CN214429764U - 微波等离子体发生装置 - Google Patents

微波等离子体发生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN214429764U
CN214429764U CN202120501309.4U CN202120501309U CN214429764U CN 214429764 U CN214429764 U CN 214429764U CN 202120501309 U CN202120501309 U CN 202120501309U CN 214429764 U CN214429764 U CN 214429764U
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave
plasma
plate
chamber
cooling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202120501309.4U
Other languages
English (en)
Inventor
赵义党
李志强
李志华
廖文晗
贝亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhuhai Hengge Microelectronics Equipment Co ltd
Original Assignee
Zhuhai Hengge Microelectronics Equipment Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhuhai Hengge Microelectronics Equipment Co ltd filed Critical Zhuhai Hengge Microelectronics Equipment Co ltd
Priority to CN202120501309.4U priority Critical patent/CN214429764U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN214429764U publication Critical patent/CN214429764U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本实用新型涉及电路板加工设备技术领域,尤其涉及一种微波等离子体发生装置,包括:等离子腔,连接有第一冷却组件以及气体通入组件,所述等离子腔的下端开设有输出口;微波导入腔,设置在所述等离子腔的上端,并且所述等离子腔和所述微波导入腔之间通过石英板隔开,所述微波导入腔连接有第二冷却组件,本实用新型的微波等离子体发生装置在的等离子腔的上端设置微波导入腔,并且微波导入腔和等离子腔之间通过石英板隔开,等离子腔连接第一冷却组件,微波导入腔连接第二冷却组件,保证整个等离子体发生装置的散热效果,从而延长装置的使用寿命,并且该装置长时间使用后仍可以均匀地产生等离子体,保证蚀刻的质量和效率。

