CN215050684U - 石墨舟载具及沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及硅片镀膜装置技术领域,公开了一种石墨舟载具及沉积装置,包括并列间隔设置的第一石墨舟片和第二石墨舟片,第一石墨舟片和第二石墨舟片远离电极端的一端加长设定长度形成预电离区域,设定长度介于所述石墨舟载具总长度的0.8%—3.68%。加长的区域在镀膜气流通入时,在交变电流作用下预电离气体,形成等离子体,保证第一排硅片薄膜沉积时有足够的等离子体,从而使薄膜沉积更均匀、改善膜厚偏低及色差,而且可以降低能耗,炉管及炉体不需要有任何改动,成本低。
Description
技术领域
本实用新型一般涉及硅片镀膜装置技术领域,具体涉及一种石墨舟载具及沉积装置。
背景技术
等离子体增强化学的气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)镀膜设备是利用辉光放电的物理作用来激活化学气相沉积反应。如图1至图6所示,在石墨舟载具进入炉管时,在交流电作用下,石墨舟载具10相邻两石墨舟片101正负两个电极102作用下电性不断变化,形成交变电场,从炉口通入的气流在交变电场作用下被轰击成离子形态,逐渐在硅片表面沉积形成氮化硅减反钝化膜。由于石墨舟载具10前后端一致,其最靠近炉口的这一排由于电场不足,气体在进入炉管后形成的等离子体也较少,因此造成了炉口端膜厚偏低且均匀性较差,且极易形成色差。为了改善膜厚偏低,一般工艺设置炉口温度均较高,比炉炉中及炉尾高30℃-50℃,而这种单纯工艺上弥补会导致炉口区域膜厚差异较大,极易产生色差及降级品。
实用新型内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种石墨舟载具及沉积装置。
第一方面,本实用新型提供一种石墨舟载具,包括若干个第一石墨舟片、若干个第二石墨舟片和若干个第一导电连接块,所述第二石墨舟片与所述第一石墨舟片交错间隔设置,相邻所述第一石墨舟片一端通过一组所述第一导电连接块连接,相邻所述第二石墨舟片一端通过另一组所述第一导电连接块连接,两组所述第一导电连接块位于所述石墨舟载具的同一侧,分别用于连接电源正极和负极,形成所述石墨舟的电极端;所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片远离所述电极端的一端加长设定长度形成预电离区域,所述设定长度介于所述石墨舟载具总长度的0.8%—3.68%。
在一个实施例中,所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的0.8%-2%。
在一个实施例中,所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片上沿其长度方向依次设有多个承载位,若位于所述预电离区域的所述承载位设置为半镂空,则所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的1.64%—2.84%。
在一个实施例中,所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片上沿其长度方向依次设有多个承载位,若位于所述预电离区域的所述承载位设置为全镂空,则所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的2.48%-3.68%。
在一个实施例中,所述承载位的边缘用于固定硅片的多个卡点,所述设定长度设为靠近所述第一导电连接块的卡点与所述第一导电连接块之间的距离。
在一个实施例中,所述多个卡点分布在所述承载位的三个不同的边缘。
在一个实施例中,所述多个卡点包括三个卡点,所述三个卡点之间的连线构成三角形。
在一个实施例中,所述第一石墨舟片一端上部设有第一连接凸耳,一组所述第一导电连接块通过所述第一连接凸耳将所述第一石墨舟片一端连接在一起,所述第二石墨舟片一端下部设有第二连接凸耳,另一组所述第一导电连接块通过所述第二连接凸耳将所述第二石墨舟片一端连接在一起。
在一个实施例中,所述石墨舟载具还包括陶瓷杆和陶瓷圈,所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片上设置有通孔,所述陶瓷圈设置在所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片之间,所述陶瓷杆穿过所述通孔并穿过所述陶瓷圈,所述陶瓷杆的两端通过所述石墨螺帽将所述第一石墨舟片、所述第二石墨舟片和所述陶瓷圈并紧。
第二方面,本实用新型提供一种沉积装置,包括第一方面所描述的石墨舟载具。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本方案提供一种石墨舟载具及沉积装置,包括并列间隔设置的第一石墨舟片和第二石墨舟片,相邻所述第一石墨舟片一端通过一组所述第一导电连接块连接,相邻所述第一石墨舟片一端通过一组所述第一导电连接块连接,相邻所述第二石墨舟片一端通过另一组所述第一导电连接块连接,两组所述第一导电连接块位于所述石墨舟载具的同一侧,分别用于连接电源正极和负极,形成所述石墨舟的电极端;所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片远离所述电极端的一端加长设定长度形成预电离区域,所述设定长度介于所述石墨舟载具总长度的0.8%—3.68%。加长的区域在镀膜气流通入时,在交变电流作用下预电离气体,形成等离子体,保证第一排硅片薄膜沉积时有足够的等离子体,从而使薄膜沉积更均匀、改善膜厚偏低及色差,而且可以降低能耗,炉管及炉体不需要有任何改动,成本低。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出了现有技术中石墨舟载具的主视图;
图2示出了现有技术中石墨舟载具的俯视图;
图3示出了现有技术中石墨舟载具的左视图;
图4示出了现有技术中石墨舟载具的右视图;
图5示出了现有技术中一种石墨舟片的示意图;
图6示出了现有技术中另一种石墨舟片的示意图;
图7示出了本申请实施例涉及的石墨舟载具的主视图;
图8示出了本申请实施例涉及的石墨舟载具的俯视图;
图9示出了本申请实施例涉及的第一石墨舟片的示意图;
图10示出了本申请实施例涉及的第二石墨舟片的示意图。
图1至图6中:10-石墨舟载具,101-石墨舟片,102-电极;
图7至图10中:20-石墨舟载具,201-第一石墨舟片,202-承载位,203-卡点,204-第一导电连接块,205-第二导电连接块,206-陶瓷圈,207-陶瓷杆,208-石墨螺帽,209-第二石墨舟片,210-第一连接凸耳,211-第二连接凸耳,212-第三连接凸耳,213-第四连接凸耳。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型,而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与实用新型相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
参见图7至图10,本申请提供本实用新型提供一种石墨舟载具20,包括若干个第一石墨舟片201、若干个第二石墨舟片209和若干个第一导电连接块204,所述第二石墨舟片209与所述第一石墨舟片201交错间隔设置,相邻所述第一石墨舟片201一端通过一组所述第一导电连接块204连接,相邻所述第二石墨舟片209一端通过另一组所述第一导电连接块204连接,两组所述第一导电连接块204位于所述石墨舟载具20的同一侧,分别用于连接电源正极和负极,形成所述石墨舟的电极端;所述第一石墨舟片201和所述第二石墨舟片209远离所述电极端的一端加长设定长度形成预电离区域,所述设定长度介于所述石墨舟载具总长度的0.8%—3.68%。
将石墨舟载具20的非电极端的部分加长,即第一石墨舟片201和第二石墨舟片209靠近炉口端加长,加长的部分相当于预电离区域。加长的区域在镀膜气流通入时,在交变电流作用下预电离气体,形成等离子体,保证第一排硅片薄膜沉积时有足够的等离子体,使靠近炉口端的硅片有充分的等离子体,从而使薄膜沉积更均匀、改善膜厚偏低及色差,而且可以降低能耗。
在本申请一个实施例中,所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的0.8%-2%。优选的,所述设定长度为所述石墨舟载具20总长度的1%。举例进行说明,例如石墨舟片201的长度为1800mm,则加长的设定长度为90mm。需要说明的是,占石墨舟片总长度的0.8%-2%的预电离区域设置为实体结构。
在本申请一个实施例中,所述第一石墨舟片201和所述第二石墨舟片209上沿其长度方向依次设有多个承载位202,若位于所述预电离区域的所述承载位202设置为半镂空,则所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的1.64%—2.84%,若位于所述预电离区域的所述承载位202设置为全镂空,则所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的2.48%-3.68%。半镂空可以是将承载位202一半的整体去掉,也可以是在承载位202上不同位置开几个通孔。
设定长度太长会超过炉管的适应尺寸,导致炉门无法关闭,进而导致需要加长炉体及炉管长度,无法适应现有设备。设定长度过短,无法达到预电离充分电离,达不到改善炉口端膜厚均匀性及膜厚偏低问题。其加长长度在石墨舟载具总长的1.64%—3.68%之间炉管及炉体不需要有任何改动,成本低。
如图7和图8所示,所述第一石墨舟片201一端上部设有第一连接凸耳210,一组所述第一导电连接块204通过所述第一连接凸耳210将所述第一石墨舟片一端连接在一起,所述第二石墨舟片209一端下部设有第二连接凸耳211,另一组所述第一导电连接块204通过所述第二连接凸耳211将所述第二石墨舟片209一端连接在一起。
所述石墨舟载具还包括第二导电连接块205,相邻所述第一石墨舟片201另一端通过一组所述第二导电连接块205连接,相邻所述第二石墨舟片209另一端通过另一组所述第二导电连接块连接,两组所述第二导电连接块位于所述石墨舟载具的另一侧,形成所述石墨舟载具20的电极端。
所述第一石墨舟片201另一端下部设有第三连接凸耳212,一组所述第二导电连接块205通过所述第三连接凸耳212将所述第一石墨舟片201另一端连接在一起,所述第二石墨舟片209上部设有第四连接凸耳213,另一组所述第二导电连接块205通过所述第四连接凸耳213将所述第二石墨舟片209另一端连接在一起。
此外,石墨舟载具20还包括陶瓷杆207和陶瓷圈206,所述第一石墨舟片201和所述第二石墨舟片209上设置有通孔,所述陶瓷圈206设置在所述第一石墨舟片201和所述第二石墨舟片209之间,所述陶瓷杆207穿过所述通孔并穿过所述陶瓷圈206,所述陶瓷杆207的两端通过所述石墨螺帽208将所述第一石墨舟片201、所述第二石墨舟片209和所述陶瓷圈206并紧,如图8所示。
如图9和图10所示,所述承载位202的边缘用于固定硅片的多个卡点203,所述设定长度设为最靠近所述第一导电连接块204的卡点203与所述第一导电连接块204之间的距离。
沉积过程中为了更好地固定硅片,所述多个卡点203分布在所述承载位202的三个不同的边缘。优选的,所述多个卡点203包括三个卡点203,所述三个卡点203之间的连线构成三角形,能够使得硅片受力均匀,保持硅片的稳定固定。
此外,本申请还提供一种沉积装置,包括上面所述的石墨舟载具20。
加长的区域在镀膜气流通入时,在交变电流作用下预电离气体,形成等离子体,保证第一排硅片薄膜沉积时有足够的等离子体,使靠近炉口端的硅片有充分的等离子体,从而使薄膜沉积更均匀、改善膜厚偏低及色差,而且可以降低能耗。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的公开范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离前述公开构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (10)
1.一种石墨舟载具,其特征在于,包括若干个第一石墨舟片、若干个第二石墨舟片和若干个第一导电连接块,所述第二石墨舟片与所述第一石墨舟片交错间隔设置,相邻所述第一石墨舟片一端通过一组所述第一导电连接块连接,相邻所述第二石墨舟片一端通过另一组所述第一导电连接块连接,两组所述第一导电连接块位于所述石墨舟载具的同一侧,分别用于连接电源正极和负极,形成所述石墨舟的电极端;所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片远离所述电极端的一端加长设定长度形成预电离区域,所述设定长度介于所述石墨舟载具总长度的0.8%—3.68%。
2.根据权利要求1所述的石墨舟载具,其特征在于,所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的0.8%-2%。
3.根据权利要求1所述的石墨舟载具,其特征在于,所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片上沿其长度方向依次设有多个承载位,若位于所述预电离区域的所述承载位设置为半镂空,则所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的1.64%—2.84%。
4.根据权利要求1所述的石墨舟载具,其特征在于,所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片上沿其长度方向依次设有多个承载位,若位于所述预电离区域的所述承载位设置为全镂空,则所述设定长度为所述石墨舟载具总长度的2.48%-3.68%。
5.根据权利要求3或4所述的石墨舟载具,其特征在于,所述承载位的边缘用于固定硅片的多个卡点,所述设定长度设为靠近所述第一导电连接块的卡点与所述第一导电连接块之间的距离。
6.根据权利要求5所述的石墨舟载具,其特征在于,所述多个卡点分布在所述承载位的三个不同的边缘。
7.根据权利要求6所述的石墨舟载具,其特征在于,所述多个卡点包括三个卡点,所述三个卡点之间的连线构成三角形。
8.根据权利要求1所述的石墨舟载具,其特征在于,所述第一石墨舟片一端上部设有第一连接凸耳,一组所述第一导电连接块通过所述第一连接凸耳将所述第一石墨舟片一端连接在一起,所述第二石墨舟片一端下部设有第二连接凸耳,另一组所述第一导电连接块通过所述第二连接凸耳将所述第二石墨舟片一端连接在一起。
9.根据权利要求1所述的石墨舟载具,其特征在于,还包括陶瓷杆和陶瓷圈,所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片上设置有通孔,所述陶瓷圈设置在所述第一石墨舟片和所述第二石墨舟片之间,所述陶瓷杆穿过所述通孔并穿过所述陶瓷圈,所述陶瓷杆的两端通过石墨螺帽将所述第一石墨舟片、所述第二石墨舟片和所述陶瓷圈并紧。
10.一种沉积装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的石墨舟载具。
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CN202120362436.0U CN215050684U (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 石墨舟载具及沉积装置 |
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CN115094401A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-09-23 | 深圳市石金科技股份有限公司 | 一种适用于导电薄膜沉积的石墨舟 |
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2021
- 2021-02-09 CN CN202120362436.0U patent/CN215050684U/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN115094401A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-09-23 | 深圳市石金科技股份有限公司 | 一种适用于导电薄膜沉积的石墨舟 |
CN115094401B (zh) * | 2022-03-31 | 2024-03-01 | 深圳市石金科技股份有限公司 | 一种适用于导电薄膜沉积的石墨舟 |
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