CN214315054U - 一种高压直流降压电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高压直流降压电路,包括充电电池P、芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1、二极管D2、稳压二极管ZD1、电容C1、电容C2、电容C4、电感L1、电感L2、MOS管Q1,本实用新型的芯片U1可选择任一供应商的开关电源控制芯片或者DCDC电源芯片,因为MOS用了N管,且用了低端控制,故无需内置的高压MOS和升压泵或者PN管复合驱动;本实用新型为外置MOS管,因此可以根据不同的输入电压和输出电流可任意选择MOS管,不受制于输入电压和输出电流,不会出现选型局限的问题;本实用新型的高低压通过C1传递能量,具备天然的隔离特性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高压直流降压电路。
背景技术
随着社会的进步和发展,仓储、家庭、出行等方面的智能化,可移动的消费类电子产品的多元化,电池作为清洁能源的提供者,使其越来越受到广大消费者的追捧和青睐,成为电子产品不可或缺的一部分。在应用过程中,电池作为能源的输出端,通过一定条件的充电、放电、高温成组存储、低温成组存储等测试项目,考量电芯的性能是否符合使用条件,提高应用中的安全、运行系数,在长期的使用过程当中,帮助电池降低使用过程中故障率,为用户在使用过程中,提供更为安心的服务,提高用户认可度,成为一项非常有意义的研究课题。
现有的充电电池P的降压电路如图1所示,大部分使用了内置MOS和MOS驱动的专用芯片,如上图1的LM5008型号的芯片U2,因为封装工艺等原因,市面上超过60V的DCDC降压同类芯片在选择上就很局限,当需要做更高电压锂电池的时候,非变压器方案的情况下,往往存在供货和选型局限的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术中的不足,提供一种高压直流降压电路。
为了达到上述目的,本实用新型是通过以下技术方案实现的:
一种高压直流降压电路,包括充电电池P、芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1、二极管D2、稳压二极管ZD1、电容C1、电容C2、电容C4、电感L1、电感L2、MOS管Q1,所述电容C4的一端连接充电电池P,所述电容C4的另一端连接地信号GND,所述芯片U1的供电端通过电阻R2连接充电电池P,所述芯片U1的供电端还通过稳压二极管ZD1连接地信号GND,所述芯片U1的供电端还通过二极管D1连接电容C2的一端,所述电容C2的另一端连接地信号GND,所述芯片U1的MOS驱动端连接MOS管Q1的G极,所述MOS管Q1的D极通过电感L1连接充电电池P,所述MOS管Q1的S极连接地信号GND,所述MOS管Q1的D极通过电容C1连接电感L2的一端,所述电感L2的另一端连接地信号GND,所述电感L2的一端通过二极管D2连接电容C2的一端,所述电容C2的一端通过电阻R1连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端连接地信号GND,所述电阻R3的一端连接芯片U1的电压采样端。
作为优选,MOS管Q1为N沟道MOS管。
作为优选,芯片U1为开关电源控制芯片或者DCDC电源芯片。
作为优选,还包括电容C3,所述电容C3与电容C2相并联。
作为优选,电容C1、电容C2、电容C3、电容C4都为无极性电容。
本实用新型的有益效果如下:本实用新型的芯片U1可选择任一供应商的开关电源控制芯片或者DCDC电源芯片,因为MOS用了N管,且用了低端控制,故无需内置的高压MOS和升压泵或者PN管复合驱动;本实用新型为外置MOS管,因此可以根据不同的输入电压和输出电流可任意选择MOS管,不受制于输入电压和输出电流,不会出现选型局限的问题;本实用新型的高低压通过C1传递能量,具备天然的隔离特性。
附图说明
图1为背景技术的电路原理图;
图2为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型的技术方案作进一步说明:
