CN212752137U - 一种llc谐振半桥同步整流电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种LLC谐振半桥同步整流电路，包括上LLC谐振半桥DC‑DC变换电路、下LLC谐振半桥DC‑DC变换电路、上输出同步整流电路、下输出同步整流电路和输出滤波电路，其中：上LLC谐振半桥DC‑DC变换电路和下LLC谐振半桥DC‑DC变换电路之间串联；上输出同步整流电路和下输出同步整流电路之间输出并联；所述上LLC谐振半桥DC‑DC变换电路通过变压器T1连接到上输出同步整流电路；所述下LLC谐振半桥DC‑DC变换电路通过变压器T2连接到下输出同步整流电路；上输出同步整流电路和下输出同步整流电路连接到输出滤波电路；该电路将800V直流高压经由上、下2个LLC谐振半桥DC‑DC变换电路，以及上、下输出同步整流与滤波电路进行整流滤波后，输出用户负载需要的48V低压直流电。

Description

一种LLC谐振半桥同步整流电路

技术领域

本实用新型涉及供电管理领域，尤其涉及一种LLC谐振半桥同步整流电路。

背景技术

国家电信中心局站因为负载容量大，大量使用大功率通信电源高频开关整流器进行供电。现在5000W大功率通信电源高频开关整流器因为模块功率很大，一般用三相交流电平衡电流输入，这促使三相PFC储能电路输出通过升压到800V直流高压增加主电路功率同时降低总电流。

然而，1个半桥DC-DC变换电路的输出功率与主要元器件MOSFET管的耐压设计不能达到要求，因此，必须应用2个半桥DC-DC变换电路进行初级分压与次级分流的拓扑结构整合达到技术要求。

目前，普通的半桥DC-DC变换电路不能解决以上问题，基于上述技术问题，本实用新型通过设计一种变压器初次级串并联LLC谐振半桥同步整流电路，进而保证达到相应的技术指标。

发明内容

本实用新型针对上述现有技术的不足，提供一种LLC谐振半桥同步整流电路。

本实用新型解决为上述技术问题，提供的技术方案如下：本发明公开了一种LLC谐振半桥同步整流电路，包括上LLC谐振半桥DC-DC变换电路、下 LLC谐振半桥DC-DC变换电路、上输出同步整流电路、下输出同步整流电路和输出滤波电路，其中：

上LLC谐振半桥DC-DC变换电路和下LLC谐振半桥DC-DC变换电路之间串联；

上输出同步整流电路和下输出同步整流电路之间输出并联；

所述上LLC谐振半桥DC-DC变换电路通过变压器T1连接到上输出同步整流电路；所述下LLC谐振半桥DC-DC变换电路通过变压器T2连接到下输出同步整流电路；

上输出同步整流电路和下输出同步整流电路的另一端分别连接到输出滤波电路。

进一步的，所述上LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括MOSFET管Q1、 MOSFET管Q2、二极管D1、二极管D2和变压器T1；其中：

二极管D1的阴极连接到MOSFET管Q1的漏极，所述二极管D1的阳极分别连接到变压器T1的输入绕组的一端和二极管D2的阴极；MOSFET管Q1的源极一方面经过电感L1连接到变压器T1的输入绕组的另一端，另一方面连接到MOSFET管Q2的漏极；

MOSFET管Q2的源极连接到二极管D2的阳极。

进一步的，所述上LLC谐振半桥DC-DC变换电路还包括电感L1、电感L2、电容C5和电容C6；

电感L1、电感L2、电容C5、电容C6组成2个LC谐振电路，其中：

电感L1一端连接到MOSFET管Q1的源极，电感L1的另一端分别连接到电感L2的一端和变压器T1的输入绕组的另一端；

电容C5和电容C6串联在二极管D1的阴极和二极管D2的阳极之间，且电容C5和电容C6的公共端连接到电感L2的另一端。

进一步的，下LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括MOSFET管Q3、MOSFET 管Q4、二极管D3、二极管D4、电感L3、电感L4、电容C7、电容C8和变压器T2，其中：

电容C7一端连接到MOSFET管Q3的漏极，电容C7的另一端分别连接到电容C8的一端、电感L4的一端和变压器T2的输入绕组的一端；

电容C8的另一端连接到MOSFET管Q4的源极；

MOSFET管Q3的源极连接到电感L3的一端，电感L3的另一端分别连接到电感L4的一端和变压器T2的输入绕组的另一端；

电感L4的另一端分别连接到二极管D3的阳极以及二极管D4的阴极；

二极管D3与电容C7以及二极管D4与电容C8之间均并联。

进一步的，所述上输出同步整流电路包括MOSFET管Q5、MOSFET管Q6、 MOSFET管Q7、MOSFET管Q8、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电容C13、电容C14、电容C15和C16；其中：

MOSFET管Q5与MOSFET管Q6之间以及MOSFET管Q7与MOSFET管Q8之间均并联；

MOSFET管Q5与MOSFET管Q6的漏极连接点以及MOSFET管Q7与MOSFET 管Q8的漏极连接点分别连接到上LLC谐振半桥DC-DC变换电路下包括的变压器T1的输出绕组的两端；

电阻R17、电阻R18和电阻R19之间，以及电阻R20、电阻R21和电阻 R22之间并联；

电阻R17一端连接到电容C13的一端，电容C13的另一端分别连接到 MOSFET管Q6的漏极和电容C14的一端，电容C14的另一端连接到电阻R19 与电容C13连接一端的相对一端；

电阻R20一端连接到电容C15的一端，电容C15的另一端分别连接到 MOSFET管Q8的漏极和电容C16，电容C16的另一端连接到电阻R22与电容 C15连接一端的相对一端。

进一步的，所述下输出同步整流电路包括MOSFET管Q9、MOSFET管Q10、MOSFET管Q11、MOSFET管Q12、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电容C17、电容C18、电容C19和电容C20，其中：

MOSFET管Q9和MOSFET管Q10之间以及MOSFET管Q11和MOSFET管Q12 之间均并联；

MOSFET管Q9和MOSFET管Q10的漏极连接点以及MOSFET管Q11和MOSFET 管Q12的漏极连接点分别连接到下LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括的变压器T2的输出绕组的两端；

电阻R23、电阻R24和电阻R25之间，以及电阻R26、电阻R27和电阻 R28之间均并联；

电阻R23一端连接到电容C17的一端，电容C17的另一端分别连接到 MOSFET管Q10的漏极和电容C18的一端，电容C18的另一端连接到电阻R25 与电容C17连接一端的相对一端；

电阻R26一端连接到电容C19的一端，电容C19的另一端分别连接到 MOSFET管Q12的漏极和电容C20的一端，电容C20的另一端连接到电阻R28 与电容C19连接一端的相对一端。

进一步的，所述输出滤波电路包括电容C21、电容C22、电容C23、电容 C24、电容C25、电容C26、电容C27、电容C28、电容C29、电容C30、电容 C31、电容C32、电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电容C38、电容 C39、电容C40、电容C41、电容C42、电容C43、电容C44、电容C45、电容 C46、电容C47、电容C48、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、和电感L5，其中：

电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C25、电容C26、电容 C27、电容C28和电容C29并联，并组成第一并联电路；电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电容C38、电容C39、电容C40、电容C41和电容C42 并联，并组成第二并联电路；

电容C30一端通过电阻R29接地，电容C30的另一端连接到第一并联电路的负极；电容C31、电容C32的一端接地，且电容C31、电容C32的另一端分别连接到第一并联电路的负极out2和正极out1；所述变压器T1,T2第二输出绕组的两端分别通过第一并联电路的正极out1和第一并联电路的负极out2连接到第一并联电路；

电容C43连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C44和电阻 R32串联后连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C45和电阻R33 串联后连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C46连接于第二并联电路的正极VOUT+和地之间，电容C47和电阻R34串联后连接于第二并联电路的负极VOUT+和地之间，电容C48和电阻R35串联后连接于第二并联电路的负极VOUT+和地之间；

