CN214336299U - Oled像素补偿电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型的OLED像素补偿电路，通过设置第一至第六TFT管、电容、发光器件、基准电压端、第一扫描信号端、第二扫描信号端、数据端、第一发光控制端、第二发光控制端、第一电源电压端和第二电源电压端，让第六TFT管工作于饱和区，仅由数据端VDATA所提供的电压去控制第六TFT管的驱动电流Id大小，能够补偿像素电路各TFT管的阈值电压Vth，驱动电流Id的大小不受阈值电压Vth的影响，就能够让OLED显示模组的发光亮度更均匀；此外，第六TFT管的驱动电流Id还不会受到OLED显示模组上的电源线自身的内阻的影响，也让OLED显示模组的发光亮度更均匀。

Description

OLED像素补偿电路

技术领域

本实用新型涉及像素电路技术领域，特别是涉及一种OLED像素补偿电路。

背景技术

有机发光器件(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)，又称有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display，OLED)，近年来，随着有机发光器件(OLED)技术的发展，有机发光器件(OLED)所具备的自发光、不需要背光源，对比度高、响应时间短、厚度薄、视角广和可应用于柔性及透明显示等优点也广为业内人士所知。

有机发光器件(OLED)制造出来的显示模组被称为OLED显示模组，若 OLED显示模组要点亮并显示画面，OLED显示模组内必须包含众多像素电路，像素电路是由若干薄膜晶体管(薄膜晶体管即TFT管)构成的，薄膜晶体管内存在阈值电压，即使是按照相同的制造工序制造出来的薄膜晶体管，它们的阈值电压都会因为个体差异的不同而不同，因此当利用相同的数据电压VDTA给 OLED显示模组内的各像素电路供电时，各像素电路中都会产生不一样的电流，进而导致OLED显示模组的整体发光亮度不均匀，这无疑会大大降低OLED显示模组的显示效果；此外，OLED显示模组上的电源线自身的内阻也会带来压差的影响，同样也会让OLED显示模组的发光亮度不均匀。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种OLED像素补偿电路，能够补偿TFT管的阈值电压，让OLED显示模组的整体发光亮度更加均匀，提高OLED显示模组的显示效果。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种OLED像素补偿电路，包括：第一至第六TFT管、电容、发光器件、基准电压端、第一扫描信号端、第二扫描信号端、数据端、第一发光控制端、第二发光控制端、第一电源电压端和第二电源电压端；

所述第一TFT管的栅极分别与所述第二TFT管的栅极和所述第一扫描信号端连接，所述第一TFT管的漏极与所述基准电压端连接，所述第一TFT管的源极分别与所述电容的一端、所述发光器件的一端和所述第四TFT管的源极连接；

所述第二TFT管的漏极分别与所述电容的另一端和所述第六TFT管的栅极连接，所述第二TFT管的源极分别与所述第五TFT管的源极和所述第六TFT管的漏极连接；

所述第三TFT管的栅极与所述第二扫描信号端连接，所述第三TFT管的漏极分别与所述第四TFT管的漏极和所述第六TFT管的源极连接，所述第三TFT 管的源极与所述数据端连接；

所述第四TFT管的栅极与所述第一发光控制端连接；

所述第五TFT管的栅极与所述第二发光控制端连接，所述第五TFT管的漏极与所述第二电源电压端连接；

所述发光器件的另一端与所述第一电源电压端连接。

在其中一个实施方式中，所述发光器件为发光二极管，所述发光二极管的阳极与所述第一电源电压端连接，所述发光二极管的阴极分别与所述第一TFT 管的源极和所述第四TFT管的源极连接。

在其中一个实施方式中，所述第二TFT管为氧化物薄膜晶体管。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下的优点及有益效果：

