CN215069997U - 光传感器结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种光传感器结构，其包括基板、光电组件、壳体、导电体以及导电层。基板包括本体、第一导电框架及第二导电框架。本体具有相对的第一表面与第二表面，第一导电框架和第二导电框架设置在本体并且至少部分外露于第二表面。光电组件设置在本体的第一表面上。壳体设置在基板上且围绕在光电组件的周围并外露出光电组件的上表面。导电体对应第一导电框架或第二导电框架设置，且导电体的第一端外露于壳体的上表面。导电层连接光电组件与导电体的第一端，借此与第一导电框架或第二导电框架电性耦接，以增加光电组件的光吸收面积且缩小传感器结构的整体尺寸。

Description

光传感器结构

技术领域

本实用新型涉及一种光传感器结构，特别是涉及一种不需打线的光传感器结构。

背景技术

目前，光传感器结构中的光电二极管芯片主要分为垂直形态或水平形态，无论光电二极管芯片是垂直形态或水平形态，都需要进行打线工艺以利用金属导线将芯片顶面上的电极连接到基板的导接垫以产生信号。然而，如此一来，光传感器结构的整体尺寸，例如厚度或面积，会因金属导线的存在而受到限制，在进行打线工艺过程中也有损坏芯片的风险存在。此外，在其他工艺阶段，例如封装工艺过程中，容易因热应力的影响而导致金属导线断裂。

故，如何通过结构设计的改良，来克服上述的缺陷，能够减小光传感器结构的尺寸且不影响其技术效果，是所欲解决的重要课题之一。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种不需打线的光传感器结构。

为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是，提供一种光传感器结构，其包括一基板、一光电组件、一壳体、至少一导电体以及至少一导电层。基板包括一本体、一第一导电框架及一第二导电框架，本体具有相对的一第一表面与一第二表面，第一导电框架和第二导电框架设置在本体并且至少部分外露于第二表面。光电组件设置在本体的第一表面上，光电组件包括一第一电极区和一第二电极区，其中第一电极区和第二电极区分别与第一导电框架及第二导电框架电性耦接。壳体设置在基板上且围绕在光电组件的周围，并外露出光电组件的上表面。至少一导电体对应第一导电框架或第二导电框架设置，至少一导电体具有一第一端与一第二端，第一端外露于壳体的上表面。至少一导电层连接光电组件的第一电极区或第二电极区以及至少一导电体的第一端，借此与第一导电框架或第二导电框架电性耦接。

优选地，第一导电框架还外露于第一表面，所述外露的部分的截面积大于或等于光电组件的底面积，且光电组件设置在第一导电框架外露于第一表面的部分上，并通过第一电极区与第一导电框架电性耦接。

优选地，至少一导电体贯穿于壳体，第二导电框架还外露于第一表面，并且至少一导电体的第二端的截面积小于或等于第二导电框架外露于第一表面的部分的截面积，至少一导电体的第二端电性耦接第二导电框架，光电组件的第二电极区通过至少一导电层连接至少一导电体的第一端，让第二电极区与第二导电框架电性耦接。

优选地，第一导电框架与第二导电框架设置在本体并且部分外露于第一表面与第二表面，至少一导电体与至少一导电层的数量皆为两个，每一导电体的第一端外露于壳体的上表面，每一导电体的第二端的截面积小于或等于第一导电框架及第二导电框架外露于第一表面的部分的截面积，且两个导电体的第二端分别电性耦接第一导电框架与第二导电框架，并通过每一导电层分别对应连接光电组件的第一电极区、第二电极区与导电体的第一端，让第一电极区、第二电极区分别与第一导电框架及第二导电框架电性耦接。

优选地，第二导电框架设置在本体并且外露于第二表面，至少一导电体贯穿于壳体及本体，以电性耦接第二导电框架。

优选地，本体的第一表面还涂布一层防焊层，防焊层未覆盖第一导电框架外露于第一表面的部分，且防焊层的厚度介于10与50微米之间。

优选地，光传感器结构还包括一可透光的保护层，保护层至少覆盖光电组件的上表面。

优选地，光电组件的第一电极区和/或第二电极区具有一导电焊垫，导电焊垫邻近于导电体，导电层电性耦接导电焊垫与导电体的第一端。

优选地，第一导电框架与第二导电框架的至少其中之一贯穿本体且至少部分外露于第一表面与第二表面。

优选地，第一导电框架与第二导电框架的至少其中之一沿着本体的第二表面与侧表面弯折延伸设置且与至少一导电体的第二端电性耦接。

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的光传感器结构，其能通过“至少一导电体贯穿于壳体，至少一导电体的第一端外露于壳体的上表面”以及“至少一导电层连接光电组件与至少一导电体的第一端，借此与第一导电框架或第二导电框架电性耦接”的技术方案，以省去金属导线的连接，增加光电组件的光吸收面积且缩小传感器结构的整体尺寸。

