CN215070043U - 一种钙钛矿-hit三结太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型揭示了一种钙钛矿‑HIT三结太阳能电池，包括沿设定方向依次层叠的第一透明封装件、第一封装胶膜、钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件、第二封装胶膜、钙钛矿单结太阳能电池组件和第二透明封装件；其中，所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的正极与所述钙钛矿单结太阳能电池组件的正极相连，所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的负极与所述钙钛矿单结太阳能电池组件的负极相连。本实用新型提供的钙钛矿‑HIT三结太阳能电池，通过四端连接的方式可以将合适带隙的单结钙钛矿电池和钙钛矿‑HIT两端太阳能电池连接可以方便的获得三结钙钛矿‑HIT叠层电池，更加充分的利用太阳能。
Description
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿-HIT三结太阳能电池。
背景技术
近些年来，随着研究的不断深入，钙钛矿电池取得突飞猛进的发展，效率由最初的3.8％增长到25.5％，被誉为“光伏领域的新希望”。HIT异质结电池吸收光谱短(300-1200nm)，但其对短波光吸收利用率低而限制效率，而钙钛矿对短波到可见光波长(300-800nm)利用率相当高。在HIT电池上叠加钙钛矿电池可以有效的增加对太阳光不同波长的吸收范围，获得更高的转化效率。
而增加多带隙的太阳能电池可以更加有效的利用太阳光，三结串联太阳能电池的理论效率为48.6％，常规的串联叠层的方式随着电池数量的增加，工艺的复杂性和成本都会大大增加。如用两端方式制备的钙钛矿-钙钛矿叠层电池需要涉及到上层电池制备过程对底部钙钛矿电池的影响，顶部电池的溶剂会较容易破坏底部钙钛矿电池，在制备过程中造成困难，增加制备过程中的问题；直接四端连接的钙钛矿-异质结电池的电压，电流失配较大，需要较为复杂的连接方式连接，增加了连接成本。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种钙钛矿-HIT三结太阳能电池，以克服现有技术中存在的不足。
为实现前述目的，本实用新型实施例采用的技术方案包括：
本实用新型实施例提供了一种钙钛矿-HIT三结太阳能电池，包括沿设定方向依次层叠的第一透明封装件、第一封装胶膜、钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件、第二封装胶膜、钙钛矿单结太阳能电池组件和第二透明封装件；其中，所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的正极、负极分别与所述钙钛矿单结太阳能电池组件的正极、负极电连接。
进一步地，所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件包括若干个叠瓦串联的叠层电池单元，且底部叠层电池单元具有抛光面；所述叠层电池单元包括第一栅极、HIT电池层、导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二栅极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，所述第一栅极为栅线，所述第一栅极和第二栅极均包括主栅和副栅，且相邻的叠层电池单元之间的主栅叠置设置。
更进一步地，所述叠层电池单元包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二栅极，且所述HIT电池层的顶端面为所述叠层电池单元的P侧。
在一些较为具体的实施例中，所述第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um，所述第一栅极的材质可以选自Ag、Al、Au中的任意一种金属，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述HIT电池层的厚度为110-180um。
在一些较为具体的实施例中，所述导电基底可以选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料等中的任意一种，但不局限于此；其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm。
在一些较为具体的实施例中，所述电子传输层的厚度为10-50nm，所述电子传输层的材质可以选自TiO2、ZnO2、SnO2等中的任意一种，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm，钙钛矿层的结构式可以是MAPbI3(MA的结构式为CH3NH3+)、FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3(FA的结构式为CH3NH2NH3 +)中的任意一种，但不限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述空穴传输层的厚度为10-30nm，所述空穴传输层的材质可以选自NiOx：Cu，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um，所述第二栅极的材质可以选自Ag、Al、Au中的任意一种金属，但不局限于此。
更进一步地，所述叠层电池单元包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和第二栅极，且所述HIT电池层的顶端为N侧。
在一些较为具体的实施例中，所述第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um，所述第一栅极的材质可以选自Ag、Al、Au中的任意一种金属，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述HIT电池层的厚度为110-180um。
在一些较为具体的实施例中，所述导电基底可以选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料等中的任意一种，但不局限于此；其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm。