如图2所示,一种高压直流降压电路,包括充电电池P、芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1、二极管D2、稳压二极管ZD1、电容C1、电容C2、电容C4、电感L1、电感L2、MOS管Q1、电容C3,所述电容C4的一端连接充电电池P,所述电容C4的另一端连接地信号GND,所述芯片U1的供电端通过电阻R2连接充电电池P,所述芯片U1的供电端还通过稳压二极管ZD1连接地信号GND,所述芯片U1的供电端还通过二极管D1连接电容C2的一端,所述电容C2的另一端连接地信号GND,所述芯片U1的MOS驱动端连接MOS管Q1的G极,所述MOS管Q1的D极通过电感L1连接充电电池P,所述MOS管Q1的S极连接地信号GND,所述MOS管Q1的D极通过电容C1连接电感L2的一端,所述电感L2的另一端连接地信号GND,所述电感L2的一端通过二极管D2连接电容C2的一端,所述电容C2的一端通过电阻R1连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端连接地信号GND,所述电阻R3的一端连接芯片U1的电压采样端,所述电容C3与电容C2相并联。
如图2所示,MOS管Q1为N沟道MOS管,芯片U1为开关电源控制芯片或者DC-DC电源芯片,例如芯片U1为AAT3113DC-DC电源转换器、开关稳压器AP1501等。电容C1、电容C2、电容C3、电容C4都为无极性电容。
工作原理:
L1、C1、L2、D2、Q1构成降压电路,U1、R2、D1、ZD1、R1、R3构成开关电源控制电路。
工作过程:1:充电电池P充满电,那么充电电池P输出124V高压电,那么124V上电瞬间,R2、ZD1构成稳压管稳压电路,给开关电源芯片U1启动电流,芯片U1开始工作。2:Q1打开时,L1蓄能,C1通过L2放电。3:Q1关闭时,L1通过C1经过二极管D2输出12V。4:R1/R3构成的分压采样电路反馈到开关电源芯片U1,从而控制Q1的占空比构成稳压,稳压后的电压经过D1又来给U1正常工作时供电。
本实用新型的芯片U1可选择任一供应商的开关电源控制芯片或者DCDC电源芯片,因为MOS用了N管,且用了低端控制,故无需内置的高压MOS和升压泵或者PN管复合驱动;本实用新型为外置MOS管,因此可以根据不同的输入电压和输出电流可任意选择MOS管,不受制于输入电压和输出电流,不会出现选型局限的问题;本实用新型的高低压通过C1传递能量,具备天然的隔离特性。
需要注意的是,以上列举的仅是本实用新型的一种具体实施例。显然,本实用新型不限于以上实施例,还可以有许多变形,总之,本领域的普通技术人员能从本实用新型公开的内容直接导出或联想到的所有变形,均应认为是本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种高压直流降压电路,其特征在于,包括充电电池P、芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1、二极管D2、稳压二极管ZD1、电容C1、电容C2、电容C4、电感L1、电感L2、MOS管Q1,所述电容C4的一端连接充电电池P,所述电容C4的另一端连接地信号GND,所述芯片U1的供电端通过电阻R2连接充电电池P,所述芯片U1的供电端还通过稳压二极管ZD1连接地信号GND,所述芯片U1的供电端还通过二极管D1连接电容C2的一端,所述电容C2的另一端连接地信号GND,所述芯片U1的MOS驱动端连接MOS管Q1的G极,所述MOS管Q1的D极通过电感L1连接充电电池P,所述MOS管Q1的S极连接地信号GND,所述MOS管Q1的D极通过电容C1连接电感L2的一端,所述电感L2的另一端连接地信号GND,所述电感L2的一端通过二极管D2连接电容C2的一端,所述电容C2的一端通过电阻R1连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端连接地信号GND,所述电阻R3的一端连接芯片U1的电压采样端。
2.根据权利要求1所述一种高压直流降压电路,其特征在于,所述MOS管Q1为N沟道MOS管。
3.根据权利要求1所述一种高压直流降压电路,其特征在于,所述芯片U1为开关电源控制芯片或者DCDC电源芯片。
4.根据权利要求1所述一种高压直流降压电路,其特征在于,还包括电容C3,所述电容C3与电容C2相并联。
5.根据权利要求4所述一种高压直流降压电路,其特征在于,所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4都为无极性电容。
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