CN215682753U - 一种5g电路板的叠层结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种5G电路板的叠层结构，涉及电路板技术领域，包括从上而下依次设置的第一PTFE高频基板、第二PTFE高频基板、第三PTFE高频基板、第四PTFE高频基板以及第五PTFE高频基板；相邻两个PTFE高频基板之间设置有PTFE高频半固化片；第一PTFE高频基板、第二PTFE高频基板均设置有镂空区域，镂空区域与电路板形成阶梯；第三PTFE高频基板内设置有天线，第一PTFE高频基板、第二PTFE高频基板均设置有镂空区域，天线的射频端延伸至所述镂空区域内；镂空区域底部设置有电磁屏蔽膜。本实用新型提供的电路板包含多个PTFE高频基板，基于该基板低DK及低DF特性，并在天线区域增加抗干扰EMI电磁屏蔽膜，满足低传输损失及低传输延迟的高频高速5G电路板需求。

Description

一种5G电路板的叠层结构

技术领域

本实用新型涉及电路板技术领域，具体涉及一种5G电路板的叠层结构。

背景技术

当前5G时代的到来，各种应用场景对于连接高速度、低延时、连接密度等要求的提高，5G射频将引入大规模天线阵列技术，需要使用频谱更宽且带宽更宽的毫米波波段进行通信。大家都知道，工作频率在1GHz以上的射频电路一般被称为高频电路，移动通信从2G到3G、4G过程中，通信频段从800MHz发展至2.5GHz，5G时代，通信频段将进一步提升。PCB板在5G射频方面将搭载天线振子、滤波器等器件，通常把30～300GHz频段内的波长为1～10毫米的电磁波称为毫米波。

现有的电路板无法满足高频高速的需求，且现有的电路板存在应对毫米波穿透力差、衰减速度快的问题。

实用新型内容

为解决现有技术问题，本实用新型提供一种5G电路板的叠层结构，包括从上而下依次设置的第一PTFE高频基板、第二PTFE高频基板、第三PTFE高频基板、第四PTFE高频基板以及第五PTFE高频基板；

相邻两个PTFE高频基板之间设置有PTFE高频半固化片；所述PTFE高频半固化片与其上下端的PTFE高频基板分别压合；

所述第一PTFE高频基板、第二PTFE高频基板均设置有镂空区域，所述镂空区域与所述电路板形成阶梯；

所述第三PTFE高频基板上端面设置有天线，所述第一PTFE高频基板、第二PTFE高频基板均设置有镂空区域，所述第一PTFE高频基板的镂空区域、第二PTFE高频基板的镂空区域均与所述天线的位置相对应，且所述天线的射频端延伸至所述镂空区域内；所述镂空区域底部设置有电磁屏蔽膜。

进一步的方案是，所述第二PTFE高频基板、第四PTFE高频基板均设置有地孔和屏蔽层。

进一步的方案是，位于所述第一PTFE高频基板和第二PTFE高频基板之间的所述PTFE高频半固化片设置有半固化片镂空区域，所述半固化片镂空区域的位置与所述镂空区域的位置对应。

进一步的方案是，所述高频半固化片为高流动性树脂。

进一步的方案是，所述天线采用50ohm阻抗。

进一步的方案是，所述天线阻抗与所述电路板的地层形成共面阻抗。

进一步的方案是，所述第二PTFE高频基板与所述第二PTFE高频基板的地层形成屏蔽。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提供的电路板包含多个PTFE高频基板，基于该基板低DK及低 DF特性，并在天线区域增加抗干扰EMI电磁屏蔽膜，满足低传输损失及低传输延迟的高频高速5G电路板需求；

本实用新型的电路板结构在压合前将控深去除区域的半固化片进行镂空，可避免天线射频端延伸至镂空区域后所形成的射频区域胶量残留。

附图说明

图1为本实用新型实施例一种5G电路板的叠层结构的结构示意图；

附图标注：10-第一PTFE高频基板；11-第二PTFE高频基板；12-第三PTFE 高频基板；13-第四PTFE高频基板；14-第五PTFE高频基板；2-PTFE高频半固化片；3-天线；4-镂空区域；5-电磁屏蔽膜；6-阶梯。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

如图1所示，本实用新型的一个实施例公开了一种5G电路板的叠层结构，包括从上而下依次设置的第一PTFE高频基板10、第二PTFE高频基板11、第三 PTFE高频基板12、第四PTFE高频基板13以及第五PTFE高频基板14；

