CN214851160U - 体声波谐振结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种体声波谐振结构，包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；其中，所述衬底和所述第一电极层之间形成有反射结构；位于所述第一电极层上的压电层；位于所述压电层上的第二电极层；位于所述第二电极层上的边框；所述边框具有环状立体结构；所述边框处于第一区域的边缘；所述第一区域包括所述第一电极层、反射结构、压电层以及第二电极层分别在第一平面上的投影的重叠区域。

Description

体声波谐振结构

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体领域，特别涉及一种体声波谐振结构。

背景技术

体声波(BAW，Bulk Acoustic Wave)谐振器(或称为“体声波谐振结构”)具有体积小、品质因数(Q值)高等优点，因此，被广泛应用在移动通讯技术中，如移动终端中的滤波器或双工器。而在移动终端中，存在多个频段同时使用的情况，这要求滤波器或双工器具有更加陡峭的裙边和更小的插入损耗。滤波器的性能由构成它的波谐振器决定，提高谐振器的Q值可以实现陡峭的裙边和小的插入损耗。如何提高体声波谐振器的Q值成为亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种体声波谐振结构。

本实用新型实施例提供了一种体声波谐振结构，包括：

衬底；

位于衬底上的第一电极层；其中，所述衬底和所述第一电极层之间形成有反射结构；

位于所述第一电极层上的压电层；

位于所述压电层上的第二电极层；

位于所述第二电极层上的边框；所述边框具有环状立体结构；所述边框处于第一区域的边缘；所述第一区域包括所述第一电极层、反射结构、压电层以及第二电极层分别在第一平面上的投影的重叠区域。

上述方案中，所述边框的外轮廓包括封闭、且宽度均匀的线段。

上述方案中，所述边框的宽度包括：2.5um～2.9um。

上述方案中，所述边框的厚度包括：180nm～250nm。

上述方案中，所述边框的厚度包括：200nm。

上述方案中，所述压电层的厚度为所述边框的厚度的3-4.5倍。

上述方案中，所述压电层的厚度为所述边框的厚度的4倍。上述方案中，所述边框的组成材料包括铝。

上述方案中，所述反射结构包括形成在所述衬底表面和所述第一电极层之间的空腔。

上述方案中，所述反射结构包括交替层叠设置的第一介质层和第二介质层；其中，所述第一介质层的声阻抗和所述第二介质层的声阻抗不同。

本实用新型实施例提供了一种体声波谐振结构，包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；其中，所述衬底和所述第一电极层之间形成有反射结构；位于所述第一电极层上的压电层；位于所述压电层上的第二电极层；位于所述第二电极层上的边框；所述边框具有环状立体结构；所述边框处于第一区域的边缘；所述第一区域包括所述第一电极层、反射结构、压电层以及第二电极层分别在第一平面上的投影的重叠区域。本实用新型实施例中，在上电极(第二电极层)上的有源区(第一区域)的边缘设置具有环形立体结构的边框，该边框能够抑制体声波谐振器在受到电场激励时产生的横向剪切波向外部区域传播，将能量限制在有源区内的纵波上，减小能量的泄露，从而提高Q值。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的体声波谐振结构中压电层因压电效应而产生声波的示意图；

图2为本实用新型实施例提供的体声波谐振结构中是否存在边框时的史密斯圆图示意图；

图3a为本实用新型实施例提供的一种体声波谐振结构100的俯视示意图；

图3b为图3a中体声波谐振结构100沿A方向的剖面示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种第一类空腔型薄膜体声波谐振结构的剖面示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种第二类空腔型薄膜体声波谐振结构的剖面示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种固态装配型谐振结构示意图；

图7a为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为10000平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的Zs、Zp的寄生谐振的示意图；

图7b为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为10000平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的寄生谐振的示意图；

图7c为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为10000平方微米时，不同的边框的宽度对应的Q值的示意图；

图8a为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为12100平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的Zs、Zp的寄生谐振的示意图；

图8b为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为12100平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的寄生谐振的示意图；

