CN106450599A - 一种集成薄膜型窄带带阻滤波器及其设计方法 - Google Patents
一种集成薄膜型窄带带阻滤波器及其设计方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106450599A CN106450599A CN201610599790.9A CN201610599790A CN106450599A CN 106450599 A CN106450599 A CN 106450599A CN 201610599790 A CN201610599790 A CN 201610599790A CN 106450599 A CN106450599 A CN 106450599A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- band
- film
- thin
- frequency
- wave filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 29
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 2
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
本发明属于磁性材料与元器件领域，涉及高频微波电磁器件，高频磁性薄膜，尤其涉及一种集成薄膜型窄带带阻滤波器及其设计方法。本发明将磁性薄膜与共面波导集成，通过在薄膜平面不同方向施加角磁场，形成非单一频点窄带带阻滤波器，克服了多个谐振腔的复杂设计，结构简单，缩小了器件体积。能够在超高频(SHF,3‑30GHz)，极高频(EHF,30‑300GHz)范围内对干扰信号进行衰减，而不影响有信号，满足了非单一频带内对噪声谐波进行抑制的需求。并且可以结合薄膜技术和微电子光刻工艺，实现滤波器的制作，工艺简单，容易实现。
Description
技术领域
本发明属于磁性材料与元器件领域，涉及高频微波电磁器件，高频磁性薄膜，尤其涉及一种集成薄膜型窄带带阻滤波器及其设计方法。
背景技术
随着大功率电子器件的出现，电子器件工作频率的提高以及电子产品集成度的增加，电磁干扰，电磁噪声问题也日益突出，各类高频滤波器也应运而生。
而由于电子设备电磁环境的复杂性，往往在多个频率带内都存在高频干扰谐波，为了抑制其对有用信号的干扰，需要一种能够在多个频带内，抑制通信带内某些频率范围内的干扰信号的滤波器。申请号为200910243284.6的中国专利公开了一种N个谐振腔组通过重叠排列来获得多频带带阻滤波器响应的拓扑结构，但其器件设计复杂。
另外，由于电子技术的高频化，小型化发展，滤波器也随之趋于小型化，片式化，集成化发展，出现了将传输线与磁性薄膜集成的噪声抑制器，例如基于微带线和共面波导传输线(Coplanar Waveguide,CPW)的噪声抑制器。这类滤波器的衰减机制主要是由于磁性薄膜的铁磁共振损耗，涡流损耗和多层器件结构的L-C谐振损耗。在高频电磁场中，当电磁信号沿着传输线传播，经过噪声抑制器时，有用信号可以顺利传输，高频噪声信号谐波会以某一频率为中心，在一定的频带内大大衰减，从而起到滤波的作用。但其抑制频段单一，并不能满足复杂的高频电磁环境。
发明内容
针对上述存在问题或不足，为解决普通噪声抑制器抑制频段单一和谐振腔重叠排列式多频带带阻滤波器器件设计复杂的技术问题，本发明设计了一种集成薄膜型窄带带阻滤波器。
该集成薄膜型窄带带阻滤波器，对高频噪声谐波的衰减作用示意图如图1所示。
其模型结构截面示意图如图2所示，从下至上依次包括介质基片、共面波导传输线、绝缘层和磁性薄膜。还包括一个施加在磁性薄平面内的偏置磁场。
所述介质基片为高阻Si基片(R>2000Ω·cm)。
所述偏置磁场大于1250Oe，与薄膜长度方向即X方向夹角为α。
所述磁性薄膜层尺寸小于绝缘层尺寸，以保证磁性薄膜与共面波导传输线完全绝缘。
进一步的，所述集成薄膜型窄带带阻滤波器，α＝0°时，为双频点；α≠0°时，为多频点。
进一步的，所述共面波导传输线为高电导率金属材料Cu，绝缘层为聚苯酰胺或者SiO2；磁性薄膜为软磁性能优异的铁磁材料，如FeCo合金薄膜或CoNbZr合金薄膜。
其设计方法具体包括以下步骤：
步骤1：在HFSS三维电磁仿真软件新建设计工程。
步骤2：选择求解类型。
步骤3：建立三维模型结构，并给各层材料分配材料参数。
步骤:4：指定模型外部边界条件，设置波端口和激励源，沿薄膜平面施加的偏置磁场，所述磁场与X方向夹角为α。
步骤5：设置求解频率。
步骤6：运行仿真和计算，包括创建初始网络和最终仿真得到双端口S参数。
步骤7：优化确定滤波器最终各项参数。
本发明通过绝缘层的隔离，在介质基片上集成共面波导和软磁薄膜。最后沿薄膜平面内添加一角磁场，能够在12GHz频率以上范围，形成非单一频点的窄带带阻滤波器。本发明克服了多个谐振腔的复杂设计，结构简单，缩小了器件体积。能够在超高频(SHF,3-30GHz)，甚至极高频(EHF,30-300GHz)范围内对干扰信号进行衰减，而不影响有用信号，满足了非单一频带内对噪声谐波进行抑制的需求。并且可以结合薄膜技术和微电子光刻工艺，实现滤波器的制作，工艺简单，容易实现。