为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的光传感器结构的剖面示意图。

图2为图1的俯视示意图。

图3为本实用新型的光传感器结构的基板的第二种实施形态的示意图。

图4为本实用新型的光传感器结构的基板的第三种实施形态的示意图。

图5为本实用新型的光传感器结构的基板的第四种实施形态的示意图。

图6为本实用新型的光传感器结构的基板的第五种实施形态的示意图。

图7至图12为本实用新型第一实施例的光传感器结构的制作方法的步骤示意图。

图13为本实用新型第二实施例的光传感器结构的剖面示意图。

图14为本实用新型第三实施例的光传感器结构的剖面示意图。

图15为本实用新型第四实施例的光传感器结构的剖面示意图。

图16为图15的俯视示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“光传感器结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

第一实施例

参阅图1与图2所示，图1为本实用新型第一实施例的光传感器结构的剖面示意图，图2为图1的俯视示意图。本实用新型第一实施例提供一种光传感器结构Z，其包括：一基板1、一光电组件2、一壳体3、至少一导电体4以及至少一导电层5。基板1包括本体10、第一导电框架11及第二导电框架12。本体10具有相对的一第一表面101与一第二表面102，第一导电框架11设置在本体10且部分外露于第一表面101与第二表面102，第二导电框架12设置在本体10并且部分外露于第一表面101与第二表面102。需说明的是，本实用新型并不限定基板1的形成方式，举例来说，本体10可以具有一贯穿孔X，使第一导电框架11通过贯穿孔X设置在本体10且部分外露于第一表面101与第二表面102。同样地，本体10可以具有另一贯穿孔X，使第二导电框架12通过该另一贯穿孔X设置在本体10且部分外露于第一表面101与第二表面102。形成贯穿孔X的方法可例如为化学蚀刻、机械钻孔或是激光穿孔等，而第一导电框架11与二导电框架12可用例如注塑成型或电镀的方式而设置在本体10上，也就是说，第一导电框架11或第二导电框架12贯穿本体10且至少部分外露于第一表面101与第二表面102，但本实用新型不以此为限，其它可以实现类似本实用新型所示的基板1的结构的方法都可为本领域技术人员所应用。

承上述，光电组件2设置在本体10的第一表面101上。壳体3设置在基板1上并围绕在光电组件2的周围，且光电组件2的上表面20外露于壳体3。光电组件2的两个导电电极分别形成第一电极区和第二电极区22，第一电极区和第二电极区22分别与第一导电框架11及第二导电框架12电性耦接。值得一提的是，导电体4与导电层5的数量可依照光电组件2的形态来决定。在本实用新型中，光电组件2为光传感器，例如光二极管，其功能是用来检测光信号，可以将光子(Photon)转换成电子(Electron)，也就是把光信号转换成电信号。光电组件2依靠上表面20接收入射光，所接收到的入射光愈强(光信号愈大)，则产生的电子愈多(电信号愈大)。举例来说，光二极管的形态可分为垂直形态或水平形态，垂直形态光二极管是指导电电极(阳极与阴极)位于光二极管的不同侧(例如上下表面)，而水平形态光二极管是指导电电极(阳极与阴极)位于光二极管的同一侧(例如同在上表面)。在本实施例中，光电组件2例如为垂直形态光二极管，因此在光电组件2的上表面20仅具有一导电电极，即图2所示的第二电极区22，而至于光电组件2的另一导电电极(第一电极区)则在光电组件2的下表面(图2未示出)，其可与第一导电框架11耦接而实现电性连接。因此，在本实施例中，光电组件2仅需要一个导电体4与一个导电层5。如图1所示，导电体4贯穿于壳体3且与第二导电框架12对应设置，导电体4具有第一端41与第二端42，第一端41外露于壳体3的上表面；导电体4的第二端42电性耦接第二导电框架12。须特别说明的是，导电体4亦可通过激光直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)于壳体3外侧壁而与第二导电框架12对应设置以实现电性耦接，但本实用新型不以此为限，其它可以实现类似电性耦接功能的结构都可为本领域技术人员所应用。导电层5连接光电组件2的第二电极区22与导电体4的第一端41，通过导电体4而与第二导电框架12电性耦接。