Description

微波等离子体发生装置
技术领域
本实用新型涉及电路板加工设备技术领域,尤其涉及一种微波等离子体发生装置及等离子蚀刻设备。
背景技术
等离子刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。采用该原理工作的等离处理设备是用等离子体中的自由基去轰击或溅射被刻蚀材料的表面分子,形成易挥发物质,从而实现刻蚀的目的。
目前,等离子处理设备广泛应用于等离子清洗、刻蚀、等离子镀、等离子涂覆、等离子灰化和表面活化、改性等场合。通过其处理,能够改善材料的润湿能力,使多种材料能够进行涂覆、镀等操作,增强粘合力、键合力,同时去除有机污染物、油污或油脂。
然而,传统的用于蚀刻电路板的等离子体发生装置大多存在着等离子体产生不均匀、装置散热不佳而导致蚀刻质量不稳定、使用寿命低的问题。
实用新型内容
为了克服上述现有技术的不足,本实用新型提供了一种微波等离子体发生装置,包括:等离子腔,连接有第一冷却组件以及气体通入组件,所述等离子腔的下端开设有输出口;微波导入腔,设置在所述等离子腔的上端,并且所述等离子腔和所述微波导入腔之间通过石英板隔开,所述微波导入腔连接有第二冷却组件。
进一步地,还包括呈框型的冷却板,所述冷却板固定安装在盖体上,并且所述等离子腔形成在所述冷却板上。
进一步地,所述冷却板上开设有气体通入流道,所述气体通入流道的一端连通若干个气体通入口,另一端连通所述气体通入组件。
进一步地,所述等离子腔呈矩形,若干个所述气体通入口分为两组并且分设在所述等离子腔相对的两个侧壁上。
进一步地,还包括导波盖,所述导波盖安装在所述冷却板上并且在所述导波盖与所述冷却板之间形成所述微波导入腔。
进一步地,所述第二冷却组件有至少一个,并且所述第二冷却组件为安装在所述导波盖上的散热风扇。
进一步地,所述导波盖与所述冷却板之间设置有导波孔板。
进一步地,所述导波孔板上开设有若干个穿孔,若干个所述穿孔沿所述冷却板的宽度方向延伸。
进一步地,所述石英板与所述冷却板之间设置有垫圈,所述垫圈采用特氟龙材料制成。
进一步地,所述输出口上连接有蚀刻板,所述蚀刻板上开设有网孔。
进一步地,所述蚀刻板上靠近产品的一端设置挡板,所述挡板围合在所述网孔的周围。
本实用新型的有益效果有:本实用新型的微波等离子体发生装置在的等离子腔的上端设置微波导入腔,并且微波导入腔和等离子腔之间通过石英板隔开,等离子腔连接第一冷却组件,微波导入腔连接第二冷却组件,保证整个等离子体发生装置的散热效果,从而延长装置的使用寿命,并且该装置长时间使用后仍可以均匀地产生等离子体,保证蚀刻的质量和效率。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本实用新型的微波等离子体发生装置的的结构示意图;
图2是本实用新型的微波等离子体发生装置的装配示意图;
图3是本实用新型的微波等离子体发生装置的其中一个方向的剖面示意图;
图4是本实用新型的微波等离子体发生装置的另一个方向的剖面示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
参见图1至图4所示的一种微波等离子体发生装置,该微波等离子体发生装置包括等离子腔303和微波导入腔304,其中微波导入腔304设置在等离子腔303的上端,并且微波导入腔304和等离子腔303之间通过石英板307隔开,等离子腔303连接有第一冷却组件305和气体通入组件,并且等离子腔303的下端开设有输出口,而微波导入腔304连接有第二冷却组件306,在本实用新型中,等离子腔303和微波导入腔304分别通过第一冷却组件305和第二冷却组件306进行冷却操作,避免发生冷却不均或冷却效率不佳的问题,保证蚀刻的稳定性和蚀刻的质量;具体的,微波导入腔304连接外置的微波发生器104,等离子腔303连接有外置的气体通入组件,微波发生器104与微波导入腔304之间通过导波管107连接。
在一些实施例中,参照图1与图2所示,该等离子体发生装置包括呈框型的冷却板301,冷却板301通过螺栓连接固定安装在盖体102上,框型的冷却板301与石英板307相配合而围合成下端敞开的等离子腔303,该敞开的下端即是输出口,所述石英板307与所述冷却板301之间还设置有垫圈312,该垫圈312采用特氟龙材料制成;进一步地,参照图4所示,所述冷却板301上开设有气体通入流道318,该气体通入流道318的一端连通若干个气体通入口319,另一端连通气体通入组件,更具体的,该气体通入流道318有两个并且分设在框型冷却板301上相对的两个侧壁上,并且每个气体通入流道318所连通的若干个气体通入口319并排连接在等离子腔303的一侧,具体的,该若干个气体通入口319分为两组并且分设在等离子腔303相对的两个侧壁上,该两组气体通入口319分别连通气体通入流道318,其目的在于保证气体能够均匀地通入等离子腔303,从而保证等离子腔303体能够均匀分布在腔内并且自输出口流出或喷出以蚀刻电路板。
在一些实施例中,参照图3所示,所述第一冷却组件305为形成在冷却板301上的冷流道,冷流道连通外置的冷却水系统,该冷流道环绕在等离子腔303的周围,进而保证能够均匀冷却等离子腔303,更进一步地,该冷流道的进口和出口均设置在冷却板301的同一侧上,方便布置管道。
在一些实施例中,参照图1与图2所示,该等离子体发生装置包括导波盖302,所述导波盖302安装在冷却板301上并且导波盖302与石英板307相配合而围合成微波导入腔304,微波导入腔304的一侧通过转换接头308连通导波管107,另一侧通过封板316封闭。
在一些实施例中,参照图1与图2所示,所述第二冷却组件306为安装在导波盖302上的散热风扇,具体的,所述导波盖302上开设有散热孔,所述散热风扇安装在该散热孔上,所述散热孔上还设置有散热网板309;更进一步的,所述导波盖302的上端面还设置有拉手317,其目的在于方便操作员搬动该导波盖302以对盖等离子体发生装置的内部进行维护,需要说明的是,所述导波盖302通过螺纹连接安装在冷却板301上,更近一步地,所述冷却板301的上端面设置有压牙套板310,通过压牙套板310与导波盖302固定连接,该压牙套板310可以是嵌设于冷却板301的上端面,这样设计的目的在于节省材料,也就是冷却板301于压牙套板310的材料不同,压牙套板310可以选择强度高的材料以保证导波盖302与冷却板301之间的连接稳固,而冷却板301则可以采用冷却性能好或者是热塑性好的材料制成。
在一些实施例中,参照图2所示,所述导波盖302与所述冷却板301之间还设置有导波孔板311,所述导波孔板311上开设有若干个穿孔,若干个所述穿孔呈矩形孔并且该穿孔颜冷却板301的宽度方向延伸。
在一些实施例中,参照图2所示,所述输出口上连接有蚀刻板314,所述蚀刻板314上开设有网孔,所述网孔的目数可以根据实际需要而设置,本实施例采用开设网孔的蚀刻板314能够保证等离子体均匀蚀刻电路板。
在一些实施例中,参照图2所示,所述蚀刻板314上靠近产品的一端设置有挡板315,所述挡板315围合在所述网孔的周围,其目的在于避免等离子体穿过网孔后而分散于等离子腔303中,进一步提升等离子蚀刻的质量。
以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.微波等离子体发生装置,其特征在于,包括:
等离子腔(303),连接有第一冷却组件(305)以及气体通入组件,所述等离子腔(303)的下端开设有输出口;
微波导入腔(304),设置在所述等离子腔(303)的上端,并且所述等离子腔(303)和所述微波导入腔(304)之间通过石英板(307)隔开,所述微波导入腔(304)连接有第二冷却组件(306)。
2.根据权利要求1所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,还包括呈框型的冷却板(301),所述冷却板(301)固定安装在盖体(102)上,并且所述等离子腔(303)形成在所述冷却板(301)上。
3.根据权利要求2所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,所述冷却板(301)上开设有气体通入流道(318),所述气体通入流道(318)的一端连通若干个气体通入口(319),另一端连通所述气体通入组件。
4.根据权利要求3所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,所述等离子腔(303)呈矩形,若干个所述气体通入口(319)分为两组并且分设在所述等离子腔(303)相对的两个侧壁上。
5.根据权利要求2所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,还包括导波盖(302),所述导波盖(302)安装在所述冷却板(301)上并且在所述导波盖(302)与所述冷却板(301)之间形成所述微波导入腔(304)。
6.根据权利要求5所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,所述第二冷却组件(306)有至少一个,并且所述第二冷却组件(306)为安装在所述导波盖(302)上的散热风扇。
7.根据权利要求5所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,所述导波盖(302)与所述冷却板(301)之间设置有导波孔板(311),所述导波孔板(311)上开设有若干个穿孔,若干个所述穿孔沿所述冷却板(301)的宽度方向延伸。
8.根据权利要求2所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,所述石英板(307)与所述冷却板(301)之间设置有垫圈(312),所述垫圈(312)采用特氟龙材料制成。
9.根据权利要求1所述的微波等离子体发生装置,其特征在于,所述输出口上连接有蚀刻板(314),所述蚀刻板(314)上开设有网孔,所述蚀刻板(314)上靠近产品的一端设置挡板(315),所述挡板(315)围合在所述网孔的周围。
CN202120501309.4U 2021-03-09 2021-03-09 微波等离子体发生装置 Active CN214429764U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120501309.4U CN214429764U (zh) 2021-03-09 2021-03-09 微波等离子体发生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120501309.4U CN214429764U (zh) 2021-03-09 2021-03-09 微波等离子体发生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN214429764U true CN214429764U (zh) 2021-10-19

Family

ID=78073505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202120501309.4U Active CN214429764U (zh) 2021-03-09 2021-03-09 微波等离子体发生装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN214429764U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7499079B2 (ja) 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
KR101202270B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2012038682A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法
JP2570090B2 (ja) ドライエッチング装置
KR20140057376A (ko) 물리 기상 증착 챔버 타겟용 냉각 링
US20050011455A1 (en) Plasma process apparatus and its processor
CN214429764U (zh) 微波等离子体发生装置
US6468386B1 (en) Gas delivery system
TW201445612A (zh) 實現快速散熱的法拉第遮罩裝置及等離子體處理裝置
KR950027912A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR102104386B1 (ko) 고효율 진공플라즈마 세정설비
US20140202385A1 (en) Flat-plate type pecvd device
CN111341639A (zh) 手持式等离子处理设备
WO1999012184A2 (en) Microwave power applicator for generating reactive chemical species from gaseous reagent species
KR101020079B1 (ko) 원격 플라즈마 반응기를 구비한 기판 처리 장치
TWI244694B (en) Plasma processing apparatus
CN105280469A (zh) 用以降低排气口等离子体损害的蚀刻反应系统
CN215771057U (zh) 射频离子源
RU121812U1 (ru) Катодно-распылительный узел магнетрона (варианты)
JPS60202937A (ja) ドライエツチング装置
JP3647592B2 (ja) プラズマ源及びこれを用いたイオン源並びにプラズマ処理装置
KR100271767B1 (ko) 플라즈마를 이용하는 반도체장치 제조설비
CN214327868U (zh) 一种布气装置和镀膜装置
TWI386112B (zh) 射頻中空陰極電漿源產生裝置
KR20150135173A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant