CN112636181A - 一种830nm半导体激光阵列合束装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种830nm半导体激光阵列合束装置，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）。空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3‑1）、圆台外侧面（3‑2）、圆台下底面（3‑3）和圆台内侧面（3‑4）。半导体激光阵列模块（1）通过准直镜（2）垂直入射到空心梯型圆台（3）的圆台下底面（3‑3），在圆台外侧面（3‑2）和圆台内侧面（3‑4）发生全反射，经过圆台上底面（3‑1）入射到聚焦镜（4），实现提高半导体激光阵列输出光功率密度。
Description
技术领域
本发明涉及高功率半导体激光技术领域，特别涉及一种830nm半导体激光阵列合束装置。
背景技术
高功率半导体激光以体积小、重量轻、电光转换高等优点，广泛应用于工业加工和军事领域。高功率半导体激光因其出光发散角大、成椭圆形高斯光束和光质量差等缺点，不能直接用于工业加工和军事领域。为了加快高功率半导体激光直接应用于工业加工和军事领域，提出了一种830nm半导体激光阵列合束装置，可有效地提高830nm半导体激光输出光功率。
发明内容
本发明的目的在于提出一种830nm半导体激光阵列合束装置。
一种830nm半导体激光阵列合束装置，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）。空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3-1）、圆台外侧面（3-2）、圆台下底面（3-3）和圆台内侧面（3-4）。
其特征在于：
830nm半导体激光阵列模块（1）每个阵列输出波长为830nm，输出功率高于50W。
准直镜（2）前后表面镀有186nm TiO2/99nm SiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜。
空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3-1）、圆台外侧面（3-2）、圆台下底面（3-3）和圆台内侧面（3-4）。圆台外侧面（3-2）和圆台下底面（3-3）成45°角，圆台内侧面（3-4）和圆台下底面（3-3）成135°角，圆台上底面（3-1）和圆台下底面（3-3）镀有186nm TiO2/99nm SiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜。
聚焦镜（4）前后表面镀有186nm TiO2/99nm SiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜。
附图说明
图1是本发明具体实施方式的方法图。
图2是空心梯型圆台（3）的截面光路图。
具体实施方式
下面结合图1和图2对本发明进一步详细说明。
本发明公开了一种830nm半导体激光阵列合束装置，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）。空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3-1）、圆台外侧面（3-2）、圆台下底面（3-3）和圆台内侧面（3-4）。
图1以单个竖直方向上两个个830nm半导体激光阵列模块为例进行具体实施说明。两个830nm半导体激光阵列模块（1）的每个830nm半导体激光阵列模块通过准直镜（2）垂直入射到空心梯型圆台（3）的圆台下底面（3-3）上，在空心梯型圆台（3）的圆台外侧面（3-2）发生全反射，全反射的光束再通过空心梯型圆台（3）的圆台内侧面（3-4）发生全反射，接着通过空心梯型圆台（3）的圆台上底面（3-1）输出。输出的两个光束再通过聚焦镜（4）实现830nm半导体激光阵列模块合束输出。
Claims (1)
1.一种830nm半导体激光阵列合束装置，其特征在于，包括830nm半导体激光阵列模块（1）、准直镜（2）、空心梯型圆台（3）和聚焦镜（4）；准直镜（2）前后表面镀有186nm TiO2/99nmSiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜；空心梯型圆台（3）包括圆台上底面（3-1）、圆台外侧面（3-2）、圆台下底面（3-3）和圆台内侧面（3-4），圆台外侧面（3-2）和圆台下底面（3-3）成45°角，圆台内侧面（3-4）和圆台下底面（3-3）成135°角，圆台上底面（3-1）和圆台下底面（3-3）镀有186nm TiO2/99nm SiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜；聚焦镜（4）前后表面镀有186nm TiO2/99nm SiO2/160nm TiO2/97nm SiO2的光学膜。
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN112636181A (zh) |
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2021
- 2021-01-26 CN CN202110101580.3A patent/CN112636181A/zh active Pending
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