CN215887272U - 水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统 - Google Patents
水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN215887272U CN215887272U CN202121150001.6U CN202121150001U CN215887272U CN 215887272 U CN215887272 U CN 215887272U CN 202121150001 U CN202121150001 U CN 202121150001U CN 215887272 U CN215887272 U CN 215887272U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tank
- electrochemical
- overflow
- electrochemical deposition
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
本实用新型是水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其结构是副槽位于机架内一侧，溢流槽位于机架内另一侧上方且与副槽相通，溢流槽和副槽上方罩设有顶板，电化学沉积槽位于溢流槽内且顶部穿过顶板，电化学沉积槽侧壁设有与溢流槽相通的溢流口，电化学沉积槽底部中心设穿过溢流槽底部的进液排液口，进液排液口通过带有循环泵的循环管道连接副槽。本实用新型的优点：结构设计合理，电化学液体由副槽经过循环泵从循环管道由进液排液口泵入电化学沉积槽内并通电，对产品进行有效充分电化学沉积，处理时电化学液体可从溢流口溢流到溢流槽内，流回副槽。配合水平式晶圆电化学沉积设备，可实现电化学液的有效循环输送，改善了处理效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
芯片在制作中，需要对晶圆进行电化学沉积方式，在晶圆表面及孔内镀上一层硫酸铜，铜离子在晶圆上形成一层铜层。然后对晶圆表面进行研磨，以达到对晶圆孔内进行填充的目的。
现有技术中的晶圆电化学沉积设备一般为垂直式，其对于晶圆表面小而深的孔填孔效果较差，其填孔能力仅能达到98～99％，效果较差，且生产效率较低，一次生产时间需要4h左右。
如何设计合理的电化学液循环系统，关系到水平式晶圆电化学沉积设备中电化学液的有效循环输送，影响电化学沉积效果。
实用新型内容
本实用新型提出的是水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，配合水平式晶圆电化学沉积设备，实现电化学液的有效循环输送，改善处理效果。
本实用新型的技术解决方案：水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其结构包括安装在机架上的电化学沉积槽、溢流槽、副槽、循环管道和循环泵，其中副槽位于机架内一侧，溢流槽位于机架内另一侧上方且与副槽相通，溢流槽和副槽上方罩设有顶板，电化学沉积槽位于溢流槽内且顶部穿过顶板，电化学沉积槽侧壁设有与溢流槽相通的溢流口，电化学沉积槽底部中心设穿过溢流槽底部的进液排液口，进液排液口通过带有循环泵的循环管道连接副槽。
优选的，所述的副槽侧壁上优选设有液位视窗。
本实用新型的优点：结构设计合理，工作时，电化学液体由副槽经过循环泵从循环管道由进液排液口泵入电化学沉积槽内并通电，对产品进行有效充分电化学沉积，处理时电化学液体可从溢流口溢流到溢流槽内，流回副槽。配合水平式晶圆电化学沉积设备，可实现电化学液的有效循环输送，改善了处理效果。
附图说明
图1是本实用新型水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统的结构示意图。
图2是图1去除顶板及上方部件后的结构示意图。
图中的1是机架、2是顶板、3是电化学沉积槽、4是溢流槽、5是副槽、6是液位视窗、7是进液排液口、8是溢流口。
具体实施方式
下面结合实施例和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1、2所示，水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其结构包括安装在机架1上的电化学沉积槽3、溢流槽4、副槽5、循环管道和循环泵，其中副槽5位于机架1内一侧，溢流槽4位于机架1内另一侧上方且与副槽5相通，溢流槽4和副槽5上方罩设有顶板2，电化学沉积槽3位于溢流槽4内且顶部穿过顶板2，电化学沉积槽3侧壁设有与溢流槽4相通的溢流口8，电化学沉积槽3底部中心设穿过溢流槽4底部的进液排液口7，进液排液口7通过带有循环泵的循环管道连接副槽5。
所述的副槽5侧壁上优选设有液位视窗6。可直观观察液位，及时补液。
根据以上结构，工作时，放置产品到电化学沉积槽内，启动设备，电化学液体硫酸铜溶液由副槽经过循环泵从循环管道由进液排液口泵入电化学沉积槽内并通电，对产品进行有效充分电化学沉积，处理时电化学液体可从溢流口溢流到溢流槽内，流回副槽。
以上所述各部件均为现有技术，本领域技术人员可使用任意可实现其对应功能的型号和现有设计。
以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其特征包括安装在机架(1)上的电化学沉积槽(3)、溢流槽(4)、副槽(5)、循环管道和循环泵，其中副槽(5)位于机架(1)内一侧，溢流槽(4)位于机架(1)内另一侧上方且与副槽(5)相通，溢流槽(4)和副槽(5)上方罩设有顶板(2)，电化学沉积槽(3)位于溢流槽(4)内且顶部穿过顶板(2)，电化学沉积槽(3)侧壁设有与溢流槽(4)相通的溢流口(8)，电化学沉积槽(3)底部中心设穿过溢流槽(4)底部的进液排液口(7)，进液排液口(7)通过带有循环泵的循环管道连接副槽(5)。
2.如权利要求1所述的水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统，其特征是所述的副槽(5)侧壁上优选设有液位视窗(6)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202121150001.6U CN215887272U (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202121150001.6U CN215887272U (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN215887272U true CN215887272U (zh) | 2022-02-22 |
Family
ID=80347774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202121150001.6U Active CN215887272U (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN215887272U (zh) |
-
2021
- 2021-05-27 CN CN202121150001.6U patent/CN215887272U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW202204692A (zh) | 鹼性蝕刻廢液再生回用的方法及其設備 | |
| CN215887272U (zh) | 水平式晶圆电化学沉积设备电化学液循环系统 | |
| CN203807588U (zh) | 一种fpc电镀自动加液装置 | |
| CN203807587U (zh) | 一种fpc板电镀液循环处理装置 | |
| CN212523200U (zh) | 一种次氯酸钠发生器溶盐过滤箱 | |
| CN116230596B (zh) | 一种半导体晶圆在线配液刻蚀机 | |
| CN214937907U (zh) | 水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽 | |
| CN215404599U (zh) | 水平式晶圆电化学沉积设备电化学沉积槽搅拌机构 | |
| CN216023345U (zh) | 用于电解铜净液工序的固液泡沫三相分离器 | |
| CN213223532U (zh) | 一种多功能的线路板清洗装置 | |
| CN111545135A (zh) | 一种高纯度三氯氧磷安全供料系统 | |
| CN217691194U (zh) | 一种晶硅太阳能电池的刻蚀排液系统 | |
| CN217324364U (zh) | 一种多工艺腔体供液装置 | |
| CN216539864U (zh) | 一种金刚线药液清洗水槽 | |
| CN212559483U (zh) | 一种十水硫酸钠连续化生产装置 | |
| CN218561665U (zh) | 晶圆镀镍用的辅助装置以及晶圆镀镍设备 | |
| CN113473731B (zh) | 一种浸泡设备及刻蚀线去膜方法 | |
| CN113877876B (zh) | 一种用于清洗金刚线药液的清洗水槽 | |
| CN216639699U (zh) | 一种电镀液液流流向控制装置 | |
| CN214937416U (zh) | 一种基于膜萃取分离技术的发酵设备 | |
| CN213823580U (zh) | 一种提高单晶制绒药液利用率的装置 | |
| CN214319428U (zh) | 一种静置沉降过滤装置 | |
| CN221166815U (zh) | 一种复合铜箔电镀设备的镀铜槽装置 | |
| CN214551777U (zh) | 高效化学沉锡用除铜装置及化学沉锡设备 | |
| CN210073792U (zh) | 一种防漂篮硅片反应槽 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230524 Address after: No. 45 and 51, Yougu Industrial Park, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: GMC SEMITECH Co.,Ltd. Address before: No. 75, Yougu Industrial Park, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee before: Wuxi jizhixin Semiconductor Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 1 Jingxiang Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: Jimsi Semiconductor Technology (Wuxi) Co.,Ltd. Address before: No. 45 and 51, Yougu Industrial Park, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee before: GMC SEMITECH Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |