CN215010060U - 一种大功率半桥lc谐振dc-dc变换电路 - Google Patents
一种大功率半桥lc谐振dc-dc变换电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN215010060U CN215010060U CN202121405124.XU CN202121405124U CN215010060U CN 215010060 U CN215010060 U CN 215010060U CN 202121405124 U CN202121405124 U CN 202121405124U CN 215010060 U CN215010060 U CN 215010060U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- resistor
- capacitor
- diode
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种大功率半桥LC谐振DC‑DC变换电路,包括半桥LC谐振DC‑DC变换电路、变压器T1、输出整流电路和输出滤波电路,三相PFC升压储能电路输出的高压直流电接入半桥LC谐振DC‑DC变换电路,半桥LC谐振DC‑DC变换电路与变压器T1的初级线圈电连接,变压器T1的次级线圈与输出整流电路电连接,输出整流电路与输出滤波电路电连接,输出滤波电路与外部负载电连接。本实用新型通过半桥LC谐振DC‑DC变换电路对三相PFC升压储能电路输出的高压直流电进行直流变换,采用两个MOS管串联作为桥臂进行初级分压,满足元器件的耐压要求,再经过输出整流电路与输出滤波电路分别进行整流滤波,输出用户负载需要的低压直流电,电路拓扑结构设计简洁。
Description
技术领域
本实用新型涉及DC-DC变换电路技术领域,尤其涉及一种大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路。
背景技术
很多应用场景中,因为负载容量大,大量使用大功率通信电源高频开关整流器进行供电。现在5000W大功率通信电源高频开关整流器因为模块功率很大,一般用三相交流电平衡电流输入,这促使三相PFC储能电路输出通过升压到800V直流高压增加主电路功率同时降低总电流。普通半桥DC-DC变换电路的输出功率与主要元器件MOSFET管耐压设计不能达到要求,不能解决以上问题,因此,需要设计一种大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路来达到要求。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,包括半桥LC谐振DC-DC变换电路、变压器T1、输出整流电路和输出滤波电路,三相PFC升压储能电路输出的高压直流电接入所述半桥LC谐振DC-DC变换电路的输入端,所述半桥LC谐振DC-DC变换电路的输出端与所述变压器T1的输入端电连接,所述变压器T1的输出端与所述输出整流电路的输入端电连接,所述输出整流电路输出端与所述输出滤波电路的输入端电连接,所述输出滤波电路的输出端与外部负载电连接。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,通过所述半桥LC谐振DC-DC变换电路对三相PFC升压储能电路输出的高压直流电进行直流变换,采用两个MOS管串联作为桥臂进行初级分压,满足元器件的耐压要求,再经过输出整流电路与输出滤波电路分别进行整流滤波,输出满足用户负载的低压直流电,电路拓扑结构设计简洁。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进:
进一步:所述半桥LC谐振DC-DC变换电路包括储能电路、上桥电路、下桥电路、反向电能吸收电路和LC谐振电路,三相PFC升压储能电路输出的高压直流电接入所述储能电路的输入端,所述上桥电路和下桥电路串联在所述储能电路的输出端与地之间,所述上桥电路的控制输入端和下桥电路的控制输入端分别接入外部控制信号,所述上桥电路与下桥电路的公共端和储能电路的中间抽头分别与所述LC谐振电路的输入端电连接,所述反向电能吸收电路电连接在所述储能电路的输出端与地之间,所述LC谐振电路的两个输出端分别与所述变压器T1的初级线圈的两端对应电连接。
上述进一步方案的有益效果是:通过所述储能电路为所述上桥电路、下桥电路和LC谐振电路提供足够电能,同时上桥电路和下桥电路可以分担三相PFC升压储能电路输出的高压直流电,不至于上桥电路和下桥电路中的MOS管被直流高压击坏,同时LC谐振电路形成LC高频谐振,在输入电压与输出电流在工作范围内波动时MOS管始终稳定工作在零电压工作区,从而降低整个DC-DC变换电路的功耗,提高工作效率。
