CN215757736U - 定位装置和晶体生长炉组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种定位装置和晶体生长炉组件，定位装置包括支架、第一定位件和第二定位件，第一定位件设在支架上，且适于与晶体生长炉的炉体可分离定位配合，以使支架与炉体对中，第二定位件设在支架上，且适于与晶体生长炉的导流筒可分离定位配合，以使支架与导流筒对中。根据本实用新型的定位装置，可以实现导流筒和炉体的对中，提升导流筒的安装精度。

Description

定位装置和晶体生长炉组件

技术领域

本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，尤其是涉及一种定位装置和晶体生长炉组件。

背景技术

在晶体生长炉的炉体内，导流筒是不可缺少的重要部件，通常导流筒用于惰性工艺气体的气流导向，以达到工艺要求，尤其是对于单晶生长炉，导流筒的安装位置很大程度上影响最终产出晶体的质量，则导流筒的安装精度要求较高。然而，相关技术中，导流筒无法实现较为精确的定位装配。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种定位装置，所述定位装置可以实现导流筒和炉体的对中，提升导流筒的安装精度。

本实用新型还提出一种具有上述定位装置的晶体生长炉组件。

根据本实用新型第一方面实施例的定位装置，包括：支架，所述支架具有中心轴线；第一定位件，所述第一定位件设在所述支架上，且适于与所述晶体生长炉的炉体可分离定位配合，以使所述支架与所述炉体对中；第二定位件，所述第二定位件设在所述支架上，且适于与所述晶体生长炉的导流筒可分离定位配合，以使所述支架与所述导流筒对中。

根据本实用新型实施例的定位装置，通过设置第一定位件和第二定位件，使得第一定位件适于与炉体可分离定位配合、第二定位件与导流筒可分离定位配合，可以实现支架与炉体的对中、支架与导流筒的对中，从而可以实现炉体与导流筒的对中，实现了导流筒更为严格的定位装配，提升了导流筒安装位置的准确性，进而有利于提升晶体生长炉生产的晶体的质量；而且，定位装置与晶体生长炉可分离配合，便于实现定位装置的重复使用。

在一些实施例中，所述炉体上具有定位配合件，所述第一定位件适于与所述定位配合件定位配合，所述第一定位件为一个，且适于与所述定位配合件在所述支架的径向和所述支架的周向上定位配合；或者，所述第一定位件为多个，多个所述第一定位件沿所述支架的周向间隔设置，至少一个所述第一定位件适于与所述定位配合件在所述支架的径向上定位配合，至少一个所述第一定位件适于与所述定位配合件在所述支架的周向上定位配合。

在一些实施例中，所述定位配合件为定位销，所述定位销的横截面为圆形，所述第一定位件为多个，每个所述第一定位件上形成有与所述定位销定位配合的定位孔，所述定位孔的中心轴线与所述支架的中心轴线平行，多个所述第一定位件中的其中一个上的所述定位孔为圆形孔，其余所述定位孔为沿所述支架的径向延伸的长圆形孔。

在一些实施例中，所述第二定位件为多个且沿支架的周向间隔设置，所述第二定位件适于与所述导流筒的外周面或内周面止抵配合。

在一些实施例中，所述定位装置还包括：第一微调件，所述第一微调件沿所述支架的径向可移动地设在所述第二定位件上，且适于与所述导流筒可分离地配合。

在一些实施例中，所述定位装置还包括：第三定位件，所述第三定位件设在所述支架上，且适于与所述导流筒上的凹槽在所述支架的周向上定位配合。

在一些实施例中，所述凹槽为多个且形成在所述导流筒的外周面或内周面上，所述定位装置还包括：第二微调件，所述第二微调件沿所述支架的径向可移动地设在所述第三定位件上，且适于与所述凹槽的在所述导流筒的径向上的一侧壁面可分离地配合；任选地，所述第二定位件和所述第三定位件分别为多个，至少一个所述第二定位件与对应所述第三定位件为一体件。

在一些实施例中，所述第二微调件与所述第三定位件螺纹配合。

在一些实施例中，所述支架形成为第一支架，所述第一支架包括多个支杆，多个所述支杆沿所述支架的周向间隔设置，每个所述支杆沿所述支架的径向延伸，多个所述支杆的径向内端相连，至少一个所述支杆上设有所述第一定位件，至少两个所述支杆上设有所述第二定位件；或者，所述支架形成为第二支架，所述第二支架包括支撑架和支撑杆，所述支撑架形成为环形结构，所述支撑杆连接在所述支撑架的外侧，所述第一定位件设在所述支撑杆上，所述第二定位件为多个且设在所述支撑架上。

