CN215725709U - 一种大芯径光纤几何参数测试系统 - Google Patents
一种大芯径光纤几何参数测试系统 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型提供一种大芯径光纤几何参数测试系统,包括第一位移台、第二位移台、单波长光源、包层光剥除器及光电成像系统;第一位移台用于固定待测光纤的第一端;第二位移台用于固定待测光纤的第二端;第一位移台与第二位移台呈间隔设置,以使得待测光纤处于弯曲状态;单波长光源用于朝向待测光纤的第一端发射出单波长光束;包层光剥除器用于对待测光纤的部分包层进行剥除,以控制剥除的待测光纤中包层光的输出比例;光电成像系统用于对待测光纤的第二端输出的单波长光束进行光斑成像,并基于成像得到的光斑图像获取待测光纤的几何参数。本实用新型在对大芯径光纤进行几何参数测量时,可形成高对比度的成像光斑,确保了测量结果的准确性。
Description
技术领域
本实用新型涉及光纤测量技术领域,尤其涉及一种大芯径光纤几何参数测试系统。
背景技术
近年来,随着对特种光纤需求的与日俱增,尤其是随着大芯径光纤在高功率光纤激光器中的大量使用,大芯径光纤的几何参数测量一直没有得到很好地解决,各种不同结构的大芯径光纤的几何参数测量成为难题。目前,针对大芯径光纤的市场化的测试设备有且仅有美国的PHOTON KINETICS生产制造,此测试设备仅能测量圆形包层直径为130μm以下的光纤。
申请人在实现本申请实施例中技术方案的过程中,发现上述现有技术至少存在如下技术问题:
现有技术中的光纤几何尺寸测量只能检测常规包层通信用光纤,在对大芯径光纤进行几何参数测量时,难以形成高对比度的成像光斑,导致不能对大芯径光纤的几何参数进行准确测量。
实用新型内容
本实用新型提供一种大芯径光纤几何参数测试系统,用以解决当前在对大芯径光纤进行几何参数测量时,难以形成高对比度的成像光斑,导致测量结果不准确的问题。
本实用新型提供一种大芯径光纤几何参数测试系统,包括第一位移台、第二位移台、单波长光源、包层光剥除器及光电成像系统;所述第一位移台用于固定待测光纤的第一端;所述第二位移台用于固定待测光纤的第二端;所述第一位移台与所述第二位移台呈间隔设置,以使得所述待测光纤处于弯曲状态;所述单波长光源用于朝向所述待测光纤的第一端发射出单波长光束;所述包层光剥除器用于对所述待测光纤的部分包层进行剥除,以控制剥除的待测光纤中包层光的输出比例;所述光电成像系统用于对所述待测光纤的第二端输出的单波长光束进行光斑成像,并基于成像得到的光斑图像获取所述待测光纤的几何参数。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,还包括:环形光源;所述环形光源同轴套设于所述待测光纤的第二端;所述环形光源用于朝向所述待测光纤的第二端的出光侧发出环形光。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述单波长光束的入射方向沿所述待测光纤的第一端的中轴线排布;所述单波长光束的横截面积大于或等于所述待测光纤的第一端的端面面积。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述包层光剥除器包括油浸式包层光剥除器。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述第一位移台与所述第二位移台当中的至少一者为电控三维精密位移台,所述第一位移台与所述第二位移台安装于光学隔振平板上;和/或,所述第一位移台与所述第二位移台间隔的距离大于或等于所述待测光纤的最小弯曲半径的两倍。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述光电成像系统包括物镜变倍体与光电成像模块;所述物镜变倍体的一端朝向所述待测光纤的第二端,另一端朝向所述光电成像模块;所述物镜变倍体用于接收从所述待测光纤的第二端输出的单波长光束,并对所述单波长光束对应的光斑进行放大;所述光电成像模块用于对所述物镜变倍体出射的放大后的单波长光束进行光斑成像。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述光电成像系统还包括成像控制电路与成像控制器;所述成像控制电路与所述光电成像模块电性连接,以控制所述光电成像模块的工作状态;所述成像控制器与所述光电成像模块通讯连接,所述成像控制器用于接收所述光电成像模块采集的光斑图像,并基于所述光斑图像得到所述待测光纤的几何参数。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述第一位移台上设有第一光纤夹具,所述第一光纤夹具用于夹持所述待测光纤的第一端;所述第二位移台上设有第二光纤夹具,所述第二光纤夹具用于夹持所述待测光纤的第二端。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述第一光纤夹具与所述第二光纤夹具结构相同,均包括:底座、转臂及旋转柱;所述旋转柱可转动地设于所述底座上;所述旋转柱的旋转轴线沿所述待测光纤的延伸方向设置;所述旋转柱的侧面设有沿周向排布的多个卡槽,所述卡槽沿所述待测光纤的延伸方向设置,所述多个卡槽分别用于放置不同直径的待测光纤;所述转臂的一端与所述底座转动连接,所述转臂的另一端设有弹性压头;所述转臂的另一端能够在靠近所述旋转柱的第一位置与远离所述旋转柱的第二位置之间移动;在所述第一位置,所述弹性压头可选择性地与所述多个卡槽当中的任一者靠近,以将所述待测光纤压覆于所述卡槽中;在所述第二位置,所述弹性压头与所述卡槽分离。
根据本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,所述旋转柱为正棱柱,所述多个卡槽一一对应地设于所述正棱柱的各个侧面,所述卡槽在垂直于所述旋转轴线的平面上的截面形状为等腰三角形;和/或,所述底座上还设有锁定机构,所述锁定机构用于在转臂的另一端处于第一位置的情况下,对所述旋转柱回转的位置进行锁定。
本实用新型提供的一种大芯径光纤几何参数测试系统,通过设置第一位移台、第二位移台、单波长光源、包层光剥除器及光电成像系统,基于第一位移台与第二位移台的位置调节作用,可使得单波长光源发出的单波长光束从待测光纤的第一端输入,在经过弯曲的待测光纤的耦合传输后,从待测光纤的第二端输出,并在光电成像系统上聚焦成像,以便光电成像系统基于成像得到的光斑图像获取待测光纤的几何参数。在此过程中,由于采用包层光剥除器控制剥除的待测光纤中包层光的输出比例,可使得成像的光斑清晰地区分出纤芯、包层及背景的边界,确保光斑各层的亮度呈现出高对比度的区分,便于准确地计算出大芯径光纤的几何参数。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型提供的大芯径光纤几何参数测试系统的结构示意图;
图2是本实用新型提供的第一光纤夹具的结构示意图;
附图标记:
1:单波长光源; 2:光源驱动电路; 3:待测光纤;
4:第一位移台; 5:第二位移台; 6:包层光剥除器;
7:环形光源; 8:第一光纤夹具; 9:第二光纤夹具;
10:光电成像系统; 81:底座; 82:转臂;
83:旋转柱; 84:锁定机构; 821:弹性压头;
831:卡槽; 841:支座; 842:锁紧螺栓;
101:物镜变倍体; 102:光电成像模块; 103:成像控制电路;
104:成像控制器。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型中的附图,对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
下面结合图1-图2描述本实用新型的一种大芯径光纤几何参数测试系统。
如图1所示,本实施例提供一种大芯径光纤几何参数测试系统,包括第一位移台4、第二位移台5、单波长光源1、包层光剥除器6及光电成像系统10;第一位移台4用于固定待测光纤3的第一端;第二位移台5用于固定待测光纤3的第二端;第一位移台4与第二位移台5呈间隔设置,以使得待测光纤3处于弯曲状态;单波长光源1用于朝向待测光纤3的第一端发射出单波长光束;包层光剥除器6用于对待测光纤3的部分包层进行剥除,以控制剥除的待测光纤3中包层光的输出比例;光电成像系统10用于对待测光纤3的第二端输出的单波长光束进行光斑成像,并基于成像得到的光斑图像获取待测光纤3的几何参数。
具体地,本实施例通过设置第一位移台4、第二位移台5、单波长光源1、包层光剥除器6及光电成像系统10,基于第一位移台4与第二位移台5的位置调节作用,可使得单波长光源1发出的单波长光束从待测光纤3的第一端输入,在经过弯曲的待测光纤3的耦合传输后,从待测光纤3的第二端输出,并在光电成像系统10上聚焦成像,以便光电成像系统10基于成像得到的光斑图像获取待测光纤3的几何参数。在此过程中,由于采用包层光剥除器6控制剥除的待测光纤3中包层光的输出比例,可使得成像的光斑清晰地区分出纤芯、包层及背景的边界,确保光斑各层的亮度呈现出高对比度的区分,便于准确地计算出大芯径光纤的几何参数。
在此应指出的是,本实施例所示的待测光纤3可以为一个纤芯与一个包层的光纤,也可以为多个纤芯多个包层的光纤。本实施例所示的测试系统适用于对直径为250μm、400μm、550μm、600μm、800μm、1000μm等几种大芯径双包层光纤的几何参数测试。
与此同时,本实施例所示的单波长光源1与光源驱动电路2电性连接,光源驱动电路2可以控制单波长光源1的出光功率及单波长光源1的开启与关闭状态。
另外,本实施例所示的第一位移台4用于调节待测光纤3的第一端与单波长光源1输出的单波长光束的同轴度,本实施例所示的第二位移台5用于调节待测光纤3的第二端与下述实施例所示的环形光源7及物镜变倍体101的同轴度。
由于大芯径光纤采用的是多模式激发,本实施例通过第一位移台4与第二位移台5将待测光纤3调节为弯曲状态,可使得待测光纤3中的模式耦合,待测光纤3端面的出光亮度呈现纤芯和包层的亮度基本一致,无对比度清晰边界。因此,本实施例在测试中为了呈现出纤芯和包层的亮度对比,采用包层光剥除器6对一定量的包层光进行剥除。
进一步地,本实施例所示的包层光剥除器6优选为油浸式包层光剥除器。油浸式包层光剥除器是在待测光纤3上剥除一定长度的光纤涂层,将剥除包层后的待测光纤3浸润在高折率匹配油中,使得待测光纤3中的一部分包层光泄露出来。因此,待测光纤3的纤芯中的光通量远高于包层中的光通量,使得待测光纤3的纤芯和包层呈现出高对比度的清晰边界。在此,对待测光纤3的包层光不能完全剥除,而应根据需要,控制光纤涂层的剥除长度,即设置包层光剥除器6对待测光纤3的部分包层剥除的长度为预设长度,预设长度根据实际所需控制的包层光的输出比例而确定的。若将待测光纤3的包层光完全剥除,将导致包层光和背景对应的光斑区域均毫无亮度,成像时呈现一片黑背景,无法区分光斑中的包层和背景的边界。
与此同时,本实施例所示的油浸式包层光剥除器是将其圆孔刀刃与包层直径配合,在待测光纤3穿过圆孔刀刃时,确保处于圆孔刀刃的两侧的待测光纤3固定,控制拉拽油浸式包层光剥除器的行程达到预设长度,即可剥除涂层,此段剥除过程在高折率匹配油中进行,以较好地控制对剥除光纤涂层的大芯径的待测光纤3中包层光的比例。
针对测试对象为至少一个纤芯与至少一个包层的待测光纤,例如,三包层结构光束传输光纤与保偏大芯径双包层光纤,其中,三包层结构光束传输光纤除了纤芯,其包层呈现2种及以上不同折射率,而保偏大芯径双包层光纤的包层内有2个及以上不同形状的应力区,对于这类多层结构的待测光纤,通过包层光剥除器,已经不能满足多结构的包层光管理,对此,采取的方案是将待测光纤的外层包层光完全剥除,在待测光纤3的第二端同轴套设环形光源7,确保环形光源7朝向待测光纤3的第二端的出光侧发出环形光。如此,可利用环形光将背景点亮,改变原来完全剥除的包层光与背景出现都是黑背景的情形,变成了外包层灰度低,背景又再次灰度高,并且亮度可以由环形光源7控制,一样可以得到多层结构的待测光纤3的高对比度光斑图像。
