CN214410940U

CN214410940U - 一种外置磁路的半匝电抗器

Info

Publication number: CN214410940U
Application number: CN202120697117.5U
Authority: CN
Inventors: 冉瑞刚; 李正中; 李经伟
Original assignee: Dongguan Dazhong Electronics Co Ltd
Current assignee: Dongguan Dazhong Electronics Co Ltd
Priority date: 2021-04-06
Filing date: 2021-04-06
Publication date: 2021-10-15
Anticipated expiration: 2031-04-06

Abstract

本实用新型涉及电抗器技术领域，具体涉及一种外置磁路的半匝电抗器,其包括铁芯组件、线圈组件以及安装组件；所述铁芯组件包括上横轭、下横轭、小芯柱以及三个主芯柱；所述安装组件用于使所述上横轭、下横轭、小芯柱以及三个主芯柱之间装配；所述上横轭与下横轭平行设置；三个主芯柱以及小芯柱之间均相互平行；三个主芯柱均设于所述上横轭与下横轭之间；所述小芯柱位于所述上横轭的外侧；所述小芯柱的两端分别与上横轭以及下横轭连接；所述线圈组件绕设于三个主芯柱上构成三相电抗器；所述上横轭的截面面积≥小芯柱截面积；下横轭的截面面积≥小芯柱截面积。本实用新型能使三相感量平衡。

Description

一种外置磁路的半匝电抗器

技术领域

本实用新型涉及电抗器技术领域，具体涉及一种外置磁路的半匝电抗器。

背景技术

铁芯电抗器作为电力电子领域不可或缺的重要部件，大量应用于输电电网的谐波抑制、功率补偿等方面，其还应用于电力机车、航海船舶、新能源、不间断电源等电路中，充的滤波、谐振、限流等功能。我们知道，磁通(或磁力线)经过的闭合路径称为磁路，当一导体从起点由磁路外围垂直于磁通方向绕360度再回到起点时，其与磁通完全交链为一整匝；当绕过180度至起点的正对面结束时，其与磁通交链一半则为半匝。

在实际使用时，三相电抗器往往会采用前进后出的接线方式，即形成对侧进出线的半匝电抗器。因此在三相半匝电抗器中，往往会出现同样的结构圈数(对侧进出线时)而电气圈数确不相同的情况：设中间芯柱为N.5匝，则根据磁路匝数原理可知，其左边与右边芯柱圈数分别为N匝、N+1匝，也就是说在三相铁芯中，对侧进出线在线圈几何匝数相同的情况下会使ABC三相的电气匝数不相等，ABC三相圈数不相等最大的问题就是会导致三相电抗器的电感量不相等，其平衡率视匝数的多少而定。由于电感量与线圈匝数的平方成正比，可以根据三相线圈匝数算出ABC三相的感量差异,平衡率Y＝[N+1)2-N)2]/{[(N+1)2+(N+0.5)2+N2]/3}。当N＝100，Y＝2％；N＝50，Y＝4％；N＝40，Y＝4.9％；N＝30，Y＝6.6％；N＝20，Y＝9.8％；N＝10，Y＝19％；N＝5，Y＝36.2％；可以看到，匝数越少感量相差越大。

按行业内标准，三相电感量不平衡率均要求在4％以内，有时甚至要求小于2％。由上可知，只有当匝数大于100匝时，才无需做持别处理，而小于50匝时若不做特殊处理显然三相电感平衡率会超标。目前业内的处理方法基本有以下几种，但都存在一定缺陷。

1、不做处理。缺陷：电感量不平衡率超标拖累整机性能；

2、在电抗器芯柱顶部与横轭交接处垫气隙。缺陷：三相各自的顶部气隙高低不一，横轭倾斜，损耗及噪音增大、结构稳定性变差；且当匝数较少时，若单从芯柱顶部与横轭交接处垫气隙来解决感量平衡率，即使横轭倾斜到30°也无法调到要求值；

3、在三个芯柱内部设置不同的气隙厚度。缺陷：三个芯柱内部硅钢片与气隙块尺寸及数量不一样，容易混淆，增加了生产工艺难度；且当匝数较少时，三个芯柱气隙会相差很大，整台电抗器的漏磁与附加损耗会显著增加；

因此，现有技术存在缺陷，亟需改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服以上所述的缺点，提供了一种外置磁路的半匝电抗器。