在一些实施例中，所述支架形成为第一支架时，所述支杆为三个且沿所述支架的周向均匀布置；或者，所述支杆为四个，其中两个所述支杆均沿第一方向延伸，另外两个所述支杆均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向之间呈非零夹角。

根据本实用新型第二方面实施例的晶体生长炉组件，包括：晶体生长炉，所述晶体生长炉包括炉体和导流筒，所述导流筒设于所述炉体内；定位装置，所述定位装置为根据本实用新型上述第一方面实施例的定位装置，所述第一定位件适于与所述炉体可分离定位配合，以使所述支架与所述炉体对中，所述第二定位件适于与所述导流筒可分离定位配合，以使所述支架与所述导流筒对中。

根据本实用新型实施例的晶体生长炉组件，通过采用上述定位装置，可以实现炉体与导流筒的对中，提升了导流筒安装位置的准确性，有利于提升晶体生长炉生产的晶体质量。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型实施例的定位装置的示意图；

图2是图1中所示的定位装置的另一个示意图；

图3是根据本实用新型实施例的定位装置的使用示意图。

附图标记：

晶体生长炉200、炉体201、定位配合件2011、导流筒202、凹槽202a、

定位装置100、

支架1、中心轴线1a、第一支架10、支杆11、加强板12、

第一定位件2、定位孔20、

第二定位件3、第三定位件4、第二微调件5。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。

下面，参考附图，描述根据本实用新型实施例的定位装置100。

如图1-图3所示，定位装置100包括支架1和第一定位件2，第一定位件2设在支架1上，且第一定位件2适于与晶体生长炉200的炉体201可分离定位配合，以使支架1与炉体201对中，则定位装置100在使用时，可以将第一定位件2与炉体201定位配合，即可实现支架1与炉体201的对中，使得支架1的中心和炉体201的中心位于同一铅垂线上，此时支架1的中心轴线1a与炉体201的中心轴线重合设置，而且在支架1与炉体201实现对中后，可以在适当时机将第一定位件2与炉体201分离，以便于保证定位装置100不会影响晶体生长炉200的使用，同时可以实现第一定位件2与炉体201的反复定位配合，从而便于使得定位装置100可反复多次使用。

如图1-图3所示，定位装置100还包括第二定位件3，第二定位件3设在支架1上，且第二定位件3适于与晶体生长炉200的导流筒202可分离定位配合，以使支架1与导流筒202对中，则定位装置100在使用时，可以将第二定位件3与导流筒202定位配合，即可实现支架1与导流筒202的对中，使得支架1的中心和导流筒202的中心位于同一铅垂线上，此时支架1的中心轴线1a与导流筒202的中心轴线重合设置，而且在支架1与导流筒202实现对中后，可以在适当时机将第二定位件3与导流筒202分离，以便于保证定位装置100不会影响晶体生长炉200的使用，同时可以实现第二定位件3与导流筒202的反复定位配合，从而使得定位装置100可反复多次使用，则多个晶体生长炉200可以配置一个定位装置100即可。

例如，定位装置100可以实现炉体201与导流筒202的对中：可以先将导流筒202置于炉体201内，以实现导流筒202在炉体201轴向上的定位，也就是说，在后续对中过程中，在炉体201的轴向上，导流筒202不会相对炉体201发生位移；然后，可以使用定位装置100，将第一定位件2与炉体201定位配合，以实现支架1与炉体201的对中；而后，可以将导流筒202与第二定位件3定位配合，以实现支架1与导流筒202的对中，从而实现了炉体201与导流筒202在垂直于炉体201轴向的方向(例如水平方向)上的对中，提升了导流筒202的安装精度，实现了导流筒202更为严格的定位装配，提升了导流筒202安装位置的准确性，可以避免人工安装导流筒导致导流筒偏心、偏角等使得晶棒质量欠佳，进而有利于提升晶体生长炉200生产的晶体的质量。

可以理解的是，在上述过程中，当实现了支架1与导流筒202的对中时，可以将第一定位件2与炉体201分离、将第二定位件3与导流筒202分离，使得定位装置100可自晶体生长炉200上拆离，以便于实现定位装置100的重复使用，便于使得定位装置100不会影响晶体生长炉200的正常使用，即定位装置100不会干涉晶体生长炉200的使用，有利于提升定位装置100的通用性和适应性。

支架1具有中心轴线1a，在本申请中，“支架1的周向”可以理解为绕支架1的中心轴线1a的方向，“支架1的径向”可以理解为在垂直于支架1的中心轴线1a的方向；当支架1与炉体201对中后，支架1的周向即为炉体201的周向，支架1的径向即为炉体201的径向。

由此，根据本实用新型实施例的定位装置100，通过设置第一定位件2和第二定位件3，使得第一定位件2适于与炉体201可分离定位配合、第二定位件3与导流筒202可分离定位配合，可以实现支架1与炉体201的对中、支架1与导流筒202的对中，从而可以实现炉体201与导流筒202的对中，实现了导流筒202更为严格的定位装配，提升了导流筒202安装位置的准确性，可以打破导流筒202由于材料、加工工艺等对其安装精度的制约，进而有利于提升晶体生长炉200生产的晶体的质量；而且，定位装置100与晶体生长炉200可分离配合，便于实现定位装置100的重复使用。

可选地，在图1和图2的示例中，第一定位件2和第二定位件3均为软塑料件，使得第一定位件2和第二定位件3与晶体生长炉200配合时，第一定位件2和第二定位件3与晶体生长炉200的接触不会造成晶体生长炉200的划伤，有效保证了定位装置100在使用过程中对晶体生长炉200的防护。其中，软塑料件可以选用耐磨性良好的材料件，有利于延长定位装置100的使用寿命。

在一些实施例中，炉体201上具有定位配合件2011，第一定位件2适于与定位配合件2011定位配合，第一定位件2为一个，第一定位件2适于与定位配合件2011在支架1的径向和支架1的周向上定位配合，也就是说，在炉体201的径向上和炉体201的周向上，第一定位件2不会相对定位配合件2011发生位移，从而当第一定位件2与定位配合件2011定位配合时，第一定位件2和支架1的中心轴线1a之间的距离与定位配合件2011和炉体201的中心轴线之间的距离相等，以实现支架1与炉体201的对中校准。

可选地，当第一定位件2为一个时，第一定位件2可以构造成第一定位件2不会相对定位配合件2011转动，以实现支架1和炉体201的对中，例如第一定位件2上形成有定位孔20，定位配合件2011形成为定位销时，定位孔20形成为非圆形孔例如多边形孔、或椭圆形孔等，定位销的横截面形状与定位孔20相适配，使得定位销在定位孔20内不会发生相对转动，以保证支架1和炉体201的对中精度。

在另一些实施例中，如图1和图3所示，炉体201上具有定位配合件2011，第一定位件2适于与定位配合件2011定位配合，第一定位件2为多个，多个第一定位件2可以沿支架1的周向间隔设置，多个第一定位件2中的至少一个适于与定位配合件2011在支架1的径向上定位配合，且多个第一定位件2中的至少一个适于与定位配合件2011在支架1的周向上定位配合，则包括以下方案：1、多个第一定位件2中的至少一个适于与定位配合件2011在支架1的径向上定位配合，其余第一定位件2中的至少一个适于与定位配合件2011在支架1的周向上定位配合；2、多个第一定位件2中的至少一个适于与定位配合件2011在支架1的径向和支架1的周向上均定位配合，其余第一定位件2适于与定位配合件2011在支架1的径向或支架1的周向上定位配合。由此，多个第一定位件2所在圆的圆心可以位于支架1的中心轴线1a上，以实现支架1与炉体201的对中校准，则同样可以通过多个第一定位件2与定位配合件2011的定位配合，来实现支架1与炉体201的对中，有利于实现定位装置100的多样化结构设计。

例如，在图1和图2的示例中，第一定位件2为两个，其中一个第一定位件2与定位配合件2011在支架1的周向和支架1的径向上均定位配合，另一个第一定位件2与定位配合件2011仅在支架1的周向上定位配合。

可以理解的是，第一定位件2为多个时，定位配合件2011可以为多个，每个第一定位件2可以与一个定位配合件2011定位配合。

在一些实施例中，如图2和图3所示，定位配合件2011为定位销，定位销的横截面为圆形，第一定位件2为多个，每个第一定位件2上形成有与定位销定位配合的定位孔20，多个第一定位件2中的其中一个上的定位孔20为圆形孔，其余定位孔20为沿支架1的径向延伸的长圆形孔，则圆形孔与对应定位销可以在炉体201的周向和炉体201的径向上均定位配合，即圆形孔与对应定位销在炉体201的周向和炉体201的径向上均无法相对运动，长圆形孔与对应定位销可以在炉体201的周向上定位配合、且长圆形孔无法与对应定位销在炉体201的径向上定位配合，即长圆形孔与对应定位销在炉体201的周向上无法相对运动、在炉体201的径向上可以具有一定的相对运动余量，由于不同生长炉200加工误差存在差异，上述运动余量可以使得定位装置100配合多个不同的晶体生长炉200，便于在保证支架1与炉体201对中精度的前提下，避免多个第一定位件2与炉体201之间形成过定位，同时第一定位件2与定位销可快速配合、快速分离，有利于提升定位装置100与炉体201的拆装效率，有效提升导流筒202的对中效率。

其中，定位销的中心轴线可以与炉体201的中心轴线平行，定位孔20的中心轴线与支架1的中心轴线1a平行，则第一定位件2可以沿炉体201的轴向配合于定位销，以便于定位装置100与炉体201的快速组装。

例如，在图1-图3的示例中，定位销和第一定位件2分别为两个，每个定位销形成为圆锥状结构，定位销的横截面面积由下向上逐渐减小，两个第一定位件2可以均设在支架1的下侧，两个第一定位件2可以沿炉体201的径向相对设置，两个第一定位件2中、其中一个第一定位件2上的定位孔20为圆形孔，另一个第一定位件2上的定位孔20为长圆形孔，定位装置100可以由上向下配合于炉体201上。当然，第一定位件2的数量和布置方式不限于此，例如第一定位件2还可以为三个或三个以上。

可选地，在图1-图3的示例中，定位配合件2011位于炉体201的外侧，且定位配合件2011设在炉体201的上端，第一定位件2与定位配合件2011配合时，支架1可以置于炉体201上，使得炉体201可以支撑支架1，以减小第一定位件2和定位配合件2011的承载。

当然，第一定位件2与定位配合件2011之间的定位配合方式不限于定位销与定位孔20的配合，还可以为其他定位配合方式，例如卡扣配合等。

在一些实施例中，如图1-图3所示，第二定位件3为多个，且多个第二定位件3沿支架1的周向间隔设置，第二定位件3适于与导流筒202的外周面或内周面止抵配合，则所有第二定位件3可以均适于与导流筒202的外周面止抵配合，或者，所有第二定位件3可以均适于与导流筒202的内周面止抵配合，或者，所有第二定位件3中的一部分适于与导流筒202的外周面止抵配合、另一部分适于与导流筒202的内周面止抵配合。由此，多个第二定位件3所在圆的圆心可以位于支架1的中心轴线1a上，以实现支架1与导流筒202的对中校准，从而实现导流筒202与炉体201的对中，同时第二定位件3与导流筒202配合方式简单，便于在对中过程中适当调整导流筒202的位置，以实现导流筒202与炉体201的快速对中。

例如，第二定位件3可以为两个，每个第二定位件3与导流筒202的对应周面止抵配合时，即可实现导流筒202与支架1的对中。又例如，第二定位件3可以为三个或三个以上，多个第二定位件3均适于与导流筒202的内周面或外周面止抵配合，多个第二定位件3的中心通过圆弧连线，任意连线方式形成的圆弧的圆心角大于180°，可以在实现导流筒202与支架1的对中过程中，起到一定检测导流筒202内周面或外周面的圆度的作用，可以避免导流筒202加工误差较大而影响晶体生产质量；可选地，在图1和图2的示例中，第二定位件3为四个，四个第二定位件3沿支架1的周向均匀布置。

当然，本申请不限于此；在一些实施例中，第二定位件3还可以为一个，此时第二定位件3可以沿支架1的周向延伸为长条形，例如第二定位件3可以形成为圆弧形，同样可以实现支架1与导流筒202的对中校准。

可选地，第二定位件3可以形成为定位块，以简化第二定位件3的结构。

在一些实施例中，定位装置100还可以包括第一微调件，第一微调件沿支架1的径向可移动地设在第二定位件3上，且第一微调件适于与导流筒202可分离地配合，则在炉体201的径向上，第一微调件可以相对第二定位件3向外或向内移动，也就是说，第一微调件可以相对于第二定位件3移动至导流筒202配合，也可以相对于第二定位件3移动至与导流筒202分离。其中，当第一微调件移动至与导流筒202配合时，第一微调件可以与导流筒202的壁面止抵，此时如果继续移动第一微调件，可以使得第一微调件对导流筒202施加作用力，导流筒202在该作用力下相对炉体201发生微增量移动，以实现导流筒202与炉体201的对中微调整，有利于进一步保证导流筒202与炉体201的对中精度。

可以理解的是，当第二定位件3适于与导流筒202的外周面止抵配合时，第一微调件适于与导流筒202的外周面可分离地配合；当第二定位件3适于与导流筒202的内周面止抵配合时，第一微调件适于与导流筒202的内周面可分离地配合。

可选地，第一微调件可以为多个，多个第一微调件可以沿支架1的周向间隔设置，而每个第一微调件调整导流筒202沿支架1的径向微量移动，则多个第一微调件调整导流筒202的移动方向均不同，便于实现导流筒202在水平面上任意方向的微量移动；例如第二定位件3为一个，且第二定位件3沿支架1的周向延伸为长条形，多个第一微调件可以沿第二定位件3的延伸方向间隔设置，或者第二定位件3为多个，每个第二定位件3上分别设有一个第一微调件。

在一些实施例中，如图1-图3所示，定位装置100还包括第三定位件4，第三定位件4设在支架1上，且第三定位件4适于与导流筒202上的凹槽202a在支架1的周向上定位配合，以实现导流筒202绕导流筒202自身中心轴线转动角度的调整，从而实现导流筒202与炉体201在炉体201周向上的调节，实现导流筒202绕炉体201的中心轴线旋角的角度定位，可以使得凹槽202a在炉体201的周向上调整至合适位置，以便于避免导流筒202对观察窗视野的遮挡，例如可以将凹槽202a绕炉体201中心轴线转动至与观察窗对应的位置，使得观察窗处的监测装置等可以通过凹槽202a实时监测晶体生长状态，保证观察窗的视野。

需要说明的是，第三定位件4与凹槽202a在支架1的周向上定位配合，也就是说，第三定位件4与凹槽202a配合后，第三定位件4与凹槽202a在支架1的周向上不能相对运动。例如，在支架1的周向上，凹槽202a可以具有间隔设置的两侧周侧壁，第三定位件4可以与上述两侧周侧壁中的至少一个止抵配合，即可实现第三定位件4与凹槽202a在支架1周向上的定位配合。

可以理解的是，第三定位件4可以为一个或多个；第三定位件4可以形成为定位块，且第三定位件4可以根据凹槽202的具体结构设置定位块的结构，例如定位块可以形成为相对支架1中心轴线1a倾斜布置的楔形块，但不限于此。

可选地，第三定位件4为软塑料件，使得第三定位件4与晶体生长炉200配合时，第三定位件4与晶体生长炉200的接触不会造成晶体生长炉200的划伤，有效保证了定位装置100在使用过程中对晶体生长炉200的防护。

当然，本申请不限于此，第三定位件4还可以适于与导流筒202上的其他部位在支架1的周向上定位配合，例如导流筒202上形成有定位配合孔，第三定位件4可以形成为定位销，定位配合孔与定位销在支架1的周向上定位配合，同样可以实现导流筒202绕炉体201的中心轴线旋角的角度对正。

在一些实施例中，如图3所示，凹槽202a为多个，且多个凹槽202a形成在导流筒202的外周面和/或内周面上，则所有凹槽202a均形成在导流筒202的外周面上，或者所有凹槽202a均形成在导流筒202的内周面上，或者所有凹槽202a中的至少一个形成在导流筒202的内周面上、其余凹槽202a中的至少一个形成在导流筒202的外周面上。当凹槽202a形成在导流筒202的外周面上时，凹槽202a可以由导流筒202的部分外周面向内凹入形成，当凹槽202a形成在导流筒202的内周面上时，凹槽202a可以由导流筒202的部分内周面向外凹入形成。

当然，凹槽202a还可以形成在导流筒202的其他位置。

如图1-图3所示，定位装置100还包括第二微调件5，第二微调件5沿支架1的径向可移动地设在第三定位件4上，则在炉体201的径向上，第二微调件5可以相对第三定位件4向外或向内移动；第二微调件5适于与凹槽202a的在导流筒202的径向上的一侧壁面可分离地配合，也就是说，第二微调件5可以相对于第三定位件4移动至与凹槽202a的在炉体201的径向上的一侧壁面配合，也可以相对于第三定位件4移动至与凹槽202a的在炉体201的径向上的一侧壁面分离。其中，当第二微调件5移动至与凹槽202a的上述一侧壁面配合时，第二微调件5可以与凹槽202a的上述一侧壁面止抵，此时如果继续移动第二微调件5，可以使得第二微调件5对凹槽202a上述一侧壁面施加作用力，导流筒202在该作用力下相对炉体201发生微增量移动，以实现导流筒202与炉体201的对中微调整，有利于进一步保证导流筒202与炉体201的对中精度。

可选地，第二微调件5可以为多个，多个第二微调件5可以沿支架1的周向间隔设置，而每个第二微调件5调整导流筒202沿支架1的径向微量移动，则多个第二微调件调整导流筒202的移动方向均不同，便于实现导流筒202在水平面上任意方向的微量移动；例如第三定位件4为一个，第二微调件5可以为一个，或者第三定位件4为多个，每个第三定位件4上分别设有一个第二微调件5。

例如，当凹槽202a为多个时，第三定位件4可以为一个，需要对导流筒202的位置进行微调整时，可以将第三定位件4与其中一个凹槽202a定位配合，并通过对应第二微调件5实现导流筒202位置的微调整；如果还需要朝另一个方向继续调整导流筒202的位置，可以改变第三定位件4的位置使第三定位件4与另一个凹槽202a定位配合，并通过对应第二微调件5实现导流筒202位置的微调整；以此类推。又例如，当凹槽202a为多个时，第三定位件4为多个，多个第三定位件4可以沿支架1的周向间隔设置，每个第三定位件4可以对应一个凹槽202a设置，在调整导流筒202绕炉体201的中心轴线旋角的角度过程中，可以将每个第三定位件4与对应凹槽202a定位配合，此时如果需要调整导流筒202的位置，可以直接调整对应第二微调件5即可，无需改变第三定位件4的位置，便于简化操作。