承上述，光电组件2是通过第一电极区电性耦接第一导电框架11外露于本体10的第一表面101的部分，更确切地说，光电组件2与第一导电框架11之间具有一层固晶胶(图未示出)，固晶胶为导电热固型胶材，能够将光电组件2固定在基板1上。此外，举例来说，本体10的第一表面101和/或第二表面102可涂布一层防氧化层(图未示出)，以防止金属表面氧化，再者，还可于本体10的第一表面101和/或第二表面102涂布一层防焊层C，防焊层C并未覆盖外露于第一表面101和/或第二表面102的第一与第二导电框架的部分，以起到防潮、绝缘、防焊的作用。其中，在第一表面101上非第一导电框架11的部分所涂布的防焊层C厚度介于10与50微米之间。本实用新型通过调整防焊层C的厚度来减少固晶胶外溢，以提升光电组件2的稳固性。然而，须说明的是，在其他实施例中，防氧化层或防焊层C也可以省略，也就是说防氧化层或防焊层C的设置与否可依使用者在实务上的需求进行调整，在下述实施例中亦是如此，合先叙明。

参阅图2所示，第二电极区22具有一导电焊垫221，导电焊垫221和导电体4的位置可视需求进行调整，本实用新型不以为限。优选地，导电焊垫221邻近于导电体4。举例来说，如图2所示，导电体4位于壳体3的一侧，则导电焊垫221位于光电组件2的上表面20的一边且邻近于导电体4。在其他实施例中，导电体4可位于壳体3的一角，而导电焊垫221亦可位于光电组件2的上表面20的一角且邻近于导电体4，但并不以此为限。导电层5电性耦接第二电极区22的导电焊垫221与导电体4的第一端41。因此，第二电极区22通过导电层5与导电体4电性耦接第二导电框架12。

壳体3用以保护光电组件2。壳体3主要由热固型的绝缘胶材构成，并且以模制成型的方式或是点胶方式围绕在光电组件2周围。绝缘胶材可例如但不限于硅氧树脂(Silicone)或环氧树脂(Epoxy)。进一步来说，用来构成壳体3的绝缘胶材可为透明或半透明材料，并且可在其中添加光阻隔材料以减少光束干扰(cross talk)的现象产生，然而本实用新型不以为限。此外，优选地，壳体3的硬度大于邵氏D40，借此维持光传感器结构Z的整体结构强度。

导电体4可由纳米化的导电材料构成，或者，导电体4也可为导电通孔(在壳体3形成若干个导通孔并且在导通孔表面进行电镀产生电性耦接)，本实用新型不以为限。导电层5可以网版印刷或点胶方式连接光电组件2与导电体4之间，导电层5可为银胶或导电油墨等热固型材料，其组成可例如但不限于银(包含烧结或半烧结银)、铜等导电金属。进一步来说，导电层5中的导电成分(如银(Ag))，可为球状和片状混合，借此降低导电层5的阻抗。

此外，光传感器结构Z还包括一可透光的保护层6，保护层6至少覆盖光电组件2的上表面20。保护层6可为热固化涂层或氟素材料，其中可填加光学粒子，例如但不限于二氧化钛(TiO₂)、二氧化硅(SiO₂)、硅氧树脂(Silicone powder)，以强化或调整光源穿透保护层6的强度。

值得一提的是，在本实施例中，第一导电框架11外露于第一表面101的部分的截面积11A大于或等于光电组件2的底面积2A，且光电组件2设置在第一导电框架11外露于第一表面101的部分上，光电组件2的第一导电区(图1未示出)与第一导电框架11电性耦接。此外，导电体4的第二端42的截面积42A小于或等于第二导电框架12外露于第一表面101的部分的截面积12A。

进一步来说，如图1所示的光传感器结构Z中的基板1的第一导电框架11大致上是呈一“工”字型形状，第一导电框架11外露于第一表面101及第二表面102的部分是凸出于第一表面101及第二表面102，并且分别沿着第一表面101及第二表面102以水平方向往两侧延伸。第二导电框架12则呈一“L”字型形状，第二导电框架12外露于第一表面101及第二表面102的部分是凸出于第一表面101及第二表面102，并且第二导电框架12外露于第二表面102的部分沿着第二表面102以水平方向朝第一导电框架11延伸。然而，本实用新型不限于此，在其他实施例中，光传感器结构Z中的基板1可具有不同的实施形态，以下将进一步列举说明。

举例来说，参阅图3所示，图3为基板1的第二种实施形态。图3所示的基板结构与图1的基板结构相仿，其差异在于，在图3中，第一导电框架11与第二导电框架12外露于第一表面101的部分仅暴露于在第一表面101，也就是说，第一导电框架11与第二导电框架12外露于第一表面101的部分的表面是切齐第一表面101。

或者，举例来说，参阅图4所示，图4为基板1的第三种实施形态。图4所示的基板结构与图3的基板结构相仿，其差异在于，图3中的第二导电框架12是贯穿本体10，而在图4中，第二导电框架12没有贯穿本体10而是沿着本体10的边缘设置。具体来说，图4中的第二导电框架12是先沿着第二表面102延伸，再弯折沿着本体10的侧表面延伸而切齐于第一表面101，且与导电体4的第二端42电性耦接，但并不以此为限。需说明的是，图3与图4中的第一导电框架11与第二导电框架12外露于第二表面102的部分都是以凸出于第二表面102作为示例，然而本实用新型亦不以为限，第一导电框架11与第二导电框架12外露于第二表面102的部分也能够是切齐第二表面102。

另外，举例来说，参阅图5所示，图5可代表基板1的第四种实施形态。图5与前述的实施形态相比，图5中的第一导电框架11大致上是呈“工”字型形状，而第二导电框架12则是呈“一”字型形状，亦即第二导电框架12仅设置在基板1的本体10的第二表面102，没有贯穿本体10而外露于第一表面101。同样地，图5中第一导电框架11外露于第一表面101及第二表面102的部分可以是呈凸出状或是呈切齐状，第二导电框架12外露于第二表面102的部分也可以是呈凸出状或是呈切齐状，在此不再赘述。

接着，继续列举基板1的不同的实施形态，举例来说，参阅图6所示，图6可代表基板1的第五种实施形态。图6与图1相比，可发现第一导电框架11的形状不同，也就是说第一导电框架11不再呈“工”字型形状”，而是像第二导电框架12一样呈“L”字型形状，且更进一步来说，图6中的第二导电框架12与第一导电框架11的L”字型结构为对称的镜射结构，但本实用新型不限于此。此外，图6中的第一导电框架11及第二导电框架12外露于第一表面101的部分是凸出于第一表面101，然而，本实用新型不限于此，图6中的第一导电框架11及第二导电框架12外露于第一表面101的部分也能够是切齐第一表面101。

同样地，图6中的第一导电框架11与第二导电框架12外露于第二表面102的部分是以凸出于第二表面102作为示例，然而本实用新型亦不以为限，第一导电框架11与第二导电框架12外露于第二表面102的部分也能够是切齐第二表面102。

接着说明本实用新型的光传感器结构的制造工艺。参阅图7至图12所示，图7至图12为本实用新型第一实施例的光传感器结构的制作方法的步骤示意图。需说明的是，在图7至图12中的光传感器结构的基板1是以图3所示的基板结构作为示例说明，然而本实用新型不限于此，光传感器结构Z的制造工艺也可用图4至图6中的任一图所示的基板结构来完成。

首先，如图7所示，提供一连续基板S，连续基板S中设置有多组导电框架，每一组导电框架包括第一导电框架11与第二导电框架12。第一导电框架11设置在连续基板S中且部分外露于第一表面101与第二表面102，第二导电框架12设置在连续基板S并且部分外露于第一表面101与第二表面102。需说明的是，本实用新型并不限定第一导电框架11与第二导电框架12设置在连续基板S的方式。举例来说，连续基板S可以具有多个贯穿孔X，使第一导电框架11与第二导电框架12通过贯穿孔X设置在连续基板S中且部分外露于连续基板S的上下表面。形成贯穿孔X的方法如前所述，在此不再赘述。