目前有三种理论可以解释薄膜对噪声信号的衰减机制，分别如下：
其一，铁磁共振损耗。当微波磁场的频率与铁磁性物质的磁化强度进动频率相同时，微波磁场中的能量被铁磁性物质最大程度吸收，并通过阻尼作用将能量损耗。铁磁共振效应的微观机理是量子的跃迁。在外加磁场的作用下，薄膜内部磁矩重新排列，趋向于外加磁场的方向。特别地，对于非晶磁性薄膜，在外磁场的作用下，各向异性更加明显，薄膜内局部磁化强度进动频率也不相同。所以当具有一定频带范围的微波信号通过时，铁磁共振现象会在某个频点或者多个频点发生，在铁磁共振频率一定频率范围进行能量的吸收与损耗，实现对该频段的高频电磁噪声的衰减。
其二，涡流损耗。铁磁性薄膜在高频交变磁场条件下产生感生电流。磁场频率大，涡流也越强。也就是说，在高频电磁场中，涡流损耗是不可避免的。并且这种信号的衰减发生在整个频率范围内，因此工作信号和噪声信号都会受到影响，应当适当增大薄膜的电阻率，避免涡流损耗的产生。
其三，L-C谐振损耗。从图2本发明设计的集成薄膜型窄带带阻滤波器的截面结构示意图可以看到，从上往下依次是，磁性薄膜/绝缘层/共面波导/介质基片的多层结构。磁性薄膜是分布电感的主要来源，多层结构是分布电容的主要来源，另一部分分布电容由信号传输线与地线以及磁性薄膜与地线产生。可以通过改变绝缘层的厚度，和磁性薄膜的厚度改变共振频率。
综上所述，本发明设计简单，频段不单一，工艺简单。
附图说明
图1为本发明设计的滤波器对噪声信号的衰减作用示意图；
图2为本发明设计的滤波器的截面结构示意图；
图3为本发明设计的特征阻抗为50Ω的共面波导传输线；
图4为在图3的共面波导上集成软磁薄膜形成的滤波器仿真模型；
图5为在图4模型中H＝4400Oe，α＝0°时的S参数仿真结果；
图6为在图4模型中H＝4400Oe，α＝30°时的S参数仿真结果；
图7为在图4模型中H＝4400Oe，α＝45°时的S参数仿真结果；
图8为在图4模型中H＝4400Oe，α＝60°时的S参数仿真结果；
图9为在图4模型中H＝4400Oe，α＝90°时的S参数仿真结果；
附图标记：1-高阻单晶Si基片，2-共面波导传输线，3-绝缘层，4-磁性薄膜。
具体实施方式
结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
新建HFSS工程，建立共面波导模型，如图3所示。通过仿真优化，确定了共面波导参数，使其特征阻抗为50Ω，满足阻抗匹配条件。其中，基片为单晶Si基片(相对介电常数εr＝11.9)，厚度500um；共面波导层的金属材料为长4000um，厚2um的Cu，中间信号线宽度W＝100um，两边接地线宽度G＝500um，信号线与接地线之间的间隙为55um。
在设计好的共面波导传输线上通过SiO2层绝缘，集成CoNbZr合金薄膜。其模型结构如图4所示，截面示意图如图2所示。所述SiO2层长3610um，宽642um，厚0.2um；为了保证在工艺实现时能够充分绝缘，磁性薄膜的尺寸不超出绝缘层，因此CoNbZr合金薄膜层的尺寸确定为长3600um，宽632um，厚2um。设置磁性薄膜材料参数，ΔH＝150Oe，相对磁导率μ＝200，电导率σ＝169500S/m，4πMs＝10000Gauss。
然后分配波端口激励源，沿薄膜平面施加偏置磁场。在本实施例中，H＝4400Oe，与X方向夹角为α。设置求解频率18GHZ，在2～40GHz范围内进行扫频，运行仿真。
由图5至图9中仿真双端口S参数结果可以看到，本发明的器件结构有非常好的软磁薄膜共面波导模拟结果。上面的实线是S21，下面虚线是S11。S21是端口2匹配时，从端口1传到端口2的微波损耗情况曲线。
可以看到当α＝0°时，S21曲线只有中心频率分别为12.7GHz，35.1GHz的两个尖峰，即可以形成双阻带带阻滤波器。
在0°<α≦90°时，S21曲线在24.1GHz处出现了一个低尖峰，且衰减峰比较窄，表明在2-40GHz内本发明设计的集成共面波导器件可以形成一个三频点窄带带阻滤波器。在S21曲线尖峰左右小区间展开峰，可以得到滤波器的-3dB带宽。在不同角的偏置磁场下，窄带带阻滤波器的插入损耗均小于0.7dB。
对于三频点窄带带阻滤波器，随着α从30°到90°变化，低端阻带中心频率从15.9GHz逐渐向高频方向移动到22GHz。虽然其带宽很宽，但阻带内抑制比较小，在中心频率处，衰减为2.7dB左右，滤波效果不明显。中端阻带和高端阻带中心频率并不随α的变化而变化，分别稳定在24.1GHz和35.1GHZ，带宽分别为200MHz和300MHz。
图6可知，外加30°角磁场的中端阻带最大抑制为11.6dB，高端阻带最大抑制为15.4dB；图7可知，外加45°角磁场的中端阻带最大抑制为6.65dB，高端阻带最大抑制为15.9dB；图8可知，外加60°角磁场的中端阻带最大抑制为11.0dB，高端阻带最大抑制为15.6dB；图9可知，外加90°角磁场的中端阻带最大抑制6.4dB，高端阻带最大抑制为11.35dB。
