CN216054770U - Led发光装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种LED发光装置，包括：垂直结构芯片，发光侧表面有一电极区域；压合于垂直结构芯片发光侧表面的荧光膜片，荧光膜片中包括与电极区域大小适配的通孔，且通孔对准电极区域设置。其通过压合的方式将荧光粉覆盖在垂直结构芯片的发光侧表面，且荧光膜片中的通孔对准芯片的电极区域，有效提高了LED发光装置光斑的均匀性及提升了发光亮度。

Description

LED发光装置

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，尤其是一种LED发光装置。

背景技术

目前，全球有三大LED芯片制造技术路线，分别为基于蓝宝石衬底、碳化硅衬底及硅衬底芯片制造技术路线，与其他两种方法相比，硅衬底芯片具有四大优势：1)硅材料比蓝宝石和碳化硅价格便宜，而且生产效率更高；2)器件具有优良的性能，抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高，方向性光强；3)芯片封装工艺简单，芯片为上下电极，单引线垂直结构，简化了封装工艺，节约封装成本；4)具有自主知识产权，产品可销往国际市场，不受国际专利的限制。基于此，硅基芯片已广泛应用于移动照明、舞台灯、手机闪光灯等细分领域。

目前，在基于蓝光芯片形成白光芯片的工艺中，大部分选择在蓝光芯片出光侧表面点荧光粉形成白光芯片或在wafer片上涂覆荧光胶批量形成白光芯片。虽然都能形成白光芯片，但是对于点胶工艺来说，容易出现光斑不均匀等问题，对于wafer片上涂覆荧光胶来说，容易出现色温不集中等问题。

实用新型内容

为了克服以上不足，本实用新型提供了一种LED发光装置，有效解决现有LED发光装置表面易出现的光斑不均匀等问题。

本实用新型提供的技术方案为：

一种LED发光装置，包括：

垂直结构芯片，发光侧表面有一电极区域；

压合于所述垂直结构芯片发光侧表面的荧光膜片，所述荧光膜片中包括与所述电极区域大小适配的通孔，且所述通孔对准所述电极区域设置。

进一步优选地，所述垂直结构芯片为硅衬底蓝光LED芯片。

进一步优选地，所述荧光膜片的厚度为30μm～2000μm。

在本实用新型提供的LED发光装置中，至少能够带来以下有益效果：通过压合的方式将荧光粉覆盖在垂直结构芯片的发光侧表面，且荧光膜片中的通孔对准芯片的电极区域，有效提高了LED发光装置光斑的均匀性及提升了发光亮度。另外，荧光膜片与垂直结构芯片之间无需通过硅胶层进行粘附，直接通过压合的方式将具备粘性的荧光膜片压合于垂直结构芯片发光侧表面后进行烘烤即可，进一步提高LED发光装置的出光亮度。

附图说明

图1为本实用新型中LED发光装置俯视图；

图2为图1中LED发光装置A-A处侧面示意图。

附图标记：

10-荧光膜片，11-通孔，20-垂直结构芯片，21-电极区域。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本实用新型的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。

如图1(俯视图)和图2(图1中A-A处侧面示意图)所示为本实用新型提供的LED发光装置结构示意图，从图中可以看出，该LED发光装置包括：垂直结构芯片20，发光侧表面有一电极区域21；压合于垂直结构芯片发光侧表面的荧光膜片10，荧光膜片中包括与电极区域大小适配的通孔11，且通孔11对准电极区域21设置。

在该LED发光装置中，垂直结构芯片20可以为任意衬底任意结构的垂直LED芯片，一实例中，该垂直结构芯片20为硅衬底蓝光LED芯片。荧光膜片由预先制备的具备一定粘性的半烤膜片压合于垂直结构芯片20发光侧表面。该具备粘性的荧光膜片的制备过程具体为：首先，将一定质量比的硅胶与荧光粉(硅胶：黄粉：红粉＝1∶(0.1～3)∶(0.01～2))称量好，均匀搅拌后真空脱泡。之后，在制膜机平台上放一张支撑膜，设定刮刀高度后刮出一定厚度(30μm～2000μm)的荧光膜片，并对该荧光膜片进行烘烤，得到具备一定粘性的半烤膜片。将整张荧光膜片置于测试机台上进行测试，以得到符合需求的荧光膜片。最后，将荧光膜片置于激光切割机的平台上，根据调节好的功率、时间、切割圈数对荧光膜片进行切割，将荧光膜片中对应芯片电极区域的位置去除形成通孔，便于后续焊线。这里，在烘烤之后，荧光膜片并没有完全干透，而是处于半固化状态，具备一定的粘性，表面黏力介于4～12g之间。

基于此，在封装过程中，首先将垂直结构芯片进行一次蓝膜翻转，使得芯片电极朝下；之后将垂直结构芯片抓起来固定于荧光膜片表面，其中，荧光膜片通孔处对准芯片电极区域。之后，将整张固有垂直结构芯片的荧光膜片置于压合机平台上，调节压力、时间及平台温度进行压合，并在压合之后放入烤箱中烘烤。之后，使用UV膜替换垂直结构芯片的支撑膜，并放入切割机平台上进行切割，等距离切割得到单颗白光LED芯。最后，对单颗白光LED芯进行外观检测、电性/色温测试、分选、编带及入库操作。

一实例中，垂直结构芯片为42mil大小的硅衬底蓝光LED芯片，则白光LED发光装置的制备过程为：

1：将质量比按照硅胶：黄粉：红粉＝1∶(0.1～3)∶(0.01～2)称量好，均匀搅拌后真空脱泡；

2：在制膜机平台上放置一张支撑膜，设定刮刀高度，刮出30μm～2000μm厚度的荧光膜片，并将改该荧光膜片在60～100将下的温度下烘烤1～60min得到半烤膜。将整张荧光膜片置于测试机台上进行测试，以得到符合需求的荧光膜片。

3：将烤好的荧光膜片置于激光切割机的平台上，根据调节好的功率、时间、切割圈数对荧光膜片进行切割，将荧光膜片中对应芯片电极区域的位置去除形成通孔。这里，为了防止白光LED发光装置点亮时芯片漏蓝，硅衬底蓝光LED芯片之间排列间距应大于30μm以上，即荧光膜片中通孔之间的间距大于30μm以上。

4：将硅衬底蓝光LED芯片翻一次蓝膜，使电极面朝下。

5：将硅衬底蓝光LED芯片抓起来固定于荧光膜片表面，且荧光膜片通孔处对准芯片电极区域。之后，将整张固有硅衬底蓝光LED芯片的荧光膜片置于压合机平台上，调节压力(不超过1MPa)、时间(不超过10s)及平台温度(不超过60℃)进行压合，并在压合之后放入烤箱中在150℃的温度下烘烤3h。

6：使用UV膜替换垂直结构芯片的支撑膜，并放入切割机平台上进行切割，等距离切割得到单颗白光LED芯。

7：对单颗白光LED芯进行外观检测、电性/色温测试、分选、编带及入库操作。

应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (3)

1.一种LED发光装置，其特征在于，包括：

垂直结构芯片，发光侧表面有一电极区域；

压合于所述垂直结构芯片发光侧表面的荧光膜片，所述荧光膜片中包括与所述电极区域大小适配的通孔，且所述通孔对准所述电极区域设置。

2.如权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述垂直结构芯片为硅衬底蓝光LED芯片。

3.如权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述荧光膜片的厚度为30μm～2000μm。

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