CN214361681U - 一种化学气相沉积设备用气体分散装置 - Google Patents

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李江涛
魏庆勃
刘帅
马美霞
王亚辉
胡晓辉
张东生
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Abstract

一种化学气相沉积设备用气体分散装置,包括底座、布气盘;所述底座底面封闭、顶端敞口;所述底座的底面中心位置设有通孔作为进气口;所述布气盘为盘状;所述布气盘均匀设置有若干个通孔作为出气口,所述通孔的孔径由布气盘的中心向边缘逐渐增大,所述布气盘安装在底座的内腔内。当化学气相沉积设备内前驱体气流较大时,使用本实用新型,布气盘离中心较远处通孔孔径更大,以使离中心较远处有更多气流通过,使进入化学气相沉积室内的气流相对均匀,从而解决沉积室距中心线较近位置涂层厚度较厚,而距离沉积室中心线较远处涂层沉积厚度较薄的问题。

Description

一种化学气相沉积设备用气体分散装置
技术领域
本实用新型属于化学气相沉积设备领域,具体涉及一种化学气相沉积设备用气体分散装置。
背景技术
化学气相沉积过程中沉积设备往往需要在高温下进行,如化学气相沉积碳化硅涂层温度一般在1100-1500℃,工业化生产需要考虑生产成本,快速沉积工艺在不断发展。化学气相沉积过程对反应气体及先驱体的均匀程度要求很高,混合气体的均匀性直接影响涂层的质量。快速沉积碳化硅涂层时,由于反应气体通入量过大,导致气体经过布气盘时不能充分分散,从而使得沉积室距中心线较近位置涂层厚度较厚,而距离沉积室中心线较远处涂层沉积厚度较薄。
发明内容
针对上述沉积室气流不均匀问题,本实用新型提供了一种化学气相沉积设备用气体分散装置。
一种化学气相沉积设备用气体分散装置,包括底座、布气盘;所述底座底面封闭、顶端敞口;所述底座的底面中心位置设有通孔作为进气口;所述布气盘为盘状;所述布气盘均匀设置有若干个通孔作为出气口,所述通孔的孔径由布气盘的中心向边缘逐渐增大,所述布气盘放置在底座的内腔内。
进一步,所述底座的底面为圆形,所述布气盘为圆盘状。
进一步,所述底座的内腔的直径等于布气盘的直径。
进一步,所述布气盘的底部设有支架,将布气盘放置在底座内,所述布气盘的支架放置在底座的底面上,支架支撑布气盘。
进一步,所述底座的内壁面为台阶状,即下部分内腔的直径小于上部分内腔的直径,所述布气盘的直径大于下部分内腔的直径,所述布气盘的直径等于上部分内腔的直径,所述布气盘放置在台阶上。
进一步,所述底座的顶端与布气盘的上表面平齐。
进一步,所述底座的壁面均匀分散地设有若干个第一开口,所述第一开口贯通壁面,第一开口开至壁面的顶端,所述第一开口的底端应低于布气盘在底座的内腔的放置高度。
进一步,所述底座的壁面均匀分散地设有若干个第二开口,所述第二开口为内壁面设有凹槽,第二开口不贯穿壁面,第二开口开至壁面的顶端。
有益效果:
当化学气相沉积设备内前驱体气流较大时,使用本实用新型,布气盘离中心较远处通孔孔径更大,以使离中心较远处有更多气流通过,使进入化学气相沉积室内的气流相对均匀,从而解决沉积室距中心线较近位置涂层厚度较厚,而距离沉积室中心线较远处涂层沉积厚度较薄的问题。
附图说明
图1是本实用新型实施例1的结构示意图;
图2是本实用新型实施例1的拆分结构示意图;
图3是本实用新型实施例2的底座结构示意图;
图4是本实用新型实施例2的布气盘结构示意图;
图5是本实用新型实施例2的结构示意图;
其中:1、底座;2、布气盘;3、进气口;4、内壁面;5、台阶;6、出气口;7、第一开口;8、支架;9、第二开口。
具体实施方式
以下结合具体实施例,对本实用新型做进一步说明。应理解,以下实施例仅用于说明本实用新型而非用于限制本实用新型的范围。
实施例1:
如图1-2所示,一种化学气相沉积设备用气体分散装置,包括底座1、布气盘2;所述底座1底面封闭、顶端敞口;所述底座1的底面为圆形;所述底座1的底面中心位置设有通孔作为进气口3;所述布气盘2为圆盘状;所述布气盘2均匀设置有若干个通孔作为出气口6,所述通孔的孔径由布气盘2的中心向边缘逐渐增大,所述布气盘2放置在底座1的内腔内,所述底座1的内腔的直径等于布气盘2的直径。
所述底座1的内壁面4为台阶5状,即下部分内腔的直径小于上部分内腔的直径,所述布气盘2的直径大于下部分内腔的直径,所述布气盘2的直径等于上部分内腔的直径,所述布气盘2放置在台阶5上。
所述底座1的顶端与布气盘2的上表面平齐。
所述底座1的壁面均匀分散地设有若干个第一开口7,所述第一开口7贯通壁面,第一开口7开至壁面的顶端,所述第一开口7的底端应低于布气盘2在底座1的内腔的放置高度。
工作过程:
前驱体气流从底座1底面中心的进气口3进入气体分散装置,从布气盘2的出气口6流出进入化学气相沉积室内,当化学气相沉积设备内前驱体气流较大时,布气盘2离中心较远处通孔孔径更大,以使离中心较远处有更多气流通过,从而使进入化学气相沉积室的气流相对均匀。待沉积结束后,从化学气相沉积室中取出气体分散装置,使用螺丝刀等工具从底座1的壁面上的第一开口7插入,施加外力取出在底座1的内腔里放置的布气盘2。
实施例2:
如图3-5所示,与实施例1的不同之处在于:底座1的内壁面4不是台阶5状,底座1的内腔的直径等于布气盘2的直径,布气盘2的底部设有支架8,将布气盘2放置在底座1内,所述布气盘2的支架8放置在底座1的底面上,支架8支撑布气盘2,所述底座1的壁面均匀分散地设有若干个第二开口9,所述第二开口9为内壁面设有凹槽,第二开口9不贯穿壁面,第二开口9开至壁面的顶端,其他同实施例1。
使用本实施例所述的装置时,待沉积结束后,从化学气相沉积室中取出气体分散装置,使用夹子从第二开口9插入,将布气盘2夹出,或使用螺丝刀等工具从底座1的内壁面插入,撬出布气盘2。