综上，可以在薄膜平面内施加大小为4400Oe，与长度方向成30°角的磁场，获得的三频点窄带带阻滤波器滤波效果最好。低端阻带范围13.9GHz-17.5GHz，中心频率15.9GHz，阻带抑制2.58dB；中端阻带范围23.8GHz-24.4GHz，中心频率24.1GHz，阻带抑制11.6dB；高端阻带范34.5GHz-36.0GHz，中心频率35.2GHz，阻带抑制15.4dB。
综上所述，可得，通过集成共面波导和软磁薄膜，并在薄膜平面内施加一角磁场，可以形成非单一频点窄带带阻滤波器，其阻带的抑制特性、阻带之间通带的传输特性都非常好，符合滤波器设计要求。
Claims (6)
1.一种集成薄膜型窄带带阻滤波器，从下至上依次包括介质基片、共面波导传输线、绝缘层和磁性薄膜，其特征在于：
还包括一个施加在磁性薄平面内的偏置磁场，偏置磁场大于1250Oe，与薄膜长度方向即X方向夹角为α；
介质基片为高阻Si基片，R>2000Ω·cm；
所述磁性薄膜为软磁性能优异的铁磁材料，其尺寸不超过绝缘层尺寸，以保证磁性薄膜与共面波导传输线完全绝缘。
2.如权利要求1所述集成薄膜型窄带带阻滤波器，其特征在于：所述α＝0°时，为双频点；α≠0°时，为多频点。
3.如权利要求1所述集成薄膜型窄带带阻滤波器，其特征在于：所述共面波导传输线为高电导率金属材料Cu。
4.如权利要求1所述集成薄膜型窄带带阻滤波器，其特征在于：所述绝缘层为聚苯酰胺或SiO2。
5.如权利要求1所述集成薄膜型窄带带阻滤波器，其特征在于：所述磁性薄膜为FeCo合金薄膜或CoNbZr合金薄膜。
6.如权利要求1所述集成薄膜型窄带带阻滤波器，其设计方法具体包括以下步骤：
步骤1、在HFSS三维电磁仿真软件新建设计工程；
步骤2、选择求解类型；
步骤3、建立三维模型结构，并给各层材料分配材料参数；
步骤4、指定模型外部边界条件，设置波端口和激励源，沿薄膜平面施加偏置磁场，磁场与X方向夹角为α，偏置磁场大于1250Oe；
步骤5、设置求解频率；
步骤6、运行仿真和计算，包括创建初始网络和最终仿真得到双端口S参数；
步骤7、优化确定滤波器最终各项参数。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610599790.9A CN106450599B (zh) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 一种集成薄膜型窄带带阻滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610599790.9A CN106450599B (zh) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 一种集成薄膜型窄带带阻滤波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106450599A true CN106450599A (zh) | 2017-02-22 |
| CN106450599B CN106450599B (zh) | 2019-10-01 |
Family
ID=58185124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610599790.9A Expired - Fee Related CN106450599B (zh) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 一种集成薄膜型窄带带阻滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106450599B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108427655A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-08-21 | 合肥工业大学 | 一种基于对数正态滤波器的局部频率估计算法 |
| CN112186315A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-05 | 努比亚技术有限公司 | 一种双频滤波器和移动终端 |
| CN112490602A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-03-12 | 电子科技大学 | 一种基于多层结构的THz导波调控装置 |
| CN114005720A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-01 | 北京航空航天大学 | 太赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法 |
| CN114583425A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-06-03 | 电子科技大学 | 基于周期波纹衬底上磁性薄膜的可调宽频段带阻滤波器 |
| CN115630703A (zh) * | 2022-12-19 | 2023-01-20 | 材料科学姑苏实验室 | 一种超导量子计算芯片及其制备方法 |
| CN115640711A (zh) * | 2021-07-17 | 2023-01-24 | 深圳市芯瑞微电子有限公司 | 一种自适应方向的网格划分方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101017922A (zh) * | 2006-12-11 | 2007-08-15 | 电子科技大学 | 静磁表面波带通滤波器 |
| CN101909419A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-12-08 | 电子科技大学 | 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法 |
| CN105225833A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-01-06 | 电子科技大学 | 一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法 |
-
2016
- 2016-07-27 CN CN201610599790.9A patent/CN106450599B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101017922A (zh) * | 2006-12-11 | 2007-08-15 | 电子科技大学 | 静磁表面波带通滤波器 |
| CN101909419A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-12-08 | 电子科技大学 | 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法 |
| CN105225833A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-01-06 | 电子科技大学 | 一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| A. CISMARU ; R. MARCELLI: "CPW Magnetostatic wave Band Stop Resonators", 《2005 EUROPEAN MICROWAVE CONFERENCE》 * |
| 李明洋: "《HFSS电磁仿真设计应用详解》", 30 April 2010 * |
| 郝桂杰: "射频集成纳米软磁薄膜的性能和应用研究", 《中国博士学位论文全文数据库》 * |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108427655A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-08-21 | 合肥工业大学 | 一种基于对数正态滤波器的局部频率估计算法 |
| CN108427655B (zh) * | 2018-02-01 | 2021-04-02 | 合肥工业大学 | 一种基于对数正态滤波器的局部频率估计方法 |
| CN112186315A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-05 | 努比亚技术有限公司 | 一种双频滤波器和移动终端 |
| CN112490602A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-03-12 | 电子科技大学 | 一种基于多层结构的THz导波调控装置 |
| CN115640711A (zh) * | 2021-07-17 | 2023-01-24 | 深圳市芯瑞微电子有限公司 | 一种自适应方向的网格划分方法 |
| CN115640711B (zh) * | 2021-07-17 | 2024-04-19 | 芯瑞微(上海)电子科技有限公司 | 一种自适应方向的网格划分方法 |
| CN114005720A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-01 | 北京航空航天大学 | 太赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法 |
| CN114005720B (zh) * | 2021-11-09 | 2022-10-14 | 北京航空航天大学 | 太赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法 |
| CN114583425A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-06-03 | 电子科技大学 | 基于周期波纹衬底上磁性薄膜的可调宽频段带阻滤波器 |
| CN114583425B (zh) * | 2022-03-21 | 2023-03-21 | 电子科技大学 | 基于周期波纹衬底上磁性薄膜的可调宽频段带阻滤波器 |
| CN115630703A (zh) * | 2022-12-19 | 2023-01-20 | 材料科学姑苏实验室 | 一种超导量子计算芯片及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106450599B (zh) | 2019-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106450599B (zh) | 一种集成薄膜型窄带带阻滤波器 | |
| CN1874053B (zh) | 加载扇形微带分支的小型化谐波抑制带通滤波器 | |
| AU2017206716B2 (en) | Frequency selective limiter | |
| US9300028B2 (en) | Frequency selective limiter | |
| CN207165728U (zh) | 一种结构紧凑的超宽带带通滤波器 | |
| Zhou et al. | Coplanar quarter-wavelength quasi-elliptic filters without bond-wire bridges | |
| US9711839B2 (en) | Frequency selective limiter | |
| Kazerooni et al. | Size reduction and harmonic suppression of rat-race hybrid coupler using defected microstrip structure | |
| CN112563704A (zh) | 基于介质集成悬置线的自封装宽阻带带通滤波器 | |
| Li et al. | Single-layer slow-wave substrate integrated waveguide with enhanced capacitance | |
| Xiao et al. | Novel compact split ring stepped-impedance resonator (SIR) bandpass filters with transmission zeros | |
| JP2018531560A6 (ja) | フィルタリング装置およびフィルタ | |
| JP2018531560A (ja) | フィルタリング装置およびフィルタ | |
| US20160013538A1 (en) | Multi-Mode Filter with Resonators and Connecting Path | |
| Salahun et al. | Ferromagnetic composite-based and magnetically-tunable microwave devices | |
| CN110492209B (zh) | 一种基于多层lcp电路技术的自封装超宽带平衡滤波器 | |
| WO2021117355A1 (ja) | 誘電体導波管共振器及び誘電体導波管フィルタ | |
| Her et al. | Coplanar waveguide (CPW) defected ground structure (DGS) for bandpass filter application | |
| Moradian et al. | Optimum design of microstrip parallel coupled-line band-pass filters for multi-spurious pass-band suppression | |
| JPH0671162B2 (ja) | マイクロストリツプバンドパスフイルタ | |
| CN116234284A (zh) | 一种集成式薄膜噪声抑制器 | |
| Nedil et al. | Ultra-wideband bandpass filters using multilayer slot coupled transitions | |
| CN107681235A (zh) | 一种结构紧凑的超宽带带通滤波器 | |
| Kunwer et al. | High performance wide stopband lowpass filter using complementary split ring resonators as defected ground plane | |
| Gitzel et al. | Integration Concept for a Self-Biased Ka-Band Circulator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20191001 |