CN215580377U - 一种基于ttl器件的串口防倒灌电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于TTL器件的串口防倒灌电路，其包括第一双极性晶体管(1)、第二双极性晶体管(2)、第三双极性晶体管(3)及第四双极性晶体管(4)，第一双极性晶体管(1)的发射极连接串口芯片侧的RX2通讯端，其集电极连接第三双极性晶体管(3)的集电极；其发射极连接MCU器件侧的RX通讯端；第二双极性晶体管(2)的发射极连接串口芯片侧的TX2通讯端，其集电极连接第四双极性晶体管(4)的集电极；其发射极连接MCU器件侧的TX通讯端；第一双极性晶体管(1)及第二双极性晶体管(2)的基极连接于串口芯片的上电工作电平VD1。第三双极性晶体管(3)及第四双极性晶体管(4)的基极连接于MCU器件的上电工作电平VD2。
Description
技术领域
本实用新型涉及电气技术领域，尤其涉及一种基于TTL器件的串口防倒灌电路。
背景技术
目前，串行通信接口标准被广泛用在计算机和各种外备、工业控制中的主控与各种设备间的通信连接。但现有的串行通信技术存在以下一些不足：一是该标准采用共地的传输形式，容易产生共模干扰；二是传输接口发生故障时没有相应的故障预警，且无法判断主机或外设串口故障。所以目前的串口连接设备中一般都会设置有隔离防倒灌模块。
在实际应用中，当串口芯片与MCU器件一同使用时，如果串口直连的双方器件有一方不需要供电工作时，要注意一方电流对另一方电流的倒灌导致未供电的芯片继续工作的情况。这种情况也可能会造成芯片工作异常，系统紊乱。又或者是在MCU通过串口下载代码的场景中，当MCU需要复位以实现下载时，发现复位不成功，或者启动信息不能完全打印，也是由于串口芯片与MCU器件之间的电流倒灌原因造成的。传统防倒灌电路中一般是采用二极管，但是二极管只能防止串口TX引脚上的电流倒灌，不能防止串口RX引脚上的电流倒灌。因此本领域中需要一种可以同时防止串口TX，RX引脚上的电流倒灌的防倒灌电路。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题之一是提供一种基于TTL器件的串口防倒灌电路，所述基于TTL器件的串口防倒灌电路包括第一双极性晶体管1、第二双极性晶体管2、第三双极性晶体管3及第四双极性晶体管4，其中第一双极性晶体管1的发射极连接串口芯片侧的RX2通讯端，第一双极性晶体管1的集电极连接第三双极性晶体管3的集电极；第三双极性晶体管3的发射极连接MCU器件侧的RX通讯端；第二双极性晶体管2的发射极连接串口芯片侧的TX2通讯端，第二双极性晶体管2的集电极连接第四双极性晶体管4的集电极；第四双极性晶体管4的发射极连接MCU器件侧的TX通讯端；第一双极性晶体管1及第二双极性晶体管2的基极连接于串口芯片的上电工作电平VD1。第三双极性晶体管3及第四双极性晶体管4的基极连接于MCU器件的上电工作电平VD2。
在一个实施例中，第四双极性晶体管4的基极与发射极之间设置有并联电阻5。
与现有技术相比，本实用新型的发明点如下：
本实用新型中利用两组双极性晶体管置于串口芯片与MCU器件之间，从而实现了串口芯片与MCU器件之间的TX、RX通讯接口的完全隔离。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例共同用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是根据本实用新型一实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图1对本实用新型作进一步地详细说明。
本实用新型的基于TTL器件的串口防倒灌电路包括第一双极性晶体管1、第二双极性晶体管2、第三双极性晶体管3及第四双极性晶体管4，其中第一双极性晶体管1的发射极连接串口芯片侧的RX2通讯端，第一双极性晶体管1的集电极连接第三双极性晶体管3的集电极；第三双极性晶体管3的发射极连接MCU器件侧的RX通讯端。
第二双极性晶体管2的发射极连接串口芯片侧的TX2通讯端，第二双极性晶体管2的集电极连接第四双极性晶体管4的集电极；第四双极性晶体管4的发射极连接MCU器件侧的TX通讯端。
第一双极性晶体管1及第二双极性晶体管2的基极连接于串口芯片的上电工作电平VD1。第三双极性晶体管3及第四双极性晶体管4的基极连接于MCU器件的上电工作电平VD2。
同时，第四双极性晶体管4的基极与发射极之间设置有并联电阻5。
当串口芯片通电进行工作的时，串口芯片的上电工作电平VD1有电，则第一双极性晶体管1及第二双极性晶体管2打开，但由于第三双极性晶体管3及第四双极性晶体管4未打开，电流无法流至MCU器件侧；
同理，当MCU器件通电进行工作的时，MCU器件的上电工作电平VD2有电，则第三双极性晶体管3及第四双极性晶体管4打开，但由于第一双极性晶体管1及第二双极性晶体管2未打开，电流无法流至串口芯片侧；
只有当串口芯片和MCU器件均上电工作的时候，即串口芯片的上电工作电平VD1和MCU器件的上电工作电平VD2均上电时，才能保证电流流通，此时串口芯片侧的TX2、RX2通讯端与MCU器件侧的TX、RX通讯端实现通讯。
本实用新型的以上所述，仅为本实用新型的具体实施案例，本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术的技术人员在本实用新型所述的技术规范内，对本实用新型的修改或替换，都应在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种基于TTL器件的串口防倒灌电路，其特征在于，所述基于TTL器件的串口防倒灌电路包括第一双极性晶体管(1)、第二双极性晶体管(2)、第三双极性晶体管(3)及第四双极性晶体管(4)，其中第一双极性晶体管(1)的发射极连接串口芯片侧的RX2通讯端，第一双极性晶体管(1)的集电极连接第三双极性晶体管(3)的集电极；第三双极性晶体管(3)的发射极连接MCU器件侧的RX通讯端；第二双极性晶体管(2)的发射极连接串口芯片侧的TX2通讯端，第二双极性晶体管(2)的集电极连接第四双极性晶体管(4)的集电极；第四双极性晶体管(4)的发射极连接MCU器件侧的TX通讯端；第一双极性晶体管(1)及第二双极性晶体管(2)的基极连接于串口芯片的上电工作电平VD1，第三双极性晶体管(3)及第四双极性晶体管(4)的基极连接于MCU器件的上电工作电平VD2。
2.如权利要求1所述的基于TTL器件的串口防倒灌电路，其特征在于，所述第四双极性晶体管(4)的基极与发射极之间设置有并联电阻(5)。
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| CN202122222533.2U CN215580377U (zh) | 2021-09-14 | 2021-09-14 | 一种基于ttl器件的串口防倒灌电路 |
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2021
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