CN215342603U - 一种微led点阵结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种微LED点阵结构，包括蓝宝石衬底、N型层、P型层、绝缘保护层、透明导电层、金属条形电极和金属电极，所述N型层平行分布，所述P型层在所述N型层上呈点阵分布，所述绝缘保护层覆盖所述P型层并同时覆盖到所述N型层的端部附近，且所述绝缘保护层于所述P型层的顶面上设有开口，所述透明导电层设置在所述绝缘保护层的开口中的所述P型层上，所述金属条形电极平行地分布，并每个所述金属条形电极分别对应连接所述P型层，所述金属条形电极覆盖所述P型层的顶面，所述透明导电层与所述金属条形电极导电，所述金属电极设置在所述N型层的端部上。这种微LED点阵结构能降低生产成本和难度，实际应用效果好，散热效果也较佳。

Description

一种微LED点阵结构

技术领域

本实用新型涉及半导体发光技术领域，特别是涉及一种微LED点阵结构。

背景技术

随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐渐提高，LED的应用越来越广泛，从单个的LED芯片逐步发展到微LED点阵，而LED芯片的结构包括衬底和设置在衬底上的P型半导体层、N型半导体层；微LED点阵就是LED微缩化和矩阵化，是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，将像素点距离从毫米级降低至微米级，一般采用共N电极的工艺，P电极单独驱动已控制各个像素点的点亮；现时的LED点阵一般有将一颗颗LED芯片组装成整体的点阵来实现，由于微LED阵列中设有多个LED芯片，这种微LED点阵中LED数量多的情况下散热效果便也相应较差，实际应用效果并不好，而且不便于像素点距离较低的级别加工生产，生产成本较高。

实用新型内容

本实用新型的目的是：提供一种生产成本低，实际应用性好，而且散热效果也较好的微LED点阵结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种微LED点阵结构。

一种微LED点阵结构，包括蓝宝石衬底、N型层、P型层、绝缘保护层、透明导电层、金属条形电极和金属电极，所述N型层为沿X方向延伸成直条形并沿Y方向在所述蓝宝石衬底上平行分布有数个，所述P型层在所述N型层上沿X和Y方向呈点阵分布有数个，所述绝缘保护层覆盖所述P型层并同时覆盖到所述绝缘保护层直到所述N型层的端部附近，且所述绝缘保护层于所述P型层的顶面上设有开口，所述透明导电层设置在所述绝缘保护层的开口中的所述P型层上，且所述透明导电层凸出到所述绝缘保护层上，所述金属条形电极沿X方向平行地分布有数个，并每个所述金属条形电极分别沿Y方向对应延伸地连接数个所述P型层，所述金属条形电极覆盖所述P型层的顶面，所述透明导电层与所述金属条形电极导电，所述金属电极设置在所述N型层的端部上。

作为本实用新型的优选方案，所述绝缘保护层于所述P型层顶面上的开口尺寸小于所述P型层的顶面尺寸。

作为本实用新型的优选方案，所述透明导电层的顶面尺寸小于等于所述P型层的顶面尺寸，并且所述透明导电层的顶面尺寸大于所述绝缘保护层于所述P型层上的刻蚀开口尺寸。

作为本实用新型的优选方案，所述透明导电层的材料为ITO。

作为本实用新型的优选方案，所述金属条形电极和所述金属电极的材料为Cr、Al、Ti、Pt、Au中的一种或多种。

作为本实用新型的优选方案，所述绝缘保护层为绝缘材料制成的DBR层。

作为本实用新型的优选方案，所述蓝宝石衬底为磨薄的衬底。

本实用新型实施例一种微LED点阵结构与现有技术相比，其有益效果在于：这种微LED点阵结构能降低生产成本和难度，实际应用效果好，散热效果也较佳。

附图说明

图1是本实用新型一种实施例的安装结构正视图；

图2是图1中A－A处视向的截面结构示意图；

图3是图1中B－B处视向的截面结构示意图；

图中，1、蓝宝石衬底；2、绝缘保护层；3、透明导电层；4、金属条形电极；5、金属电极。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

在本实用新型的描述中，应当理解的是，除非另有明确的规定和限定，本实用新型中采用术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型的描述中，还需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的机或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

参考图1－3，本实用新型实施例的一种微LED点阵结构，其特征在于：按工艺的先后顺序包括蓝宝石衬底1、N型层、P型层、绝缘保护层2、透明导电层3、金属条形电极4和金属电极5，所述N型层为沿X方向延伸成直条形并沿Y方向在所述蓝宝石衬底1上平行分布有数个，所述P型层在所述N型层上沿X和Y方向呈点阵分布有数个，所述绝缘保护层2覆盖所述P型层并同时覆盖到所述绝缘保护层2直到所述N型层在X方向上的端部附近，且所述绝缘保护层2于所述P型层的顶面上设有开口，所述透明导电层3设置在所述绝缘保护层2的开口中的所述P型层上，且所述透明导电层3凸出到所述绝缘保护层2上，所述金属条形电极4沿X方向平行地分布有数个，并每个所述金属条形电极4分别沿Y方向对应延伸地连接数个所述P型层，所述金属条形电极4覆盖所述P型层的顶面，所述透明导电层3与所述金属条形电极4导电，所述金属电极5设置在所述N型层在X方向上的左右两端部上；每个所述P型层所在与所述N型层之间即构成点阵中的芯片，所述P型层与N型层在所述蓝宝石衬底1上生成并经过相应刻蚀后，然后镀上所述绝缘保护层2将其进行覆盖保护和反射，仅在P型层的顶面上和N型层的两端留出让位，故通过镀上所述透明导电层3在所述绝缘保护层2的开口中与所述P型层导电和通光，镀上所述金属条形电极4即可将沿Y方向排列的P型层纵向排列导电连接，其中金属条形电极4与透明导电层3附着抵接通电，同时金属条形电极4作为条形电极接电时能够同时将各个P型层所在的芯片热量导出，配合在N型层的两端镀上的金属电极5让沿X方向延伸的N型层横向上共N极导电，这种微LED点阵结构无需将一颗颗LED芯片组装，并能因应最终点阵灯珠的安装要求在后续再通过较少工艺步骤即可设置成正装或倒装应用，低成本地制成微LED点阵，例如正装应用时通过在所述金属条形电极4上开设对应所述P型层的开孔，使得从点阵正面发光，而金属条形电极4的两端和点阵之间的部分可导电连接焊盘或金属支架等导热，蓝宝石衬底1也能帮助导热，又例如倒装应用时金属条形电极4和金属电极5直接大面积地连接焊盘或金属支架导热；故这种微LED点阵结构在最终是正装或倒装应用中均能通过金属条形电极4提升散热，实际应用方便。

参考图2和3，示例性的，所述绝缘保护层2于所述P型层顶面上的开口尺寸小于所述P型层的顶面尺寸，很好地将所述P型层的顶面以所述绝缘保护层2覆盖和保护，并便于镀透明导电层4与P型层导电。

参考图2和3，示例性的，所述透明导电层3凸出所述绝缘保护层2的顶面尺寸小于等于所述P型层的顶面尺寸，并且所述透明导电层3的顶面尺寸大于所述绝缘保护层2于所述P型层上的刻蚀开口尺寸，使所述透明导电层3在所述条形金属层4和所述P型层之间具有最优的导电和透光效果。

参考图2和3，示例性的，所述透明导电层3的材料为ITO，ITO为铟锡金属氧化物的缩写，其形成的铟锡氧化膜具有很好的导电性和透明性。

参考图2和3，示例性的，所述金属条形电极4和所述金属电极5的材料为Cr、Al、Ti、Pt、Au中的一种或多种。

参考图2和3，示例性的，所述绝缘保护层2为绝缘材料制成的DBR层，既能保护所述P型层和所述N型层，又只需较少的层数便可得到高反射率，同时通过DBR层将光线向所述蓝宝石衬底1射出，让微LED点阵用于倒装连接时具有更加佳的发光效果。

参考图2和3，示例性的，所述蓝宝石衬底1为磨薄的衬底，通过减小所述蓝宝石衬底1的厚度来尽可能提升倒装的发光效果。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种微LED点阵结构，其特征在于：包括蓝宝石衬底、N型层、P型层、绝缘保护层、透明导电层、金属条形电极和金属电极，所述N型层为沿X方向延伸成直条形并沿Y方向在所述蓝宝石衬底上平行分布有数个，所述P型层在所述N型层上沿X和Y方向呈点阵分布有数个，所述绝缘保护层覆盖所述P型层并同时覆盖到所述绝缘保护层直到所述N型层的端部附近，且所述绝缘保护层于所述P型层的顶面上设有开口，所述透明导电层设置在所述绝缘保护层的开口中的所述P型层上，且所述透明导电层凸出到所述绝缘保护层上，所述金属条形电极沿X方向平行地分布有数个，并每个所述金属条形电极分别沿Y方向对应延伸地连接数个所述P型层，所述金属条形电极覆盖所述P型层的顶面，所述透明导电层与所述金属条形电极导电，所述金属电极设置在所述N型层的端部上。

2.根据权利要求1所述的一种微LED点阵结构，其特征在于：所述绝缘保护层于所述P型层顶面上的开口尺寸小于所述P型层的顶面尺寸。

3.根据权利要求1所述的一种微LED点阵结构，其特征在于：所述透明导电层的顶面尺寸小于等于所述P型层的顶面尺寸，并且所述透明导电层的顶面尺寸大于所述绝缘保护层于所述P型层上的刻蚀开口尺寸。

4.根据权利要求1所述的一种微LED点阵结构，其特征在于：所述透明导电层的材料为ITO。

5.根据权利要求1－4任一所述的一种微LED点阵结构，其特征在于：所述绝缘保护层为绝缘材料制成的DBR层。

6.根据权利要求5所述的一种微LED点阵结构，其特征在于：所述蓝宝石衬底为磨薄的衬底。

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