CN215601455U - 抗谐振人工智能音箱 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及智能音箱技术领域，具体公开一种抗谐振人工智能音箱，包括：壳体，所述壳体的内部设有容置腔，所述容置腔包括设有安装孔的第一腔壁和与所述第一腔壁相对设置的第二腔壁；扬声器，所述扬声器的一端固设于所述安装孔处，另一端伸入所述容置腔中；减震组件，所述减震组件用于抑制所述扬声器的轴向振动，其一端与所述扬声器另一端的端面连接，另一端与所述第二腔壁连接。本实用新型提供的抗谐振人工智能音箱，能有效抑制扬声器的谐振运动，进而减少THD失真、提高音质。

Description

抗谐振人工智能音箱

技术领域

本实用新型涉及智能音箱技术领域，尤其涉及一种抗谐振人工智能音箱。

背景技术

如图1所示，常见的人工智能音箱包括壳体1和扬声器2，壳体1的一表面设有安装孔101，扬声器2包括盆架201和固设于盆架201上的磁路系统202，盆架201的一端固设于安装孔101处。

盆架201较薄，容易形变，扬声器2工作时，盆架201犹如一个弹片，沿轴向方向往复跳动，磁路系统202会随盆架201而振动，最终导致谐振现象的产生。谐振会对磁路系统202产生严重干扰，导致异响和杂音等不良。

对于人工智能音箱而言，谐振过大还会导致THD失真(总谐波失真)偏大、音质下降和唤醒率降低等，极大地降低了人工智能音箱的智能化程度。

因此，需要对现有的人工智能音箱进行改进，以解决其扬声器容易产生谐振的问题。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于，提供一种抗谐振人工智能音箱，能有效抑制扬声器的谐振运动，进而减少THD失真、提高音质。

为达以上目的，本实用新型提供一种抗谐振人工智能音箱，包括：

壳体，所述壳体的内部设有容置腔，所述容置腔包括设有安装孔的第一腔壁和与所述第一腔壁相对设置的第二腔壁；

扬声器，所述扬声器的一端固设于所述安装孔处，另一端伸入所述容置腔中；

减震组件，所述减震组件用于抑制所述扬声器的轴向振动，其一端与所述扬声器另一端的端面连接，另一端与所述第二腔壁连接。

可选的，所述减震组件包括软质垫片和刚性支架。

可选的，所述软质垫片为硅胶垫片或者橡胶垫片。

可选的，所述软质垫片、刚性支架和扬声器三者的轴线重合。

可选的，所述软质垫片远离所述刚性支架的一侧顶紧所述扬声器，所述软质垫片靠近所述刚性支架的一侧与所述刚性支架固接，所述刚性支架远离所述软质垫片一端的端面与所述第二腔壁固接。

可选的，所述软质垫片靠近所述刚性支架的一侧的面积大于所述刚性支架靠近所述软质垫片一端的端面的面积。

可选的，所述软质垫片的厚度为4mm～6mm。

可选的，所述扬声器包括固设于所述安装孔处的盆架和固设于盆架的磁路系统；

所述减震组件位于所述磁路系统和第二腔壁之间。

本实用新型的有益效果在于：提供一种抗谐振人工智能音箱，扬声器与第二腔壁之间设有减震组件，减震组件能有效抑制扬声器轴向方向的谐振运动，进而减少THD失真、提升音质和提高唤醒率等，极大地提高了人工智能音箱的智能化程度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为背景技术提供的传统人工智能音箱的结构示意图；

图2为实施例提供的抗谐振人工智能音箱的结构示意图。

图中：

1、壳体；101、安装孔；102、容置腔；1021、第一腔壁；1022、第二腔壁；

2、扬声器；201、盆架；202、磁路系统；

3、减震组件；301、软质垫片；302、刚性支架。

具体实施方式

为使得本实用新型的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而非全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。当一个组件被认为是“设置在”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中设置的组件。

此外，术语“长”“短”“内”“外”等指示方位或位置关系为基于附图所展示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本实用新型，而不是指示或暗示所指的装置或原件必须具有此特定的方位、以特定的方位构造进行操作，以此不能理解为本实用新型的限制。

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

本实用新型提供一种抗谐振人工智能音箱，能有效抑制扬声器的谐振运动，进而减少THD失真、提高音质。

具体地，参见图2，所述抗谐振人工智能音箱包括壳体1、扬声器2和减震组件3。

所述壳体1的内部设有容置腔102，所述容置腔102包括设有安装孔101的第一腔壁1021和与所述第一腔壁1021相对设置的第二腔壁1022。所述扬声器2包括一端固设于安装孔101中的盆架201和固接于盆架201另一端的磁路系统202，所述磁路系统202位于所述容置腔102中。所述减震组件3用于抑制所述扬声器2的轴向振动，其一端与所述磁路系统202的端面连接，另一端与所述第二腔壁1022连接。

可以理解的是，本实施例提供的抗谐振人工智能音箱，扬声器2与第二腔壁1022之间设有减震组件3，减震组件3能有效抑制扬声器2轴向方向的谐振运动，进而减少THD失真、提升音质和提高唤醒率等，极大地提高了人工智能音箱的智能化程度。

可选的，所述减震组件3包括软质垫片301和刚性支架302，所述软质垫片301、刚性支架302和扬声器2三者的轴线重合。所述软质垫片301远离所述刚性支架302的一侧顶紧所述扬声器2，所述软质垫片301靠近所述刚性支架302的一侧与所述刚性支架302固接，所述刚性支架302远离所述软质垫片301一端的端面与所述第二腔壁1022固接。本实施例中，所述软质垫片301与所述刚性支架302粘接。

具体地，刚性支架302可以提供可靠的支撑力，有效制止扬声器2的轴向跳动，软质垫片301则具有一定的形变能力，能有效对扬声器2的谐振运动导致的位置变化作出补偿，保证减震组件3时刻顶紧扬声器2。

本实施例中，所述软质垫片301为硅胶垫片或者橡胶垫片。于一些其它的实施例中，软质垫片301也可由其它具备一定形变能力的软质材料制成。

可选的，所述软质垫片301靠近所述刚性支架302的一侧的面积大于所述刚性支架302靠近所述软质垫片301一端的端面的面积，以便保证刚性支架302与扬声器2之间充分柔性接触。

不同厚度的软质垫片301起到的抗谐振效果不同，厚度过大，形变量过大，支撑力不足，难以抑制扬声器2的谐振运动；厚度过小，软质垫片301不能紧贴扬声器2，难以对扬声器2的振动位移进行补偿。据实验表明，当所述软质垫片301的厚度为4mm～6mm时，整体的抗谐振效果较好。本实施例中，所述软质垫片301的厚度为5mm时，抗谐振效果最佳。

本实施例提供的抗谐振人工智能音箱具备以下优点：

①第一腔壁1021与扬声器2固接，减震组件3与第二腔壁1022固接，然后减震组件3顶紧扬声器2，进而对盆架201的轴向振动进行有效控制，且能对第一腔壁1021和第二腔壁1022的共振起有效的抑制作用；

②能在不影响人工智能音箱原有特性的条件下，明显控制人工智能音箱抗谐振现象，增强了抗谐振控制能力，即可以降低人工智能音箱的THD失真，又能优化人工智能音箱的音质，还能提升人工智能音箱的唤醒率，从根本上提升了人工智能音箱的智能化程度。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种抗谐振人工智能音箱，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体的内部设有容置腔，所述容置腔包括设有安装孔的第一腔壁和与所述第一腔壁相对设置的第二腔壁；

扬声器，所述扬声器的一端固设于所述安装孔处，另一端伸入所述容置腔中；

减震组件，所述减震组件用于抑制所述扬声器的轴向振动，其一端与所述扬声器另一端的端面连接，另一端与所述第二腔壁连接。

2.根据权利要求1所述的抗谐振人工智能音箱，其特征在于，所述减震组件包括软质垫片和刚性支架。

3.根据权利要求2所述的抗谐振人工智能音箱，其特征在于，所述软质垫片为硅胶垫片或者橡胶垫片。

4.根据权利要求2所述的抗谐振人工智能音箱，其特征在于，所述软质垫片、刚性支架和扬声器三者的轴线重合。

5.根据权利要求4所述的抗谐振人工智能音箱，其特征在于，所述软质垫片远离所述刚性支架的一侧顶紧所述扬声器，所述软质垫片靠近所述刚性支架的一侧与所述刚性支架固接，所述刚性支架远离所述软质垫片一端的端面与所述第二腔壁固接。

6.根据权利要求5所述的抗谐振人工智能音箱，其特征在于，所述软质垫片靠近所述刚性支架的一侧的面积大于所述刚性支架靠近所述软质垫片一端的端面的面积。

7.根据权利要求5所述的抗谐振人工智能音箱，其特征在于，所述软质垫片的厚度为4mm～6mm。

8.根据权利要求1所述的抗谐振人工智能音箱，其特征在于，所述扬声器包括固设于所述安装孔处的盆架和固设于盆架的磁路系统；

所述减震组件位于所述磁路系统和第二腔壁之间。

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