本实用新型的OLED像素补偿电路，通过设置第一至第六TFT管、电容、发光器件、基准电压端、第一扫描信号端、第二扫描信号端、数据端、第一发光控制端、第二发光控制端、第一电源电压端和第二电源电压端，让第六TFT 管工作于饱和区，仅由数据端VDATA所提供的电压去控制第六TFT管的驱动电流Id大小，能够补偿像素电路各TFT管的阈值电压Vth，驱动电流Id的大小不受阈值电压Vth的影响，就能够让OLED显示模组的发光亮度更均匀；此外，第六TFT管的驱动电流Id还不会受到OLED显示模组上的电源线自身的内阻的影响，也让OLED显示模组的发光亮度更均匀。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型一实施方式中的OLED像素补偿电路的电路原理示意图；

图2为本实用新型一实施方式中的OLED像素补偿电路的驱动时序示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1，一种OLED像素补偿电路10包括：第一至第六TFT管(即图 1所示的T1、T2、T3、T4、T5、T6)、电容Cst、发光器件EL、基准电压端VINIT、第一扫描信号端SCAN1、第二扫描信号端SCAN2、数据端VDATA、第一发光控制端EM1、第二发光控制端EM2、第一电源电压端ELVDD和第二电源电压端ELVSS；

第一TFT管T1的栅极分别与第二TFT管T2的栅极和第一扫描信号端 SCAN1连接，第一TFT管T1的漏极与基准电压端连接，第一TFT管T1的源极分别与电容Cst的一端、发光器件EL的一端和第四TFT管T4的源极连接；

第二TFT管T2的漏极分别与电容Cst的另一端和第六TFT管T6的栅极连接，第二TFT管T2的源极分别与第五TFT管T5的源极和第六TFT管T6的漏极连接；

第三TFT管T3的栅极与第二扫描信号端SCAN2连接，第三TFT管T3的漏极分别与第四TFT管T4的漏极和第六TFT管T6的源极连接，第三TFT管 T3的源极与数据端VDATA连接；

第四TFT管T4的栅极与第一发光控制端EM1连接；

第五TFT管T5的栅极与第二发光控制端EM2连接，第五TFT管T5的漏极与第二电源电压端ELVSS连接；

发光器件EL的另一端与第一电源电压端ELVDD连接。

为了能够更好地对OLED像素补偿电路10的电路原理进行说明，请一并参阅图1和图2，图2所示的是OLED像素补偿电路10的驱动时序示意图，图2 所示的一共有三个阶段，这三个阶段分别是t1阶段、t2阶段和t3阶段，图2所示的即是在这三个阶段中，第一发光控制端EM1、第二发光控制端EM2、第一扫描信号端SCAN1和第二扫描信号端SCAN2的电平变化情况。

首先是t1阶段，第一发光控制端EM1为高电平输入，第二发光控制端EM2 为低电平输入，第一扫描信号端SCAN1为低电平输入，第二扫描信号端SCAN2 为高电平输入，此时，第一TFT管T1、第二TFT管T2和第五TFT管T5均开启，其余TFT管均关闭，Vc＝VINIT(Vc即图1所示的c点电压，VINIT即图1 所示的基准端VINIT的电压)，对发光器件EL两端电压进行重置，同时 Vg＝Vd＝ELVSS(Vg即图1所示的g点电压，Vd即图1所示的d点电压，ELVSS 即图1所示的第二电源电压端ELVSS的电压)；

其次是t2阶段，第一发光控制端EM1为高电平输入，第二发光控制端EM2 为高电平输入，第一扫描信号端SCAN1为低电平输入，第二扫描信号端SCAN2 为低电平输入，此时，第一TFT管T1、第二TFT管T2和第三TFT管T3均开启，Vg＝Vd开始放电，直到Vg＝Vd＝VDATA+Vth(VDATA即图1所示的数据段VDATA的电压，Vth即图1所示的第六TFT管T6的阈值电压)，这是电容 Cst两端的电压Vg-VINIT＝VDATA+Vth-VINIT；

最后是t3阶段，即发光阶段，第一发光控制端EM1为低电平输入，第二发光控制端EM2为低电平输入，第一扫描信号端SCAN1为高电平输入，第二扫描信号端SCAN2为高电平输入，第四晶体管T4和第五晶体管T5均开启，其余 TFT管均关闭，电容Cst两端电压保持不变，刚好等于Vgs(Vgs即是图1所示的g点与s点的电压差)的电压，Vgs＝VDATA+Vth-VINIT，这时第六晶体管T6 的驱动电流Id可以通过以下公式计算得出：

其中，μ为沟道的电子迁移率，Cox为第六晶体管T6单位面积的沟道电容， W为第六晶体管T6的沟道宽度，L为第六晶体管T6的沟道长度。让第六TFT 管T6工作于饱和区，仅由数据端VDATA所提供的电压去控制第六TFT管T6 的驱动电流Id大小，能够补偿像素电路各TFT管的阈值电压Vth，驱动电流Id 的大小不受阈值电压Vth的影响，就能够让OLED显示模组的发光亮度更均匀；此外，第六TFT管T6的驱动电流Id还不会受到OLED显示模组上的电源线自身的内阻的影响，也让OLED显示模组的发光亮度更均匀。

还需要说明的是，本实施例电路用的是N型TFT管，可以想到的是采用P 型TFT管实现该功能是本领域普通技术人员可在没有作出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也属于本专利保护的范围。

进一步地，请再次参阅图1，在一实施方式中，发光器件EL为发光二极管，发光二极管的阳极与第一电源电压端连接，发光二极管的阴极分别与第一TFT 管的源极和第四TFT管的源极连接。

如此，需要说明的是，发光器件EL为发光二极管，当然，也可以采用其他的发光器件EL代替发光二极管。

进一步地，请再次参阅图1，在一实施方式中，第二TFT管T2为氧化物薄膜晶体管。

如此，需要说明的是，在t3阶段，第二TFT管T2处于关闭的状态，但依然会有漏电流，这将会导致Vg电压不稳定，引起发光亮度变化，故可以特别将第二TFT管T2换用一种漏电流更小的TFT管，例如氧化物薄膜晶体管，让第二TFT管T2的漏电流更小。

本实用新型的OLED像素补偿电路，通过设置第一至第六TFT管、电容、发光器件、基准电压端、第一扫描信号端、第二扫描信号端、数据端、第一发光控制端、第二发光控制端、第一电源电压端和第二电源电压端，让第六TFT 管工作于饱和区，仅由数据端VDATA所提供的电压去控制第六TFT管的驱动电流Id大小，能够补偿像素电路各TFT管的阈值电压Vth，驱动电流Id的大小不受阈值电压Vth的影响，就能够让OLED显示模组的发光亮度更均匀；此外，第六TFT管的驱动电流Id还不会受到OLED显示模组上的电源线自身的内阻的影响，也让OLED显示模组的发光亮度更均匀。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (3)

1.一种OLED像素补偿电路，其特征在于，包括：第一至第六TFT管、电容、发光器件、基准电压端、第一扫描信号端、第二扫描信号端、数据端、第一发光控制端、第二发光控制端、第一电源电压端和第二电源电压端；

所述第一TFT管的栅极分别与所述第二TFT管的栅极和所述第一扫描信号端连接，所述第一TFT管的漏极与所述基准电压端连接，所述第一TFT管的源极分别与所述电容的一端、所述发光器件的一端和所述第四TFT管的源极连接；

所述第二TFT管的漏极分别与所述电容的另一端和所述第六TFT管的栅极连接，所述第二TFT管的源极分别与所述第五TFT管的源极和所述第六TFT管的漏极连接；

所述第三TFT管的栅极与所述第二扫描信号端连接，所述第三TFT管的漏极分别与所述第四TFT管的漏极和所述第六TFT管的源极连接，所述第三TFT管的源极与所述数据端连接；

所述第四TFT管的栅极与所述第一发光控制端连接；

所述第五TFT管的栅极与所述第二发光控制端连接，所述第五TFT管的漏极与所述第二电源电压端连接；

所述发光器件的另一端与所述第一电源电压端连接。

2.根据权利要求1所述的OLED像素补偿电路，其特征在于，所述发光器件为发光二极管，所述发光二极管的阳极与所述第一电源电压端连接，所述发光二极管的阴极分别与所述第一TFT管的源极和所述第四TFT管的源极连接。

3.根据权利要求1所述的OLED像素补偿电路，其特征在于，所述第二TFT管为氧化物薄膜晶体管。

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