CN215729653U - 一种低功耗充电延时唤醒电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种低功耗充电延时唤醒电路，包括：第一场效应管，漏极用于外接唤醒信号端，源极接地；第一二极管，负极连接于所述第一场效应管的栅极，正极接地；第一三极管，集电极电性连接于所述第一场效应管的栅极，发射极接地；及第一电容，并联于所述第一三极管的基极与发射极之间。通过上述低功耗充电延时唤醒电路，通过第一电容、第一三极管、第一场效应管等元件的相互配合，实现电路的低功耗充电延时唤醒。

Description

一种低功耗充电延时唤醒电路

技术领域

本实用新型涉及电路控制领域，特别是涉及一种低功耗充电延时唤醒电路。

背景技术

随着互联网及电子终端产品的快速发展，产品对于低功耗的要求越来越高。当今芯片系统一般会有多种工作模式，包括普通模式、高速模式、休眠模式、低功耗模式等，以应对多种应用需求。当芯片不工作时，要求芯片快速进入低功耗模式，以保证设备能够超长待机，

现有技术在进入低功耗后，都是通过增加进入低功耗后的放电电流来减少唤醒时间，但是该种方式会导致供电转换电路在进入低功耗状态后，电路的静置功耗增加。因此如何降低电路的静置功耗便成了亟需解决的问题。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述降低电路的静置功耗的问题，提供一种低功耗充电延时唤醒电路。

一种低功耗充电延时唤醒电路，包括：

第一场效应管，漏极用于外接唤醒信号端，源极接地；

第一二极管，负极连接于所述第一场效应管的栅极，正极接地；

第一三极管，集电极电性连接于所述第一场效应管的栅极，发射极接地；

及第一电容，并联于所述第一三极管的基极与发射极之间。

在其中一个优选实施方式中，所述第一场效应管为N型MOS管。

在其中一个优选实施方式中，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第一电阻，一端连接于所述第一场效应管的栅极，另一端接地，且所述第一电阻与所述第一二极管并联。

在其中一个优选实施方式中，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第二电阻，一端连接于所述第一三极管的集电极与所述第一场效应管之间，另一端外接充电电压。

在其中一个优选实施方式中，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第三电阻，一端连接于所述第一场效应管的漏极，另一端外接工作电压。

在其中一个优选实施方式中，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第四电阻，一端连接于所述第一场效应管的漏极及所述第三电阻之间，另一端外接唤醒信号端。

在其中一个优选实施方式中，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第五电阻，一端连接于所述第一三极管的基极，另一端外接充电电压。

在其中一个优选实施方式中，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第六电阻，一端连接于所述第一三极管的基极，另一端接地，且所述第六电阻与所述第一电容并联。

本实用新型上述实施方式公开了一种低功耗充电延时唤醒电路，通过上述低功耗充电延时唤醒电路，通过第一电容、第一三极管、第一场效应管等元件的相互配合，实现电路的低功耗充电延时唤醒。

附图说明

图1为本实用新型一优选实施方式中的低功耗充电延时唤醒电路的电路结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，本实用新型一优选实施方式公开了一种低功耗充电延时唤醒电路100，该低功耗充电延时唤醒电路100包括第一场效应管Q11、第一二极管D1、第一三极管Q12及第一电容C1。

上述第一场效应管Q11的漏极用于外接唤醒信号端，第一场效应管Q11的源极接地；

所述第一场效应管Q11为N型MOS管。

上述第一二极管D1的负极连接于所述第一场效应管Q11的栅极，正极接地；

上述第一三极管Q12的集电极电性连接于所述第一场效应管Q11的栅极，第一三极管Q12的发射极接地；

及第一电容C1，并联于所述第一三极管Q12的基极与发射极之间。

上述低功耗充电延时唤醒电路100还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5及第六电阻R6。

具体地，上述第一电阻R1一端连接于所述第一场效应管Q11的栅极，第一电阻R1的另一端接地，且所述第一电阻R1与所述第一二极管D1并联。

上述第二电阻R2一端连接于所述第一三极管Q12的集电极与所述第一场效应管Q11之间，第二电阻R2的另一端外接充电电压。

上述第三电阻R3一端连接于所述第一场效应管Q11的漏极，第三电阻R3的另一端外接工作电压。

上述第四电阻R4一端连接于所述第一场效应管Q11的漏极及所述第三电阻R3之间，第四电阻R4的另一端外接唤醒信号端。

上述第五电阻R5一端连接于所述第一三极管Q12的基极，第五电阻R5的另一端外接充电电压。

上述第六电阻R6一端连接于所述第一三极管Q12的基极，第六电阻R6的另一端接地，且所述第六电阻R6与所述第一电容C1并联。

上述低功耗充电延时唤醒电路100的工作过程为：

深度睡眠模式下时，电路处于低功耗模式，此时唤醒信号端所接收的信号为高电平信号。当需要电路进行唤醒时，需要将该唤醒信号端所接收到的控制信号由高电平转为低电平信号，此时，本实施方式中的电路开启延时唤醒，具体地，充电电压C+对电路进行充电，由于上述第一电容C1的存在，对上述第一电容C1充满电后对地短路，因此，由于上述第一三极管Q12的基极连接于上述第一电容C1的另一端，第一三极管Q12的基极由高电平逐渐变为低电平状态，此时，第一场效应管Q11的栅极由高电平转变为低电平后再转变为高电平，这样，唤醒信号端的信号转换过程为：先低电平，接着出现短暂的延时，即下降沿再转变为低电平，进而控制电路唤醒。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，包括：

第一场效应管，漏极用于外接唤醒信号端，源极接地；

第一二极管，负极连接于所述第一场效应管的栅极，正极接地；

第一三极管，集电极电性连接于所述第一场效应管的栅极，发射极接地；

及第一电容，并联于所述第一三极管的基极与发射极之间。

2.根据权利要求1所述的低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，所述第一场效应管为N型MOS管。

3.根据权利要求1所述的低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第一电阻，一端连接于所述第一场效应管的栅极，另一端接地，且所述第一电阻与所述第一二极管并联。

4.根据权利要求1所述的低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第二电阻，一端连接于所述第一三极管的集电极与所述第一场效应管之间，另一端外接充电电压。

5.根据权利要求1所述的低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第三电阻，一端连接于所述第一场效应管的漏极，另一端外接工作电压。

6.根据权利要求5所述的低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第四电阻，一端连接于所述第一场效应管的漏极及所述第三电阻之间，另一端外接唤醒信号端。

7.根据权利要求1所述的低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第五电阻，一端连接于所述第一三极管的基极，另一端外接充电电压。

8.根据权利要求1所述的低功耗充电延时唤醒电路，其特征在于，所述低功耗充电延时唤醒电路还包括：

第六电阻，一端连接于所述第一三极管的基极，另一端接地，且所述第六电阻与所述第一电容并联。

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