对坚硬的材质,还可以实现承载作用,如硬性电路板可以平稳的承载芯片;当光收发器件位于电路板上时,硬性电路板也可以提供平稳的承载;硬性电路板还可以插入上位机笼子中的电连接器中,具体地,在硬性电路板的一侧末端表面形成金属引脚/金手指,用于与电连接器连接;这些都是柔性电路板不便于实现的。
部分光模块中也会使用柔性电路板,作为硬性电路板的补充;柔性电路板一般与硬性电路板配合使用,如硬性电路板与光收发器件之间可以采用柔性电路板连接。
电路板300端部表面具有金手指,金手指由相互独立的一根根引脚组成的,电路板插入笼子中的电连接中,由金手指与电连接器中的卡接弹片导通连接,可以仅在电路板的一侧表面设置金手指,考虑到引脚数量需求较大,一般会在在电路板上下表面均设置金手指;金手指用于与上位机建立电连接,具体的电连接可以是供电、接地、I2C信号、通信数据信号等。
电路板300上设置有电路走线、电子元件(如电容、电阻、三极管、MOS管)及芯片(如MCU、激光驱动器、限幅放大芯片、时钟数据恢复CDR、电源管理芯片、数据处理芯片DSP)等。
硅光芯片400自身没有光源,光源500用作硅光芯片400的外置光源。光源500可选用激光盒,激光盒内部封装激光芯片,激光芯片发光产生激光束,光源500用于向硅光芯片400提供发射激光,激光以较好的单波长特性及较佳的波长调谐特性成为光模块乃至光纤传输的首选光源,而其他类型的光如LED光等,常见的光通信系统一般不会采用,即使特殊的光通信系统中采用了这种光源,其光源的特性及芯片部件与激光存在较大的差别,使得采用激光的光模块与采用其他光源的光模块存在较大的技术差别,本领域技术人员一般不会认为这两种类型的光模块可以相互给与以技术启示。
硅光芯片400的底面与光源500的底面分别设置在衬底上,硅光芯片与光源之间具有光连接,光路对硅光芯片及光源之间的位置关系非常敏感,不同膨胀系数的材料对导致不同程度的形变,不利于预设光路的实现;在本申请实施例中,将硅光芯片及光源设置在同一衬底上,同一材料的衬底发生形变,将等同的影响硅光芯片及光源的位置,避免对硅光芯片与光源的相对位置产生较大的改变;将衬底材料的膨胀系数与硅光芯片和和/或光源材质的膨胀系数相近为优选,硅光芯片的主材料是硅,光源可以采用可伐金属,衬底一般选用硅或玻璃等。
衬底与电路板300的关系有很多种,其中一种方式如图4所示,电路板300具有贯穿上下表面的开口,硅光芯片和/或光源设置在开口中,如此,硅光芯片和/或光源可以向电路板上表面及电路板下表面方式同时进行扇热,衬底设置在电路板的一侧,硅光芯片和/或光源穿过电路板的开口进而放置在散热衬底上,衬底起到承托及散热效果;另一种方式中,电路板不设置开口,衬底设置在电路板上,具体可以是衬底设置在电路板表面或嵌入电路板中,硅光芯片和光源设置在衬底表面。
光源500的底面设置在衬底上,光源500通过侧面出光,其发出的光进入硅光芯片400中。硅光芯片采用硅为主要的基材,而硅不是理想的发光材料,硅光芯片400内无法集成光源,需要外部的光源500提供光源。光源500向硅光芯片提供的光为波长单一、功率稳定的发射光,不携带任何数据,由硅光芯片400对该发射光进行调制,以实现将数据加载到发射光中。
硅光芯片400的底面设置在衬底上,硅光芯片400的侧面接收来自光源的发射光;发射光的调制以接收光的解调由硅光芯片完成,硅光芯片的表面设置有与电路板打线电连接的焊盘;具体地,电路板向硅光芯片提供来自上位机的数据信号,由硅光芯片将数据信号调制到发射光中,来自外部的接收光经硅光芯片解调成电信号后,通过电路板输出至上位机中。
如图4所示,第一光纤带600和第二光纤带700均是由多根光纤合并而成;在本申请实施例中,第一光纤带600为发射光纤带,第二光纤带700为接收光纤带;第一光纤带600的一端与硅光芯片400连接,另一端与光纤接口800连接;第二光纤带700的一端与硅光芯片400连接,另一端与光纤接口800连接;光纤接口800与外部光纤连接。可以看出,硅光芯片400与光纤接口800之间是通过第一光纤带600、第二光纤带700实现光连接,光纤接口800实现与光模块外部光纤的光连接。
光源500将不携带信号的光传输至硅光芯片400中,硅光芯片400对不携带信号的发射光进行调制,具体是将数据加载到不携带信号的发射光中,进而将不携带信号的发射光调制为携带数据信号的发射光,该携带数据信号的发射光经过第一光纤带600传输至光纤接口800处,通过光纤接口800传输至外部光纤中,从而将携带数据信号的光传输至光模块外部光纤中,实现将电信号转换为光信号。
来自外部光纤的光信号传输至光纤接口800处,然后通过第二光纤带700将该光信号传输至硅光芯片400中,硅光芯片400将该光信号解调为电信号,通过电路板输出至上位机中,实现将光信号转换为电信号。
图5为本申请实施例提供的一种光模块的内部结构框图;如图5所示,本申请提供的光模块包括光源500、偏置电流源、MCU和硅光芯片400,光源500将不携带信号的光传输至硅光芯片400,硅光芯片400包括MZ调制器,如图5所示,MZ调制器包括分光器、第一干涉臂、第二干涉臂、第一调制电极、第二调制电极和合光器。分光器用于接收来自光源500的光;分光器的第一输出端连接第一干涉臂的一端、第二输出端连接第二干涉臂的一端,第一调制电极设置于第一干涉臂上,第二调制电极设置于第二干涉臂上;分光器将接收到的光一分为二分别输送至第一干涉臂和第二干涉臂,为了便于描述,将分解的两束光分别记为第一光束和第二光束,第一光束和第二光束间的光强可相同,也可不相同,第一光束和第二光束均为不携带数据的直流光信号;第一干涉臂上设置第一调制电极,第一调制电极利用电光感应改变了调制器材料的折射率,将电路板300输出的调制电信号转化为调制光信号,并利用调制光信号将第一干涉臂上的不携带数据的直流光信号即第一光束转化为携带数据的第一交变光信号;第二干涉臂上设置第二调制电极,第二调制电极利用电光感应改变了调制器材料的折射率,将电路板300输出的调制电信号转化为调制光信号,并利用调制光信号将第二干涉臂上的不携带数据的直流光信号即第二光束转化为携带数据的第二交变光信号;第一交变光信号和第二交变光信号的相位不同。第一干涉臂的另一端连接合光器的第一输入端、第二干涉臂的另一端连接合光器的第二输入端,合光器将第一交变光信号和第二交变光信号进行合光处理耦合为一束输出信号光和一束不输出信号光,从而实现将信息加载到光中以形成携带信息的光信号,完成发射光的调制过程。其中输出信号光经过硅光芯片的输出光口输出,不输出信号光则不经过硅光芯片的输出光口输出。
MZ调制器用于实现光的干涉从而完成相干调制的过程,MZ调制器将调制电信号施加到MZ调制器的光波导上形成的相位调制区域来调制光源500发出的出射光,从而输出光信号。MZ调制器可以利用各种调制方法来调制光信号,例如相位调制、幅度调制和偏振调制或各种调制方法的组合。其中,相位调制是在MZ调制器光波导上形成的电极的区域,通过向电极施加电信号改变电极下方的光波导的折射率。因而可以改变相位调制区域中的光波导的实质光路长。因此,相位调制区域可以改变传播通过光波导的光信号的相位,再通过在传播通过两个光波导的光信号之间提供相位差来调制光信号。
在第一干涉臂上传输输出信号光的光路上设置有第一光功率探测器(即附图5中的图标VREF),在第二干涉臂上传输不输出信号光的光路上设置有第二光功率探测器。
在本申请实施例中,MCU设置在电路板上,与硅光芯片电连接,用于采集第一光功率探测器的输出电压和第二光功率探测器的输出电压,并生成第一控制信号和第二控制信号,并将第一控制信号和所述第二控制信号分别发送至相位转换器和偏置电流源;
相位转换器根据接收到的所述第一控制信号将所述硅光芯片调整至预设工作状态;
偏置电流源与所述MCU电连接,根据接收到的所述第二控制信号,向所述光源输入与温度对应的偏置电流,使第一光功率探测器的输出电压、第二光功率探测器的输出电压达到预设输出电压;
其中预设输出电压为预设温度下所述硅光芯片处于所述预设工作状态时,所述第一光功率探测器和第二光功率探测器对应的输出电压。
预设工作状态时所述第一光功率探测器和第二光功率探测器对应的输出电压。
在一些实施例中,可以将预设工作状态选择为最佳工作点状态,第一调制电极和第二调制电极输出的光的相位差为π/2时,硅光芯片处于最佳工作点的状态。
可以理解的是,本申请实施例中对预设工作状态的保护范围不作限定,预设工作状态包括但不限于最佳工作点状态。
在一些实施例中,预设温度可以选择常温,也可以选择其他温度。
在一些实施例中,预设输出电压可以选择为:常温下硅光芯片处于最佳工作点状态时的光功率探测器对应的输出电压。
可以理解的是,本申请中的预设输出电压不限于上述状态对应的输出电压,也可以为其他状态下对应的输出电压。
本申请实施例中将温度发生变化后,第一光功率探测器的输出电压V1和第二光功率探测器的输出电压V2均调节至预设输出电压处,本申请中选择的实施方式为:首先使第一光功率探测器的输出电压V1和第二光功率探测器的输出电压V2相等,然后再将第一光功率探测器的输出电压V1和第二光功率探测器的输出电压V2调节至预设输出电压处,其中预设输出电压为预设温度下硅光芯片处于最佳工作点状态时的第一光功率探测器或第二光功率探测器的输出电压V0
在本申请实施例中可以选择常温下硅光芯片处于最佳工作点状态时的第一光功率探测器或第二光功率探测器的输出电压作为预设输出电压。
本申请通过将温度发生变化时硅光芯片的工作点调整至最佳工作点进而实现第一光功率探测器的输出电压V1和第二光功率探测器的输出电压V2相等。
本申请实施例中通过向光源输出偏置电流实现第一光功率探测器的输出电压V1和第二光功率探测器的输出电压V2调节至预设输出电压处,其中偏置电流大小与温度大小有一一对应关系。
需要说明的是,上述提及的第一光功率探测器的输出电压V1和第二光功率探测器的输出电压V2相等等有关电压相等的描述中,指的是电压允许有一定的误差范围,并非必须数据完全相等,而是在一定误差范围内均称为相等。
下面以硅光芯片预设工作状态为最佳工作点状态、预设温度为常温、预设输出电压为常温下硅光芯片处于最佳工作点状态时的光功率探测器对应的输出电压为实施例进行具体说明。
在本申请实施例中,MCU包括第一ADC端口和第二ADC端口,第一ADC端口与第一光功率探测器电连接,第二ADC端口与第二光功率探测器电连接,MCU通过第一ADC端口采集所述第一光功率探测器的输出电压,MCU通过第二ADC端口采集所述第二光功率探测器的输出电压。MCU当MCU监测到第一光功率探测器的输出电压V1或第二光功率探测器的输出电压V2发生变化时,意味着此时温度发生变化,硅光芯片未处于最佳工作点状态,此时生成第一控制信号,将第一控制信号发送至相位转换器,相位转换器将第一调制电极和第二调制电极输出的光的相位差调整π/2,此时硅光芯片处于最佳工作点状态,此时第一光功率探测器的输出电压V1与第二光功率探测器的输出电压V2相等,即V1=V2
然后MCU生成第二控制信号,将第二控制信号发送至偏置电流源,偏置电流源响应于第二控制信号向光源输入电流使得第一光功率探测器的输出电压V1与第二光功率探测器的输出电压V2调整至预设输出电压,预设输出电压为预设温度下硅光芯片处于最佳工作点状态时的第一光功率探测器或第二光功率探测器的输出电压V0,即V1=V2=V0。此时,第一光功率探测器的输出电压V1与第二光功率探测器的输出电压V2稳定在预设输出电压V0处,进而光源的输出光功率稳定在预设温度下硅光芯片处于最佳工作点状态时的输出光功率。
其中预设温度为光源正常工作的温度范围内的任一温度,在一些实施例中多选择常温作为预设温度,以常温为例,在常温T下将硅光芯片调整至最佳工作点状态,此时,V1=V2,此时,V1和V2的具体数值也就是常温下硅光芯片处于最佳工作点状态时的第一光功率探测器或第二光功率探测器的输出电压VT
当温度发生变化时,MCU监测到第一光功率探测器的输出电压V1或第二光功率探测器的输出电压V2发生变化时,此时生成第一控制信号,将第一控制信号发送至相位转换器,相位转换器将第一调制电极和第二调制电极输出的光的相位差调整π/2,此时硅光芯片处于最佳工作点状态,此时第一光功率探测器的输出电压V1与第二光功率探测器的输出电压V2相等,即V1=V2
然后MCU生成第二控制信号,将第二控制信号发送至偏置电流源,偏置电流源响应于第二控制信号向光源输入电流使得第一光功率探测器的输出电压V1与第二光功率探测器的输出电压V2调整至预设输出电压,本申请实施例中的预设输出电压可以选择为常温下硅光芯片处于最佳工作点状态时的第一光功率探测器或第二光功率探测器的输出电压VT,即V1=V2=VT。此时,硅光芯片处于最佳工作点且光源的输出光功率稳定在常温下硅光芯片处于最佳工作点状态时的输出光功率。
通过上述方案,本申请中不论温度如何变化,通过偏置电流源向光源输入不同大小的电流都可以将光源的光功率稳定在预设温度下硅光芯片处于预设工作状态时对应的光源输出光功率附近,因此本申请可以实现温度变化时光源的输出光功率的自动动态调整。
通过上述方案,本申请可以实现温度变化时光源的输出光功率的自动动态调整。

Claims (10)

1.一种光模块,其特征在于,包括:
电路板;
光源,与所述电路板电连接,用于发出不携带信号的光;
硅光芯片,与所述电路板连接,输入光口用于接收所述不携带信号的光,输出光口用于输出信号光,包括第一光功率探测器和第二光功率探测器;
MCU,设置在所述电路板上,与所述硅光芯片电连接,用于采集所述第一光功率探测器的输出电压和所述第二光功率探测器的输出电压,并生成第一控制信号和第二控制信号,并将所述第一控制信号和所述第二控制信号分别发送至相位转换器和偏置电流源;
所述相位转换器,根据接收到的所述第一控制信号将所述硅光芯片调整至预设工作状态;
所述偏置电流源,与所述MCU电连接,根据接收到的所述第二控制信号,向所述光源输入与温度对应的偏置电流,使第一光功率探测器的输出电压、第二光功率探测器的输出电压达到预设输出电压;
其中所述预设输出电压为预设温度下所述硅光芯片处于所述预设工作状态时,所述第一光功率探测器和第二光功率探测器对应的输出电压。
2.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述硅光芯片包括:
分光器,用于将所述不携带信号的光分为第一光束和第二光束;
第一干涉臂,输入端与所述分光器的第一输出端连接,设有第一调制电极;
第二干涉臂,输入端与所述分光器的第二输出端连接,设有第二调制电极;
所述相位转换器,设置于所述第一干涉臂或所述第二干涉臂上,与所述MCU电连接,用于接收所述第一控制信号,并根据所述第一控制信号对所述第一调制电极和第二调制电极输出的光进行相位调节以实现所述硅光芯片处于所述预设工作状态;
合波器,输入端与所述第一干涉臂和所述第二干涉臂的输出端连接,用于将所述第一干涉臂和所述第二干涉臂上输出的相位转换后的信号光合并成输出信号光和不输出信号光;
所述第一光功率探测器,设置于传输所述输出信号光的光路上;
所述第二光功率探测器,设置于传输所述不输出信号光的光路上。
3.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述MCU包括第一ADC端口和第二ADC端口,所述第一ADC端口与所述第一光功率探测器电连接,所述第二ADC端口与所述第二光功率探测器电连接,所述MCU通过所述第一ADC端口采集所述第一光功率探测器的输出电压,所述MCU通过所述第二ADC端口采集所述第二光功率探测器的输出电压。
4.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述第一调制电极将所述电路板输出的调制电信号转化为调制光信号,并根据所述调制光信号将所述第一光束转化为第一交变信号光;
所述第二调制电极将所述电路板输出的调制电信号转化为调制光信号,并根据所述调制光信号将所述第二光束转化为第二交变信号光。
5.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述相位转换器用于根据所述第一控制信号将所述第一调制电极和第二调制电极输出的光的相位差调节至π/2。
6.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述预设温度设为常温。
7.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述光源的工作温度范围与所述光源的输出光模块范围对应。
8.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述第一光功率探测器和所述第二光功率探测器的输出电压分别与所述第一干涉臂和所述第二干涉臂上的光功率对应。
9.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述硅光芯片处于所述预设工作状态时所述第一光功率探测器的输出电压与所述第二光功率探测器的输出电压相等。
10.根据权利要求2所述的光模块,其特征在于,所述输出信号光经过所述硅光芯片的输出光口输出,所述不输出信号光不经过所述硅光芯片的输出光口输出。
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