为实现上述目的，本实用新型的具体方案如下：一种外置磁路的半匝电抗器，包括铁芯组件、线圈组件以及安装组件；所述铁芯组件包括上横轭、下横轭、小芯柱以及三个主芯柱；所述安装组件用于使所述上横轭、下横轭、小芯柱以及三个主芯柱之间装配；所述上横轭与下横轭平行设置；三个主芯柱以及小芯柱之间均相互平行；三个主芯柱均设于所述上横轭与下横轭之间；所述小芯柱位于所述上横轭的外侧；所述小芯柱的两端分别与上横轭以及下横轭连接；三个主芯柱上均设有所述线圈组件；每个线圈组件均同向绕制；每个线圈组件均包括有多余半匝线圈段；每个多余半匝线圈段均位于半匝电抗器的同一侧；三个线圈组件与三个主芯柱构成对侧进出线的三相电抗器；所述上横轭的截面面积≥小芯柱截面积；下横轭的截面面积≥小芯柱截面积。

本实用新型进一步设置为，所述上横轭由上短横轭片以及上长横轭片构成；所述上长横轭片用于与所述小芯柱连接；所述上长横轭片的厚度与所述小芯柱的厚度一致；所述上短横轭片的厚度以及上长横轭片的厚度之和与主芯柱的厚度一致；所述下横轭由下短横轭片以及下长横轭片构成；所述下长横轭片用于与所述小芯柱连接；所述下长横轭片的厚度与所述小芯柱的厚度一致；所述下短横轭片的厚度以及下长横轭片的厚度之和与主芯柱的厚度一致。

本实用新型进一步设置为，每个主芯柱上均设有相同数量的若干个芯柱气隙；每个主芯柱上均设有相同数量的铁芯片；且每个主芯柱的铁芯片位置及芯柱气隙的位置均相同；每个主芯柱上均设有相同数量的若干个芯柱气隙；所述主芯柱与上横轭之间直接连接；所述主芯柱与下横轭之间直接连接。

本实用新型进一步设置为，所述安装组件包括横轭夹件、U型顶压件、底座、拉紧帮块、纵锁螺栓和横锁螺栓；所述U型顶压件设于所述上横轭的顶部；所述拉紧帮块设于所述下横轭上；所述底座设于所述下横轭的底部；所述U型顶压件与拉紧帮块之间通过所述纵锁螺栓连接；所述上横轭、下横轭分别通过所述横锁螺栓与横轭夹件固定连接。

本实用新型进一步设置为，所述横轭夹件上设有产品吊装孔；所述底座上设有用于承托所述小芯柱的延长板；所述底座的底部设有减震垫。

本实用新型进一步设置为，所述安装组件包括小夹件和两个长夹件；所述小芯柱的一端与所述上长横轭片之间设有所述长夹件；所述小芯柱的另一端与所述下长横轭片之间也设有所述长夹件；所述小夹件设于所述小芯柱的中部；所述小夹件与所述小芯柱之间、所述长夹件与所述小芯柱之间均通过横锁螺栓连接。

本实用新型进一步设置为，所述线圈组件包括线圈、进线排以及出线排；所述进线排以及出线排分别与所述线圈的输入端和输出端连接；所述线圈绕设于主芯柱上；所述主芯柱的前侧面和后侧面均设有铁芯绝缘夹板；所述主芯柱的四角均设有直角绝缘撑条；所述主芯柱的左侧面以及右侧面均设有工字绝缘撑条；所述主芯柱的前方和后方均设有风道。

本实用新型进一步设置为，所述小芯柱与线圈组件中的多余半匝线圈段同侧设置。

本实用新型的有益效果是：通过设置小芯柱，并使小芯柱与上横轭、下横轭连接，引导磁通失量和流经外置的小芯柱的磁路，使带半匝电抗器的每个线圈相同，每个芯柱相同，每个芯柱气隙也相同，每相磁阻基本相同，确保三相感量一致；有利于产品大批量生产而不必去区分每个线圈与每个芯柱；当应用于较少匝数(如小于5匝)的对侧进出线电抗器时具有较好的性能优势。

