CN215004810U - 一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其包括：机架，所述机架的底壁上设置有支撑杆，所述支撑杆上方设置有支撑台，所述支撑台与所述支撑杆转动连接或所述支撑台与所述机架的底壁转动连接，所述支撑台用于放置坩埚，所述坩埚、所述支撑台及所述支撑杆共中心轴线设置；测试组件，所述测试组件包括至少三个测试计，每个所述测试计位于同一水平高度上，并沿所述坩埚周向分布，所述测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到所述坩埚的外侧壁；或测试组件，所述测试组件包括至少三个沿所述支撑杆周向分布的测试计，所述测试计的一端连接在所述机架的底壁上，另一端能够接触到所述支撑台的下表面。

Description

一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置

技术领域

本申请涉及一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，属于碳化硅制备技术领域。

背景技术

碳化硅是继硅、砷化镓之后的第三代宽禁带半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。高质量晶体是半导体和信息产业发展的基石，它的制备水平影响了下游器件的性能。尽管近几年物理气相传输法(PVT)生长碳化硅晶体取得了长足的进步，但其生长晶体的稳定性仍需要进一步研究，尤其是晶体厚度的均匀性问题一直没有解决。而晶体厚度的不均匀会导致较厚处的晶体浪费。

晶体边缘厚度是否均匀往往和原料装配的均匀程度相关，比如在装配原料时，坩埚内不同位置的原料紧密程度是否均匀一致。在采用PVT法制备碳化硅晶体时，与原料较紧密的位置相比，原料较疏松的位置更容易塌陷，从而导致晶体生长过程中的不稳定性，造成生长的晶体厚度不均匀，且塌陷不均匀会导致气氛升华不均匀而使制备的晶体存在多型、微管等缺陷，影响晶体的质量。此外，即使原料表面都塌陷，只要塌陷是均匀的，也不会影响晶体厚度的均匀性，因此，原料装配均匀可以提高显著提高晶体厚度的均匀性。

目前，在采用PVT法制备碳化硅单晶时，坩埚内原料装配的均匀性程度难以评估。

实用新型内容

为了解决上述问题，本申请提出了一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，该装置可以判断坩埚内原料的均匀程度，从而做出及时调整，以使生长过程中原料塌陷均匀，进而改善生长得到的碳化硅晶体厚度的均匀性，提高碳化硅晶体的长晶质量。

根据本申请的一个方面，提供了一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其包括：

机架，所述机架的底壁上设置有支撑杆，所述支撑杆上方设置有支撑台，所述支撑台与所述支撑杆转动连接或所述支撑台与所述机架的底壁转动连接，所述支撑台用于放置坩埚，所述坩埚、所述支撑台及所述支撑杆共中心轴线设置；

测试组件，所述测试组件包括至少三个测试计，每个所述测试计位于同一水平高度上，并沿所述坩埚周向分布，所述测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到所述坩埚的外侧壁；或

测试组件，所述测试组件包括至少三个沿所述支撑杆周向分布的测试计，所述测试计的一端连接在所述机架的底壁上，另一端能够接触到所述支撑台的下表面。

可选地，所述支撑杆的上端开设有球形凹槽，所述支撑台的下侧连接有球形凸部，所述球形凸部安装在所述球形凹槽内，并与所述球形凹槽发生相对转动。

可选地，所述支撑台的中心设置有水平确认器。

可选地，测试组件包括四个压力测试计，四个所述压力测试计沿所述坩埚周向均匀分布，每个所述压力测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到靠近所述坩埚的外侧壁。

可选地，所述机架的底壁设置有第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述支撑杆相连，所述第一驱动机构用于驱动所述支撑杆升降，以带动所述支撑台升降。

可选地，每个所述压力测试计均通过伸缩臂与所述机架的内侧壁相连，所述伸缩臂用于驱动与其相连的所述压力测试计靠近或远离所述坩埚。

可选地，所述机架的侧壁设置有若干个滑槽，每个所述滑槽内均设有调节丝杠，每个所述伸缩臂靠近所述滑槽的一端均连接有调节螺母，所述调节螺母与所述调节丝杠配合以调节所述压力测试计的高度位置。

可选地，所述支撑台上设置有定位组件，所述定位组件包括第一定位件和第二定位件，所述第一定位件、所述第二定位件和所述支撑台围成用于放置所述坩埚的容纳腔；

所述第一定位件与所述第二定位件分别能够调节距离所述支撑杆中心轴线的相对位置。

可选地，所述定位组件还包括第二驱动机构和第三驱动机构，所述第二驱动机构与所述第一定位件相连，用于驱动所述第一定位件靠近或远离所述坩埚；所述第三驱动机构与所述第二定位件相连，用于驱动所述第二定位件靠近或远离所述坩埚。

