CN214898359U - 一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，包括托盘基板和托盘密封板；所述托盘基板与所述托盘密封板连接，所述托盘基板采用聚醚醚酮件，所述托盘密封板采用氟橡胶件；所述托盘密封板包括至少一个托点；通过采用利用耐腐性性能和无析出性能更好的聚醚醚酮材料和白色氟橡胶材料进行生产，同时，将面密封改成点密封，在有限的下压力下形成更加集中的密封应力，更加有利于密封效果的提升。

Description

一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件

技术领域

本实用新型涉及密封领域，具体涉及一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件。

背景技术

半导体行业的湿法刻蚀设备对密封件的洁净度和无析出要求较高，如密封件产品本身与硫酸铜溶液发生化学反应导致溶胀、溶解、析出的失效情况的话，将会对硫酸铜溶液造成污染，这会带来巨大的经济损失。

本实用新型的发明人发现，现有的半导体湿法刻蚀设备中设置有托盘密封件，该托盘密封件是用钛合金金属托板和橡胶一体硫化制成，整面橡胶与金属一体硫化，且橡胶材料为氟橡胶，其胶料本身的流动性就不是很好，在如此薄且大面积的模具中硫化会导致橡胶流动不均匀，进而容易产生表面缺胶、麻点、开裂、鼓包和硫化粘接强度差等现象出现，另外此种设计无法有效做到完全去飞边的工艺，所以导致该设计飞边较大，进一步影响密封产品的颗粒析出；同时，该托盘密封件在使用时，是需要整面的橡胶和圆晶有较大面积的接触，仅靠圆晶上方的10KG下压力进行压缩密封，无法形成有效的密封应力集中点，影响密封效果。因此，开发一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件是很有必要的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决上述问题，提供一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，通过采用利用耐腐性性能和无析出性能更好的聚醚醚酮材料和白色氟橡胶材料进行生产，同时，将面密封改成点密封，在有限的下压力下形成更加集中的密封应力，更加有利于密封效果的提升。

为实现上述目的，本实用新型采取了以下技术方案。

一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，包括托盘基板和托盘密封板；所述托盘基板与所述托盘密封板连接，所述托盘基板采用聚醚醚酮件，所述托盘密封板采用氟橡胶件；所述托盘密封板包括至少一个托点。

进一步，所述托盘密封板包括第一托点、第二托点和第三托点。

进一步，所述第一托点、所述第二托点和所述第三托点远离所述托盘基板设置。

进一步，所述第一托点、所述第二托点和所述第三托点呈凸出状。

进一步，所述第一托点为尖角状。

进一步，所述第二托点为尖角状。

进一步，所述第三托点为梯形状。

进一步，所述第二托点与所述托盘基板之间的距离大于所述第一托点与所述托盘基板之间的距离。

进一步，所述第二托点与所述托盘基板之间的距离大于所述第三托点与所述托盘基板之间的距离。

进一步，所述第三托点与所述托盘基板之间的距离大于所述第一托点与所述托盘基板之间的距离。

本实用新型一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件的积极效果是：

(1)本实用新型通过采用利用耐腐性性能和无析出性能更好的聚醚醚酮材料和白色氟橡胶材料进行生产，保证本实用新型的托盘密封件对刻蚀设备中的硫酸铜溶剂不造成污染。

(2)本实用新型改变原有密封形式，将面密封改成点密封，在有限的下压力下形成更加集中的密封应力，集中的密封应力更加有利于密封效果的提升。同时避免了在湿法刻蚀后，取出圆晶时会偶发的圆晶与密封件粘黏的现象，减少了圆晶产品的不良率。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的示意图。

图中的标号分别为：

1、托盘基板；2、托盘密封板；3、圆晶；4、第一托点；5、第二托点；6、第三托点。

具体实施方式

以下结合附图给出对本实用新型一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件的具体实施方式，但是需要指出：所述具体实施方式并不用于限定本实用新型的具体实施。凡是采用本实用新型的相似结构及其相似变化均应列入本实用新型的保护范围。以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。实施例中所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。

