CN215772541U - 一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，该电路由输入电源V1、电源储能电容C1、高压MOSFETQ1、第一低压防反防倒灌控制电路X1、第二低压防反防倒灌控制电路Q2、第一控制电压R1、第二控制电压C2、第三控制电压D2和Q1门极提供保护D1构成。该控制电路使用经济、精确、成熟可靠的低压防反、防倒灌控制电路控制高压MOSFET可以满足输入电压大于100VDC以上大电流的防反、防倒灌功能需求；大电流下比二极管防反、防倒灌效率更高，温升更小，器件可靠性更高；比使用高耐压防反、防倒灌控制器的方案更经济，高压MOSFET可选择品种的范围更宽。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源系统控制领域，具体为一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路。
背景技术
防反、防倒灌电路一般接在电源产品的输入端，为了预防电源输入正负反接烧毁电源，及在输入掉电时防止产品内部储能电容向输入端倒灌无法满足负载系统在输入掉电时的输出保持时间的要求，现有的电路防倒灌效率低，温升大，器件可靠性低；成本高，高压MOSFET可选择品种的范围更窄，为此提供一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，以解决上述背景技术提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，该电路由输入电源V1、电源储能电容C1、高压MOSFETQ1、第一低压防反防倒灌控制电路 X1、第二低压防反防倒灌控制电路Q2、第一控制电压R1、第二控制电压C2、第三控制电压D2和Q1门极提供保护D1构成。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述输入电源V1与第一控制电压R1、电源储能电容C1和高压MOSFETQ1相连。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述高压MOSFETQ1与Q1门极提供保护D1、第一低压防反防倒灌控制电路 X1、第二低压防反防倒灌控制电路Q2、第二控制电压C2和第三控制电压D2相连。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二控制电压C2和第三控制电压D2均与第一控制电压R1和电源储能电容C1相连。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述输入电源V1和电源储能电容C1均与地线相连。
本实用新型的有益效果是：该低压防反和防倒灌控制电路控制高压MOSFET；当输入掉电时，低压防反、防倒灌控制电路监测电源输入电流并在输入电流小于设定值时关断，高压MOSFET会进一步动作；当输入反接时，高压MOFET和低压防反、防倒灌控制电路都处在关断状态，高压MOSFET承担输入反压保证低压防反、防倒灌控制电路安全；该控制电路使用经济、精确、成熟可靠的低压防反、防倒灌控制电路控制高压MOSFET可以满足输入电压大于100VDC以上大电流的防反、防倒灌功能需求；大电流下比二极管防反、防倒灌效率更高，温升更小，器件可靠性更高；比使用高耐压防反、防倒灌控制器的方案更经济，高压MOSFET可选择品种的范围更宽。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
图中：V1为输入电源，C1为电源储能电容，Q1为高压MOSFET， X1为第一低压防反防倒灌控制电路，Q2第二低压防反防倒灌控制电路，R1为第一控制电压，C2为第二控制电压，D2为为第三控制电压， D1为Q1门极提供保护。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易被本领域人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例：请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，该电路由输入电源V1、电源储能电容C1、高压MOSFETQ1、第一低压防反防倒灌控制电路 X1、第二低压防反防倒灌控制电路Q2、第一控制电压R1、第二控制电压C2、第三控制电压D2和Q1门极提供保护D1构成。
输入电源V1与第一控制电压R1、电源储能电容C1和高压MOSFETQ1相连。
高压MOSFETQ1与Q1门极提供保护D1、第一低压防反防倒灌控制电路 X1、第二低压防反防倒灌控制电路Q2、第二控制电压C2和第三控制电压D2相连。
第二控制电压C2和第三控制电压D2均与第一控制电压R1和电源储能电容C1相连。
输入电源V1和电源储能电容C1均与地线相连。
工作原理：一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，该电路采用低压防反、防倒灌控制电路控制高压MOSFET；当输入掉电时，低压防反、防倒灌控制电路监测电源输入电流并在输入电流小于设定值时关断，高压MOSFET会进一步动作；当输入反接时，高压MOFET和低压防反、防倒灌控制电路都处在关断状态，高压MOSFET承担输入反压保证低压防反、防倒灌控制电路安全；该控制电路使用经济、精确、成熟可靠的低压防反、防倒灌控制电路控制高压MOSFET可以满足输入电压大于100VDC以上大电流的防反、防倒灌功能需求；大电流下比二极管防反、防倒灌效率更高，温升更小，器件可靠性更高；比使用高耐压防反、防倒灌控制器的方案更经济，高压MOSFET可选择品种的范围更宽。
上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，其特征在于：该电路由输入电源（V1）、电源储能电容（C1）、高压MOSFET（Q1）、第一低压防反防倒灌控制电路（ X1）、第二低压防反防倒灌控制电路（Q2）、第一控制电压（R1）、第二控制电压（C2）、第三控制电压（D2）和Q1门极提供保护（D1）构成。
2.根据权利要求1所述的一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，其特征在于：所述输入电源（V1）与第一控制电压（R1）、电源储能电容（C1）和高压MOSFET（Q1）相连。
3.根据权利要求1所述的一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，其特征在于：所述高压MOSFET（Q1）与Q1门极提供保护（D1）、第一低压防反防倒灌控制电路（ X1）、第二低压防反防倒灌控制电路（Q2）、第二控制电压（C2）和第三控制电压（D2）相连。
4.根据权利要求1所述的一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，其特征在于：所述第二控制电压（C2）和第三控制电压（D2）均与第一控制电压（R1）和电源储能电容（C1）相连。
5.根据权利要求1所述的一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路，其特征在于：所述输入电源（V1）和电源储能电容（C1）均与地线相连。
Priority Applications (1)
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