图8c为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为12100平方微米时，不同的边框的宽度对应的Q值的示意图；

图9a为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.9um时，谐振结构的阻抗与频率的曲线关系示意图；

图9b为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.9um时，谐振结构的史密斯圆图示意图；

图10a为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.5um时，谐振结构的阻抗与频率的曲线关系示意图；

图10b为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.5um时，谐振结构的史密斯圆图示意图；

图11a为本实用新型实施例提供的压电层的厚度为0.6um至0.9um时，谐振结构的阻抗与频率的曲线关系示意图；

图11b为本实用新型实施例提供的压电层的厚度为0.6um至0.9um时，谐振结构的史密斯圆图示意图；

图12为本实用新型实施例提供的一种多个谐振结构通过梯形级联的方式进行连接的示例图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例对本实用新型的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本实用新型的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本实用新型而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本实用新型，并且能够将本实用新型的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

在本实用新型实施例中，术语“A与B相连”包含A、B两者相互接触地A与B相连的情形，或者A、B两者之间还间插有其他部件而A非接触地与B相连的情形。

在本实用新型实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

需要说明的是，本实用新型实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

如图1所示，当电能施加到体声波谐振器的上下电极上时，位于上下电极中的压电层因压电效应而产生声波。在压电层内除了会产生纵波，还会产生横向剪切波(横向剪切波也可以称为侧向波或剪波)。横向剪切波的存在会影响主要的纵波的能量，横向剪切波会导致能量的损耗并且使得体声波谐振器的Q值恶化。

因此，一种提升体声波谐振器的Q值的方法就是抑制横向剪切波，以阻止横向剪切波从有源区传播到外部区域，从而减少能量的泄露。

研究表明，在体声波谐振器的上电极上的有源区边缘设置边框可以抑制横向剪切波向外部区域传播，将能量限制在有源区内，从而提升Q值。

进一步地，观察体声波谐振器中是否存在边框时的史密斯(英文可以表达为Smith)圆图。如图2所示，Smith圆的上半部分为有效区(带内)，当不存在边框设计时(图2中实线对应的Smith圆)，横向剪切波在Smith圆的上半部分会产生向内卷起的现象，造成能量的损耗；当存在边框设计时(图2中虚线对应的Smith圆)，边框会抑制Smith圆的上半部分的损耗(无卷起的现象，更接近理想的边缘)即带内平滑，同时Smith圆的下半部分会产生向内卷起的现象，即低频处寄生噪声(英文可以表达为Spurious Noise)多。也就是说，边框设计能够成功的将带内的损耗降低，从而提高Q值。

基于此，在本实用新型的各实施例中，在上电极(第二电极层)上的有源区(第一区域)的边缘设置具有环形立体结构的边框，该边框能够抑制体声波谐振器在受到电场激励时产生的横向剪切波向外部区域传播，将能量限制在有源区内的纵波上，减小能量的泄露，从而提高Q值。

图3a是本实用新型实施例提供的一种体声波谐振结构100的俯视示意图；图3b为图3a中体声波谐振结构100沿A方向的剖面示意图。参照图3b所示，所述体声波谐振结构100包括：

衬底101；

位于衬底上的第一电极层102；其中，所述衬底101和所述第一电极层102之间形成有反射结构103；

位于所述第一电极层102上的压电层104；

位于所述压电层104上的第二电极层105；

位于所述第二电极层105上的边框106；所述边框106具有环状立体结构；所述边框106处于第一区域的边缘；所述第一区域包括所述第一电极层102、反射结构103、压电层104以及第二电极层105分别在第一平面上的投影的重叠区域。

实际应用中，谐振结构一般包括体声波谐振结构和表面声波谐振结构。其中，所述体声波谐振结构使用与集成电路(IC，Integrated Circuit)工艺具有高相容性的微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)技术。声波的主要传播形式可包括纵波和横向剪切波。体声波谐振结构可以工作于频率在1.5～5GHz。体声波谐振结构可以通过调整电极或者压电层的厚度来实现对频率的调整，电极或者压电层的厚度可以在制造体声波谐振结构的过程中进行调整。