相邻两个PTFE高频基板之间设置有PTFE高频半固化片2；PTFE高频半固化片2与其上下端的PTFE高频基板分别压合；

第一PTFE高频基板10、第二PTFE高频基板11均设置有镂空区域4，镂空区域4与电路板形成阶梯6；

第三PTFE高频基板上端面设置有天线3，第一PTFE高频基板10、第二PTFE 高频基板11均设置有镂空区域4，第一PTFE高频基板10的镂空区域4、第二 PTFE高频基板11的镂空区域4均与天线3的位置相对应，且天线3的射频端延伸至镂空区域4内；镂空区域4底部设置有电磁屏蔽膜5。

本实施例通过在第三PTFE高频基板上设置天线，其天线所对应的第一PTFE 高频基板和第二PTFE高频基板位置为避铜区域，在叠层压合后，通过控深铣的方式，将第一PTFE高频基板与第二PTFE高频基板天线射频位置去除形成阶梯状，其第三PTFE高频基板上的信号天线由第二基板与第四基板地孔与隔离层压合，并在阶梯射频区域增加电磁屏蔽膜，使得提供的电路板包含多个PTFE高频基板，基于该基板低DK及低DF特性，并在天线区域增加抗干扰EMI电磁屏蔽膜，有效解决EMI抗干扰问题，满足低传输损失及低传输延迟的高频高速5G电路板需求。

在本实施例中，为方便第三PTFE高频基板上的信号天线进行压合，第二 PTFE高频基板11、第四PTFE高频基板13均设置有地孔和屏蔽层。

在本实施例中，位于第一PTFE高频基板10和第二PTFE高频基板11之间的PTFE高频半固化片2设置有半固化片镂空区域，半固化片镂空区域的位置与镂空区域4的位置对应。本实施例通过使半固化片镂空区域和PTFE高频基板的镂空区域对应，使得两者共同形成天线的射频区域。

在本实施例中，高频半固化片2为高流动性树脂。

在本实施例中，天线3采用50ohm阻抗。

在本实施例中，天线3阻抗与电路板的地层形成共面阻抗。

在本实施例中，第二PTFE高频基板11与第二PTFE高频基板13的地层形成屏蔽。

最后说明的是，以上仅对本实用新型具体实施例进行详细描述说明。但本实用新型并不限制于以上描述具体实施例。本领域的技术人员对本实用新型进行的等同修改和替代也都在本实用新型的范畴之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作的均等变换和修改，都涵盖在本实用新型范围内。

Claims (7)

1.一种5G电路板的叠层结构，包括电路板，其特征在于：

所述电路板包括从上而下依次设置的第一PTFE高频基板(10)、第二PTFE高频基板(11)、第三PTFE高频基板(12)、第四PTFE高频基板(13)以及第五PTFE高频基板(14)；

相邻两个PTFE高频基板之间设置有PTFE高频半固化片(2)；所述PTFE高频半固化片(2)与其上下端的PTFE高频基板分别压合；

所述第一PTFE高频基板(10)、第二PTFE高频基板(11)均设置有镂空区域(4)，所述镂空区域(4)与所述电路板形成阶梯(6)；

所述第三PTFE高频基板(12)的上端面设置有天线(3)，所述第一PTFE高频基板(10)的镂空区域(4)、第二PTFE高频基板(11)的镂空区域(4)均与所述天线(3)的位置相对应，且所述天线(3)的射频端延伸至所述镂空区域(4)内；所述镂空区域(4)底部设置有电磁屏蔽膜(5)。

2.根据权利要求1所述的一种5G电路板的叠层结构，其特征在于：

所述第二PTFE高频基板(11)、第四PTFE高频基板(13)均设置有地孔和屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的一种5G电路板的叠层结构，其特征在于：

位于所述第一PTFE高频基板(10)和第二PTFE高频基板(11)之间的所述PTFE高频半固化片(2)设置有半固化片镂空区域，所述半固化片镂空区域的位置与所述镂空区域(4)的位置对应。

4.根据权利要求1所述的一种5G电路板的叠层结构，其特征在于：

所述高频半固化片(2)为高流动性树脂。

5.根据权利要求1所述的一种5G电路板的叠层结构，其特征在于：

所述天线(3)采用50ohm阻抗。

6.根据权利要求1所述的一种5G电路板的叠层结构，其特征在于：

所述天线(3)阻抗与所述电路板的地层形成共面阻抗。

7.根据权利要求1所述的一种5G电路板的叠层结构，其特征在于：

所述第二PTFE高频基板(11)与所述第四PTFE高频基板(13)的地层形成屏蔽。

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