CN215265606U - 防腐蚀的ito导电膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种防腐蚀的ITO导电膜，包括基材层，还包括通过涂布工艺涂设在所述基材层的一面上的树脂阻挡层，通过磁控溅射工艺镀设在所述树脂阻挡层上的光匹配打底层，通过磁控溅射工艺镀设在所述光匹配打底层上的ITO导电层和通过磁控溅射工艺镀设在所述ITO导电层上的阻挡封盖层，所述树脂阻挡层的折射率为1.6‑1.7，厚度为700‑1000nm，所述光匹配打底层的折射率为1.4‑1.5，厚度为5‑15nm，所述阻挡封盖层的折射率为1.4‑2.4，厚度为1‑15nm。光学性能优异，起到较好的阻水阻氧等阻隔作用，阻挡玻璃盖板中析出的钠离子对ITO导电膜的腐蚀侵害，耐腐蚀性能更佳，并在使用及生产过程中，ITO导电膜受析出粒子影响较小，清晰寿命长，更适合于大屏显示所有人机交互领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种防腐蚀的ITO导电膜。
背景技术
现有技术中，由于薄膜应用材料的发展，与ITO玻璃一样，ITO FILM也越来越多的应用到了电子信息材料上，比如说应用在LCD、OLED显示器基板上，触摸屏上探测电极上，显示器模组的电磁屏蔽上等等。如何在这些产品的生产加工过程中，合理使用ITO FILM材料，也慢慢为电子制造行业所重视。现用到ITO film的TP类型GFF,G1F等，一般FILM材料为PET，通常在PET上通过打底层镀设ITO，导致玻璃盖板中析出的钠离子会对ITO膜层有腐蚀，银浆附着力较差，环测性能差，并且其产品在高温高湿下，会出现泛碱发白现象。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种防腐蚀的ITO导电膜。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种防腐蚀的ITO导电膜，包括基材层，还包括通过涂布工艺涂设在所述基材层的一面上的树脂阻挡层，通过磁控溅射工艺镀设在所述树脂阻挡层上的光匹配打底层，通过磁控溅射工艺镀设在所述光匹配打底层上的ITO导电层和通过磁控溅射工艺镀设在所述ITO导电层上的阻挡封盖层，
所述树脂阻挡层的折射率为1.6-1.7，厚度为700-1000nm，
所述光匹配打底层的折射率为1.4-1.5，厚度为5-15nm，
所述阻挡封盖层的折射率为1.4-2.4，厚度为1-15nm。
在某些实施方式中，所述阻挡封盖层为二氧化硅层，折射率为1.46，厚度为10-15nm，或者所述阻挡封盖层为氧化铌层，折射率为2.3，厚度为1-5nm。
在某些实施方式中，所述树脂阻挡层为掺有氧化锆粒子、氧化铝粒子或者氧化钛粒子的丙烯酸树脂层，折射率为1.63-1.65，厚度为800-1000nm。
在某些实施方式中，所述光匹配打底层为二氧化硅层，折射率为1.46。
在某些实施方式中，所述基材层为PET层, 厚度为50um，100um，125um或者188um。
在某些实施方式中，所述ITO导电层的厚度为15-80nm。
本实用新型的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的（但不限于）具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型提供了一种防腐蚀的ITO导电膜，在PET基材层上涂设较高折射率的树脂阻挡层，并在ITO导电层上设置一层阻挡封盖层，光学性能优异，起到较好的阻水阻氧等阻隔作用，阻挡玻璃盖板中析出的钠离子对ITO导电膜的腐蚀侵害，耐腐蚀性能更佳，并在使用及生产过程中，ITO导电膜受析出粒子影响较小，清晰寿命长，更适合于大屏显示如信息设备、智能家电、公共设备、工业控制等所有人机交互领域。
附图说明
图1为防腐蚀的ITO导电膜示意图；
其中: 10、基材层；11、树脂阻挡层；12、光匹配打底层；13、ITO导电层；14、阻挡封盖层。
具体实施方式
如图1所示，一种防腐蚀的ITO导电膜，包括PET基材层10，还包括通过涂布工艺涂设在所述基材层10的一面上的掺有氧化铝粒子的丙烯酸树脂的树脂阻挡层11，镀设在所述树脂阻挡层11上的二氧化硅光匹配打底层12，镀设在光匹配打底层12上的ITO导电层13，镀设在所述ITO导电层13上的二氧化硅阻挡封盖层14，
PET基材层10的厚度为125um，
掺有氧化铝粒子的丙烯酸树脂的树脂阻挡层11的折射率为1.63-1.65，厚度为800nm，
二氧化硅光匹配打底层12的折射率为1.46，厚度为10nm，
ITO导电层13的折射率为1.9，厚度为50nm，
二氧化硅阻挡封盖层14的折射率为1.46，厚度为10nm。
一种制备所述防腐蚀的ITO导电膜的方法，包括以下步骤：
步骤一：在PET基材层10的一面上通过涂布工艺涂设掺有氧化铝粒子的丙烯酸树脂的树脂阻挡层11；
步骤二：在掺有氧化铝粒子的丙烯酸树脂的树脂阻挡层11上通过磁控溅射工艺镀设二氧化硅光匹配打底层12；
步骤三：在二氧化硅光匹配打底层12上通过磁控溅射工艺镀设ITO导电层13；
步骤四：在ITO导电层13上通过磁控溅射工艺镀设二氧化硅阻挡封盖层14，制作完成。
本实用新型一种防腐蚀的ITO导电膜，在PET基材层上涂设较高折射率的树脂阻挡层，并在ITO导电层上设置一层阻挡封盖层，光学性能优异，起到较好的阻水阻氧等阻隔作用，阻挡玻璃盖板中析出的钠离子对ITO导电膜的腐蚀侵害，耐腐蚀性能更佳，并在使用及生产过程中，阻挡来自玻璃侧的ITO胶以及PET基材层侧析出的粒子对ITO导电膜侵入，整体具有较好的光学匹配度，清晰寿命长，更适合于大屏显示如信息设备、智能家电、公共设备、工业控制等所有人机交互领域。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种防腐蚀的ITO导电膜，包括基材层（10），其特征在于：还包括通过涂布工艺涂设在所述基材层（10）的一面上的树脂阻挡层（11），通过磁控溅射工艺镀设在所述树脂阻挡层（11）上的光匹配打底层（12），通过磁控溅射工艺镀设在所述光匹配打底层（12）上的ITO导电层（13）和通过磁控溅射工艺镀设在所述ITO导电层（13）上的阻挡封盖层（14），
所述树脂阻挡层（11）的折射率为1.6-1.7，厚度为700-1000nm，
所述光匹配打底层（12）的折射率为1.4-1.5，厚度为5-15nm，
所述阻挡封盖层（14）的折射率为1.4-2.4，厚度为1-15nm。
2.根据权利要求1所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述阻挡封盖层（14）为二氧化硅层，折射率为1.46，厚度为10-15nm，或者所述阻挡封盖层（14）为氧化铌层，折射率为2.3，厚度为1-5nm。
3.根据权利要求2所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述树脂阻挡层（11）为掺有氧化锆粒子、氧化铝粒子或者氧化钛粒子的丙烯酸树脂层，折射率为1.63-1.65，厚度为800-1000nm。
4.根据权利要求3所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述光匹配打底层（12）为二氧化硅层，折射率为1.46。
5.根据权利要求1所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述基材层（10）为PET层,厚度为50um，100um，125um或者188um。
6.根据权利要求1所述的防腐蚀的ITO导电膜，其特征在于：所述ITO导电层（13）的厚度为15-80nm。
Priority Applications (1)
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| CN202121257263.2U CN215265606U (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 防腐蚀的ito导电膜 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN215265606U true CN215265606U (zh) | 2021-12-21 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN202121257263.2U Active CN215265606U (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 防腐蚀的ito导电膜 |
Country Status (1)
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2021
- 2021-06-08 CN CN202121257263.2U patent/CN215265606U/zh active Active
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