实际应用中，所述衬底101的组成材料可以包含硅(Si)、锗(Ge)或者绝缘衬底上的硅(SOI，Silicon-On-Insulator)。

所述第一电极层102可以称为上电极，相应地，所述第二电极层105可以称为下电极，电能可以通过该上电极和下电极施加到体声波谐振器上。第一电极层102和第二电极层105的组成材料可以相同，具体可以包括：铝(Al)、钼(Mo)、钌(Ru)、铱(Ir)或者铂(Pt)等导电金属、或者上述导电金属的合金组成的导电材料；优选地，所述第一电极层102和第二电极层105的组成材料可以包括钼。

所述压电层104可以用于根据逆压电特性产生振动，将加载在第一电极层102和第二电极层105上的电信号转换为声波信号，实现电能到机械能的转化。实际应用中，压电层104的组成材料可以包括：具有压电特性的材料。例如，氮化铝、氧化锌、钽酸锂、锆钛酸铅或者钛酸钡等。压电层104的组成材料还可包括通过掺杂具有压电特性的材料。掺杂的可以是过渡金属或稀有金属，例如，掺钪的氮化铝等。

反射结构103用于反射声波信号。当压电层104产生的声波信号向反射结构103传播时，声波信号可在第一电极层102和反射结构103接触的界面处发生全反射，使得声波信号反射回压电层104中。如此，压电层104产生的声波信号的能量能够被局限在压电层104中，可减少声波信号的能量损失，提高谐振结构传输的声波信号质量。

这里，所述第一区域是指所述体声波谐振结构100的有源区；所述有源区可以理解为：所述第一电极层102、反射结构103、压电层104以及第二电极层105重叠形成的区域(如图3b中示出的有源区)。所述第一平面是上电极的上表面所在的平面(当上电极的上表面存在多个平面时，第一平面是指上电极中处于有源区的表面所在的平面)。

所述边框106设置在上电极的表面上，且沿着第一区域的边缘设置。也就是说，边框106的外轮廓与第一区域(有源区)的形状类似。在一些实施例中，边框106的外轮廓可以由1条弧线及2条或以上的直线形成(如图3a所示)。实际应用中，边框106的外轮廓可以比第一区域(有源区)略小，以保证将能量限制在有源区内。这里，所述外轮廓可以参照图3a进行理解，所述外轮廓即为边框106从俯视的角度(这里俯视具体可以理解为从第二电极层105指向衬底101的方向)观察到的外边缘形状。

需要说明的是，边框106的位置不能超出有源区的边缘。

这里，边框106具有环状立体结构，可以理解为边框106具有一定的宽度和厚度。

实际应用中，在一些实施例中，所述边框106的外轮廓包括封闭、且宽度均匀的线段。

可以理解的是，当所述边框106的外轮廓为封闭、且宽度均匀的线段时，起到限制作用的形貌更佳，能够将能量更好的限制在有源区内。

实际应用中，在一些实施例中，所述边框106的组成材料与所述第一电极层102和所述第二电极层105的组成材料可以相同，也可以不同。更具体地，所述边框106的组成材料可以包括：铝、钼、钌、铱或者铂等导电金属、或者上述导电金属的合金组成的导电材料；优选地，所述边框106的材料的组成材料可以包括铝。实际应用中，当边框106的组成材料与第二电极层105的组成材料相同时，边框106既可以与第二电极层105一起形成，也可以在形成第二电极层105后再单独形成。

需要说明的是，图3a、3b所示的体声波谐振结构仅为本实用新型提供一种示例，实际应用中，体声波谐振结构根据反射结构103形态的不同，具体可以分为：第一类空腔型薄膜体声波谐振结构(FBAR，Film Bulk Acoustic Wave Resonator)、第二类空腔型薄膜体声波谐振结构、固态装配(SMR，Solid Mounted Resonator)型谐振结构等。而本实用新型实施提供的方案可以适用于上述不同类型的体声波谐振结构。

基于此，当体声波谐振结构100包括空腔型薄膜体声波谐振结构时，在一些实施例中，所述反射结构103包括形成在所述衬底101表面和所述第一电极层102之间的空腔。

其中，当体声波谐振结构100包括第一类空腔型薄膜体声波谐振结构时，在一些实施例中，所述反射结构103包括所述第一电极层102向上凸起与所述衬底101表面之间形成第一空腔。

实际应用中，当体声波谐振结构100包括第一类空腔型薄膜体声波谐振结构时，所述反射结构103如图4所示，第一空腔可以通过去除相应牺牲层的方式得到。此时，所述边框106的位置位于有源区的边缘。

需要说明的是，图3b中示出体声波谐振结构100即为第一类空腔型薄膜体声波谐振结构。

当体声波谐振结构100包括第二类空腔型薄膜体声波谐振结构时，在一些实施例中，所述反射结构103包括所述衬底的表面向下凹陷与所述第一电极层102之间形成的第二空腔。

实际应用中，当体声波谐振结构100包括第二类空腔型薄膜体声波谐振结构时，所述反射结构103如图5所示，第二空腔同样可以通过去除相应牺牲层的方式得到。此时，所述边框106的位置位于有源区的边缘。

当体声波谐振结构100包括固态装配型谐振结构时，在一些实施例中，所述反射结构103包括交替层叠设置的第一介质层和第二介质层；其中，所述第一介质层的声阻抗和所述第二介质层的声阻抗不同。

实际应用中，当体声波谐振结构100包括固态装配型谐振结构时，所述反射结构103如图6所示，此时，所述边框106的位置位于有源区的边缘。

实际应用中，在一些具体实施例中，第一介质层的声阻抗可以大于第二介质层的声阻抗。此时，第一介质层的组成材料可包括：钼或钨；第二介质层的组成材料可以包括：二氧化硅或铝。在另一些具体实施例中，第一介质层的声阻抗可以小于第二介质层的声阻抗。此时，第一介质层组成材料可包括：二氧化硅或铝；第二介质层的组成材料可包括：钼或钨。

实际应用中，所述体声波谐振结构还可以包括位于第二电极层105上的焊接层；所述焊接层可以包括底部金属层(UBM，Under Bump Metal)，以及位于底部金属层上的凸点。体声波谐振结构可通过该凸点与其他结构，如其他谐振结构，或者声波器件的输入端口、输出端口形成连接。

前已述及，为了消除横向剪切波带来的能量损耗，在上电极上面沿着有源区的边缘形成环形边框结构，可以将横向剪切波抑制在谐振器内，减小声学损耗，改善Q值。研究进一步表明：边框106的宽度会影响Q值及寄生谐振，因此优化宽度可以得到最佳的Q值。这里，边框宽度可以参考图3b中W示出的宽度。

实际应用中，可以通过仿真试验的方式确定一个大致较优的边框的宽度，然后通过实际试验确定出最佳的边框的宽度范围。具体地：

首先，对不同边框的宽度进行了仿真试验，如可以根据实际工艺确定边框的宽度可能出现的最大值和最小值，并根据经验值确定每次更改的步长；之后从最小值开始，依次增加步长，在每一次更改边框的宽度后进行仿真试验，得到相应的阻抗-频率图和史密斯圆图；最后将所有仿真结果进行对比较，确定一个大致较优的边框的宽度。经过仿真试验，发现当边框的宽度为2um左右时，谐振结构性能最好，谐振结构的fs和fp之间的寄生谐振最少。

然后，以2um为依据，对2um周围不同的边框的宽度进行了实际试验验证，同时，为了观察边框106的宽度是否与有源区的面积相关，对于不同的第二电极层的面积(在图3b的实例中第二电极层的面积即为有源区的面积)，分别对2um周围不同的边框的宽度进行了实际试验验证。