优选地,为了提高检测精度,本实施例在一方面可基于第一位移台4对待测光纤3的第一端的位置的调控,使得单波长光源1发出的单波长光束的入射方向沿待测光纤3的第一端的中轴线排布,在另一方面,确保单波长光束的横截面积大于或等于待测光纤3的第一端的端面面积,以实现单波长光源1发出的单波长光束在待测光纤3的第一端的满注入,满足NA匹配关系,使得待测光纤3的成像端的光纤纤芯完全照亮。
进一步地,本实施例所示的第一位移台4与第二位移台5当中的至少一者为电控三维精密位移台,第一位移台4与第二位移台5安装于光学隔振平板上。
在此,本实施例可将第一位移台4与第二位移台5均设置为电控三维精密位移台,可以对待测光纤3的第一端与第二端的空间位置进行精确地调控,以便通过光电成像系统10进行聚焦成像。与此同时,本实施例基于光学隔振平板的设计,可防止在光路调节及测试中产生的振动对聚焦成像产生影响,避免因仪器的振动而引起测量误差。
其中,本实施例所示的电控三维精密位移台可以采用步进电机,滚珠丝杠等驱动机构对待测光纤3的第一端或第二端的空间位置进行调节,大幅降低振动和噪音,可实现较高的定位精度,能有效保证电控三维精密位移台的直线度、平直度等指标。
与此同时,由于光纤的质地一般较脆,过度弯曲会使得光纤受损,并影响到测量结果的准确性,本实施例在测量时,设置第一位移台4与第二位移台5间隔的距离大于或等于待测光纤3的最小弯曲半径的两倍。
如图1所示,本实施例所示的光电成像系统10包括物镜变倍体101与光电成像模块102;物镜变倍体101的一端朝向待测光纤3的第二端,另一端朝向光电成像模块102;物镜变倍体101用于接收从待测光纤3的第二端输出的单波长光束,并对单波长光束对应的光斑进行放大;光电成像模块102用于对物镜变倍体101出射的放大后的单波长光束进行光斑成像。
具体地,本实施例所示的物镜变倍体101的一端与待测光纤3的第二端的距离小于或等于第二位移台5沿待测光纤3的出光方向上的调节行程。
与此同时,物镜变倍体101是由物镜与变倍体透镜组组成,以达到与显微镜类似的连续变倍放大的功能。其中,物镜变倍体101的放大倍数一般选择20X物镜,物镜变倍体101可以自由更换倍数,其具体倍数以待测光纤3的具体直径大小为参考,其位置以待测光纤3的端面落在物镜变倍体101焦点位置为宜,不能超过第二位移台5的调节行程。
另外,考虑到当前的大芯径光纤在激光器上的应用,大芯径光纤的包层直径越来越大,通过大芯径光纤的光的成像放大倍率超过CCD成像视野的问题,导致无法测试,采用物镜变倍体101可以很好地解决该技术问题。
进一步地,本实施例所示的光电成像系统10还包括成像控制电路103与成像控制器104;成像控制电路103与光电成像模块102电性连接,以控制光电成像模块102的工作状态;成像控制器104与光电成像模块102通讯连接,成像控制器104用于接收光电成像模块102采集的光斑图像,并基于光斑图像得到待测光纤3的几何参数。
具体地,本实施例所示的光电成像模块102优选为大于300万像素以上的具有黑白成像功能的电荷耦合器,其成像视野应尽可能大,以满足更多特殊光纤成像要求。本实施例所示的光电成像模块102设于物镜变倍体101之后,以接收放大后的光斑,光信号经过光学系统的信号分析和信号变换后,对光斑进行成像。
与此同时,本实施例所示的成像控制电路103为光电成像模块102提供电力驱动,控制光电成像模块102的电源接通与否,以实现对光电成像模块102的工作状态的控制。
另外,本实施例所示的成像控制器104用于对光电成像模块102采集的光斑图像进行图像处理,可获得待测光纤3的芯径、包层直径、芯/包不同心度等几何参数。
如图2所示,为了对便于实现对待测光纤3的固定,本实施例所示的第一位移台4上设有第一光纤夹具8,第一光纤夹具8用于夹持待测光纤3的第一端;第二位移台5上设有第二光纤夹具9,第二光纤夹具9用于夹持待测光纤3的第二端。
优选地,本实施例将第一光纤夹具8与第二光纤夹具9设计为相同的结构。在此,本实施例具体对第一光纤夹具8进行具体说明。
如图2所示,为了适应于不同直径的待测光纤3的夹持,并防止对待测光纤3造成夹持损伤,本实施例所示的第一光纤夹具8设置有底座81、转臂82及旋转柱83;旋转柱83可转动地设于底座81上;旋转柱83的旋转轴线沿待测光纤3的延伸方向设置;旋转柱83的侧面设有沿周向排布的多个卡槽831,卡槽831沿待测光纤3的延伸方向设置,多个卡槽831分别用于放置不同直径的待测光纤3;转臂82的一端与底座81转动连接,转臂82的另一端设有弹性压头821;转臂82的另一端能够在靠近旋转柱83的第一位置与远离旋转柱83的第二位置之间移动;其中,在第一位置,弹性压头821可选择性地与多个卡槽831当中的任一者靠近,以将待测光纤3压覆于卡槽831中;在第二位置,弹性压头821与卡槽831分离。
在实际测试时,为了防止因检测仪器的振动而产生测试误差,本实施例同样可通过螺栓将底座81固定于光学隔振平板上。
进一步地,本实施例所示的旋转柱83优选为正棱柱,例如,旋转柱83具体可以为正六棱柱或正八棱柱。本实施例所示的多个卡槽831一一对应地设于正棱柱的各个侧面,卡槽831在垂直于旋转柱83的旋转轴线的平面上的截面形状为等腰三角形。
在此,本实施例基于对旋转柱83及旋转柱83上卡槽831的优化设计,在满足可选择性地对不同芯径的待测光纤3进行夹持的同时,确保在每一次对相应的待测光纤3的夹持位置的一致性,便于利用电控三维精密位移台对待测光纤3的位置进行调节,实现预定心式自动聚焦成像,进而实现高精度高重复性地测试。
与此同时,为了确保测试精度,本实施例在底座81上还设有锁定机构84,锁定机构84用于在转臂82的另一端处于第一位置的情况下,对旋转柱83回转的位置进行锁定。
具体地,本实施例所示的锁定机构84可包括支座841与锁紧螺栓842,支座841设于底座81上,锁紧螺栓842与支座841螺纹连接。在转臂82上的弹性压头821与旋转柱83上的卡槽831对待测光纤3形成夹持时,可通过旋转锁紧螺栓842,将锁紧螺栓842的端部与旋转柱83的侧面抵接,防止旋转柱83在测试中出现转动,从而防止待测光纤3的第二端在测试中出现振动,确保了光斑成像的稳定性,进而确保了测试精度。
综上所述,本实施例在对待测光纤的几何参数进行测试时,通过设置电控三维精密位移台、第一光纤夹具及第二光纤夹具,可实现对多种直径光纤端面成像的自动聚焦控制;通过在待测光纤的第一端通入单波长光束,基于油浸式包层光剥除器对包层光的比例控制,并在向待测光纤的第二端设置环形光,可使得待测光纤的出光端面的亮度呈现出明显的梯度对比;接着,通过物镜变倍体实现不同放大倍率来实现成像视野控制;最终配合高敏感大视野的光电成像模块,可以实现对光束传输光纤三包层结构、大芯径双包层光纤保偏结构及多应力区大芯径光纤结构等特殊结构的高对比度成像,从而为光纤几何参数测试和光纤结构设计研发提供有力的数据图像支持。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,包括:
第一位移台,所述第一位移台用于固定待测光纤的第一端;
第二位移台,所述第二位移台用于固定所述待测光纤的第二端;所述第一位移台与所述第二位移台呈间隔设置,以使得所述待测光纤处于弯曲状态;
单波长光源,所述单波长光源用于朝向所述待测光纤的第一端发射出单波长光束;
包层光剥除器,所述包层光剥除器用于对所述待测光纤的部分包层进行剥除,以控制剥除的待测光纤中包层光的输出比例;
光电成像系统,所述光电成像系统用于对所述待测光纤的第二端输出的单波长光束进行光斑成像,并基于成像得到的光斑图像获取所述待测光纤的几何参数。
2.根据权利要求1所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,还包括:环形光源;
所述环形光源同轴套设于所述待测光纤的第二端;所述环形光源用于朝向所述待测光纤的第二端的出光侧发出环形光。
3.根据权利要求1所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述单波长光束的入射方向沿所述待测光纤的第一端的中轴线排布;所述单波长光束的横截面积大于或等于所述待测光纤的第一端的端面面积。
4.根据权利要求1所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述包层光剥除器包括油浸式包层光剥除器。
5.根据权利要求1所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述第一位移台与所述第二位移台当中的至少一者为电控三维精密位移台,所述第一位移台与所述第二位移台安装于光学隔振平板上;和/或,所述第一位移台与所述第二位移台间隔的距离大于或等于所述待测光纤的最小弯曲半径的两倍。
6.根据权利要求1至5任一所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述光电成像系统包括物镜变倍体与光电成像模块;
所述物镜变倍体的一端朝向所述待测光纤的第二端,另一端朝向所述光电成像模块;所述物镜变倍体用于接收从所述待测光纤的第二端输出的单波长光束,并对所述单波长光束对应的光斑进行放大;所述光电成像模块用于对所述物镜变倍体出射的放大后的单波长光束进行光斑成像。
7.根据权利要求6所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述光电成像系统还包括成像控制电路与成像控制器;
所述成像控制电路与所述光电成像模块电性连接,以控制所述光电成像模块的工作状态;所述成像控制器与所述光电成像模块通讯连接,所述成像控制器用于接收所述光电成像模块采集的光斑图像,并基于所述光斑图像得到所述待测光纤的几何参数。
8.根据权利要求1至5任一所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述第一位移台上设有第一光纤夹具,所述第一光纤夹具用于夹持所述待测光纤的第一端;所述第二位移台上设有第二光纤夹具,所述第二光纤夹具用于夹持所述待测光纤的第二端。
9.根据权利要求8所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述第一光纤夹具与所述第二光纤夹具结构相同,均包括:底座、转臂及旋转柱;
所述旋转柱可转动地设于所述底座上;所述旋转柱的旋转轴线沿所述待测光纤的延伸方向设置;所述旋转柱的侧面设有沿周向排布的多个卡槽,所述卡槽沿所述待测光纤的延伸方向设置,所述多个卡槽分别用于放置不同直径的待测光纤;
所述转臂的一端与所述底座转动连接,所述转臂的另一端设有弹性压头;所述转臂的另一端能够在靠近所述旋转柱的第一位置与远离所述旋转柱的第二位置之间移动;
在所述第一位置,所述弹性压头可选择性地与所述多个卡槽当中的任一者靠近,以将所述待测光纤压覆于所述卡槽中;在所述第二位置,所述弹性压头与所述卡槽分离。
10.根据权利要求9所述的大芯径光纤几何参数测试系统,其特征在于,所述旋转柱为正棱柱,所述多个卡槽一一对应地设于所述正棱柱的各个侧面,所述卡槽在垂直于所述旋转轴线的平面上的截面形状为等腰三角形;
和/或,所述底座上还设有锁定机构,所述锁定机构用于对所述旋转柱回转的位置进行锁定。
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CN202121953934.9U CN215725709U (zh) | 2021-08-19 | 2021-08-19 | 一种大芯径光纤几何参数测试系统 |
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CN202121953934.9U CN215725709U (zh) | 2021-08-19 | 2021-08-19 | 一种大芯径光纤几何参数测试系统 |
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2021
- 2021-08-19 CN CN202121953934.9U patent/CN215725709U/zh active Active
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