进一步:所述储能电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8,所述电容C1和电容C4串联形成第一支路,所述电容C2和电容C5串联形成第二支路,所述电容C3和电容C6串联形成第三支路,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8顺次串联形成第四支路,所述第一支路、第二支路、第三支路和第四支路并联在三相PFC升压储能电路的输出端与地之间,所述电容C1和电容C4的公共端、所述电容C2和电容C5的公共端、所述电容C3和电容C6的公共端以及所述电阻R4和电阻R5的公共端分别与三相PFC升压储能电路的中间抽头电连接。
上述进一步方案的有益效果是:通过所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8形成储能电路,可以为所述上桥电路、下桥电路和LC谐振电路提供足够电能。
进一步:所述上桥电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电容C7、电容C8和二极管D1,所述下桥电路包括MOS管Q3、MOS管Q4、电容C9、电容C10和二极管D2,所述MOS管Q1的漏极与所述储能电路的输出端电连接,所述MOS管Q1的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q1的源极与所述MOS管Q2的漏极电连接,所述MOS管Q2的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q2的源极与所述MOS管Q3的漏极电连接,所述MOS管Q3的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q3的源极与所述MOS管Q4的漏极电连接,所述MOS管Q4的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q4的源极接地,所述电容C7电连接在所述MOS管Q1的漏极和源极之间,所述电容C8电连接在所述MOS管Q2的漏极和源极之间,所述电容C9电连接在所述MOS管Q3的漏极和源极之间,所述电容C10电连接在所述MOS管Q4的漏极和源极之间,所述二极管D1的负极与所述MOS管Q1的源极电连接,所述二极管D1的正极与所述二极管D2的负极电连接,且二者的公共端均与三相PFC升压储能电路的中间抽头和所述LC谐振电路的一个输入端电连接,所述MOS管Q2的源极与所述LC谐振电路的另一个输入端电连接。
上述进一步方案的有益效果是:所述MOS管Q1和MOS管Q2串联形成半桥电路的上桥臂,所述MOS管Q3和MOS管Q4串联形成半桥电路的下桥臂,上下桥臂串联可以分担三相PFC升压储能电路输出的高压直流电,不至于MOS管被直流高压击坏,且上桥臂的所述MOS管Q1和MOS管Q2与下桥臂的所述MOS管Q3和MOS管Q4交替导通与关断,通过所述电容C7、电容C8、电容C9、电容C10具有吸收对应MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4尖峰杂音的功能,二极管D1和二极管D2可以起到防止上桥臂和下桥臂工作电流反向,同时这种半桥LC谐振DC-DC变换电路的连接方式有提升输入电压值与加大输出电流的作用,整个电路拓扑结构设计简洁,性能达到平衡。
进一步:所述反向电能吸收电路包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R9、电阻R10和电容C11,所述二极管D3的负极与所述MOS管Q1的漏极电连接,所述二极管D3的正极与所述二极管D4的负极电连接,所述二极管D4的正极接地,所述二极管D3的正极与所述二极管D5的正极电连接,所述二极管D5的负极与所述变压器T1的初级线圈的一端之间电连接有所述电容C11,且所述电阻R9和电阻R10串联后并联于所述电容C11的两端。
上述进一步方案的有益效果是:通过所述反向电能吸收电路可以起到反向吸收电能的作用。
进一步:所述LC谐振电路包括电感L1、电容C12、电容C13、电容C14、电阻R11和电阻R12,所述电感L1电连接在所述MOS管Q2的源极与所述变压器T1的初级线圈的一端之间,所述电容C12、电容C13和电容C14并联在所述二极管D1的正极与所述变压器T1的初级线圈的另一端之间,所述电阻R11和电阻R12串联后并联于所述电容C14的两端。
上述进一步方案的有益效果是:通过所述电感L1、电容C12、电容C13、电容C14、电阻R11和电阻R12形成LC高频谐振,这样不管输入电压与输出电流在工作范围内怎么变化,MOS管始终稳定工作在零电压工作区,从而降低半桥LC谐振DC-DC变换电路功耗,提高工作效率。
进一步:所述整流电路包括:电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11和电感L3,所述二极管D6、二极管D7、二极管D8的正极均与所述变压器T1的次级线圈的一端电连接,所述二极管D6、二极管D7、二极管D8的负极均与所述输出滤波电路的一个输入端电连接,所述电容C15、电阻R13和电阻R14顺次串联后并联于所述二极管D6的正极与负极之间,所述电容C16、电阻R15和电阻R16顺次串联后并联于所述二极管D7的正极与负极之间,所述电容C17、电阻R17和电阻R18顺次串联后并联于所述二极管D8的正极与负极之间,所述二极管D9、二极管D10、二极管D11的正极均与所述变压器T1的次级线圈的另一端电连接,所述二极管D9、二极管D10、二极管D11的负极均与所述输出滤波电路的一个输入端电连接,所述电容C18、电阻R19和电阻R20顺次串联后并联于所述二极管D9的正极与负极之间,所述电容C19、电阻R21和电阻R22顺次串联后并联于所述二极管D10的正极与负极之间,所述电容C20、电阻R23和电阻R24顺次串联后并联于所述二极管D11的正极与负极之间,所述电感L3电连接与所述变压器T1的次级线圈的中心抽头与所述输出滤波电路的另一个输入端之间。
上述进一步方案的有益效果是:通过典型的全波整流输出工作方式,电路更简洁与高效率,同时通过电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23和电阻R24具有吸收二极管工作时尖峰杂音的作用,提高输出直流波形的平滑程度,没有突变尖峰出现,降低二极管功耗。
进一步:所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路还包括防反接电路,所述防反接电路电连接在所述输出滤波电路的两个输出端之间。
上述进一步方案的有益效果是:通过所述防反接电路可以防止外部电路反接,便于带电热拔插。
进一步:所述防反接电路包括二极管D12和热敏电阻RT1,所述二极管D12的正极与所述输出滤波电路的负输出端电连接,所述二极管D12的负极通过所述热敏电阻RT1与所述输出滤波电路的正输出端电连接。
进一步:所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路还包括假负载电路,所述假负载电路电连接在所述输出滤波电路的两个输入端之间。
上述进一步方案的有益效果是:通过设置所述假负载电路,可以平衡输出波形,保证其不出现间歇性关断。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路的结构示意图;
图2为本实用新型一实施例的半桥LC谐振DC-DC变换电路的电路示意图;
图3为本实用新型一实施例的输出整流电路和输出滤波电路的电路示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示,一种大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,包括半桥LC谐振DC-DC变换电路、变压器T1、输出整流电路和输出滤波电路,三相PFC升压储能电路输出的高压直流电(800V)接入所述半桥LC谐振DC-DC变换电路的输入端,所述半桥LC谐振DC-DC变换电路的输出端与所述变压器T1的输入端电连接,所述变压器T1的输出端与所述输出整流电路的输入端电连接,所述输出整流电路输出端与所述输出滤波电路的输入端电连接,所述输出滤波电路的输出端与外部负载电连接。
本实用新型的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,三相PFC升压储能电路输出的800V高压直流电,经过半桥LC谐振DC-DC变换电路进行直流变换,再经过输出整流与输出滤波电路进行整流滤波,输出用户负载需要的48V低压直流电。主电路采用2个MOSFET管串联作为桥臂进行初级分压半桥DC-DC变换电路的拓扑结构,整个电路的工作流程是由单片机智能检测与精确控制的。
本实用新型的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,通过所述半桥LC谐振DC-DC变换电路对三相PFC升压储能电路输出的高压直流电进行直流变换,采用两个MOS管串联作为桥臂进行初级分压,满足元器件的耐压要求,再经过输出整流电路与输出滤波电路分别进行整流滤波,输出用户负载需要的48V低压直流电,电路拓扑结构设计简洁。
在本实用新型的一个或多个实施例中,所述半桥LC谐振DC-DC变换电路包括储能电路、上桥电路、下桥电路、反向电能吸收电路和LC谐振电路,三相PFC升压储能电路输出的高压直流电接入所述储能电路的输入端,所述上桥电路和下桥电路串联在所述储能电路的输出端与地之间,所述上桥电路的控制输入端和下桥电路的控制输入端分别接入外部控制信号,所述上桥电路与下桥电路的公共端和储能电路的中间抽头分别与所述LC谐振电路的输入端电连接,所述反向电能吸收电路电连接在所述储能电路的输出端与地之间,所述LC谐振电路的两个输出端分别与所述变压器T1的初级线圈的两端对应电连接。通过所述储能电路为所述上桥电路、下桥电路和LC谐振电路提供足够电能,同时上桥电路和下桥电路可以分担三相PFC升压储能电路输出的高压直流电,不至于上桥电路和下桥电路中的MOS管被直流高压击坏,同时LC谐振电路形成LC高频谐振,在输入电压与输出电流在工作范围内波动时MOS管始终稳定工作在零电压工作区,从而降低整个DC-DC变换电路的功耗,提高工作效率。
如图2所示,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述储能电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8,所述电容C1和电容C4串联形成第一支路,所述电容C2和电容C5串联形成第二支路,所述电容C3和电容C6串联形成第三支路,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8顺次串联形成第四支路,所述第一支路、第二支路、第三支路和第四支路并联在三相PFC升压储能电路的输出端与地之间,所述电容C1和电容C4的公共端、所述电容C2和电容C5的公共端、所述电容C3和电容C6的公共端以及所述电阻R4和电阻R5的公共端分别与三相PFC升压储能电路的中间抽头(400V)电连接。通过所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8形成储能电路,可以为所述上桥电路、下桥电路和LC谐振电路提供足够电能。
如图2所示,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述上桥电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电容C7、电容C8和二极管D1,所述下桥电路包括MOS管Q3、MOS管Q4、电容C9、电容C10和二极管D2,所述MOS管Q1的漏极与所述储能电路的输出端电连接,所述MOS管Q1的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q1的源极与所述MOS管Q2的漏极电连接,所述MOS管Q2的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q2的源极与所述MOS管Q3的漏极电连接,所述MOS管Q3的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q3的源极与所述MOS管Q4的漏极电连接,所述MOS管Q4的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q4的源极接地,所述电容C7电连接在所述MOS管Q1的漏极和源极之间,所述电容C8电连接在所述MOS管Q2的漏极和源极之间,所述电容C9电连接在所述MOS管Q3的漏极和源极之间,所述电容C10电连接在所述MOS管Q4的漏极和源极之间,所述二极管D1的负极与所述MOS管Q1的源极电连接,所述二极管D1的正极与所述二极管D2的负极电连接,且二者的公共端均与三相PFC升压储能电路的中间抽头和所述LC谐振电路的一个输入端电连接,所述MOS管Q2的源极与所述LC谐振电路的另一个输入端电连接。所述MOS管Q1和MOS管Q2串联形成半桥电路的上桥臂,所述MOS管Q3和MOS管Q4串联形成半桥电路的下桥臂,上下桥臂串联可以分担三相PFC升压储能电路输出的高压直流电,不至于MOS管被直流高压击坏,且上桥臂的所述MOS管Q1和MOS管Q2与下桥臂的所述MOS管Q3和MOS管Q4交替导通与关断,通过所述电容C7、电容C8、电容C9、电容C10具有吸收对应MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4尖峰杂音的功能,二极管D1和二极管D2可以起到防止上桥臂和下桥臂工作电流反向,同时这种半桥LC谐振DC-DC变换电路的连接方式有提升输入电压值与加大输出电流的作用,整个电路拓扑结构设计简洁,性能达到平衡。
如图2所示,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述反向电能吸收电路包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R9、电阻R10和电容C11,所述二极管D3的负极与所述MOS管Q1的漏极电连接,所述二极管D3的正极与所述二极管D4的负极电连接,所述二极管D4的正极接地,所述二极管D3的正极与所述二极管D5的正极电连接,所述二极管D5的负极与所述变压器T1的初级线圈的一端之间电连接有所述电容C11,且所述电阻R9和电阻R10串联后并联于所述电容C11的两端。通过所述反向电能吸收电路可以起到反向吸收电能的作用。
如图2所示,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述LC谐振电路包括电感L1、电容C12、电容C13、电容C14、电阻R11和电阻R12,所述电感L1电连接在所述MOS管Q2的源极与所述变压器T1的初级线圈的一端之间,所述电容C12、电容C13和电容C14并联在所述二极管D1的正极与所述变压器T1的初级线圈的另一端之间,所述电阻R11和电阻R12串联后并联于所述电容C14的两端。通过所述电感L1、电容C12、电容C13、电容C14、电阻R11和电阻R12形成LC高频谐振,这样不管输入电压与输出电流在工作范围内怎么变化,MOS管始终稳定工作在零电压工作区,从而降低半桥LC谐振DC-DC变换电路功耗,提高工作效率。
如图3所示,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述整流电路包括:电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11和电感L3,所述二极管D6、二极管D7、二极管D8的正极均与所述变压器T1的次级线圈的一端电连接,所述二极管D6、二极管D7、二极管D8的负极均与所述输出滤波电路的一个输入端电连接,所述电容C15、电阻R13和电阻R14顺次串联后并联于所述二极管D6的正极与负极之间,所述电容C16、电阻R15和电阻R16顺次串联后并联于所述二极管D7的正极与负极之间,所述电容C17、电阻R17和电阻R18顺次串联后并联于所述二极管D8的正极与负极之间,所述二极管D9、二极管D10、二极管D11的正极均与所述变压器T1的次级线圈的另一端电连接,所述二极管D9、二极管D10、二极管D11的负极均与所述输出滤波电路的一个输入端电连接,所述电容C18、电阻R19和电阻R20顺次串联后并联于所述二极管D9的正极与负极之间,所述电容C19、电阻R21和电阻R22顺次串联后并联于所述二极管D10的正极与负极之间,所述电容C20、电阻R23和电阻R24顺次串联后并联于所述二极管D11的正极与负极之间,所述电感L3电连接与所述变压器T1的次级线圈的中心抽头与所述输出滤波电路的另一个输入端之间。通过典型的全波整流输出工作方式,电路更简洁与高效率,同时通过电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23和电阻R24具有吸收二极管工作时尖峰杂音的作用,提高输出直流波形的平滑程度,没有突变尖峰出现,降低二极管功耗。
在本实用新型的一个或多个实施例中,所述输出滤波电路包括LC滤波电路和EMI滤波电路。
如图3所示,所述LC滤波电路包括电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C25、电容C26、电容C29、电容C30、电容C31和电感L2,具体电路结构可以参见图3,这里不在详细赘述,所述LC滤波电路可以有效的抑制主电路外部传导的高频杂音,使波形更加平滑,输出满足用户负载需要的48V低压直流电。
如图3所示,所述EMI滤波电路包括电阻R30、电阻R31、电容C27、电容C28、电容C32、电容C33、电容C35和电容C36,具体电路结构可以参见图3,这里不在详细赘述,所述EMI滤波电路可以有效的抑制主电路外部传导的高频EMI杂音。图中保险丝F1和保险丝F2起输出电流不过载,保护前端电路作用。
可选地,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路还包括防反接电路,所述防反接电路电连接在所述输出滤波电路的两个输出端之间。通过所述防反接电路可以防止外部电路反接,便于带电热拔插。
具体地,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述防反接电路包括二极管D12和热敏电阻RT1,所述二极管D12的正极与所述输出滤波电路的负输出端电连接,所述二极管D12的负极通过所述热敏电阻RT1与所述输出滤波电路的正输出端电连接。
可选地,在本实用新型的一个或多个实施例中,所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路还包括假负载电路,所述假负载电路电连接在所述输出滤波电路的两个输入端之间。通过设置所述假负载电路,可以平衡输出波形,保证其不出现间歇性关断。
这里,所述假负载电路包括电阻R25、电阻R26、电阻R27和电阻R28,这里,选用阻值较大的电阻,起到负载的作用,以平衡输出波形,保证其不出现间歇性关断。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:包括半桥LC谐振DC-DC变换电路、变压器T1、输出整流电路和输出滤波电路,三相PFC升压储能电路输出的高压直流电接入所述半桥LC谐振DC-DC变换电路的输入端,所述半桥LC谐振DC-DC变换电路的输出端与所述变压器T1的输入端电连接,所述变压器T1的输出端与所述输出整流电路的输入端电连接,所述输出整流电路输出端与所述输出滤波电路的输入端电连接,所述输出滤波电路的输出端与外部负载电连接。
2.根据权利要求1所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:所述半桥LC谐振DC-DC变换电路包括储能电路、上桥电路、下桥电路、反向电能吸收电路和LC谐振电路,三相PFC升压储能电路输出的高压直流电接入所述储能电路的输入端,所述上桥电路和下桥电路串联在所述储能电路的输出端与地之间,所述上桥电路的控制输入端和下桥电路的控制输入端分别接入外部控制信号,所述上桥电路与下桥电路的公共端和储能电路的中间抽头分别与所述LC谐振电路的输入端电连接,所述反向电能吸收电路电连接在所述储能电路的输出端与地之间,所述LC谐振电路的两个输出端分别与所述变压器T1的初级线圈的两端对应电连接。
3.根据权利要求2所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:所述储能电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8,所述电容C1和电容C4串联形成第一支路,所述电容C2和电容C5串联形成第二支路,所述电容C3和电容C6串联形成第三支路,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8顺次串联形成第四支路,所述第一支路、第二支路、第三支路和第四支路并联在三相PFC升压储能电路的输出端与地之间,所述电容C1和电容C4的公共端、所述电容C2和电容C5的公共端、所述电容C3和电容C6的公共端以及所述电阻R4和电阻R5的公共端分别与三相PFC升压储能电路的中间抽头电连接。
4.根据权利要求2所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:所述上桥电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电容C7、电容C8和二极管D1,所述下桥电路包括MOS管Q3、MOS管Q4、电容C9、电容C10和二极管D2,所述MOS管Q1的漏极与所述储能电路的输出端电连接,所述MOS管Q1的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q1的源极与所述MOS管Q2的漏极电连接,所述MOS管Q2的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q2的源极与所述MOS管Q3的漏极电连接,所述MOS管Q3的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q3的源极与所述MOS管Q4的漏极电连接,所述MOS管Q4的栅极接入外部控制信号,所述MOS管Q4的源极接地,所述电容C7电连接在所述MOS管Q1的漏极和源极之间,所述电容C8电连接在所述MOS管Q2的漏极和源极之间,所述电容C9电连接在所述MOS管Q3的漏极和源极之间,所述电容C10电连接在所述MOS管Q4的漏极和源极之间,所述二极管D1的负极与所述MOS管Q1的源极电连接,所述二极管D1的正极与所述二极管D2的负极电连接,且二者的公共端均与三相PFC升压储能电路的中间抽头和所述LC谐振电路的一个输入端电连接,所述MOS管Q2的源极与所述LC谐振电路的另一个输入端电连接。
5.根据权利要求4所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:所述反向电能吸收电路包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R9、电阻R10和电容C11,所述二极管D3的负极与所述MOS管Q1的漏极电连接,所述二极管D3的正极与所述二极管D4的负极电连接,所述二极管D4的正极接地,所述二极管D3的正极与所述二极管D5的正极电连接,所述二极管D5的负极与所述变压器T1的初级线圈的一端之间电连接有所述电容C11,且所述电阻R9和电阻R10串联后并联于所述电容C11的两端。
6.根据权利要求4所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:所述LC谐振电路包括电感L1、电容C12、电容C13、电容C14、电阻R11和电阻R12,所述电感L1电连接在所述MOS管Q2的源极与所述变压器T1的初级线圈的一端之间,所述电容C12、电容C13和电容C14并联在所述二极管D1的正极与所述变压器T1的初级线圈的另一端之间,所述电阻R11和电阻R12串联后并联于所述电容C14的两端。
7.根据权利要求1所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:所述整流电路包括:电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11和电感L3,所述二极管D6、二极管D7、二极管D8的正极均与所述变压器T1的次级线圈的一端电连接,所述二极管D6、二极管D7、二极管D8的负极均与所述输出滤波电路的一个输入端电连接,所述电容C15、电阻R13和电阻R14顺次串联后并联于所述二极管D6的正极与负极之间,所述电容C16、电阻R15和电阻R16顺次串联后并联于所述二极管D7的正极与负极之间,所述电容C17、电阻R17和电阻R18顺次串联后并联于所述二极管D8的正极与负极之间,所述二极管D9、二极管D10、二极管D11的正极均与所述变压器T1的次级线圈的另一端电连接,所述二极管D9、二极管D10、二极管D11的负极均与所述输出滤波电路的一个输入端电连接,所述电容C18、电阻R19和电阻R20顺次串联后并联于所述二极管D9的正极与负极之间,所述电容C19、电阻R21和电阻R22顺次串联后并联于所述二极管D10的正极与负极之间,所述电容C20、电阻R23和电阻R24顺次串联后并联于所述二极管D11的正极与负极之间,所述电感L3电连接与所述变压器T1的次级线圈的中心抽头与所述输出滤波电路的另一个输入端之间。