图7a为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为10000平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的Zs、Zp的寄生谐振的示意图；图7b为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为10000平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的寄生谐振的示意图(将图7a中Zp和Zs作差及相应处理后可以得到图7b)；图7c为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为10000平方微米时，不同的边框的宽度对应的Q值的示意图。

图8a为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为12100平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的Zs、Zp的寄生谐振的示意图；图8b为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为12100平方微米时，不同的边框的宽度对应的谐振结构的寄生谐振的示意图(将图8a中Zp和Zs作差及相应处理后可以得到图8b)；图8c为本实用新型实施例提供的第二电极层的面积为12100平方微米时，不同的边框的宽度对应的Q值的示意图。

试验数据显示，在两种不同的谐振面积连续改变边框宽度会得到一致的效果。图7a和图8b均显示，边框106的宽度在2.9um时，谐振结构的寄生谐振最小；同时边框106的宽度在2.5um时，谐振结构的Q值最大。

需要说明的是，实际应用中谐振结构的寄生谐振越小，谐振结构的性能越好，因此，边框106的宽度在2.5um至2.9um之间时，均能获得较好的性能。

需要说明的是，在图8b中可以直观的得到边框106的宽度为2.9um时，谐振结构的寄生谐振最小，而在图7b中在获得谐振结构的寄生谐振最小时，需要将最边缘的1.5um和2.0um进行舍弃，进而得到边框106的宽度为2.9um时，谐振结构的寄生谐振最小。

图9a为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.9um时，谐振结构的阻抗与频率的曲线关系示意图；图9b为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.9um时，谐振结构的史密斯圆图示意图。

图10a为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.5um时，谐振结构的阻抗与频率的曲线关系示意图；图10b为本实用新型实施例提供的边框的宽度在2.5um时，谐振结构的史密斯圆图示意图。

图9a和图10a为阻抗曲线图，代表谐振结构的阻抗随频率变化而变化。理想的体声波谐振结构，在fs处阻抗为零，在fp处阻抗为无穷大。所以在fs处阻抗越小，fp处阻抗越大，Q值越大。图10a中，边框106的宽度在2.5um时，谐振结构在fp阻抗为60dB(图9a中fp阻抗接近60dB)，因此，边框106的宽度在2.5um时Q值较高。图9b中边框106的宽度在2.9um时，寄生噪声(Smith圆中下半部分中的小圈)相对图10a中较小，因此，边框106的宽度在2.9um时寄生谐振较小。

基于此，在一些实施例中，所述边框106的宽度包括：2.5um～2.9um。

实际应用中，环状立体结构的质量比较小，而且处在有源区的边缘，对体声波谐振器的谐振频率影响并不大。但寄生谐振的频率会随着环状立体结构的厚度的增大而向低频方向移动，因此，为了保证寄生谐振的频率偏移量足够大，能够远离谐振器的串联谐振，且工艺易实现，环状立体结构高出第二电极层105的高度(即边框106的厚度)需要满足一定的条件。这里，边框106的厚度可以参考图3b中H示出的厚度。

实际应用中，在一些实施例中，所述边框106的厚度包括：180nm～250nm；优选地，所述边框106的厚度包括：200nm。

实际应用中，在一定范围内，当边框106的厚度越大，可以让寄生噪声越远离Smith圆中上半部分有效的区域。

实际应用中，不同的压电层104的厚度也会对边框的效果产生影响。以边框106的厚度为200nm为基准，调整压电层104的厚度(从0.6um至0.9um，每次调整0.1um步长)，以验证不同的压电层104的厚度对边框的效果产生影响。图11a为本实用新型实施例提供的压电层的厚度为0.6um至0.9um时，谐振结构的阻抗与频率的曲线关系示意图；图11b为本实用新型实施例提供的压电层的厚度为0.6um至0.9um时，谐振结构的史密斯圆图示意图。需要说明的是，图11a和图11b中的H4即表示压电层104的厚度。

从图11a可以看出：压电层104的厚度为0.8um时，谐振结构的串并联谐振点的阻抗差值最大，Q值最高；压电层104的厚度为0.9um，谐振结构的Q值次之；压电层104的厚度为0.7um，谐振结构的Q值继续降低；压电层104的厚度为0.6um，谐振结构的Q值最低。从图11b可以看出：压电层104的厚度为0.8um时，Smith圆的上半部分的损耗较小(卷起的现象不明显)。

在一些实施例中，所述压电层104的厚度为所述边框106的厚度的3-4.5倍；优选地，所述压电层104的厚度为所述边框106的厚度的4倍。本实用新型实施例提供了一种体声波谐振结构，包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；其中，所述衬底和所述第一电极层之间形成有反射结构；位于所述第一电极层上的压电层；位于所述压电层上的第二电极层；位于所述第二电极层上的边框；所述边框具有环状立体结构；所述边框处于第一区域的边缘；所述第一区域包括所述第一电极层、反射结构、压电层以及第二电极层分别在第一平面上的投影的重叠区域。本实用新型实施例中，在上电极(第二电极层)上的有源区(第一区域)的边缘设置具有环形立体结构的边框，该边框能够抑制体声波谐振器在受到电场激励时产生的横向剪切波向外部区域传播，将能量限制在有源区内的纵波上，减小能量的泄露，从而提高Q值。

基于上述体声波谐振结构，本实用新型实施例又提供了一种滤波器，包括：

至少一个第一谐振结构；所述至少一个第一谐振结构中的各第一谐振结构之间通过串联的方式连接，串联的第一谐振结构形成了第一支路；

至少一个第二谐振结构；所述至少一个第二谐振结构中的各第二谐振结构均通过并联的方式连接到所述第一支路上；

其中，所述第一谐振结构和/或所述第二谐振结构包括本实用新型实施例提供的体声波谐振结构。

声波滤波器一般包括多个谐振结构，多个谐振结构之间一般通过梯形级联(英文可以表达为ladder type)的方式进行连接。图12示出了多个谐振结构通过梯形级联的方式进行连接的一种示例。梯形级联的声波滤波器由串联或并联地电连接的多个谐振结构而构成，通过调节串联连接的谐振结构Zs的谐振频率与并联连接的谐振结构Zp的谐振频率，可得到预设的带通特性。

这里，所述第一支路是指滤波器的输入端与输出端之间的主要电连接线路，也可以称为滤波器的主路。所述至少一个第一谐振结构中相邻的两个第一谐振结构之间并联连接有一个第二谐振结构。

需要说明的是，实际应用中，第一谐振结构和第二谐振结构的数量不限于图12中示出的数量个，并且第一谐振结构与第二谐振结构的数量可以相同也可以不同。

这里的第一谐振结构和/或第二谐振结构包括前述实施例中提供的体声波谐振结构。

在本实用新型所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置、系统与方法，可以通过其他的方式实现。以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种体声波谐振结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底上的第一电极层；其中，所述衬底和所述第一电极层之间形成有反射结构；

位于所述第一电极层上的压电层；

位于所述压电层上的第二电极层；

位于所述第二电极层上的边框；所述边框具有环状立体结构；所述边框处于第一区域的边缘；所述第一区域包括所述第一电极层、反射结构、压电层以及第二电极层分别在第一平面上的投影的重叠区域。

2.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述边框的外轮廓包括封闭、且宽度均匀的线段。

3.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述边框的宽度包括：2.5um～2.9um。

4.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述边框的厚度包括：180nm～250nm。

5.根据权利要求4所述的谐振结构，其特征在于，所述边框的厚度包括：200nm。

6.根据权利要求5所述的谐振结构，其特征在于，所述压电层的厚度为所述边框的厚度的3-4.5倍。

7.根据权利要求6所述的谐振结构，其特征在于，所述压电层的厚度为所述边框的厚度的4倍。

8.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述边框的组成材料包括铝。

9.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述反射结构包括形成在所述衬底表面和所述第一电极层之间的空腔。

10.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述反射结构包括交替层叠设置的第一介质层和第二介质层；其中，所述第一介质层的声阻抗和所述第二介质层的声阻抗不同。

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