CN214291271U - 一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉,包括基座、炉体、焊接系统、真空系统、氮气系统、水冷系统；炉体包括横截面呈“口”字型的炉膛、可密封炉膛底部的炉底板、可密封炉膛顶部的炉盖、炉盖开合装置、密封装置；开合装置包括设置在炉膛左侧的开盖气缸、设置在炉盖的顶面的右端的中部的挂钩气缸、设置在炉底板的底面的右端的两锁紧气缸；焊接系统包括支架、底反射盘、主石墨加热盘、石墨船、石墨船支撑架、四边缘石墨加热带、四边缘反射带、电极。本实用新型真空焊接炉具有升温和降温快速、焊接速度快、真空性能可靠、冷却成本低、易于维修的特点。

Description

一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉

技术领域

本实用新型涉及一种半导体焊接设备，属于真空焊接技术领域。

背景技术

在现代集成电路与电子技术快速发展的大环境下，半导体产品应用越来越广泛，随着对半导体产品质量精细化要求的提高，尤其是半导体金属封装器件及半导体陶瓷封装器件，传统的回流焊接工艺、焊接质量和空洞率已经不能满足半导体产品的质量要求。

目前传统的真空回流炉是利用发热箱中灯丝产生热风以及热风循环的方式对电路板进行加热，发热箱中由发热管加热箱体重的空气，再用风机将热空气输送到回流炉的炉腔内。为了使加热箱出风均匀，加热箱的出风口有一块金属整流板，整流板上有许多均布的小孔对热风进行导流。传送带上的电路板的焊接过程是指电路板在热风的作用下加热电路板上的锡膏，助焊剂促进锡膏融化，最后通过冷却风机的作用使电路板温度降低，锡膏固化，完成焊接过程。而热风加热这样的焊接方式，电路板的受热是从表面向内面传递加热，这样的方式使得电路板上的锡膏在加热过程中容易产生气泡，使用焊接出现虚焊假焊的现象，严重影响产品质量，据不完全统计，以气泡这种方式产生的不良产品占所有不良产品的50％左右。其次，由于热风传递热量的效率较低，特别是对于安装有工装夹具的软性电路板的吸热量是非常大的，低效率的加热方式直接导致电路板受热不足，出现局部温度偏高等现象，从而导致出现电路板变形等焊接不良现象，严重影响产品的质量；再次，整流板本身不发热，表面温度达不到助焊剂所需气化温度，使得助焊剂很容易粘附冷凝到整流板上，保养清洁相当困难。另一方面真空回流炉的腔室门结构复杂，重量在20KG以上，手动开启关闭的话，一般女操作工很难独立完成，更无法实现自动化集成。大部分真空回流炉的控温方式采用的是感温元件插入式控温与加热板一体化，加热板不方便拆卸和定制。真空回流焊接设备存在以下几个问题：1.采用热风回流炉作为加热装置，存在加热速度慢、最高加热温度低、电路板受热不均使锡膏产生气泡导致虚焊假焊、电路板变形等焊接不良的问题；2.整流板表面温度较低，容易造成助焊剂粘附冷凝导致保养清洁困难；3.现有技术中的采用红外焊接技术，虽然有热源控制方便，但是存在感光点被遮蔽、元件和PCB质量的不同影响加热效果、温差较大等问题；4.腔盖螺纹长期使用容易造成二次污染，降低颗粒度，而且一般螺纹式门锁装置材料单薄，容易收到外界撞击变形而不能使用，耐久性差，另外，腔盖太重不方便女操作工进行作业；5.现有技术中控温方式采用加热板插入式，不方便进行拆卸。6、采用金属材质的炉体在焊接过程中，由于频繁的降温、升温，炉体的底部与炉体的侧壁都必须比较厚，否则炉体的底部与炉体的侧壁之间容易出现不易发现的小裂隙，影响焊接质量，但是，炉体的底部与炉体的侧壁厚会延缓焊接升温的过程，也比较耗费能量。

公开号为CN11175964A的专利公开了一种采用接触式控温的自动真空回流焊接设备，包括加热室、与加热室组成密封腔的腔盖、安装在加热室内部的若干个红外辐射管、位于红外辐射管上方的加热板、接触式控温机构、与加热室连通的抽真空机构和冷却机构，加热室和腔盖均采用石英玻璃材质，所述腔盖一端铰接安装在加热室上，另一端通过自动开合钩锁装置与加热室可拆卸密封安装，用于隔绝内外部空气，保证加热室内的真空状态不受影响。所述加热室上表面安装凸出的密封条。所述加热室内设加热腔，所述加热腔内安装若干个红外辐射管。该技术的突出缺陷在于：加热室安装在气缸尾部支座和加热室均固定安装在安装一大体积的底板的上表面上，加热室和腔盖均采用石英玻璃材质，在需要冷却时加热室和腔盖由于比热较大，降温速度慢，延缓了焊接时的降温速度，使焊接时间变长。冷却时，需要将冷却气体喷嘴通入氮气进行冷却，而采用冷却气体冷却成本高；由于采用红外辐射管，其耐腐蚀性差，冷却后还原气体喷嘴通入甲酸将加热室内部的气体还原；虽然加热板表面涂有光学涂层，利于热辐射，但整个加热时热量分布仍难保证均匀等。

对于现有技术中的小型回流焊接炉，一般是在一个腔体空间内实现回流焊接整个过程。每次焊接工作都需要从室温加热到焊接温度，再从焊接温度降低到室温。进行多次焊接，就要进行多次温度冷热冲击。首先，频繁升温和降温会造成了能量的大量损耗；其次，这对回流焊接设备本身造成温度应力会带来疲劳损伤；再者，升温和降温要花费不少时间，降低了焊接效率。而对于现有技术中的大中型回流焊接炉，一般采用多区焊接，分为预热区、保温区、焊接区和冷却区，焊接过程中采用流水线操作。但是加热区和冷却区是相通的，冷热空气会相互影响或者混合，这对本来想要得到热环境或者冷环境便产生了不利的影响。这也影响了加热和冷却温度场，并造成了一定的能量损失。因此，对于现有结构的真空回流焊接炉而言，由于大多是采用红外辐射管辐射来进行热量传递，其对流传热不强或者没有对流换热，存在辐射加热传热慢、效率较低的缺点。而且这些结构很难在真空或保护气氛下进行回流焊接，因为流水线焊接中的被焊件的载装和取出，都无法保证焊接设备形成真空环境和保护气氛环境。在这种情况下，有必要开发出能够采用其他加热方式、并通过结构上的配置来便利地实现真空或保护气氛的回流焊接炉。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，针对现有技术的不足，提供一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其具有升温和降温快速、焊接速度快、真空性能可靠、冷却成本低、易于维修的特点。

本实用新型采用的技术方案如下。

一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，包括基座、炉体、焊接系统、真空系统、氮气系统、水冷系统。

所述炉体包括横截面呈“口”字型的炉膛、可密封炉膛底部的炉底板、可密封炉膛顶部的炉盖、炉盖开合装置、密封装置；炉盖的左端与炉膛的左侧面的顶部通过第一铰接纵轴铰接，炉盖与炉膛的结合部设有“口”字型的上密封条；炉底板的左端与炉膛的左侧面的底部通过第二铰接纵轴铰接，炉底板与炉膛的结合部设有“口”字型的下密封条；炉膛、炉底板、炉盖均采用金属材质制成；炉底板设置在基座上。

所述炉盖开合装置包括设置在炉膛左侧的开盖气缸、设置在炉盖的顶面的右端的中部的挂钩气缸、设置在炉底板的底面的右端的两锁紧气缸；开盖气缸的输出轴、挂钩气缸的输出轴、锁紧气缸的输出轴所在面均垂直于第一铰接纵轴；炉盖的顶面的左端设有耳板，开盖气缸的顶端与耳板通过第三铰接纵轴铰接。