所述第一并联电路的正极通过电感L5的一个绕组连接到第二并联电路的正极；

电阻R30和电阻R31并联后与电感L5的另一个绕组串联在第一并联电路的负极与第二并联电路的负极之间。

进一步的，所述输出滤波电路还包括保险F1、保险F2和保险F3；其中：

保险F1、保险F2和保险F3并联在电感L5的另一个绕组与第二并联电路的负极之间。

本实用新型公开的一种LLC谐振半桥同步整流电路，是将经由三相PFC 升压储能电路输出的800V直流高压，经过中心抽头分压成2个400V直流高压之后，将产生的2个部分的直流高压分别加到上、下2个LLC谐振半桥 DC-DC变换电路上，最后经过上、下输出同步整流以及滤波电路进行整流滤波，输出用户负载需要的48V低压直流电。其中，采用2个半桥DC-DC变换与同步整流电路进行初级分压与次级分流的拓扑结构，整个电路的工作流程是由单片机实现智能检测与精确控制。

附图说明

图1为本实用新型的一种LLC谐振半桥同步整流电路的结构示意图；

图2为本实用新型的包括上LLC谐振半桥DC-DC变换电路、下LLC谐振半桥DC-DC变换电路、上输出同步整流电路以及下输出同步整流电路的结构示意图；

图3为本实用新型的输出滤波电路的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，一种LLC谐振半桥同步整流电路，包括上LLC谐振半桥 DC-DC变换电路、下LLC谐振半桥DC-DC变换电路、上输出同步整流电路、下输出同步整流电路和输出滤波电路，其中：

上LLC谐振半桥DC-DC变换电路和下LLC谐振半桥DC-DC变换电路之间串联；

上输出同步整流电路和下输出同步整流电路之间输出并联；

上LLC谐振半桥DC-DC变换电路通过变压器T1连接到上输出同步整流电路；下LLC谐振半桥DC-DC变换电路通过变压器T2连接到下输出同步整流电路；

上输出同步整流电路和下输出同步整流电路的另一端分别连接到输出滤波电路。

本实用新型的一种LLC谐振半桥同步整流电路，将经由三相PFC升压储能电路输出的800V直流高压，经过中心抽头分压成2个400V直流高压，将2个400V直流高压分别加到上、下2个LLC谐振半桥DC-DC变换电路后，最后经过上、下输出同步整流与滤波电路进行整流滤波，输出用户负载需要的 48V低压直流电。其中，采用2个LLC谐振半桥DC-DC变换电路与同步整流电路进行初级分压与次级分流的拓扑结构，整个电路的工作流程是由单片机实现智能检测与精确控制。

如图2所示，在本实用新型提供的一个或多个实施例中，上LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、二极管D1、二极管D2 和变压器T1；其中：

二极管D1的阴极连接到MOSFET管Q1的漏极，所述二极管D1的阳极分别连接到变压器T1的输入绕组的一端和二极管D2的阴极；MOSFET管Q1的源极一方面经过电感L1连接到变压器T1的输入绕组的另一端，另一方面连接到MOSFET管Q2的漏极；MOSFET管Q2的源极连接到二极管D2的阳极。

当前由MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、二极管D1、二极管D2和变压器T1 组成的独立承担上部400V直流高压的半桥DC-DC变换电路中，由MOSFET管 Q1和MOSFET管Q2形成半桥DC-DC变换电路的上、下2个桥臂，二极管D1、二极管D2在整个半桥DC-DC变换电路中起着防止电流反向的功能。

为了提高电路的工作效率，如图2所示，在本实用新型提供的一个或多个实施例中，上LLC谐振半桥DC-DC变换电路还包括电感L1、电感L2、电容C5和电容C6。电感L1、电感L2、电容C5、电容C6组成2个LC谐振电路，基于上述2个LC谐振电路形成的2个LC谐振频率，不管半桥DC-DC变换电路的输入电压与输出电流在工作范围内怎么变化，使得MOSFET管始终稳定工作在零电压工作区，从而降低模块DC-DC变换电路功耗，提高了工作效率。其中：

电感L1的一端连接到MOSFET管Q1的源极，电感L1的另一端分别连接到电感L2的一端和变压器T1的输入绕组的另一端；

电容C5和电容C6串联在二极管D1的阴极和二极管D2的阳极之间，且电容C5和电容C6的公共端连接到电感L2的另一端。

如图2所示，在本实用新型提供的一个或多个实施例中，下LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、二极管D3、二极管D4、电感L3、电感L4、电容C7、电容C8和变压器T2，其中：

电容C7一端连接到MOSFET管Q3的漏极，电容C7的另一端分别连接到电容C8的一端、电感L4的一端和变压器T2的输入绕组的一端；电容C8的另一端连接到MOSFET管Q4的源极；MOSFET管Q3的源极连接到电感L3的一端，电感L3的另一端分别连接到电感L4的一端和变压器T2的输入绕组的另一端；电感L4的另一端分别连接到二极管D3的阳极以及二极管D4的阴极；二极管D3与电容C7以及二极管D4与电容C8之间均并联。

上述公开的技术方案中，由下LLC谐振半桥DC-DC变换电路独立承担下部400V直流高压的半桥DC-DC变换，其功能与上LLC谐振半桥DC-DC变换电路相同。

本实施例中公开的由2个功率变压器T1和变压器T2组成的DC-DC变换电路采用初级串联和次级并联的连接方式，提升了输入电压值与加大输出电流的作用，整个电路拓扑结构设计简洁，性能达到平衡。

如图2所示，在本实用新型提供的一个或多个实施例中，上输出同步整流电路包括MOSFET管Q5、MOSFET管Q6、MOSFET管Q7、MOSFET管Q8、电阻 R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电容C13、电容 C14、电容C15和C16；其中：

MOSFET管Q5与MOSFET管Q6之间以及MOSFET管Q7与MOSFET管Q8之间均并联；

MOSFET管Q5与MOSFET管Q6的漏极连接点以及MOSFET管Q7与MOSFET 管Q8的漏极连接点分别连接到上LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括的变压器T1的输出绕组的两端；

电阻R17、电阻R18和电阻R19之间，以及电阻R20、电阻R21和电阻 R22之间并联；

电阻R17一端连接到电容C13的一端，电容C13的另一端分别连接到 MOSFET管Q6的漏极和电容C14的一端，电容C14的另一端连接到电阻R19 与电容C13连接一端的相对一端；

电阻R20一端连接到电容C15的一端，电容C15的另一端分别连接到 MOSFET管Q8的漏极和电容C16，电容C16的另一端连接到电阻R22与电容 C15连接一端的相对一端。

由于上输出同步整流电路采用跟随变压器输出波形的自激式同步整流方式，使得整个电路结构更加简洁。

如图2所示，在本实用新型提供的一个或多个实施例中，下输出同步整流电路包括MOSFET管Q9、MOSFET管Q10、MOSFET管Q11、MOSFET管Q12、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电容C17、电容C18、电容C19和电容C20，其中：

MOSFET管Q9和MOSFET管Q10之间以及MOSFET管Q11和MOSFET管Q12 之间均并联；

MOSFET管Q9和MOSFET管Q10的漏极连接点以及MOSFET管Q11和MOSFET 管Q12的漏极连接点分别连接到下LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括的变压器T2的输出绕组的两端；

电阻R23、电阻R24和电阻R25之间，以及电阻R26、电阻R27和电阻 R28之间均并联；

电阻R23一端连接到电容C17的一端，电容C17的另一端分别连接到 MOSFET管Q10的漏极和电容C18的一端，电容C18的另一端连接到电阻R25 与电容C17连接一端的相对一端；

电阻R26一端连接到电容C19的一端，电容C19的另一端分别连接到MOSFET管Q12的漏极和电容C20的一端，电容C20的另一端连接到电阻R28 与电容C19连接一端的相对一端。

需要说明的是，本发明中公开的下输出同步整流电路实现的功能与上输出同步整流电路相同，都是采用跟随变压器输出波形的自激式同步整流方式，使得电路结构更加简单。

如图3所示，在本实用新型提供的一个或多个实施例中，输出滤波电路包括电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C25、电容C26、电容 C27、电容C28、电容C29、电容C30、电容C31、电容C32、电容C34、电容 C35、电容C36、电容C37、电容C38、电容C39、电容C40、电容C41、电容 C42、电容C43、电容C44、电容C45、电容C46、电容C47、电容C48、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、和电感L5，其中：

电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C25、电容C26、电容 C27、电容C28和电容C29并联，并组成第一并联电路；电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电容C38、电容C39、电容C40、电容C41和电容C42 并联，并组成第二并联电路；

电容C30一端通过电阻R29接地，电容C30的另一端连接到第一并联电路的负极；电容C31、电容C32的一端接地，且电容C31、电容C32的另一端分别连接到第一并联电路的负极out2和正极out1；所述变压器T1,T2第二输出绕组的两端分别通过第一并联电路的正极out1和第一并联电路的负极out2连接到第一并联电路；

电容C43连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C44和电阻 R32串联后连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C45和电阻R33 串联后连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C46连接于第二并联电路的正极VOUT+和地之间，电容C47和电阻R34串联后连接于第二并联电路的负极VOUT+和地之间，电容C48和电阻R35串联后连接于第二并联电路的负极VOUT+和地之间；

第一并联电路的正极通过电感L5的一个绕组连接到第二并联电路的正极；电阻R30和电阻R31并联后与电感L5的另一个绕组串联在第一并联电路的负极与第二并联电路的负极之间。

在本实用新型提供的一个或多个实施例中，输出滤波电路还包括保险 F1、保险F2和保险F3；其中：

保险F1、保险F2和保险F3并联在电感L5的另一个绕组与第二并联电路的负极之间。

当前基于上述连接结构下的输出滤波电路，可以有效的抑制电路内部产生的高频杂音，使得电路的输出波形更加平滑，进而输出满足用户负载所需的48V低压直流电。本实用新型公开的一种同步整流电路，是将经由三相PFC 升压储能电路输出的800V直流高压，经过中心抽头分压成2个400V直流高压之后，将产生的2个部分的直流高压分别加到上、下2个LLC谐振半桥 DC-DC变换电路上，最后经过上、下输出同步整流以及滤波电路进行整流滤波，输出用户负载需要的48V低压直流电。其中，采用2个半桥DC-DC变换与同步整流电路进行初级分压与次级分流的拓扑结构，整个电路的工作流程是由单片机实现智能检测与精确控制。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，包括上LLC谐振半桥DC-DC变换电路、下LLC谐振半桥DC-DC变换电路、上输出同步整流电路、下输出同步整流电路和输出滤波电路，其中：

上LLC谐振半桥DC-DC变换电路和下LLC谐振半桥DC-DC变换电路之间串联；

上输出同步整流电路和下输出同步整流电路之间输出并联；

所述上LLC谐振半桥DC-DC变换电路通过变压器T1连接到上输出同步整流电路；所述下LLC谐振半桥DC-DC变换电路通过变压器T2连接到下输出同步整流电路；

上输出同步整流电路和下输出同步整流电路的另一端分别连接到输出滤波电路。

2.根据权利要求1所述的一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，所述上LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、二极管D1、二极管D2和变压器T1；其中：

二极管D1的阴极连接到MOSFET管Q1的漏极，所述二极管D1的阳极分别连接到变压器T1的输入绕组的一端和二极管D2的阴极；MOSFET管Q1的源极一方面经过电感L1连接到变压器T1的输入绕组的另一端，另一方面连接到MOSFET管Q2的漏极；

MOSFET管Q2的源极连接到二极管D2的阳极。

3.根据权利要求2所述的一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，所述上LLC谐振半桥DC-DC变换电路还包括电感L1、电感L2、电容C5和电容C6；

电感L1、电感L2、电容C5、电容C6组成2个LC谐振电路，其中：

电感L1一端连接到MOSFET管Q1的源极，电感L1的另一端分别连接到电感L2的一端和变压器T1的输入绕组的另一端；

电容C5和电容C6串联在二极管D1的阴极和二极管D2的阳极之间，且电容C5和电容C6的公共端连接到电感L2的另一端。

4.根据权利要求1所述的一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，下LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、二极管D3、二极管D4、电感L3、电感L4、电容C7、电容C8和变压器T2，其中：

电容C7一端连接到MOSFET管Q3的漏极，电容C7的另一端分别连接到电容C8的一端、电感L4的一端和变压器T2的输入绕组的一端；

电容C8的另一端连接到MOSFET管Q4的源极；

MOSFET管Q3的源极连接到电感L3的一端，电感L3的另一端分别连接到电感L4的一端和变压器T2的输入绕组的另一端；

电感L4的另一端分别连接到二极管D3的阳极以及二极管D4的阴极；

二极管D3与电容C7以及二极管D4与电容C8之间均并联。

5.根据权利要求1所述的一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，所述上输出同步整流电路包括MOSFET管Q5、MOSFET管Q6、MOSFET管Q7、MOSFET管Q8、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电容C13、电容C14、电容C15和C16；其中：

MOSFET管Q5与MOSFET管Q6之间以及MOSFET管Q7与MOSFET管Q8之间均并联；

MOSFET管Q5与MOSFET管Q6的漏极连接点以及MOSFET管Q7与MOSFET管Q8的漏极连接点分别连接到上LLC谐振半桥DC-DC变换电路下包括的变压器T1的输出绕组的两端；

电阻R17、电阻R18和电阻R19之间，以及电阻R20、电阻R21和电阻R22之间并联；

电阻R17一端连接到电容C13的一端，电容C13的另一端分别连接到MOSFET管Q6的漏极和电容C14的一端，电容C14的另一端连接到电阻R19与电容C13连接一端的相对一端；

电阻R20一端连接到电容C15的一端，电容C15的另一端分别连接到MOSFET管Q8的漏极和电容C16，电容C16的另一端连接到电阻R22与电容C15连接一端的相对一端。

6.根据权利要求5所述的一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，所述下输出同步整流电路包括MOSFET管Q9、MOSFET管Q10、MOSFET管Q11、MOSFET管Q12、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电容C17、电容C18、电容C19和电容C20，其中：

MOSFET管Q9和MOSFET管Q10之间以及MOSFET管Q11和MOSFET管Q12之间均并联；

MOSFET管Q9和MOSFET管Q10的漏极连接点以及MOSFET管Q11和MOSFET管Q12的漏极连接点分别连接到下LLC谐振半桥DC-DC变换电路包括的变压器T2的输出绕组的两端；

电阻R23、电阻R24和电阻R25之间，以及电阻R26、电阻R27和电阻R28之间均并联；

电阻R23一端连接到电容C17的一端，电容C17的另一端分别连接到MOSFET管Q10的漏极和电容C18的一端，电容C18的另一端连接到电阻R25与电容C17连接一端的相对一端；

电阻R26一端连接到电容C19的一端，电容C19的另一端分别连接到MOSFET管Q12的漏极和电容C20的一端，电容C20的另一端连接到电阻R28与电容C19连接一端的相对一端。

7.根据权利要求6所述的一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，所述输出滤波电路包括电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C25、电容C26、电容C27、电容C28、电容C29、电容C30、电容C31、电容C32、电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电容C38、电容C39、电容C40、电容C41、电容C42、电容C43、电容C44、电容C45、电容C46、电容C47、电容C48、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电阻R35、和电感L5，其中：

电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C25、电容C26、电容C27、电容C28和电容C29并联，并组成第一并联电路；

电容C34、电容C35、电容C36、电容C37、电容C38、电容C39、电容C40、电容C41和电容C42并联，并组成第二并联电路；

电容C30一端通过电阻R29接地，电容C30的另一端连接到第一并联电路的负极；电容C31、电容C32的一端接地，且电容C31、电容C32的另一端分别连接到第一并联电路的负极out2和正极out1；所述变压器T1,T2第二输出绕组的两端分别通过第一并联电路的正极out1和第一并联电路的负极out2连接到第一并联电路；

电容C43连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C44和电阻R32串联后连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C45和电阻R33串联后连接于第二并联电路的负极VOUT-和地之间，电容C46连接于第二并联电路的正极VOUT+和地之间，电容C47和电阻R34串联后连接于第二并联电路的负极VOUT+和地之间，电容C48和电阻R35串联后连接于第二并联电路的负极VOUT+和地之间；

第一并联电路的正极通过电感L5的一个绕组连接到第二并联电路的正极；

电阻R30和电阻R31并联后与电感L5的另一个绕组串联在第一并联电路的负极与第二并联电路的负极之间。

8.根据权利要求7所述的一种LLC谐振半桥同步整流电路，其特征在于，所述输出滤波电路还包括保险F1、保险F2和保险F3；其中：

保险F1、保险F2和保险F3并联在电感L5的另一个绕组与第二并联电路的负极之间。

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