Claims (8)

1.一种化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:包括底座、布气盘;所述底座底面封闭、顶端敞口;所述底座的底面中心位置设有通孔作为进气口;所述布气盘为盘状;所述布气盘均匀设置有若干个通孔作为出气口,所述通孔的孔径由布气盘的中心向边缘逐渐增大,所述布气盘放置在底座的内腔内。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:所述底座的底面为圆形,所述布气盘为圆盘状。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:所述底座的内壁面为台阶状,即下部分内腔的直径小于上部分内腔的直径,所述布气盘的直径大于下部分内腔的直径,所述布气盘的直径等于上部分内腔的直径,所述布气盘放置在台阶上。
4.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:所述底座的内腔的直径等于布气盘的直径。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:所述布气盘的底部设有支架,将布气盘放置在底座内,所述布气盘的支架放置在底座的底面上,支架支撑布气盘。
6.根据权利要求1-5任一项所述的化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:所述底座的顶端与布气盘的上表面平齐。
7.根据权利要求1-5任一项所述的化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:所述底座的壁面均匀分散地设有若干个第一开口,所述第一开口贯通壁面,第一开口开至壁面的顶端,所述第一开口的底端应低于布气盘在底座的内腔的放置高度。
8.根据权利要求1-5任一项所述的化学气相沉积设备用气体分散装置,其特征在于:所述底座的壁面均匀分散地设有若干个第二开口,所述第二开口为内壁面设有凹槽,第二开口不贯穿壁面,第二开口开至壁面的顶端。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN115507289A (zh) * 2022-09-19 2022-12-23 浙江天辰测控科技股份有限公司 一种滞止容器以及燃气表检测装置
CN116121730A (zh) * 2023-04-12 2023-05-16 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 固态前驱体源升华装置

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115507289A (zh) * 2022-09-19 2022-12-23 浙江天辰测控科技股份有限公司 一种滞止容器以及燃气表检测装置
CN116121730A (zh) * 2023-04-12 2023-05-16 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 固态前驱体源升华装置
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