在一些较为具体的实施例中，所述空穴传输层的厚度为15-40nm，所述空穴传输层的材质可以选自NiOx，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm，钙钛矿层的结构式可以是MAPbI3(MA的结构式为CH3NH3+)、FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3(FA的结构式为CH3NH2NH3 +)中的任意一种，但不限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述电子传输层的厚度为20-50nm，所述电子传输层的材质可以选自PCBM、TiOx、SnO2、ZnSnOx等中的任意一种，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um，所述第二栅极的材质可以选自Ag、Al、Au中的任意一种金属，但不局限于此。
进一步地，所述钙钛矿单结太阳能电池组件包括若干个串联设置的钙钛矿单结电池单元，所述钙钛矿单结电池单元包括导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，且所述钙钛矿层为MAPbIxBr3-x层或FA0.75Cs0.175MA0.075PbIxBr3-x层，其中，MA的结构式为CH3NH3 +，FA的结构式为CH3NH2NH3 +。
更进一步地，所述钙钛矿单结电池单元为正向结构，且所述钙钛矿单结电池单元包括依次层叠设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极。
在一些较为具体的实施例中，所述导电基底可以选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料等中的任意一种，但不局限于此；其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm。
在一些较为具体的实施例中，所述电子传输层的厚度为10-50nm，所述电子传输层的材质可以选自TiO2、ZnO2、SnO2等中的任意一种，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm。
在一些较为具体的实施例中，所述空穴传输层的厚度为10-30nm，所述空穴传输层的材质可以选自NiOx：Cu，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述金属电极的厚度为100-6000nm，所述金属电极可以选自Ag、Al、Au等中的任意一种金属，但不局限于此。
更进一步地，所述钙钛矿单结电池单元为反向结构，且所述钙钛矿单结电池单元包括依次层叠设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层以及金属电极。
在一些较为具体的实施例中，所述导电基底可以选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料等中的任意一种，但不局限于此；其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm。
在一些较为具体的实施例中，所述空穴传输层的厚度为15-40nm，所述空穴传输层的材质可以选自NiOx，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm。
在一些较为具体的实施例中，所述电子传输层的厚度为20-50nm，所述电子传输层的材质可以选自PCBM、TiOx、SnO2、ZnSnOx等中的任意一种，但不局限于此。
在一些较为具体的实施例中，所述金属电极的厚度为100-6000nm，所述金属电极可以选自Ag、Al、Au等中的任意一种金属，但不局限于此。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
(1)本实用新型钙钛矿-HIT三结太阳能电池，通过四端连接的方式可以将合适带隙的单结钙钛矿电池和钙钛矿-HIT两端太阳能电池连接可以方便的获得三结钙钛矿-HIT叠层电池，更加充分的利用太阳能。
(2)本实用新型钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其中，钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的底部叠层电池单元具有抛光面，可以在绒面上制备，获得更高的效率；钙钛矿单结太阳能电池组件的优化带隙为1.95eV左右，通过添加卤素调节，使器件的电压在1.4V左右；而钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的开路电压也可以调节到1.45-1.5V左右，两者电压失配较小，并可以通过并联连接，获得较高的电流。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施方式中钙钛矿-HIT三结太阳能电池的结构示意图。
图2是图1中钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的结构示意图。
图3是图1中钙钛矿单结太阳能电池组件的结构示意图。
图4是图3中钙钛矿单结电池单元的结构示意图。
附图标记说明：1、上层封装玻璃，2、第一封装胶膜，3、钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件，31、第一栅极，32、HIT电池层，33、导电基底，34、电子传输层，35、钙钛矿层，36、空穴传输层，37、第二栅极，4、第二封装胶膜，5、钙钛矿单结太阳能电池组件，51、钙钛矿单结电池单元，511、导电基底，512、电子传输层，513、钙钛矿层，514、空穴传输层，515、金属电极，6、封装玻璃。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本实用新型的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
实施例1
参阅图1，本实施例提供了一种钙钛矿-HIT三结太阳能电池，包括沿设定方向依次层叠的上层封装玻璃1、第一封装胶膜2、钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件3、第二封装胶膜4、钙钛矿单结太阳能电池组件5和封装玻璃6；其中，钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件3的正极与钙钛矿单结太阳能电池组件5的正极相连，钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件3的负极与钙钛矿单结太阳能电池组件5的负极相连。
具体实施过程中，如图2所示，钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件3包括3×4叠瓦串联的叠层电池单元，且底部叠层电池单元具有抛光面；叠层电池单元，其为正向结构器件，包括依次层叠设置的第一栅极31、HIT电池层32、导电基底33、电子传输层34、钙钛矿层35、空穴传输层36和第二栅极37，且HIT电池层32的顶端为P侧，第一栅极31和第二栅极37均包括主栅和副栅，且相邻的叠层电池单元之间的主栅叠置设置。
