CN206506000U - 一种对ssn具有超带宽抑制能力的新型ebg结构 - Google Patents
一种对ssn具有超带宽抑制能力的新型ebg结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,包括传统Meader L‑bridge结构单元、增强型AI‑EBG结构单元、新型嵌入式EBG结构单元,EBG金属电源层的顶部刻蚀有矩形细槽,金属接地板位于介质层的底部,且为底部的表面层上,EBG金属电源层位于介质层的顶部,且为顶部的表面层上,传统Meader L‑bridge结构单元中内嵌设置有增强型AI‑EBG结构结构单元,新型嵌入式EBG结构单元仅在电源平面进行内嵌,地平面则保持完整。本实用新型通过在传统的Meader L‑bridg结构的中心刻蚀四个完全相同且中心对称的矩形细槽,实现了超带宽抑制SSN的设计,具有超带宽抑制能力,且能抑制同步开关噪声,通过内嵌的思想,构建新型EBG结构,增加了抑制带宽,优化了Meader L‑bridgeEBG结构的抑制能力。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种EBG结构,特别涉及一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构。
背景技术
众所周知,近年来,随着科技的不断进步,现代高速数字电路也进入了快速的发展,关于同步开关噪声(SSN)的问题也变得越来越突出。让电子系统的工作频率越来越高,边沿速率越来越快,供电电压越来越低,造成电压噪声的容限下降,使得同步开关噪声(SSN,也称为地弹噪声)成为人们关注的重点。因为SSN会造成严重的信号完整性或电源完整性问题,因此在设计电路过程中,为了保证系统的正常工作,对SSN抑制变得极其重要。
虽然EBG结构被广泛应用于同步开关噪声中,然而由于高速电路的快速发展,对电路的设计提出了更高的要求,如小型化、智能化、低噪声等,而相应的EBG结构的研究仍然很薄弱,如超带宽、小型化等方面,如何兼容超带宽和小型化的设计仍然是一个难题。因此设计一款超带宽EBG结构,可以更有效地应用于高速电路中抑制同步开关噪声,提高电路的性能,具有实用价值和应用背景。
为了降低SSN对电路的影响,现有技术中人们提出了一些缓和SSN的传统方法:添加分立旁路电容器,植入嵌入式去耦电容器,板边缘匹配端接,电源平面分割以及电源岛等,这些方法虽然对SSN有了改善,然而由于其抑制带宽太窄不适用于高频噪声并且制作成本太高,并没有被设计者广泛采用而且,由于现有的抑制SSN的结构:Meader L-bridge EBG结构在抑制带宽上较窄,所以抑制能力很差。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,包括传统Meader L-bridge结构单元、增强型AI-EBG结构单元、新型嵌入式EBG结构单元,EBG金属电源层的顶部刻蚀有矩形细槽,金属接地板位于介质层的底部,且为底部的表面层上,所述EBG金属电源层位于介质层的顶部,且为顶部的表面层上,所述传统Meader L-bridge结构单元中内嵌设置有增强型AI-EBG结构结构单元,所述新型嵌入式EBG结构单元仅在电源平面进行内嵌,地平面则保持完整。
作为本实用新型的一种优选技术方案,介质为介电常数ε r =4.4,耗散因子为tanδ=0.02的FR4材料。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述介质厚度范围为0.38~0.45mm,铜箔厚度范围为0.03~0.04mm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本实用新型通过在传统的Meader L-bridg结构的中心刻蚀四个完全相同且中心对称的矩形细槽,实现了超带宽抑制SSN的设计,具有超带宽抑制能力,且能抑制同步开关噪声,对于现有的Meader L-bridgeBG结构的抑制带宽窄的缺点,本实用新型在此基础上,通过内嵌的思想,构建新型EBG结构,增加了抑制带宽,优化了Meader L-bridgeEBG结构的抑制能力。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1是本实用新型的整体结构示意图;
图2是本实用新型的传统Meader L-bridge结构单元示意图;
图3是本实用新型的增强型AI-EBG结构单元示意图;
图4是本实用新型的新型嵌入式EBG结构单元示意图;
图5是本实用新型的新型EBG结构俯视图;
图6是本实用新型的新型EBG结构侧视图;
图中:1、传统Meader L-bridge结构单元;2、增强型AI-EBG结构单元;3、新型嵌入式EBG结构单元;4、EBG金属电源层;5、矩形细槽;6、金属接地板;7、介质层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1-6所示,本实用新型提供一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,包括传统Meader L-bridge结构单元1、增强型AI-EBG结构单元2、新型嵌入式EBG结构单元3,EBG金属电源层4的顶部刻蚀有矩形细槽5,金属接地板6位于介质层7的底部,且为底部的表面层上,EBG金属电源层4位于介质层7的顶部,且为顶部的表面层上,传统Meader L-bridge结构单元1中内嵌设置有增强型AI-EBG结构结构单元2,新型嵌入式EBG结构单元3仅在电源平面进行内嵌,地平面则保持完整。