可以理解的是，当凹槽202a形成在导流筒202的外周面上时，凹槽202a的开口可以朝外设置，第二微调件5适于与凹槽202a的内侧壁面可分离地配合；当凹槽202a形成在导流筒202的内周面上时，凹槽202a的开口可以朝内设置，第二微调件5适于与凹槽202a的外侧壁面可分离地配合。其中，方向“外”可以指在支架1的径向上，远离支架1的中心轴线1a的方向，其相反方向被定义为“内”。

可选地，如图1和图2所示，第二定位件3和第三定位件4分别为多个，多个第二定位件3沿支架1的周向间隔设置，多个第三定位件4也沿支架1的周向间隔设置，至少一个第二定位件3与对应第三定位件4为一体件，从而可以节省定位装置100的组装工序，提升定位装置100的加工效率。

例如，在图1和图2的示例中，第二定位件3为四个，第三定位件4为两个，两个第三定位件4与其中相邻两个第二定位件3分别对应设置，且每个第三定位件4与对应第二定位件3形成为一体件。当然，第二定位件3与第三定位件4还可以分别独立设置，则第二定位件3和第三定位件4分别不干涉地设于支架1上，此时第二定位件3与第三定位件4可以通过支架1间接相连。

可选地，在图1和图2的示例中，第二微调件5与第三定位件4螺纹配合，例如第二微调件5可以为螺栓等，以实现第二微调件5相对于第三定位件4在炉体201径向上的移动，同时使得第二微调件5具有良好的微调精度，便于作业人员操作。

在一些实施例中，如图1和图2所示，支架1形成为第一支架10，第一支架10包括多个支杆11，多个支杆11沿支架1的周向间隔设置，每个支杆11沿支架1的径向延伸，多个支杆11的径向内端相连，即所有支杆11的径向内端相连，至少一个支杆11上设有第一定位件2，至少两个支杆11上设有第二定位件3，则第一定位件2可以为一个或多个，第一定位件2为多个时，多个第一定位件2可以沿支架1的周向间隔设置，第二定位件3可以为多个，多个第二定位件3可以沿支架1的周向间隔设置。由此，支架1结构简单、具有良好的稳定性。

在另一些实施例中，支架1形成为第二支架，第二支架包括支撑架和支撑杆，支撑架形成为环形结构，支撑杆连接在支撑架的外侧，第一定位件2设在支撑杆上，第二定位件3为多个，且多个第二定位件3均设在支撑架上。由于导流筒202设于炉体201内，则导流筒202的直径小于炉体201的内径，通过将第一定位件2设在支撑杆上、第二定位件3设在支撑架上，便于实现第一定位件2与炉体201的定位配合、第二定位件3与导流筒202的定位配合。

需要说明的是，在本申请的描述中，“环形结构”应作广义理解，包括但不限于方形结构、圆形结构、多边形环状结构等。

在一些实施例中，支架1形成为第一支架10时，支杆11为三个，且三个支杆11沿支架1的周向均匀布置，相邻两个支架1之间可以大致形成120°夹角，此时第一支架10可以大致形成为Y型结构；当然，三个支杆11的布置不限于此，例如三个支杆11沿支架1的周向可以非均匀布置。或者，支架1形成为第一支架10时，支杆11为四个，其中两个支杆11均沿第一方向延伸，另外两个支杆11均沿第二方向延伸，第二方向与第一方向之间呈非零夹角，则上述其中两个支杆11可以沿炉体201的径向相对设置，上述另外两个支杆11也可以沿炉体201的径向相对设置。

可选地，在图1和图2的示例中，支架1形成为第一支架10，支杆11为四个，且其中沿炉体201的径向相对设置的两个支杆11可以为一体件，第二方向与第一方向垂直，此时支架1可以大致形成为十字型结构。

根据本实用新型第二方面实施例的晶体生长炉组件，包括晶体生长炉200和定位装置100，晶体生长炉200包括炉体201和导流筒202，导流筒202设于炉体201内，定位装置100为根据本实用新型上述第一方面实施例的定位装置100，第一定位件2适于与炉体201可分离定位配合，以使支架1与炉体201对中，第二定位件3适于与导流筒202可分离定位配合，以使支架1与导流筒202对中。

根据本实用新型实施例的晶体生长炉组件，通过采用上述的定位装置100，可以实现炉体201与导流筒202的对中，提升了导流筒202安装位置的准确性，有利于提升晶体生长炉200生产的晶体质量。