参见图1。一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，包括托盘基板1和托盘密封板2；所述托盘基板1与所述托盘密封板2连接，所述托盘基板1采用聚醚醚酮件，所述托盘密封板2采用氟橡胶件；所述托盘密封板2包括至少一个托点。所述托盘密封板2采用白色氟橡胶件，利用不添加炭黑的白色纯净氟橡胶材料与同样不与硫酸铜溶液发生反应的聚醚醚酮材料一体硫化，材料的调整使得本实用新型的托盘密封件可以做到在硫酸铜溶剂中无腐蚀、无析出和无污染。

所述托盘密封板2包括第一托点4、第二托点5和第三托点6。所述第一托点4、所述第二托点5和所述第三托点6远离所述托盘基板1设置。所述第一托点4、所述第二托点5和所述第三托点6呈凸出状。所述第一托点4为尖角状。所述第二托点5为尖角状。所述第三托点6为梯形状。所述第二托点5与所述托盘基板1之间的距离大于所述第一托点4与所述托盘基板1之间的距离。所述第二托点5与所述托盘基板1之间的距离大于所述第三托点6与所述托盘基板1之间的距离。所述第三托点6与所述托盘基板1之间的距离大于所述第一托点4与所述托盘基板1之间的距离。本实施例中，所述第二托点5与所述托盘基板1之间的距离比所述第一托点4与所述托盘基板1之间的距离大0.2毫米。所述第二托点5与所述托盘基板1之间的距离比所述第三托点6与所述托盘基板1之间的距离大0.1毫米。所述第三托点6与所述托盘基板1之间的距离比所述第一托点4与所述托盘基板1之间的距离大0.1毫米。具体实施时，可以根据具体情况设置两个或者大于三个的托点；同时各个托点的形状也可以根据实际情况做调整。

将第三托点6设计成较短且薄的唇口的目的在于，对于下压的圆晶3能够起到很好的保护作用，当10kg的下压力下压时，圆晶3与第三托点6紧密贴合，较薄的第三托点6可以有良好的退让性，可以较好的保护圆晶3不碎裂，另外较短的第三托点6可以限制退让幅度，使得其在保护圆晶3的过程中依旧能够有足够的压缩率来满足密封性能。在圆晶3进行湿法刻蚀的过程中，本实用新型的托盘密封件与圆晶3接触面及更外圆面为不被刻蚀部分，其余内圈与硫酸铜溶解接触面为被刻蚀部分，决定一个圆晶3生产效率的关键点就在于被刻蚀部分越大越好，这就对托盘密封件的内径尺寸精度提出了较大的要求，既不能做较大的负公差影响圆晶3刻蚀效率，又不能做较大的正公差导致边缘接触后发生翘曲或接触不良导致密封效果较差，我们根据实际使用工况并结合密封经验，通过托盘基板1作为尺寸基准，由于其为车削加工，产品精度可控性较高，以此为基准尺寸进行一体硫化更有利于托盘密封板2中的第一托点4、第二托点5和第三托点6的尺寸精度。

本实用新型通过采用利用耐腐性性能和无析出性能更好的聚醚醚酮材料和白色氟橡胶材料进行生产，保证本实用新型的托盘密封件对刻蚀设备中的硫酸铜溶剂不造成污染。本实用新型改变原有密封形式，将面密封改成点密封，在有限的下压力下形成更加集中的密封应力，集中的密封应力更加有利于密封效果的提升。同时避免了在湿法刻蚀后，取出圆晶时会偶发的圆晶与密封件粘黏的现象，减少了圆晶产品的不良率。

Claims (10)

1.一种应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，包括托盘基板和托盘密封板；所述托盘基板与所述托盘密封板连接，所述托盘基板采用聚醚醚酮件，所述托盘密封板采用氟橡胶件；所述托盘密封板包括至少一个托点。

2.根据权利要求1所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述托盘密封板包括第一托点、第二托点和第三托点。

3.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第一托点、所述第二托点和所述第三托点远离所述托盘基板设置。

4.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第一托点、所述第二托点和所述第三托点呈凸出状。

5.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第一托点为尖角状。

6.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第二托点为尖角状。

7.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第三托点为梯形状。

8.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第二托点与所述托盘基板之间的距离大于所述第一托点与所述托盘基板之间的距离。

9.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第二托点与所述托盘基板之间的距离大于所述第三托点与所述托盘基板之间的距离。

10.根据权利要求2所述的应用于半导体湿法刻蚀设备中的托盘密封件，其特征在于，所述第三托点与所述托盘基板之间的距离大于所述第一托点与所述托盘基板之间的距离。

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