可选地，所述压力测试计靠近所述坩埚的一端连接有连接杆，所述连接杆的另一端连接有弧形板，所述弧形板的形状与所述坩埚外侧壁的形状适配。

本申请能产生的有益效果包括但不限于：

1.本申请所提供的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，通过设置支撑台与支撑杆转动连接或支撑台与机架的底壁转动连接，当坩埚的内装料不均匀时，坩埚内不同位置的重量不同，导致支撑台带动坩埚发生倾斜，位于坩埚倾斜方向的至少一个测试计示数会发生变化，根据示数的变化大小可以判断坩埚内原料的均匀程度，从而做出及时调整，以使生长过程中原料塌陷均匀，进而改善生长得到的碳化硅晶体厚度的均匀性，提高碳化硅晶体的长晶质量。

2.本申请所提供的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，通过使支撑台的中心与支撑杆的中心轴线位于同一条直线上，从而确保当支撑台上未放坩埚时支撑台处于水平状态；通过在支撑台的中心设置水平确认器，从而便于判断支撑台是否处于水平状态，提高精度；通过使坩埚的中心轴线与支撑台的中心位于同一条直线上，便于通过观察测试计的示数判断坩埚材质是否均匀，若当未装料的坩埚放上支撑台后，至少一个测试计的示数发生改变，则表明坩埚可能发生了形变或者不均匀侵蚀，因此可以根据测试计的示数判断坩埚是否均匀，确保碳化硅生长时所使用的坩埚都是完好均匀的，从而保证所制备的碳化硅单晶的质量。

3.本申请所提供的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，通过设置四个压力测试计沿坩埚周向均匀分布，可以检测到坩埚中各个位置的原料是否均匀，以及时调整从而保证坩埚中各个位置均装料均匀；此外，压力测试计可以对坩埚起一定的支撑作用，以防止坩埚随支撑台倾斜时从支撑台滑落。

4.本申请所提供的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，通过设置第一定位件和第二定位件，从而将坩埚固定在支撑台上方，防止在支撑台转动的过程中坩埚从支撑台滑落，并且还能保证坩埚在特定位置处，例如使坩埚始终处于支撑台的正中央；通过设置第一定位件和第二定位件的位置均可调，从而使该定位组件适用于固定不同直径的坩埚。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例1涉及的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置正截面图；

图2为本申请实施例1涉及的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置俯视图；

图3为本申请实施例2涉及的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置正截面图；

图4为本申请实施例2涉及的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置俯视图。

具体实施方式

为了更清楚的阐释本申请的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详细说明。

为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是，本申请还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本申请的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

另外，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不是必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

实施例1

如图1-2所示，本申请的实施例公开了一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其包括：机架1和测试组件。其中，机架1的底壁上设置有支撑杆 2，支撑杆2上方设置有支撑台3，支撑台3与支撑杆2转动连接或支撑台3 与机架1的底壁转动连接，支撑台3用于放置坩埚4，所述坩埚4、所述支撑台3及所述支撑杆2共中心轴线设置；测试组件包括至少三个测试计，每个测试计位于同一水平高度上，并沿坩埚4周向分布，测试计的一端连接在机架1的内侧壁上，另一端能够接触到坩埚4的外侧壁。通过设置支撑台3与支撑杆 2转动连接或支撑台3与机架1的底壁转动连接，当坩埚4内装料不均匀时，坩埚4内不同位置的重量不同，导致支撑台3带动坩埚4发生倾斜，位于坩埚 4倾斜方向的至少一个测试计示数会发生变化，根据示数的变化大小可以判断坩埚4内原料的均匀程度，从而做出及时调整，以使生长过程中原料塌陷均匀，进而改善生长得到的碳化硅晶体厚度的均匀性，提高碳化硅晶体的长晶质量。通过使支撑台3的中心与支撑杆2的中心轴线位于同一条直线上，从而确保当支撑台3上未放坩埚4时支撑台3处于水平状态；通过使坩埚4的中心轴线与支撑台3的中心位于同一条直线上，便于通过观察测试计的示数判断坩埚4材质是否均匀，若当未装料的坩埚4放上支撑台3后，至少一个测试计的示数发生改变，则表明坩埚4可能发生了形变或者不均匀侵蚀，因此可以根据测试计的示数判断坩埚4是否均匀，确保碳化硅生长时所使用的坩埚4都是完好均匀的，从而保证所制备的碳化硅单晶的质量。

具体的，测试计可以为压力测试计5、距离测试计或其他任意能感应到重量变化的测试计。当测试计为压力测试计5时，可以为任意压力测试计5，只要能在装料不均匀时观察到示数变化即可，本实施例中为弹簧测力计；作为一种未示出的实施方式，当测试计为距离测试计时，可以为任意伸缩件，只要能在装料不均匀时能够测量出伸缩件的伸缩长短即可，本实施例中采用弹簧测距器，即通过测量弹簧的缩短长度，判断坩埚4内原料的均匀程度，可以理解的是，弹簧的缩短长度与弹簧的弹性系数有关，为了减小测量误差，应当选取弹性系数较小的弹簧。

具体的，为了避免对坩埚4底壁产生污染，支撑台3的材质可以为石墨、陶瓷或石英等。支撑台3可以为任意形状，如方形、圆形等。优选，支撑台3 为圆形。

作为一种实施方式，支撑杆2的上端开设有球形凹槽，支撑台3的下侧连接有球形凸部6，球形凸部6安装在球形凹槽内，并与球形凹槽发生相对转动。该设置方式结构简单，而且可以使球形凸部6与球形凹槽之间向各个方向灵活转动，从而可以检测到坩埚4内各个位置的原料是否均匀。

作为一种实施方式，支撑台3的中心设置有水平确认器。通过在支撑台3 的中心设置水平确认器，从而便于判断支撑台3是否处于水平状态，提高精度。

作为一种实施方式，测试组件包括四个压力测试计5，四个压力测试计5 沿坩埚4周向均匀分布，每个压力测试计5的一端连接在机架1的内侧壁上，另一端能够接触到靠近坩埚4的外侧壁。通过设置四个压力测试计5沿坩埚4 周向均匀分布，可以检测到坩埚4中各个位置的原料是否均匀，以及时调整从而保证坩埚4中各个位置均装料均匀；此外，压力测试计5可以对坩埚4起一定的支撑作用，以防止坩埚4随支撑台3倾斜时从支撑台3滑落。

可以理解的是，压力测试计5可以接触任意高度的坩埚4外侧壁，例如坩埚4外侧壁的底部、中部或上部。本实施例中为了更精确的判断坩埚4内原料的均匀程度，使压力测试计5接触坩埚4外侧壁的上部。

作为一种实施方式，机架1的底壁设置有第一驱动机构7，第一驱动机构 7与支撑杆2相连，第一驱动机构7用于驱动支撑杆2升降，以带动支撑台3 升降。通过设置第一驱动机构7驱动支撑杆2升降，从而可以使该装置适用于不同高度的坩埚4，提高该装置的适应性。

具体的，本实施例对第一驱动机构7的类型不做限制，可以为气缸、液压缸或电动缸等，只要能实现驱动支撑杆2升降即可。

作为一种实施方式，每个压力测试计5均通过伸缩臂8与机架1的内侧壁相连，伸缩臂8用于驱动与其相连的压力测试计5靠近或远离坩埚4。通过设置伸缩臂8连接压力测试计5和机架1，从而使该装置可以适用于不同直径的坩埚4，提高该装置的适应性。

具体的，伸缩臂8的伸缩可以为动力装置驱动，例如气缸驱动；也可以设置活动螺丝，通过活动螺丝的旋转实现伸缩臂8的延伸或缩短，或使得伸缩臂 8可以在水平方向上实现前倾或后仰，以适用于例如倒圆台或圆锥形状的坩埚 4。

作为一种实施方式，机架1的侧壁设置有若干个滑槽，每个滑槽内均设有调节丝杠，每个伸缩臂8靠近滑槽的一端均连接有调节螺母，调节螺母与调节丝杠配合以调节压力测试计5的高度位置。通过设置在滑槽内设置调节丝杠，在伸缩臂8的一端设有调节螺母，以使得压力测试计5能够滑动至特定位置，即高度位置可调，并且滑动至特定位置后固定，从而使该装置可以适用于不同高度的坩埚4。

可以理解的是，在调节丝杠的底部均设有调节丝杠驱动马达，用于为压力测试计5的高度调节提供驱动力。

作为一种实施方式，支撑台3上设置有定位组件，定位组件包括第一定位件9和第二定位件10，第一定位件9、第二定位件10和支撑台3围成用于放置坩埚4的容纳腔；第一定位件9与第二定位件10分别能够调节距离支撑杆2 中心轴线的相对位置。通过设置第一定位件9和第二定位件10，从而将坩埚4 固定在支撑台3上方，防止在支撑台3转动的过程中坩埚4从支撑台3滑落，并且还能保证坩埚4在特定位置处，例如使坩埚4始终处于支撑台3的正中央；通过设置第一定位件9和第二定位件10的位置均可调，从而使该定位组件适用于固定不同直径的坩埚4。

具体的，定位组件还包括第二驱动机构11和第三驱动机构12，第二驱动机构11与第一定位件9相连，用于驱动第一定位件9靠近或远离坩埚4；第三驱动机构12与第二定位件10相连，用于驱动第二定位件10靠近或远离坩埚4。其中，第二驱动机构11和第三驱动机构12可以分别选自气缸、液压缸等常见的驱动机构。

作为一种实施方式，压力测试计5靠近坩埚4的一端连接有连接杆13，连接杆13的另一端连接有弧形板14，弧形板14的形状与坩埚4外侧壁的形状适配。该设置方式可以使弧形板14与坩埚4外侧壁具有最大的接触面积，以使压力测试计5更灵活的感应到压力变化，提高精度，进一步保证长晶质量。

实施例2

如图3-4所示，实施例2与实施例1的不同之处在于：测试组件包括至少三个沿支撑杆2周向分布的测试计，测试计的一端连接在机架1的底壁上，另一端能够接触到支撑台3的下表面。可以理解的是，测试计可以为压力测试计或距离测试计。具体的，测试组件包括四个沿支撑杆2周向分布的压力测试计 5。通过将压力测试计5设置在支撑台3下方，当支撑台3发生倾斜时，所倾斜的一方的压力测试计5感受到压力，可以使压力测试计5能够更灵敏地感应到坩埚4不同位置处装料是否均匀，进一步提高装料的均匀程度，以使晶体生长过程中原料塌陷均匀，进而保证碳化硅的长晶质量。

具体的，每个压力测试计5的下方均通过气缸与机架1的底壁相连，以驱动压力测试计5的升降。为了更精确的判断坩埚4内原料的均匀程度，每个压力测试计远离支撑杆2设置。

实施例3

实施例3提供了一种评价坩埚内原料装配均匀性的方法，该方法可以利用实施例1或2所提供的装置实现，包括以下步骤：

(1)通过水平确认器，确认支撑台3在自然状态下为水平；

(2)将坩埚4放置在支撑台3上，并通过第一定位件9和第二定位件10 将坩埚4固定，使坩埚4的中心轴线与支撑台3的中心处于同一条直线上；观察四个测试计的示数是否发生改变，若均没有改变，则说明坩埚4材质均匀；若至少一个测试计的示数发生变化，则说明坩埚4已发生形变或不均匀侵蚀，需要更换材质均匀的坩埚4；

(3)在坩埚4内以500～1000g/mi n的装料速度分多次装配原料，所装配的原料的最大粒径与最小粒径之差不大于500μm，每次的原料加入量为原料的总加入量的5％～10％，并在每次加入原料后，将坩埚内原料压实或震荡，使坩埚内各个位置的原料高度一致，并观察各个位置的测试计示数是否发生改变，若至少一个测试计的示数发生改变且变化量超过某一数值时，则说明靠近该测试计的一侧原料装配不均匀，需进行调整，直至原料装配均匀；

其中，当测试计为压力测试计5，且四个压力测试计5与坩埚4的外侧壁相接触时，若对于每个压力测试计5：N≤0.1％Mg,N＝N₁-N₀时，则认为坩埚4内原料装配均匀，其中，M为坩埚内原料的重量，g为9.8N/kg，N₁为装入原料的坩埚4放置在支撑台3上时的压力测试计5示数，N₀为坩埚4装入原料之前放置在支撑台3上时的压力测试计5示数，压力测试计的灵敏度不小于0.05N；

当测试计为弹簧测距器时，且四个弹簧测距器与坩埚4的外侧壁相接触时，若对于每个弹簧测距器：L≤0.05％Mg/k时，则认为坩埚4内原料装配均匀，其中，L为装入原料后的坩埚4放置在支撑台3上时弹簧缩短的长度，k为弹簧的弹性系数，M为坩埚内原料的重量，g为9.8N/kg，k不大于100N/m；

当测试计为压力测试计5，且四个压力测试计5与支撑台3的下表面接触时，若对于每个压力测试计5：N≤0.15％Mg,N＝N₁-N₀时，则认为坩埚4内原料装配均匀，其中，M为原料的重量，g为9.8N/kg，N₁为装入原料的坩埚4放置在支撑台3上时的压力测试计5示数，N₀为坩埚4装入原料之前放置在支撑台 3上时的压力测试计5示数，压力测试计的灵敏度不小于0.05N；

当测试计为弹簧测距器时，且四个弹簧测距器与支撑台3的下表面相接触时，若对于每个弹簧测距器：L≤0.08％Mg/k时，则认为坩埚4内原料装配均匀，其中，L为装入原料后的坩埚4放置在支撑台3上时弹簧缩短的长度，k为弹簧的弹性系数，M为坩埚内原料的重量，g为9.8N/kg，k不大于100N/m；

(4)将装料均匀的坩埚4从支撑台3上平移取下，确保坩埚4内的原料状态不发生变化。

使用该评价方法处理不同的原料，其中，坩埚4的尺寸、装料参数及长晶条件相同，所使用的压力测试计的灵敏度为0.05N，所使用的弹簧测距器的k 为50N/m，处理方法如表1所示：

表1

长晶结束后，将实验例1#～8#，对比例D1#～D4#的坩埚再次放到其装置的相同位置上，观察各测试计的示数变化，同时检测坩埚内原料的坍塌程度是否均匀；此外，对实验例1#～8#，对比例D1#～D4#得到的晶体分别检测其边缘厚度、边缘多型，并分别通过XRD测试其结晶质量，检测结果如表2所示：

表2

实验结果表明：使用该方法可以确保坩埚内各个位置处的原料平均堆积密度均一，且重量均匀，因此可以确保长晶过程中原料不坍塌或坍塌均匀，保证碳化硅晶体的长晶质量，使生长得到的碳化硅单晶边缘厚度均匀，无边缘多型出现，且结晶质量良好。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，包括：

机架，所述机架的底壁上设置有支撑杆，所述支撑杆上方设置有支撑台，所述支撑台与所述支撑杆转动连接或所述支撑台与所述机架的底壁转动连接，所述支撑台用于放置坩埚，所述坩埚、所述支撑台及所述支撑杆共中心轴线设置；

测试组件，所述测试组件包括至少三个测试计，每个所述测试计位于同一水平高度上，并沿所述坩埚周向分布，所述测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到所述坩埚的外侧壁；或

测试组件，所述测试组件包括至少三个沿所述支撑杆周向分布的测试计，所述测试计的一端连接在所述机架的底壁上，另一端能够接触到所述支撑台的下表面。

2.根据权利要求1所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述支撑杆的上端开设有球形凹槽，所述支撑台的下侧连接有球形凸部，所述球形凸部安装在所述球形凹槽内，并与所述球形凹槽发生相对转动。

3.根据权利要求1所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述支撑台的中心设置有水平确认器。

4.根据权利要求1至3任一项所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，测试组件包括四个压力测试计，四个所述压力测试计沿所述坩埚周向均匀分布，每个所述压力测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到靠近所述坩埚的外侧壁。

5.根据权利要求4所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述机架的底壁设置有第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述支撑杆相连，所述第一驱动机构用于驱动所述支撑杆升降，以带动所述支撑台升降。

6.根据权利要求4所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，每个所述压力测试计均通过伸缩臂与所述机架的内侧壁相连，所述伸缩臂用于驱动与其相连的所述压力测试计靠近或远离所述坩埚。

7.根据权利要求6所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述机架的侧壁设置有若干个滑槽，每个所述滑槽内均设有调节丝杠，每个所述伸缩臂靠近所述滑槽的一端均连接有调节螺母，所述调节螺母与所述调节丝杠配合以调节所述压力测试计的高度位置。

8.根据权利要求6所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述支撑台上设置有定位组件，所述定位组件包括第一定位件和第二定位件，所述第一定位件、所述第二定位件和所述支撑台围成用于放置所述坩埚的容纳腔；

所述第一定位件与所述第二定位件分别能够调节距离所述支撑杆中心轴线的相对位置。

9.根据权利要求8所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述定位组件还包括第二驱动机构和第三驱动机构，所述第二驱动机构与所述第一定位件相连，用于驱动所述第一定位件靠近或远离所述坩埚；所述第三驱动机构与所述第二定位件相连，用于驱动所述第二定位件靠近或远离所述坩埚。

10.根据权利要求4所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述压力测试计靠近所述坩埚的一端连接有连接杆，所述连接杆的另一端连接有弧形板，所述弧形板的形状与所述坩埚外侧壁的形状适配。

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