具体的，第一栅极31的厚度为4-6um，栅线宽度为30um，第一栅极31的材质选自Ag、Al、Au中的任意一种金属；HIT电池层32的厚度为110-180um；导电基底33选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，FTO导电玻璃的厚度为500nm，ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；电子传输层34的厚度为10-50nm，电子传输层34的材质选自TiO2、ZnO2、SnO2中的任意一种；钙钛矿层35的厚度为300-2000nm，钙钛矿层35的结构式可以是MAPbI3(MA的结构式为CH3NH3+)或FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3(FA的结构式为CH3NH2NH3 +)；空穴传输层36的厚度为10-30nm，空穴传输层36的材质可以为NiOx：Cu；第二栅极37的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um，第二栅极37的材质选自Ag、Al、Au中的任意一种金属。
如图3所示，钙钛矿单结太阳能电池组件5包括若干个串联设置的钙钛矿单结电池单元51，钙钛矿单结电池单元51为正向结构器件，如图4所示，包括依次层叠设置的导电基底511、电子传输层512、钙钛矿层513、空穴传输层514以及金属电极515，且钙钛矿层513为MAPbIxBr3-x层或FA0.75Cs0.175MA0.075PbIxBr3-x层，其中，MA的结构式为CH3NH3 +，FA的结构式为CH3NH2NH3 +，钙钛矿层513的厚度为300-2000nm。
具体的，导电基底511选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，FTO导电玻璃的厚度为500nm，ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；电子传输层512的厚度为10-50nm，电子传输层512的材质选自TiO2、ZnO2、SnO2中的任意一种；空穴传输层514的厚度为10-30nm，空穴传输层514的材质选自NiOx：Cu；金属电极515的厚度为100-6000nm，金属电极515选自Ag、Al、Au中的任意一种金属。
实施例2
与实施例1相比，将正向结构器件的叠层电池单元替换为反向结构器件的叠层电池单元，其它结构不变，具体地，反向结构器件的叠层电池单元，包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和第二栅极，且HIT电池层的顶端为N侧。
具体的，第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um，第一栅极的材质选自Ag、Al、Au中的任意一种金属；HIT电池层的厚度为110-180um；导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；空穴传输层的厚度为15-40nm，空穴传输层的材质选自NiOx；钙钛矿层的厚度为300-2000nm，钙钛矿层的结构式可以是MAPbI3(MA的结构式为CH3NH3+)或FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3(FA的结构式为CH3NH2NH3 +)；电子传输层的厚度为20-50nm，电子传输层的材质选自PCBM、TiOx、SnO2、ZnSnOx中的任意一种；第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um，第二栅极的材质选自Ag、Al、Au中的任意一种金属。
实施例3
与实施例1相比，将正向结构器件的钙钛矿单结电池单元替换为反向结构器件的钙钛矿单结电池单元，其它结构不变，具体地，反向结构器件的钙钛矿单结电池单元，包括依次层叠设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层以及金属电极。
具体的，导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，FTO导电玻璃的厚度为500nm，ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；空穴传输层的厚度为15-40nm，空穴传输层的材质选自NiOx；电子传输层的厚度为20-50nm，电子传输层的材质选自PCBM、TiOx、SnO2、ZnSnOx中的任意一种；金属电极的厚度为100-6000nm，金属电极选自Ag、Al、Au中的任意一种金属。
实施例4
与实施例3相比，将正向结构器件的叠层电池单元替换为反向结构器件的叠层电池单元，其它结构不变，具体地，反向结构器件的叠层电池单元，包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和第二栅极，且HIT电池层的顶端为N侧。
具体的，第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um，第一栅极的材质选自Ag、A1、Au中的任意一种金属；HIT电池层的厚度为110-180um；导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；空穴传输层的厚度为15-40nm，空穴传输层的材质选自NiOx；钙钛矿层的厚度为300-2000nm，钙钛矿层的结构式可以是MAPbI3(MA的结构式为CH3NH3+)或FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3(FA的结构式为CH3NH2NH3+)；电子传输层的厚度为20-50nm，电子传输层的材质选自PCBM、TiOx、SnO2、ZnSnOx中的任意一种；第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um，第二栅极的材质选自Ag、Al、Au中的任意一种金属。
在一些较为具体的实施方案中，钙钛矿单结电池单元可以采用物理气相沉积法、蒸镀或溅射方法制备获得导电基底；可以采用旋涂、喷涂或刮涂等方法中的任意一种进行制备获得电子传输层和空穴传输层；可以采用旋涂，刮涂，喷雾或者浸泡中任意一种制备获得空穴掺杂层；可以采用旋涂加吹气法制备获得钙钛矿层，随后对钙钛矿层上表面喷雾进行进行沉积卤化甲胺的异丙醇溶液，加热退火，使钙钛矿层重结晶；再采用真空蒸镀或真空溅射方法制备获得金属电极。
分别制备叠层电池单元和钙钛矿单结电池单元，随后根据钙钛矿单结太阳能电池组件的面积进行电压匹配，此钙钛矿单结太阳能电池组件的电压应在20v-250v，相应的，叠层电池单元可以通过焊带连接或者叠瓦技术连接获得相应大小电压的钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件，再将钙钛矿单结太阳能电池组件和钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件相并联，并用封装工艺将两者封装。
