CN214378323U - 一种等离子体处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置,包括反应仓和排气机构,所述反应仓的顶部转动连接有密封盖,所述密封盖的内壁开设有线圈孔;所述排气机构包括导管、抽气泵和气压表,所述反应仓的一侧连通有导管,所述导管远离反应仓的一端与抽气泵连通,所述反应仓的一侧设置有气压表。本实用新型提供的等离子体处理装置具有可以将废气排出的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及等离子处理领域,尤其涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
在半导体以及液晶显示器制造工艺中,利用等离子体来进行干蚀刻的技术较为常见,等离子体处理既可以应用在刻蚀制程中,也可以应用在沉积制程中,例如在薄膜晶体管液晶显示器前段数组的制造工艺中,常常使用等离子体进行刻蚀与沉积,等离子体刻蚀的原理是使暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速,释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。
在等离子体刻蚀工艺或沉积工艺中,工艺气体在基板表面分配的均匀性是均匀刻蚀或均匀沉积的前提和保证,工艺过程中反应腔室内部会产生挥发性气体,挥发性气体会改变反应腔室内部的气压,从而对反应结果产生影响。
因此,有必要提供一种新的等离子体处理装置解决上述技术问题。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种具有可以将废气排出的等离子体处理装置。
本实用新型提供的等离子体处理装置,包括反应仓和排气机构,所述反应仓的顶部转动连接有密封盖,所述密封盖的内壁开设有线圈孔;所述排气机构包括导管、抽气泵和气压表,所述反应仓的一侧连通有导管,所述导管远离反应仓的一端与抽气泵连通,所述反应仓的一侧设置有气压表。
优选的,所述密封盖的内壁固定连接有卡杆,所述反应仓的顶部开设有与卡杆配合使用的卡槽。
优选的,所述反应仓的两侧均固定连接有把手,所述把手的外侧设置有绝缘套。
优选的,所述反应仓的内壁开设有观察窗,所述观察窗的内壁固定连接有透明玻璃板。
优选的,所述反应仓的外侧固定连接有密封圈,所述密封圈的内壁与导管的外侧固定连接。
优选的,所述密封盖的内壁固定连接有第一隔热板,所述反应仓的内壁固定连接有第二隔热板。
优选的,所述抽气泵的底部固定连接有固定板,所述固定板的顶部固定连接有卡板,所述卡板的一侧与抽气泵的外侧卡接。
与相关技术相比较,本实用新型提供的等离子体处理装置具有如下有益效果:
本实用新型提供一种等离子体处理装置,通过抽气泵和导管将反应仓内部的气体进行抽取,使用者可以通过气压表对反应仓内部的气压进行观察,当反应仓内部的气压达到合适的范围内时,关闭抽气泵停止抽气,解决了挥发性气体会改变反应腔室内部的气压,从而对反应结果产生影响的问题。
附图说明
图1为本实用新型提供的等离子体处理装置的一种较佳实施例的结构示意图;
图2为图1所示密封盖的结构示意图;
图3为图1所示卡板的结构示意图。
图中标号:1、反应仓;2、密封盖;3、线圈孔;4、排气机构;41、导管;42、抽气泵;43、气压表;5、卡杆;6、卡槽;7、把手;8、观察窗;9、卡板;10、密封圈;11、第一隔热板;12、第二隔热板;13、固定板。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。
请结合参阅图1、图2和图3,其中图1为本实用新型提供的等离子体处理装置的一种较佳实施例的结构示意图,图2为图1所示密封盖的结构示意图,图3为图1所示卡板的结构示意图。等离子体处理装置,包括反应仓1和排气机构4。
在具体实施过程中,如图1、图2和图3所示,反应仓1的顶部转动连接有密封盖2,密封盖2的内壁开设有线圈孔3。
排气机构4包括导管41、抽气泵42和气压表43,反应仓1的一侧连通有导管41,导管41远离反应仓1的一端与抽气泵42连通,反应仓1的一侧设置有气压表43。
需要说明的是:在等离子体处理时,使用者将感应线圈穿过密封盖2上的线圈孔3放入反应仓1的内部,然后翻转密封盖2,将密封盖2底部的卡杆5卡入卡槽6的内部,将反应仓1密封,在反应仓1的内部进行反应,在反应过程中产生的易挥发气体会充斥在反应仓1的内部,从而会改变反应仓1内部的气压,对反应产生影响,此时,使用者将抽气泵42开启,抽气泵42通过导管41将反应仓1内部的气体进行抽取,使用者可以通过气压表43对反应仓1内部的气压进行观察,当反应仓1内部的气压达到合适的范围内时,关闭抽气泵42停止抽气。
参考图1和图2所示,密封盖2的内壁固定连接有卡杆5,反应仓1的顶部开设有与卡杆5配合使用的卡槽6。
反应仓1的两侧均固定连接有把手7,把手7的外侧设置有绝缘套。
需要说明的是:通过设置卡杆5和卡槽6,可以对密封盖2和反应仓1进行固定,防止密封盖2在使用时松动而对反应结果产生影响,通过设置把手7,便于使用者对于反应仓1的移动,在把手7的外侧设置绝缘套,可以防止使用者触电而受到危险。
参考图1和图2所示,反应仓1的内壁开设有观察窗8,观察窗8的内壁固定连接有透明玻璃板。
反应仓1的外侧固定连接有密封圈10,密封圈10的内壁与导管41的外侧固定连接。
密封盖2的内壁固定连接有第一隔热板11,反应仓1的内壁固定连接有第二隔热板12。
需要说明的是:通过设置观察窗8,便于使用者对于反应仓1内部的情况进行实时观察,通过设置密封圈10,可以加强导管41和反应仓1连接处的密封性,通过设置第一隔热板11和第二隔热板12,可以对反应仓1的内部进行保温处理,提高反应效率。
参考图1和图3所示,抽气泵42的底部固定连接有固定板13,固定板13的顶部固定连接有卡板9,卡板9的一侧与抽气泵42的外侧卡接。
需要说明的是:通过设置固定板13和卡板9,可以对抽气泵42进行支撑,从而提高了抽气泵42在使用时的稳定性。
本实用新型提供的等离子体处理装置的工作原理如下:
在等离子体处理时,使用者将感应线圈穿过密封盖2上的线圈孔3放入反应仓1的内部,然后翻转密封盖2,将密封盖2底部的卡杆5卡入卡槽6的内部,将反应仓1密封,在反应仓1的内部进行反应,在反应过程中产生的易挥发气体会充斥在反应仓1的内部,从而会改变反应仓1内部的气压,对反应产生影响,此时,使用者将抽气泵42开启,抽气泵42通过导管41将反应仓1内部的气体进行抽取,使用者可以通过气压表43对反应仓1内部的气压进行观察,当反应仓1内部的气压达到合适的范围内时,关闭抽气泵42停止抽气。
与相关技术相比较,本实用新型提供的等离子体处理装置具有如下有益效果:
本实用新型提供一种等离子体处理装置,通过抽气泵42和导管41将反应仓1内部的气体进行抽取,使用者可以通过气压表43对反应仓1内部的气压进行观察,当反应仓1内部的气压达到合适的范围内时,关闭抽气泵42停止抽气,解决了挥发性气体会改变反应腔室内部的气压,从而对反应结果产生影响的问题。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
反应仓(1),所述反应仓(1)的顶部转动连接有密封盖(2),所述密封盖(2)的内壁开设有线圈孔(3);
排气机构(4),所述排气机构(4)包括导管(41)、抽气泵(42)和气压表(43),所述反应仓(1)的一侧连通有导管(41),所述导管(41)远离反应仓(1)的一端与抽气泵(42)连通,所述反应仓(1)的一侧设置有气压表(43)。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述密封盖(2)的内壁固定连接有卡杆(5),所述反应仓(1)的顶部开设有与卡杆(5)配合使用的卡槽(6)。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述反应仓(1)的两侧均固定连接有把手(7),所述把手(7)的外侧设置有绝缘套。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述反应仓(1)的内壁开设有观察窗(8),所述观察窗(8)的内壁固定连接有透明玻璃板。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述反应仓(1)的外侧固定连接有密封圈(10),所述密封圈(10)的内壁与导管(41)的外侧固定连接。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述密封盖(2)的内壁固定连接有第一隔热板(11),所述反应仓(1)的内壁固定连接有第二隔热板(12)。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述抽气泵(42)的底部固定连接有固定板(13),所述固定板(13)的顶部固定连接有卡板(9),所述卡板(9)的一侧与抽气泵(42)的外侧卡接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202120768239.9U CN214378323U (zh) | 2021-04-15 | 2021-04-15 | 一种等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202120768239.9U CN214378323U (zh) | 2021-04-15 | 2021-04-15 | 一种等离子体处理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN214378323U true CN214378323U (zh) | 2021-10-08 |
Family
ID=77974404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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