附图说明

利用附图对实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的铁芯组件的结构示意图；

图3为本实用新型的铁芯及线圈装配的原理图；

图4为本实用新型的线圈组件的俯视图；

图5为本实用新型的三相磁通示意图。

其中：110、上横轭；111、上短横轭片；112、上长横轭片；120、下横轭；121、下短横轭片；122、下长横轭片；130、主芯柱；131、铁芯片；132、芯柱气隙；140、小芯柱；200、线圈；210、直角绝缘撑条；220、工字绝缘撑条；230、风道；240、铁芯绝缘夹板；270、进线排；280、出线排；310、横轭夹件；320、长夹件；330、小夹件；340、U型顶压件；350、底座；352、延长板；360、纵锁螺栓；370、横锁螺栓；380、拉紧帮块；400、减震垫。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

如图1-5所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，包括铁芯组件、线圈组件以及安装组件；所述铁芯组件包括上横轭110、下横轭120、小芯柱140以及三个主芯柱130；所述安装组件用于使所述上横轭110、下横轭120、小芯柱140以及三个主芯柱130之间装配；所述上横轭110与下横轭120平行设置；三个主芯柱130以及小芯柱140之间均相互平行；三个主芯柱130均设于所述上横轭110与下横轭120之间；所述小芯柱140位于所述上横轭110的外侧；所述小芯柱140的两端分别与上横轭110以及下横轭120连接；三个主芯柱(130)上均设有所述线圈组件；每个线圈组件均同向绕制；每个线圈组件均包括有多余半匝线圈段；每个多余半匝线圈段均位于半匝电抗器的同一侧；三个线圈组件与三个主芯柱130构成对侧进出线的三相电抗器；所述上横轭110的截面面积≥小芯柱140截面积；下横轭120的截面面积≥小芯柱140截面积。

如图3所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，所述上横轭110的截面面积≥小芯柱140截面积；下横轭120的截面面积≥小芯柱140截面积；所述小芯柱140与线圈组件中的多余半匝线圈段同侧设置。

具体的，对于前进线后出线电抗器，当线圈200为逆时针绕向时，多余半匝线圈段位于电抗器的右侧，则外置磁路的小芯柱140以及上长横轭片112的伸出端设置在电抗器的右侧。而当线圈200为顺时针绕向时，多余半匝线圈段位于电抗器的左侧，外置磁路的小芯柱140以及上长横轭片112的伸出端设置在产品左侧。同理，对于后进线前出线电抗器，当线圈200为逆时针绕向时，外置磁路的小芯柱140以及上长横轭片112的伸出端设置在产品左侧，当线圈200为顺时针绕向时，外置磁路的小芯柱140以及上长横轭片112的伸出端设置在产品右侧。

具体地，小芯柱140以及主芯柱130的材质为硅钢片、铁硅、非晶、磁芯、金属粉芯等。所述三个线圈200的结构匝数相同；当设置了小芯柱140设置在线圈组件中具有多余半匝线圈段的一侧时，由于小芯柱140与主芯柱130之间电连接，其工作原理如下，设三相线圈200分别为A相线圈200、B相线圈200以及C相线圈200；所述A相线圈200的主磁通ΦA流过A相芯柱、上横轭110、下横轭120以及小芯柱140；所述B相线圈200的主磁通ΦB流过B相芯柱、上横轭110、下横轭120以及小芯柱140；所述C相线圈200的主磁通ΦC流过C相芯柱、上横轭110、下横轭120以及小芯柱140；也就是说ΦA、ΦB、ΦC均同时通过外置磁路，其失量和M在外置的小芯柱140的磁路上产生有效应；同时，线路中三次谐波的磁通Φ3经外置的小芯柱140磁路流通，并产生有效应；因此，能实现均衡三相线圈200的感量，使得三相电感量的平衡率达到4％内的效果。其中，为了获得更佳的感量均衡效果，所述外置磁路小芯柱140的截面积按A、B、C三相线圈200主磁通ΦA、主磁通ΦB、主磁通ΦC、失量和M以及线路中三次谐波磁通Φ3的叠加值选取。

如图1-5所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，所述上横轭110由上短横轭片111以及上长横轭片112构成；所述上长横轭片112用于与所述小芯柱140连接；所述上长横轭片112的厚度与所述小芯柱140的厚度一致；所述上短横轭片111的厚度以及上长横轭片112的厚度之和与主芯柱130的厚度一致；所述下横轭120由下短横轭片121以及下长横轭片122构成；所述下长横轭片122用于与所述小芯柱140连接；所述下长横轭片122的厚度与所述小芯柱140的厚度一致；所述下短横轭片121的厚度以及下长横轭片122的厚度之和与主芯柱130的厚度一致。

所述上长横轭片112可设置在上横轭110前、后、中任一位置，所述小芯柱140与上长横轭片112的位置对应设置。所述下长横轭片122可设置在上横轭110前、后、中任一位置，所述小芯柱140与下长横轭片122位置对应设置。其中，上短横轭片111的长度和下短横轭片121的长度均与并排后的三个主芯柱130的总长度相等；上长横轭片112以及下长横轭片122的长度均比上短横轭片111的长度长，上长横轭片112以及下长横轭片122共同用于伸出与小芯柱140紧靠并连接；可选的，上短横轭片111的长度和下短横轭片121的长度相等。主芯柱130的高+上横轭110的高+下横轭120的高＝小芯柱140的高；且小芯柱140的上下两端分别与上横轭110和下横轭120齐平。

如图1-5所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，每个主芯柱130上均设有相同数量的若干个芯柱气隙132；每个主芯柱130上均设有相同数量的铁芯片131；且每个主芯柱130的铁芯片131位置及芯柱气隙132的位置均相同；每个主芯柱130上均设有相同数量的若干个芯柱气隙132；所述主芯柱130与上横轭110之间直接连接；所述主芯柱130与下横轭120之间直接连接。

芯柱气隙132的设置用于调节电感量。相同的铁芯片131及芯柱气隙132的布置，可以确保内部结构一致，将内部干扰降低。相同主芯柱130与横轭之间的气隙厚度取较小值，可选的，不设置气隙。为使主磁通ΦA、ΦB、ΦC尽可能的全部经外置磁路流通，而不走空气泄放，则需要主芯柱130与上横轭110、下横轭120之间芯柱气隙132厚度尽可能小，将调试感量所需的气隙尽可能的放在主芯柱130中去。本技术的核心就在于使电抗器主磁通包涵住半匝圈数，或者说多半匝的窗口侧要尽可能多的流过主磁通，以确保结构匝数与电气匝数接近相等。

如图1-5所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，所述安装组件包括横轭夹件310、U型顶压件340、底座350、拉紧帮块380、纵锁螺栓360和横锁螺栓370；所述U型顶压件340设于所述上横轭110的顶部；所述拉紧帮块380设于所述下横轭120上；所述底座350设于所述下横轭120的底部；所述U型顶压件340与拉紧帮块380之间通过所述纵锁螺栓360连接；所述上横轭110、下横轭120分别通过所述横锁螺栓370与横轭夹件310固定连接。

所述上横轭110以及下横轭120分别由横锁螺栓370与横轭夹件310锁紧：横锁螺栓370与横轭夹件310将上短横轭片111以及上长横轭片112锁紧、横锁螺栓370与横轭夹件310将下短横轭片121以及下长横轭片122锁紧。采用纵锁螺栓360可以使利用U型顶压件340与拉紧帮块380将电抗器做拉紧固定。

如图1-5所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，所述横轭夹件310上设有产品吊装孔(图中未标出)；所述底座350上设有用于承托所述小芯柱140的延长板352；所述底座350的底部设有减震垫400。

产品吊装孔用于产品吊装。延长板352用于承载小芯柱140的重量；减震垫400用于减小工作振动及噪音。

如图1-5所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，所述安装组件包括小夹件330和两个长夹件320；所述小芯柱140的一端与所述上长横轭片112之间设有所述长夹件320；所述小芯柱140的另一端与所述下长横轭片122之间也设有所述长夹件320；所述小夹件330设于所述小芯柱140的中部；所述小夹件330与所述小芯柱140之间、所述长夹件320与所述小芯柱140之间均通过横锁螺栓370连接。

小芯柱140由小夹件330与横锁螺栓370锁紧，上长横轭片112、下长横轭片122与小芯柱140的两端之间，由长夹件320与横锁螺栓370一并锁紧。上述设置可以使小芯柱140拆装方便。

如图1-5所示，本实施例的一种外置磁路的半匝电抗器，所述线圈组件包括线圈200、进线排270以及出线排280；所述进线排270以及出线排280分别与所述线圈200的输入端和输出端连接；所述线圈200绕设于主芯柱130上；所述主芯柱130的前侧面和后侧面均设有铁芯绝缘夹板240；所述主芯柱130的四角均设有直角绝缘撑条210；所述主芯柱130的左侧面以及右侧面均设有工字绝缘撑条220；所述主芯柱130的前方和后方均设有风道230。

直角绝缘撑条210用于夹紧主芯柱130以及绝缘夹板；工字绝缘撑条220一方面用于撑开形成风道230，另一方面可以撑紧线圈200。所述线圈200由导体以及绝缘层共同绕制而成；所述导体的涨紧力设置为200～6000N.m，层绝缘的涨紧力设置为30～800N.m，所述主芯柱130的紧实度由绕制线圈200的涨紧力加持，进线排270、出线排280设置在线圈200的异侧，结构匝数含有半匝。

一种外置磁路的半匝电抗器的磁路外置方法，包括外置磁路的半匝电抗器，还包括小芯柱截面积的计算方法：

S1、计算网侧的A、B、C三相的基波电流的失量和M(A)，

其中，I_A表示A相电流(A)，I_B表示B相电流(A)，I_C表示C相电流(A)；

S2、将三次谐波电流I₃(A)等效到基波额定电流I₁(A)中去，等效值N＝n*I₃(A),其中，n为材料因数；

S3、计算小芯柱上产生总有功磁通的等效电流值Y，Y＝N+M(A)；

S4、计算等效电流值Y与网侧额定电流I(A)的比值X,

S5、确定外置磁路小芯柱截面积S₁(cm²),S₁≥X×S,S表示主芯柱截面积(cm²)。

所述ABC三相电流不平衡率≤50％，所述比值X的范围：0≤X≤1，所述计算的截面积S1在趋于较小值时，以生产设备及工艺情况确定S1；

外置磁路铁芯截面积选取方法为，所述长横轭截面积≥外置小芯柱截面积，所述小芯柱的截面积与网侧ABC三相电流的失量和以及线路中三次谐波磁通的叠加值成正比。

例如某光伏逆变器输出用三相滤波电抗器，额定电感量0.1mH，额定电流1432A，额定频率50Hz，三相电流偏差小于1432A±5％，3次谐波电流有效值之和小于5％，因结构要求需对侧出线，外置磁路小芯柱截面积S₁确定方法如下：

1)、计算网侧ABC三相基波电流的失量和M(A)，依三相电流偏差小于1432A±5％，设B相为1432A，可得ABC三相电流最大偏差分别为I_A＝1504A、I_B＝1432A、I_C＝1360A，侧

I_A表示A相电流(A)，I_B表示B相电流(A)，I_C表示C相电流(A)；

2)、基于铁芯损耗保持不变的等效原则，将三次谐波电流I₃(A)等效到基波额定电流I₁(A)中去，依3次谐波电流有效值之和小于5％，可得I₃的最大值为1432A*5％＝71.6A，测算因数n，使铁损相等，然后计算电流的比值，假设小芯柱以及主芯柱均采用了材料为35W300的硅钢片，频率f₃＝150Hz,I₃＝71.6A，磁通密度B₃＝0.0566T，铁芯损耗P₃≈0.026W/kg，将不同频率的电流值折算到基波5050Hz时电流值，频率f₁＝50Hz,I₁＝215A，磁通密度B₃＝0.17T，铁芯损耗P₁≈0.026W/kg，折算后，材料因数n≈3；等效值N＝n*I₃≈3*71.6≈215(A)。

3)、计算小芯柱上产生的总有功磁通的等效电流值Y，Y＝N+M＝125+215＝340(A)；

4)、计算等效电流值Y与网侧额定电流I(A)的比值X,

5)、确定外置磁路小芯柱截面积S₁(cm²),S₁≥X×S,S表示主芯柱截面积(cm²)，此处主芯柱截面积为179cm²，则外置磁路的小芯柱截面积S₁≥43cm²即可。

此处需说明的是，本技术有别于普通的四柱电抗器，普通的四柱电抗器是为了解决缺相也能正常工作(保持感量不变)，因此，其外置旁轭的铁芯截面积需等于主芯柱截面积。而本实用新型是为了实现给带有半匝的电抗器三相线圈均提供磁通路，使ABC三相的结构匝数等于电气匝数，从而确保三相感量的一致性，因此，其外置磁路的铁芯截面积会小于主芯柱的，有时会小很多。在上例中，为了能满足基本的感量要求，S₁≥43cm²是比较保守的，但是实际应用是可以在计算时，适当扩大比值X，使得S₁的值更小，在上例中，计算结果为43cm²，但是实际上可以稍微取S₁＜43cm²，此时只需要核算外置磁路是否饱和、噪音、损耗温升是否超标，若这些参数在满足的情况下，可以继续取小。

以上所述仅是本实用新型的一个较佳实施例，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本实用新型专利申请的保护范围内。

Claims

1.一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：包括铁芯组件、线圈组件以及安装组件；所述铁芯组件包括上横轭(110)、下横轭(120)、小芯柱(140)以及三个主芯柱(130)；所述安装组件用于使所述上横轭(110)、下横轭(120)、小芯柱(140)以及三个主芯柱(130)之间装配；所述上横轭(110)与下横轭(120)平行设置；三个主芯柱(130)以及小芯柱(140)之间均相互平行；三个主芯柱(130)均设于所述上横轭(110)与下横轭(120)之间；所述小芯柱(140)位于所述上横轭(110)的外侧；所述小芯柱(140)的两端分别与上横轭(110)以及下横轭(120)连接；

三个主芯柱(130)上均设有所述线圈组件；每个线圈组件均同向绕制；每个线圈组件均包括有多余半匝线圈段；每个多余半匝线圈段均位于半匝电抗器的同一侧；三个线圈组件与三个主芯柱(130)构成对侧进出线的三相电抗器；所述上横轭(110)的截面面积≥小芯柱(140)截面积；下横轭(120)的截面面积≥小芯柱(140)截面积。

2.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述上横轭(110)由上短横轭片(111)以及上长横轭片(112)构成；所述上长横轭片(112)用于与所述小芯柱(140)连接；所述上长横轭片(112)的厚度与所述小芯柱(140)的厚度一致；所述上短横轭片(111)的厚度以及上长横轭片(112)的厚度之和与主芯柱(130)的厚度一致；所述下横轭(120)由下短横轭片(121)以及下长横轭片(122)构成；所述下长横轭片(122)用于与所述小芯柱(140)连接；所述下长横轭片(122)的厚度与所述小芯柱(140)的厚度一致；所述下短横轭片(121)的厚度以及下长横轭片(122)的厚度之和与主芯柱(130)的厚度一致。

3.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：每个主芯柱(130)上均设有相同数量的若干个芯柱气隙(132)；每个主芯柱(130)上均设有相同数量的铁芯片(131)；且每个主芯柱(130)的铁芯片(131)位置及芯柱气隙(132)的位置均相同；每个主芯柱(130)上均设有相同数量的若干个芯柱气隙(132)；所述主芯柱(130)与上横轭(110)之间直接连接；所述主芯柱(130)与下横轭(120)之间直接连接。

4.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述安装组件包括横轭夹件(310)、U型顶压件(340)、底座(350)、拉紧帮块(380)、纵锁螺栓(360)和横锁螺栓(370)；所述U型顶压件(340)设于所述上横轭(110)的顶部；所述拉紧帮块(380)设于所述下横轭(120)上；所述底座(350)设于所述下横轭(120)的底部；所述U型顶压件(340)与拉紧帮块(380)之间通过所述纵锁螺栓(360)连接；所述上横轭(110)、下横轭(120)分别通过所述横锁螺栓(370)与横轭夹件(310)固定连接。

5.根据权利要求4所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述横轭夹件(310)上设有产品吊装孔；所述底座(350)上设有用于承托所述小芯柱(140)的延长板(352)；所述底座(350)的底部设有减震垫(400)。

6.根据权利要求2所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述安装组件包括小夹件(330)和两个长夹件(320)；所述小芯柱(140)的一端与所述上长横轭片(112)之间设有所述长夹件(320)；所述小芯柱(140)的另一端与所述下长横轭片(122)之间也设有所述长夹件(320)；所述小夹件(330)设于所述小芯柱(140)的中部；所述小夹件(330)与所述小芯柱(140)之间、所述长夹件(320)与所述小芯柱(140)之间均通过横锁螺栓(370)连接。

7.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述线圈组件包括线圈(200)、进线排(270)以及出线排(280)；所述进线排(270)以及出线排(280)分别与所述线圈(200)的输入端和输出端连接；所述线圈(200)绕设于主芯柱(130)上；所述主芯柱(130)的前侧面和后侧面均设有铁芯绝缘夹板(240)；所述主芯柱(130)的四角均设有直角绝缘撑条(210)；所述主芯柱(130)的左侧面以及右侧面均设有工字绝缘撑条(220)；所述主芯柱(130)的前方和后方均设有风道(230)。

8.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述小芯柱(140)与线圈组件中的多余半匝线圈段同侧设置。