接着，提供多个光电组件2(以三个为例)，每一光电组件2通过固晶胶(图7未示出)而对应设置在一组导电框架的第一导电框架11上，再经过高温固化过程使光电组件2固定在连续基板S上。

接着，如图8所示，利用模制成型或点胶等技术，填充电性绝缘的热固型胶材于多个光电组件2之间的空隙及多个光电组件2周围，并且高温固化以形成壳体3。然而须说明的是，每一光电组件2的上表面20是外露于壳体3，也就是每一光电组件2的上表面20未被壳体3所覆盖。

接着，如图9所示，使用激光或其他精密加工(例如：CNC)等技术，由壳体3在两个光电组件2之间的位置进行钻孔，形成多个贯穿壳体3的通孔30。每一通孔30连通并暴露出连续基板S上的每一组导电框架中的第二导电框架12上表面。须说明的是，在形成通孔30时，第二导电框架12外露于第一表面101的截面积至少是大于等于通孔30的截面积，因此通孔30不需要精确对位第二导电框架12，降低形成通孔30时需对位第二导电框架12的难度，并且降低制造工艺上的精准度的要求。

接着，如图9与图10所示，在每一通孔30中填充导电材料以形成导电体4(或利用电镀方式在每一通孔30表面进行电镀以形成导电通孔)。在本实施例中，导电体4贯穿于壳体3，导电体4的第一端41外露于壳体3的上表面，导电体4的第二端42电性耦接第二导电框架12。

接着，如图11所示，使用网版引刷或点胶等技术形成导电层5，导电层5电性耦接于光电组件2(具体描述可配合参见图1与图2以及前段说明，导电层5电性耦接于光电组件2上的第二电极区22的导电焊垫221，在此不再详加叙述)与导电体4的第一端41之间，并可涂布由热固化涂层或氟素材料形成的保护层6在光电组件2上进行保护。

接着，如图12所示，进行切割以形成多个光传感器结构Z。

第二实施例

如图13所示，图13为本实用新型第二实施例的光传感器结构的剖面示意图。第二实施例的光传感器结构Z2与第一实施例的光传感器结构Z的不同之处在于，光传感器结构Z2的基板1是以图4所示的基板结构作为示例说明，也就是第二导电框架12是先沿着第二表面102延伸，再转折沿着本体10的侧表面延伸而切齐于第一表面101。导电体4沿着壳体3的侧边缘延伸而使导电体4的第二端42电性耦接第二导电框架12，而导电体4的第一端41通过导电层5电性耦接第二电极区22。

第三实施例

如图14所示，图14为本实用新型第三实施例的光传感器结构的剖面示意图。须说明的是，第三实施例的光传感器结构Z3与第一实施例的光传感器结构Z的不同之处在于，第三实施例的光传感器结构Z3的基板1是以图5所示的基板结构作为示例说明，也就是第一导电框架11大致上是呈“工”字型形状，而第二导电框架12则是呈“一”字型形状，第二导电框架12仅设置在基板1的本体10的第二表面102，没有贯穿本体10并外露于第一表面101，而导电体4贯穿于壳体3及本体10以电性耦接第二导电框架12。另外，如前所述(请参考图5)，第二导电框架12外露于第二表面102的部分也可以是呈切齐状，在此不再赘述。

第四实施例

参阅图15与图16所示，图15为本实用新型第四实施例的光传感器结构的剖面示意图，图16为图15的俯视示意图。具体来说，第四实施例的的光传感器结构Z4的基板1是以图6所示的基板结构作为示例说明，第一导电框架11及第二导电框架12外露于第一表面101的部分是凸出于第一表面101。进一步来说，第四实施例的光传感器结构Z4中的光电组件2为水平形态光二极管，也就是两个导电电极(阳极与阴极)皆位于光电组件2的上表面20并且分别电性耦接第一导电框架11与第二导电框架12。因此，光传感器结构Z4具有两个导电体4与两个导电层5，两个导电体4贯穿于壳体3且分别与第一导电框架11与第二导电框架12对应设置，其中一导电体4贯穿于壳体3，且该导电体4的第一端41外露于壳体3的上表面，并且通过其中一导电层5连接光电组件2的第一电极区21上的导电焊垫211，而该导电体4的第二端42则电性耦接第一导电框架11。同样地，另一导电体4贯穿于壳体3，且该导电体4的第一端41外露于壳体3的上表面，并且通过另一导电层5连接光电组件2的第二电极区22上的导电焊垫221，而该导电体4的第二端42则电性耦接第二导电框架12。此外，第四实施例的光传感器结构Z4(水平形态光二极管)与第一实施例的光传感器结构Z(垂直形态光二极管)的结构及制造工艺相仿，因此不再加以赘述。

实施例的有益效果

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的光传感器结构，其能通过“至少一导电体4的第一端41外露于壳体3的上表面”以及“至少一导电层5连接光电组件2与至少一导电体4的第一端41，借此与第一导电框架11或第二导电框架12电性耦接”的技术方案，以省去现有金属导线的连接，增加光电组件2的光吸收面积且缩小传感器结构的整体尺寸。

以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非因此局限本实用新型的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种光传感器结构，其特征在于，所述光传感器结构包括：

一基板，包括一本体、一第一导电框架及一第二导电框架，所述本体具有相对的一第一表面与一第二表面，所述第一导电框架和所述第二导电框架设置在所述本体并且至少部分外露于所述第二表面；

一光电组件，设置在所述本体的所述第一表面上，所述光电组件包括一第一电极区和一第二电极区，其中所述第一电极区和所述第二电极区分别与所述第一导电框架及所述第二导电框架电性耦接；

一壳体，设置在所述基板上且围绕在所述光电组件的周围，并外露出所述光电组件的上表面；

至少一导电体，对应所述第一导电框架或所述第二导电框架设置，所述至少一导电体具有一第一端与一第二端，所述第一端外露于所述壳体的上表面；以及

至少一导电层，连接所述光电组件的所述第一电极区或所述第二电极区以及所述至少一导电体的所述第一端，借此与所述第一导电框架或所述第二导电框架电性耦接。

2.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一导电框架还外露于所述第一表面，所述外露的部分的截面积大于或等于所述光电组件的底面积，且所述光电组件设置在所述第一导电框架外露于所述第一表面的部分上，并通过所述第一电极区与所述第一导电框架电性耦接。

3.根据权利要求2所述的光传感器结构，其特征在于，所述至少一导电体贯穿于所述壳体，所述第二导电框架还外露于所述第一表面，并且所述至少一导电体的所述第二端的截面积小于或等于所述第二导电框架外露于所述第一表面的部分的截面积，所述至少一导电体的所述第二端电性耦接所述第二导电框架，所述光电组件的所述第二电极区通过所述至少一导电层连接所述至少一导电体的所述第一端，让所述第二电极区与所述第二导电框架电性耦接。

4.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一导电框架与所述第二导电框架设置在所述本体并且部分外露于所述第一表面与所述第二表面，至少一导电体与至少一导电层的数量皆为两个，每一所述导电体的所述第一端外露于所述壳体的上表面，每一所述导电体的所述第二端的截面积小于或等于所述第一导电框架及所述第二导电框架外露于所述第一表面的部分的截面积，且两个所述导电体的所述第二端分别电性耦接所述第一导电框架与所述第二导电框架，并通过每一所述导电层分别对应连接所述光电组件的所述第一电极区、所述第二电极区与所述导电体的所述第一端，让所述第一电极区、所述第二电极区分别与所述第一导电框架及所述第二导电框架电性耦接。

5.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第二导电框架设置在所述本体并且外露于所述第二表面，所述至少一导电体贯穿于所述壳体及所述本体，以电性耦接所述第二导电框架。

6.根据权利要求2所述的光传感器结构，其特征在于，所述本体的所述第一表面还涂布一层防焊层，所述防焊层未覆盖所述第一导电框架外露于所述第一表面的部分，且所述防焊层的厚度介于10与50微米之间。

7.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述光传感器结构还包括一可透光的保护层，所述保护层至少覆盖所述光电组件的上表面。

8.根据权利要求1至7任一所述的光传感器结构，其特征在于，所述光电组件的所述第一电极区和/或所述第二电极区具有一导电焊垫，所述导电焊垫邻近于所述导电体，所述导电层电性耦接所述导电焊垫与所述导电体的所述第一端。

9.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一导电框架与所述第二导电框架的至少其中之一是贯穿所述本体且至少部分外露于所述第一表面与所述第二表面。

10.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一导电框架与所述第二导电框架的至少其中之一是沿着所述本体的所述第二表面与侧表面弯折延伸设置且与所述至少一导电体的所述第二端电性耦接。

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