8.根据权利要求1-7任一项所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:还包括防反接电路,所述防反接电路电连接在所述输出滤波电路的两个输出端之间。
9.根据权利要求8所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:所述防反接电路包括二极管D12和热敏电阻RT1,所述二极管D12的正极与所述输出滤波电路的负输出端电连接,所述二极管D12的负极通过所述热敏电阻RT1与所述输出滤波电路的正输出端电连接。
10.根据权利要求1-7任一项所述的大功率半桥LC谐振DC-DC变换电路,其特征在于:还包括假负载电路,所述假负载电路电连接在所述输出滤波电路的两个输入端之间。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202121405124.XU CN215010060U (zh) | 2021-06-23 | 2021-06-23 | 一种大功率半桥lc谐振dc-dc变换电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202121405124.XU CN215010060U (zh) | 2021-06-23 | 2021-06-23 | 一种大功率半桥lc谐振dc-dc变换电路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN215010060U true CN215010060U (zh) | 2021-12-03 |
Family
ID=79081040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202121405124.XU Active CN215010060U (zh) | 2021-06-23 | 2021-06-23 | 一种大功率半桥lc谐振dc-dc变换电路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN215010060U (zh) |
-
2021
- 2021-06-23 CN CN202121405124.XU patent/CN215010060U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201839208U (zh) | Pfc/pwm二合一开关电源电路 | |
CN111416536A (zh) | 基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器 | |
CN105846696B (zh) | 一种两级式ac-dc变换器及其控制方法 | |
CN101860237A (zh) | 高功率因数恒流电路及电源 | |
CN109742965A (zh) | 一种单相交错并联三电平谐振式的高频隔离型ac-dc变换器 | |
CN105515417A (zh) | 双输出单相pfc变换器及其组合式功率变换系统和控制方法 | |
CN102611294B (zh) | Cuk电路与Flyback电路集成的单级PFC电路 | |
CN110212748A (zh) | 一种宽电压电源输入电路 | |
CN105554952A (zh) | 一种基于二次型Buck的交错并联LED驱动电路及其工作方法 | |
CN111756257A (zh) | 基于三开关管的双升压三电平整流器 | |
CN103647448B (zh) | 集成降压-反激式高功率因数恒流电路及装置 | |
CN110086354A (zh) | 基于碳化硅mosfet的单相双推挽升压电路及升压方法 | |
CN104780692A (zh) | 一种单级无桥双Boost与Flyback集成的LED驱动电路 | |
CN215010060U (zh) | 一种大功率半桥lc谐振dc-dc变换电路 | |
CN212752137U (zh) | 一种llc谐振半桥同步整流电路 | |
CN106452049A (zh) | 一种组合电路及其应用的供电电路、显示器 | |
CN105429452A (zh) | 一种共模抑制双Boost无桥PFC变换器 | |
CN201887991U (zh) | 模块集成化高效大功率led驱动电源电路 | |
CN105099162A (zh) | 一种复合型高效功率因数校正电路 | |
CN201839206U (zh) | 一种改进的交直流通用开关电源电路结构 | |
CN204967611U (zh) | 一种复合型高效功率因数校正电路 | |
CN109600060B (zh) | 一种改进型反激式电源电路 | |
CN209823639U (zh) | 一种高效功率因数的校正电路 | |
CN215871920U (zh) | 一种灯具电源的输出电路 | |
CN217469760U (zh) | 一种pfc电路模块及llc谐振控制电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |