CN216121203U - 一种提高850nm半导体激光功率密度的装置 - Google Patents

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李再金
杨云帆
袁毅
杨隆杰
赵志斌
陈浩
李林
乔忠良
曾丽娜
曲轶
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Abstract

本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的装置，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5‑1）、圆台外侧面（5‑2）、圆台下底面（5‑3）和圆台内侧面（5‑4）。850nm半导体激光单管模块（1）通过准直镜（2）耦合进光纤（3），光纤（3）通过环形固定器（4）后，垂直入射到空心梯型圆台（5）的圆台下底面（5‑3），在圆台外侧面（5‑2）和圆台内侧面（5‑4）发生全反射，经过圆台上底面（5‑1）入射到聚焦镜（6），实现提高850nm半导体激光输出光功率密度。

Description

一种提高850nm半导体激光功率密度的装置
技术领域
本发明涉及高功率半导体激光技术领域，特别涉及一种提高850nm半导体激光功率密度的装置。
背景技术
高功率半导体激光以体积小、重量轻、电光转换高等优点，广泛应用于工业加工和军事领域。高功率半导体激光因其出光发散角大、成椭圆形高斯光束和光质量差等缺点，不能直接用于工业加工和军事领域。为了加快高功率半导体激光直接应用于工业加工和军事领域，提出了一种提高850nm半导体激光功率密度的装置，可有效地提高850nm半导体激光输出功率密度。
发明内容
本发明的目的在于提出一种提高850nm半导体激光功率密度的装置。
一种提高850nm半导体激光功率密度的装置，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5-1）、圆台外侧面（5-2）、圆台下底面（5-3）和圆台内侧面（5-4）。
其特征在于：
850nm半导体激光单管模块（1）每个单管输出波长为850nm，输出功率高于5W。
准直镜（2）前后表面镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜。
光纤（3）前后端面镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜。
环形固定器（4）固定光纤，根据光纤的粗细确定相应尺寸。
空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5-1）、圆台外侧面（5-2）、圆台下底面（5-3）和圆台内侧面（5-4）。圆台外侧面（5-2）和圆台下底面（5-3）成45°角，圆台内侧面（5-4）和圆台下底面（5-3）成135°角，圆台上底面（5-1）和圆台下底面（5-3）镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜。
聚焦镜（6）前后表面镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜。
附图说明
图1是本发明具体实施方式的装置图。
图2是空心梯型圆台（5）的截面光路图。
具体实施方式
下面结合图1和图2对本发明进一步详细说明。
本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的装置，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5-1）、圆台外侧面（5-2）、圆台下底面（5-3）和圆台内侧面（5-4）。
图1以单个方向上十个850nm半导体激光单管模块为例进行具体说明。十个850nm半导体激光单管模块（1）的每个850nm半导体激光单管模块通过准直镜（2）耦合进光纤（3），光纤（3）通过环形固定器（4）固定，再垂直入射到空心梯型圆台（5）的圆台下底面（5-3）上，在空心梯型圆台（5）的圆台外侧面（5-2）发生全反射，全反射的光束再通过空心梯型圆台（5）的圆台内侧面（5-4）发生全反射，接着通过空心梯型圆台（5）的圆台上底面（5-1）输出。输出的十个光束再通过聚焦镜（6）实现提高850nm半导体激光功率密度的装置。

Claims (1)

1.一种提高850nm半导体激光功率密度的装置，其特征在于，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）；准直镜（2）前后表面镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜；光纤（3）前后端面镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜；空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5-1）、圆台外侧面（5-2）、圆台下底面（5-3）和圆台内侧面（5-4），圆台外侧面（5-2）和圆台下底面（5-3）成45°角，圆台内侧面（5-4）和圆台下底面（5-3）成135°角，圆台上底面（5-1）和圆台下底面（5-3）镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜；聚焦镜（6）前后表面镀有191nm TiO2/101nm SiO2/164nm TiO2/99nm SiO2的光学膜，所述半导体激光单管模块（1）一侧设置有准直镜（2），所述准直镜（2）远离半导体激光单管模块（1）的一侧设置有光纤（3），所述光纤（3）另一端与环形固定器（4）连接，所述环形固定器（4）远离光纤（3）的一侧设置有空心梯型圆台（5），所述空心梯型圆台（5）另一端设置有聚焦镜（6）。
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