CN214734498U - 一种基于mems芯片应用的传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于MEMS芯片应用的传感器,包括封装壳体,所述封装壳体的内壁中部设有MEMS芯片,且MEMS芯片的底端设有封装基座,所述封装基座的顶部外壁中部设有铝镜,且封装基座的外边靠近铝镜的一侧设有CMOS读出电路,所述CMOS读出电路和铝镜之间电性连接。本实用新型由于芯片的微型化和硅材料的优秀质量,可实现非常高的测量灵敏度,硅通道可以很高的频率振动,缩短测量时间,并使测量信号不受外部机械干扰振动的影响,通道与环境之间不会有较大的温度差,使得密度测量时所需温度信息可精确而容易地确定下来。
Description
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域,尤其涉及一种基于MEMS芯片应用的传感器。
背景技术
MEMS(微机电系统)最初大量用于汽车安全气囊,而后以MEMS传感器的形式被大量应用在汽车的各个领域,随着MEMS技术的进一步发展,以及应用终端“轻、薄、短、小”的特点,对小体积高性能的MEMS产品需求增势迅猛,消费电子、医疗等领域也大量出现了MEMS产品的身影。
其中温度传感是日常中常用传感器种类,现有的传感器由于传感精度和元器件精度限制,传感件体积较大,而且封装简单,不能利用到一些紧密的场景中,引入MEMS芯片可提升精度的同时缩小传感器体积。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种基于MEMS芯片应用的传感器。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种基于MEMS芯片应用的传感器,包括封装壳体,所述封装壳体的内壁中部设有MEMS芯片,且MEMS芯片的底端设有封装基座,所述封装基座的顶部外壁中部设有铝镜,且封装基座的外边靠近铝镜的一侧设有CMOS读出电路,所述CMOS读出电路和铝镜之间电性连接,所述MEMS芯片的两对角处垂直设有两个支撑柱,且两个支撑柱的底端外壁垂直连接在封装基座的外壁上,所述封装壳体的中部设有空腔,且空腔的内边卡接有传感端,所述传感端位于MEMS芯片的正上方,所述封装壳体的两侧对称设有引脚。
作为本实用新型进一步的方案,所述MEMS芯片由硅基板、薄膜式温度传感器、传感通道和电极组成,且薄膜式温度传感器通过传感通道连接至电极,所述薄膜式温度传感器的底端外壁设于硅基板的顶部。
作为本实用新型进一步的方案,所述传感通道和薄膜式温度传感器之间留有狭缝。
作为本实用新型进一步的方案,所述电极的端部和引脚的端部相连接。
作为本实用新型进一步的方案,所述封装基座的靠近支撑柱的两角处垂直设有避让柱,且封装壳体的顶端内边靠近避让柱的一侧设有避让空腔。
本实用新型的有益效果为:本MEMS芯片应用至传感器中,由于芯片的微型化和硅材料的优秀质量,硅是良好的热导体,硅通道的低自重和低刚性意味着可以实现非常高的测量灵敏度,该性质对于轻质液体和气体特别重要,可以在低压的环境下以高灵敏度进行气体测量,此外硅通道可以以很高的频率振动,这样可以缩短测量时间,并使测量信号不受外部机械干扰振动的影响,通道与环境之间不会有较大的温度差,这使得密度测量时所需的温度信息可以精确而容易地确定下来。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种基于MEMS芯片应用的传感器的立体结构示意图;
图2为本实用新型提出的一种基于MEMS芯片应用的传感器的内部结构示意图;
图3为本实用新型提出的一种基于MEMS芯片应用的传感器的MEMS芯片结构示意图。
图中:1、封装壳体;2、引脚;3、传感端;4、MEMS芯片;5、避让柱;6、支撑柱;7、铝镜;8、CMOS读出电路;9、薄膜式温度传感器;10、传感通道;11、狭缝;12、电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-3,一种基于MEMS芯片应用的传感器,包括封装壳体1,封装壳体1的内壁中部设有MEMS芯片4,且MEMS芯片4的底端设有封装基座,封装基座的顶部外壁中部设有铝镜7,且封装基座的外边靠近铝镜7的一侧设有CMOS读出电路8,CMOS读出电路8和铝镜7之间电性连接,MEMS芯片4的两对角处垂直设有两个支撑柱6,且两个支撑柱6的底端外壁垂直连接在封装基座的外壁上,封装壳体1的中部设有空腔,且空腔的内边卡接有传感端3,传感端3位于MEMS芯片4的正上方,封装壳体1的两侧对称设有引脚2,MEMS芯片4由硅基板、薄膜式温度传感器9、传感通道10和电极12组成,且薄膜式温度传感器9通过传感通道10连接至电极12,薄膜式温度传感器9的底端外壁设于硅基板的顶部,薄膜式温度传感器9的型号为CRZ-1623,传感通道10和薄膜式温度传感器9之间留有狭缝11,电极12的端部和引脚2的端部相连接,封装基座的靠近支撑柱6的两角处垂直设有避让柱5,且封装壳体1的顶端内边靠近避让柱5的一侧设有避让空腔,有效的避免了MEMS芯片4与封装壳体1之间的碰撞,避免震荡影响传感器的精度。
本基于MEMS芯片应用的传感器的工作原理具体如下:
第一,传感器使用时,通过接收到的通过接收物体发出的红外电磁波,红外电磁波透过传感端3到达MEMS芯片4,MEMS芯片4中将传感器的升温情况转化为温度信息,利用读出电路输出温度信息;
第二,其中温感过程通过薄膜式温度传感器9检测,通过传感通道10传递至电极12端,在传递过程中转化成不同信息源,保证温度信息的无损高效。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“前部”、“中央”、“两端”、“第一”、“第二”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本专利的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解,例如,可以是固定相连、设置,也可以是可拆卸连接、设置,或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种基于MEMS芯片应用的传感器,包括封装壳体(1),其特征在于,所述封装壳体(1)的内壁中部设有MEMS芯片(4),且MEMS芯片(4)的底端设有封装基座,所述封装基座的顶部外壁中部设有铝镜(7),且封装基座的外边靠近铝镜(7)的一侧设有CMOS读出电路(8),所述CMOS读出电路(8)和铝镜(7)之间电性连接,所述MEMS芯片(4)的两对角处垂直设有两个支撑柱(6),且两个支撑柱(6)的底端外壁垂直连接在封装基座的外壁上,所述封装壳体(1)的中部设有空腔,且空腔的内边卡接有传感端(3),所述传感端(3)位于MEMS芯片(4)的正上方,所述封装壳体(1)的两侧对称设有引脚(2)。
2.根据权利要求1所述的一种基于MEMS芯片应用的传感器,其特征在于,所述MEMS芯片(4)由硅基板、薄膜式温度传感器(9)、传感通道(10)和电极(12)组成,且薄膜式温度传感器(9)通过传感通道(10)连接至电极(12),所述薄膜式温度传感器(9)的底端外壁设于硅基板的顶部。
3.根据权利要求2所述的一种基于MEMS芯片应用的传感器,其特征在于,所述传感通道(10)和薄膜式温度传感器(9)之间留有狭缝(11)。
4.根据权利要求2所述的一种基于MEMS芯片应用的传感器,其特征在于,所述电极(12)的端部和引脚(2)的端部相连接。
5.根据权利要求1所述的一种基于MEMS芯片应用的传感器,其特征在于,所述封装基座的靠近支撑柱(6)的两角处垂直设有避让柱(5),且封装壳体(1)的顶端内边靠近避让柱(5)的一侧设有避让空腔。
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