尽管已参考说明性实施例描述了本实用新型，但所属领域的技术人员将理解，在不背离本实用新型的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外，可在不背离本实用新型的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本实用新型的教示。因此，本文并不打算将本实用新型限制于用于执行本实用新型的所揭示特定实施例，而是打算使本实用新型将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外，除非具体陈述，否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性，而是使用术语第一、第二等来区分一个元素与另一元素。
Claims (10)
1.一种钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于，包括沿设定方向依次层叠的第一透明封装件、第一封装胶膜、钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件、第二封装胶膜、钙钛矿单结太阳能电池组件和第二透明封装件；其中，所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件的正极、负极分别与所述钙钛矿单结太阳能电池组件的正极、负极电连接。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿HIT叠层叠瓦太阳能电池组件包括若干个叠瓦串联的叠层电池单元，且底部叠层电池单元具有抛光面；所述叠层电池单元包括第一栅极、HIT电池层、导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二栅极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，所述第一栅极为栅线，所述第一栅极和第二栅极均包括主栅和副栅，且相邻的叠层电池单元之间的主栅叠置设置；和/或，所述、钙钛矿单结太阳能电池组件包括若干个串联设置的钙钛矿单结电池单元，所述钙钛矿单结电池单元包括导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，且所述钙钛矿层为MAPbIxBr3-x层或FA0.75Cs0.175MA0.075PbIxBr3-x层，其中，MA的结构式为CH3NH3 +，FA的结构式为CH3NH2NH3 +；和/或，所述第一透明封装件、第二透明封装件均采用封装玻璃。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述叠层电池单元包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二栅极，且所述HIT电池层的顶端面为所述叠层电池单元的P侧。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um；和/或，所述HIT电池层的厚度为110-180um；和/或，所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；和/或，所述电子传输层的厚度为10-50nm；和/或，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为10-30nm；和/或，所述第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um。
5.根据权利要求2所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述叠层电池单元包括依次层叠设置的第一栅极、HIT电池层、导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和第二栅极，且所述HIT电池层的顶端为N侧。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述第一栅极的厚度为4-6um，栅线宽度为30um；和/或，所述HIT电池层的厚度为110-180um；和/或，所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为15-40nm；和/或，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm；和/或，所述电子传输层的厚度为20-50nm；和/或，所述第二栅极的厚度为100-6000nm，栅线宽度为30um。
7.根据权利要求2所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿单结电池单元为正向结构，且所述钙钛矿单结电池单元包括依次层叠设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；和/或，所述电子传输层的厚度为10-50nm；和/或，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为10-30nm；和/或，所述金属电极的厚度为100-6000nm。
9.根据权利要求2所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿单结电池单元为反向结构，且所述钙钛矿单结电池单元包括依次层叠设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层以及金属电极。
10.根据权利要求9所述的钙钛矿-HIT三结太阳能电池，其特征在于：所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为15-40nm；和/或，所述钙钛矿层的厚度为300-2000nm；和/或，所述电子传输层的厚度为20-50nm；和/或，所述金属电极的厚度为100-6000nm。
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| CN202121615041.3U Active CN215070043U (zh) | 2021-07-15 | 2021-07-15 | 一种钙钛矿-hit三结太阳能电池 |
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-
2021
- 2021-07-15 CN CN202121615041.3U patent/CN215070043U/zh active Active
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