可选地，晶体生长炉200为单晶炉，但不限于此。

根据本实用新型实施例的晶体生长炉组件的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

下面参考图1-图3以一个具体的实施例详细描述根据本实用新型实施例的定位装置100。值得理解的是，下述描述仅是示例性说明，而不是对实用新型的具体限制。

如图3所示，晶体生长炉200包括炉体201和导流筒202，炉体201的外侧具有两个定位配合件2011，两个定位配合件2011沿炉体201的径向相对设置，每个定位配合件2011形成为定位销，定位销的横截面形状为圆形，定位销由下向上延伸，即定位销的横截面面积由下向上逐渐减小，导流筒202设于炉体201内，导流筒202形成为筒状结构，导流筒202的内周面上形成有多个凹槽202a，多个凹槽202a沿导流筒202的周向间隔设置。

如图1和图2所示，定位装置100包括支架1、第一定位件2、第二定位件3、第三定位件4和第二微调件5，支架1具有中心轴线1a，且支架1包括四个支杆11，每个支杆1沿支架1的径向直线延伸，四个支杆11沿支架1的周向均匀间隔设置，使得其中两个支杆11沿支架1的径向相对设置，另外两个支杆11也沿支架1的径向相对设置，使得支架1大致形成为十字型结构，上述其中两个支杆11形成为一体件；任意相邻两个支杆11之间连接有加强板12，以提升支架1的结构稳定性。

其中，支杆11可以采用空心方钢制成；但不限于此。

如图1和图2所示，第一定位件2为两个，两个第一定位件2设于支架1的下侧，且两个第一定位件2沿支架1的径向相对设置，每个第一定位件2设于对应支杆11的外端，每个第一定位件2上形成有定位孔20，定位孔20适于与对应定位销定位配合，以实现支架1与炉体201的对中；其中一个第一定位件2上的定位孔20形成为圆形孔，另一个第一定位件2上的定位孔20形成为长圆形孔，长圆形孔沿支架1的径向延伸，则圆形孔适于与对应定位销在炉体201的周向和炉体201的径向上均定位配合，长圆形孔适于与对应定位销在炉体201的周向上定位配合、在炉体201的径向上未定位配合。

如图1和图2所示，第二定位件3为四个，四个第二定位件3沿支架1的周向均匀间隔设置，每个第二定位件3形成为定位块且每个第二定位件3凸设于对应一个支杆11的下侧；第二定位件3适于与导流筒202的外周面止抵配合，以实现支架1与导流筒202的对中。

如图1和图2所示，第三定位件4和第二微调件5分别为两个，两个第三定位件4分别对应相邻两个第二定位件3设置，每个第三定位件4也形成为定位块且每个第三定位件4凸设于对应一个支杆11的下侧，每个第三定位件4与对应第二定位件3形成为一体件，每个第三定位件4设于对应第二定位件3的径向内侧；每个第三定位件4适于与对应凹槽202a在炉体201的周向上定位配合，以调节凹槽202a在炉体201的周向上的位置。

其中，每个第三定位件4形成为相对支架1中心轴线1a倾斜布置的楔形块，且每个第三定位件4上分别设有一个第二微调件5，第二微调件5与对应第三定位件4螺纹配合，使得第二微调件5可沿支架1的径向相对对应第三定位件4移动；而第二微调件5适于与凹槽202a的外侧壁面可分离地配合，则在需要微调导流筒202位置时，可以移动第二微调件5至与凹槽202a的外侧壁面止抵，使得导流筒202在第二微调件5施加的作用力下发生微量移动。

由于两个第二微调件5沿支架1的周向间隔设置，使得两个第二微调件5的移动方向不平行，以便于实现导流筒202在水平面上任意方向的微量移动。

定位装置100的使用方法如下：先将导流筒202置于炉体201内，以实现导流筒202在炉体201轴向上的定位；然后，可以使用定位装置100，将定位装置100放置在炉体201上端，将两个第一定位件2与定位配合件2011分别定位配合，以实现支架1与炉体201的对中；而后，可以将导流筒202与第二定位件3定位配合，以实现支架1与导流筒202的对中，从而实现了炉体201与导流筒202的对中；然后，如果明显看出导流筒202与多个第二定位件3之间的间隙存在较大差异，则可以调节第二微调件5以实现导流筒202在水平方向上的微量移动，提升炉体201与导流筒202的对中精度，而后，可以将凹槽202a与第三定位件4定位配合，以实现导流筒202在绕支架1周向的角度对正；最后，可以将定位装置100拆离炉体201，保持导流筒202相对炉体201不动即可。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (11)