介质为介电常数ε r =4.4,耗散因子为tanδ =0.02的FR4材料,符合本实用新型的设计要求。
介质厚度范围为0.38~0.45mm,铜箔厚度范围为0.03~0.04mm,能达到更好的效果。
具体的,如附图2所示,本实用新型提出的新结构是在传统Meader L-bridge结构单元1组成的90mm×90mm周期性MeanderL-bridge结构的基础上,在电源端口所在的单元中心处14mm×14mm区域内嵌入一个增强型AI-EBG结构。
如附图3所示,为增强型AI-EBG结构单元2,该结构是基于传统AI-EBG,通过增加金属连接臂得到的小尺寸增强型EBG结构。
如附图4所示,通过在传统Meader L-bridge结构单元1中内嵌增强型AI-EBG结构单元2所示的小尺寸增强型EBG结构,最终得到了新型的嵌入式EBG(ML-AI EBG)结构。此结构仅在电源平面进行内嵌,地平面则保持完整。
如附图5所示,在验证此结构对SSN抑制能力时,可以共设定5个50的集总同轴端口,其中端口a作为输入端口,端口b、端口c、端口d和端口e作为输出端口,各端口位置均设置在各单元中心。
本实用新型对同步开关噪声的抑制有更好的特性,由于EBG结构具有在一定的带宽范围内禁止电磁波传播的特性,因此对SSN的抑制具有很大的优势。较其他一些传统方法,它具有宽噪声抑制带隙,高抑制能力的特点,在滤波器和天线方面得到广泛的发展该结构在传统Meander L-bridge结构的基础上,通过内嵌增强型AI-EBG结构,调节狭缝宽度和桥连线的结构,提高了传统Meander L-bridge结构的抑制带宽,使得EBG结构有了更好的SSN抑制能力。
也可以通过Anosoft HFSS V13软件对此结构进行电磁仿真,来验证此新结构的电源噪声抑制能力,本实用新型在在抑制深度为-30dB时,新型内嵌EBG结构的噪声抑制效果很好,阻带范围为380Mhz~14GHz,并且覆盖了所有所设置的端口,具有超带宽抑制能力。
通过构造微带线仿真模型,通过观察微带线传输系数S31,该结构形成了超带宽抑制,且具有带隙特性优异的特点,可以应用于高速电路设计中,有效地改善电路各项性能。通过使用Ansoft HFSS软件对该电磁带隙结构进行数据仿真分析,结果表明,此结构具有传统Meader L-bridge结构不具有的超带宽抑制能力。在抑制深度为-30dB时,其抑制范围为0.38~13.9GHz,比传统的Meader L-bridge的抑制带宽增加了将近9.2GHz。最后,通过时域眼图仿真验证了该结构的信号传输特性。
传统的Meader L-bridge EBG结构的阻带频率仅仅覆盖390MHz到4.7GHz的频段,其上截止频率远不及本实用新型所达到的14GHz;从噪声抑制强度上看,在所提出的结构的阻带频率上,传统的Meader L-bridge EBG结构的抑制深度也普遍不及本实用新型的新结构设计。由此得出,新型EBG结构对于SSN的抑制具有良好的特点。
本实用新型设计的这款新型EBG结构,是基于传统Meader L-bridge EBG,在其基础上进行内嵌增强型AI-EBG结构。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,包括传统Meader L-bridge结构单元(1)、增强型AI-EBG结构单元(2)、新型嵌入式EBG结构单元(3),其特征在于,EBG金属电源层(4)的顶部刻蚀有矩形细槽(5),金属接地板(6)位于介质层(7)的底部,且为底部的表面层上,所述EBG金属电源层(4)位于介质层(7)的顶部,且为顶部的表面层上,所述传统Meader L-bridge结构单元(1)中内嵌设置有增强型AI-EBG结构结构单元(2),所述新型嵌入式EBG结构单元(3)仅在电源平面进行内嵌,地平面则保持完整。
2.根据权利要求1所述的一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,其特征在于,介质为介电常数ε r =4.4,耗散因子为tanδ =0.02的FR4材料。
3.根据权利要求2所述的一种对SSN具有超带宽抑制能力的新型EBG结构,其特征在于,所述介质厚度范围为0.38~0.45mm,铜箔厚度范围为0.03~0.04mm。
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CN110112576A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-09 | 华东交通大学 | 一种双频多层电磁带隙结构 |
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