CN215869342U - 一种低功耗金属氧化膜半导体二极管 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及二极管技术领域，公开了一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，包括引脚替换机构和设置在引脚替换机构上的散热机构，引脚替换机构包括二极管主体和活动设置在二极管主体两侧的滑盖，二极管主体的内部嵌合设置有引脚主体，通过左右滑动散热机构将滑盖露出，然后向上滑动滑盖，将断裂的引脚主体漏出来，取出引脚主体后拿出待更换的引脚主体，将引脚主体的尾端伸进第一预设槽的内部向下移动，使之嵌合在第一预设槽内，此时引脚主体的尾端与导电板相贴合，此时引脚主体的底部位于挡板的顶部，然后向下滑动滑盖，使第二预设槽卡在引脚主体的上方，最后再次滑动散热机构将另一边的引脚主体进行更换即可重复使用二极管主体。

Description

一种低功耗金属氧化膜半导体二极管

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，具体为一种低功耗金属氧化膜半导体二极管。

背景技术

半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件，最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管，它们的共同特点是伏安特性的不对称性，即电流沿其一个方向呈现良好的导电性，而在相反方向呈现高阻特性，可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。

金属氧化膜半导体二极管主要是利用金属氧化物场效应，具有正向导通电压低，自身功率损耗小，反向漏电流小等优点，但是二极管在使用的过程中存在着引脚容易断的问题，当引脚断掉之后二极管一般都会进行丢弃，存在着资源浪费，并且当电压过大的时候二极管发热也相对比较严重，导致自身功率大，消耗电能。

针对以上问题，提出了一种低功耗金属氧化膜半导体二极管。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，采用本装置进行工作，从而解决了上述背景中二极管在使用的过程中存在着引脚容易断的问题，当引脚断掉之后二极管一般都会进行丢弃，存在着资源浪费，并且当电压过大的时候二极管发热也相对比较严重，导致自身功率大，消耗电能的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，包括引脚替换机构和设置在引脚替换机构上的散热机构，所述引脚替换机构包括二极管主体和活动设置在二极管主体两侧的滑盖，二极管主体的内部嵌合设置有引脚主体，滑盖的底部设置有与引脚主体相对应的第二预设槽，二极管主体的内部两侧设置有导电板，且导电板贴合在引脚主体的一端。

进一步地，所述二极管主体的两侧前后分别设置有限位块，滑盖的内侧设置有与限位块相对应的限位槽。

进一步地，所述二极管主体的两端设置有与引脚主体相对应的第一预设槽，且引脚主体的一端滑动连接在第一预设槽的内部。

进一步地，所述二极管主体的两侧靠近下方的位置设置有与引脚主体相对应的挡板，且挡板嵌合在第二预设槽的下方，二极管主体的前后设置有滑槽。

进一步地，所述散热机构包括滑动连接在二极管主体顶部的外壳，且外壳的前后内壁均固定连接有与滑槽相对应的滑块。

进一步地，所述外壳的内部设置有真空腔体，真空腔体的前后内壁均固定连接有导热板，导热板是由银制成的构件，真空腔体的内部上方设置有隔热层，隔热层是由玻璃纤维制成的构件。

进一步地，所述真空腔体的内部设置有吸收芯，且吸收芯的内侧分别与隔热层和导热板连接，吸收芯上吸附有冷凝液，外壳的顶部均匀分布有散热槽。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1.本实用新型提出的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，当二极管主体两端的引脚主体脱落或者锈蚀断裂之后，通过左右滑动散热机构将滑盖露出，然后向上滑动滑盖，将断裂的引脚主体漏出来，取出引脚主体后拿出待更换的引脚主体，将引脚主体的尾端伸进第一预设槽的内部向下移动，使之嵌合在第一预设槽内，此时引脚主体的尾端与导电板相贴合，此时引脚主体的底部位于挡板的顶部，然后向下滑动滑盖，使第二预设槽卡在引脚主体的上方，最后再次滑动散热机构将另一边的引脚主体进行更换即可重复使用二极管主体。

2.本实用新型提出的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，当二极管主体工作产生热量的时候，位于导热板一侧的吸收芯上的冷凝液开始吸收热量并蒸发，蒸发的冷凝液向上汇集，由于真空腔体的内部上方设置了隔热层，所以隔热层的顶部温度相对较低，在散热槽的散热作用下，此时冷凝液开始液化并被隔热层上方的吸收芯吸收，吸收的冷凝液在重力的作用下流向靠近导热板一侧的吸收芯上，重复进行蒸发和液化的步骤，带走了二极管主体产生的热量，降低了自身功率，实现了低功耗。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的引脚替换机构和散热机构结构示意图；

图3为本实用新型的引脚替换机构结构爆炸图；

图4为本实用新型的外壳结构剖视图。

图中：1、引脚替换机构；11、二极管主体；111、滑槽；112、第一预设槽；113、挡板；114、限位块；12、滑盖；121、限位槽；122、第二预设槽；13、引脚主体；14、导电板；2、散热机构；21、外壳；211、滑块；212、散热槽；22、真空腔体；221、隔热层；222、导热板；223、吸收芯。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，包括引脚替换机构1和设置在引脚替换机构1上的散热机构2，引脚替换机构1包括二极管主体11和活动设置在二极管主体11两侧的滑盖12，二极管主体11的内部嵌合设置有引脚主体13，滑盖12的底部设置有与引脚主体13相对应的第二预设槽122，二极管主体11的内部两侧设置有导电板14，且导电板14贴合在引脚主体13的一端。

二极管主体11的两侧前后分别设置有限位块114，滑盖12的内侧设置有与限位块114相对应的限位槽121，二极管主体11的两端设置有与引脚主体13相对应的第一预设槽112，且引脚主体13的一端滑动连接在第一预设槽112的内部，二极管主体11的两侧靠近下方的位置设置有与引脚主体13相对应的挡板113，且挡板113嵌合在第二预设槽122的下方，二极管主体11的前后设置有滑槽111，散热机构2包括滑动连接在二极管主体11顶部的外壳21，且外壳21的前后内壁均固定连接有与滑槽111相对应的滑块211。

请参阅图4，外壳21的内部设置有真空腔体22，真空腔体22的前后内壁均固定连接有导热板222，导热板222是由银制成的构件，真空腔体22的内部上方设置有隔热层221，隔热层221是由玻璃纤维制成的构件，真空腔体22的内部设置有吸收芯223，且吸收芯223的内侧分别与隔热层221和导热板222连接，吸收芯223上吸附有冷凝液，外壳21的顶部均匀分布有散热槽212。

工作原理：当二极管主体11两端的引脚主体13脱落或者锈蚀断裂之后，通过左右滑动散热机构2将滑盖12露出，然后向上滑动滑盖12，将断裂的引脚主体13漏出来，取出引脚主体13后拿出待更换的引脚主体13，将引脚主体13的尾端伸进第一预设槽112的内部向下移动，使之嵌合在第一预设槽112内，此时引脚主体13的尾端与导电板14相贴合，此时引脚主体13的底部位于挡板113的顶部，然后向下滑动滑盖12，使第二预设槽122卡在引脚主体13的上方，当二极管主体11工作产生热量的时候，位于导热板222一侧的吸收芯223上的冷凝液开始吸收热量并蒸发，蒸发的冷凝液向上汇集，由于真空腔体22的内部上方设置了隔热层221，所以隔热层221的顶部温度相对较低，在散热槽212的散热作用下，此时冷凝液开始液化并被隔热层221上方的吸收芯223吸收，吸收的冷凝液在重力的作用下流向靠近导热板222一侧的吸收芯223上，重复进行蒸发和液化的步骤，带走了二极管主体11产生的热量。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，包括引脚替换机构(1)和设置在引脚替换机构(1)上的散热机构(2)，其特征在于：所述引脚替换机构(1)包括二极管主体(11)和活动设置在二极管主体(11)两侧的滑盖(12)，二极管主体(11)的内部嵌合设置有引脚主体(13)，滑盖(12)的底部设置有与引脚主体(13)相对应的第二预设槽(122)，二极管主体(11)的内部两侧设置有导电板(14)，且导电板(14)贴合在引脚主体(13)的一端。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，其特征在于：所述二极管主体(11)的两侧前后分别设置有限位块(114)，滑盖(12)的内侧设置有与限位块(114)相对应的限位槽(121)。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，其特征在于：所述二极管主体(11)的两端设置有与引脚主体(13)相对应的第一预设槽(112)，且引脚主体(13)的一端滑动连接在第一预设槽(112)的内部。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，其特征在于：所述二极管主体(11)的两侧靠近下方的位置设置有与引脚主体(13)相对应的挡板(113)，且挡板(113)嵌合在第二预设槽(122)的下方，二极管主体(11)的前后设置有滑槽(111)。

5.根据权利要求4所述的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，其特征在于：所述散热机构(2)包括滑动连接在二极管主体(11)顶部的外壳(21)，且外壳(21)的前后内壁均固定连接有与滑槽(111)相对应的滑块(211)。

6.根据权利要求5所述的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，其特征在于：所述外壳(21)的内部设置有真空腔体(22)，真空腔体(22)的前后内壁均固定连接有导热板(222)，导热板(222)是由银制成的构件，真空腔体(22)的内部上方设置有隔热层(221)，隔热层(221)是由玻璃纤维制成的构件。

7.根据权利要求6所述的一种低功耗金属氧化膜半导体二极管，其特征在于：所述真空腔体(22)的内部设置有吸收芯(223)，且吸收芯(223)的内侧分别与隔热层(221)和导热板(222)连接，吸收芯(223)上吸附有冷凝液，外壳(21)的顶部均匀分布有散热槽(212)。

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