1.一种定位装置(100)，其特征在于，包括：

支架(1)，所述支架(1)具有中心轴线(1a)；

第一定位件(2)，所述第一定位件(2)设在所述支架(1)上，且适于与所述晶体生长炉(200)的炉体(201)可分离定位配合，以使所述支架(1)与所述炉体(201)对中；

第二定位件(3)，所述第二定位件(3)设在所述支架(1)上，且适于与所述晶体生长炉(200)的导流筒(202)可分离定位配合，以使所述支架(1)与所述导流筒(202)对中。

2.根据权利要求1所述的定位装置(100)，其特征在于，所述炉体(201)上具有定位配合件(2011)，所述第一定位件(2)适于与所述定位配合件(2011)定位配合，

所述第一定位件(2)为一个，且适于与所述定位配合件(2011)在所述支架(1)的径向和所述支架(1)的周向上定位配合；或者，

所述第一定位件(2)为多个，多个所述第一定位件(2)沿所述支架(1)的周向间隔设置，至少一个所述第一定位件(2)适于与所述定位配合件(2011)在所述支架(1)的径向上定位配合，至少一个所述第一定位件(2)适于与所述定位配合件(2011)在所述支架(1)的周向上定位配合。

3.根据权利要求2所述的定位装置(100)，其特征在于，所述定位配合件(2011)为定位销，所述定位销的横截面为圆形，所述第一定位件(2)为多个，每个所述第一定位件(2)上形成有与所述定位销定位配合的定位孔(20)，所述定位孔(20)的中心轴线与所述支架(1)的中心轴线(1a)平行，多个所述第一定位件(2)中的其中一个上的所述定位孔(20)为圆形孔，其余所述定位孔(20)为沿所述支架(1)的径向延伸的长圆形孔。

4.根据权利要求1所述的定位装置(100)，其特征在于，所述第二定位件(3)为多个且沿所述支架(1)的周向间隔设置，所述第二定位件(3)适于与所述导流筒(202)的外周面或内周面止抵配合。

5.根据权利要求1所述的定位装置(100)，其特征在于，还包括：

第一微调件，所述第一微调件沿所述支架(1)的径向可移动地设在所述第二定位件(3)上，且适于与所述导流筒(202)可分离地配合。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的定位装置(100)，其特征在于，还包括：

第三定位件(4)，所述第三定位件(4)设在所述支架(1)上，且适于与所述导流筒(202)上的凹槽(202a)在所述支架(1)的周向上定位配合。

7.根据权利要求6所述的定位装置(100)，其特征在于，所述凹槽(202a)为多个且形成在所述导流筒(202)的外周面或内周面上，所述定位装置(100)还包括：

第二微调件(5)，所述第二微调件(5)沿所述支架(1)的径向可移动地设在所述第三定位件(4)上，且适于与所述凹槽(202a)的在所述导流筒(202)的径向上的一侧壁面可分离地配合；

任选地，所述第二定位件(3)和所述第三定位件(4)分别为多个，至少一个所述第二定位件(3)与对应所述第三定位件(4)为一体件。

8.根据权利要求7所述的定位装置(100)，其特征在于，所述第二微调件(5)与所述第三定位件(4)螺纹配合。

9.根据权利要求1所述的定位装置(100)，其特征在于，

所述支架(1)形成为第一支架(10)，所述第一支架(10)包括多个支杆(11)，多个所述支杆(11)沿所述支架(1)的周向间隔设置，每个所述支杆(11)沿所述支架(1)的径向延伸，多个所述支杆(11)的径向内端相连，至少一个所述支杆(11)上设有所述第一定位件(2)，至少两个所述支杆(11)上设有所述第二定位件(3)；或者，

所述支架(1)形成为第二支架，所述第二支架包括支撑架和支撑杆，所述支撑架形成为环形结构，所述支撑杆连接在所述支撑架的外侧，所述第一定位件(2)设在所述支撑杆上，所述第二定位件(3)为多个且设在所述支撑架上。

10.根据权利要求9所述的定位装置(100)，其特征在于，所述支架(1)形成为第一支架(10)时，

所述支杆(11)为三个且沿所述支架(1)的周向均匀布置；或者，

所述支杆(11)为四个，其中两个所述支杆(11)均沿第一方向延伸，另外两个所述支杆(11)均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向之间呈非零夹角。

11.一种晶体生长炉组件，其特征在于，包括：

晶体生长炉(200)，所述晶体生长炉(200)包括炉体(201)和导流筒(202)，所述导流筒(202)设于所述炉体(201)内；

定位装置(100)，所述定位装置(100)为根据权利要求1-10中任一项所述的定位装置(100)，所述第一定位件(2)适于与所述炉体(201)可分离定位配合，以使所述支架(1)与所述炉体(201)对中，所述第二定位件(3)适于与所述导流筒(202)可分离定位配合，以使所述支架(1)与所述导流筒(202)对中。

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