炉盖的右端沿挂钩气缸对称设有两上挂钩装置，各上挂钩装置包括第四铰接纵轴、套装在第四铰接纵轴上的上转板，上转板的底部设有开口向左的挂钩；两上转板顶端通过顶纵杆相连；顶纵杆与挂钩气缸的上端铰接。

炉底板的右端设有第五铰接纵轴；炉盖的右端沿挂钩气缸对称设有两下挂钩装置；各下挂钩装置包括第五铰接纵轴、套装在第五铰接纵轴上的两下转板，各下转板的顶部设有挂杆；各下转板的底端与一锁紧气缸铰接；当炉盖与炉膛贴合时，通过开盖气缸控制两上转板的转动，通过两锁紧气缸控制两下转板的转动，可使各下转板的挂杆进入其上方的上转板的挂钩内。

所述焊接系统包括支架、底反射盘、主石墨加热盘、石墨船、石墨船支撑架、四边缘石墨加热带、四边缘反射带、电极；支架上自下而上安装有主石墨加热盘、石墨船支撑架、石墨船；底反射盘设置在主石墨加热盘的下方，底反射盘的顶面与主石墨加热盘的底面之间、主石墨加热盘的顶面与石墨船支撑架的底面之间不接触；各边缘反射带分别安装在炉膛的一内侧壁上，各边缘石墨加热带分别安装在一边缘反射带的内侧。

底反射盘安装在炉底板上；支架安装在底反射盘上；主石墨加热盘、各边缘石墨加热带与设置在炉膛上的电极相连；石墨船上设有若干石墨船散热孔。

所述真空系统包括设置在炉膛上的抽真空管，抽真空管与设置在炉体外的抽真空装置相连。

所述氮气系统包括设置在炉膛上的氮气出入管，氮气出入管与设置在炉体外的氮气抽送装置相连。

所述水冷系统包括分别设置在炉膛的各侧壁上的若干炉膛冷却通道、设置在炉盖上的若干炉盖冷却通道、设置在炉底板上的若干炉底板冷却通道、设置在石墨船的底面的盘管槽及设置在盘管槽上的盘管；各盘管槽的底面与石墨船支撑架相接触；盘管穿过炉膛并与设置在炉体外的冷却液液泵送装置、冷却液箱相连；各炉膛冷却通道、炉盖冷却通道、炉底板冷却通道的进口和出口分别通过管路与设置在炉体外的冷却液液泵送装置、冷却液箱。

作为优选技术方案，各下转板的顶部设有挂杆活动槽，挂杆活动槽设有挂杆，挂杆可在挂杆活动槽内上下活动。

作为优选技术方案，下转板包括固定连接的下齿板、上齿板；上齿板的顶端设有挂杆安装架，挂杆安装架包括底面板及两立板，两立板沿距其最近的上转板对称排列；各立板上设有挂杆活动槽，挂杆的两端分别位于两立板的挂杆活动槽内。

作为优选技术方案，边缘反射带包括由金属制成的边缘反射带本体，边缘反射带本体的内侧面上设有边缘反射带涂层；底反射盘包括由金属制成的底反射盘本体，底反射盘本体的内侧面上设有底反射盘涂层。

作为优选技术方案，所述边缘反射带涂层为银制成的边缘反射带涂层；所述底反射盘涂层为银制成的底反射盘涂层。

作为优选技术方案，炉体的顶面设有用于安装上密封条的上密封条安装槽，炉体的底面设有用于安装下密封条的下密封条安装槽。

作为优选技术方案，所述支架包括中心支架及若干边缘支架，主石墨加热盘的中心设有中心通孔，中心支架、边缘支架上设有用于放置主石墨加热盘的台阶，中心支架穿过主石墨加热盘的中心通孔；边缘支架、中心支架的顶端与石墨船支撑架相连。

作为优选技术方案，主石墨加热盘包括三个接线头的石墨带，石墨带绕中心通孔盘旋设置。

作为优选技术方案，石墨船上放置有焊接工装，待焊接件放置在焊接工装内；焊接工装由石墨制成；所述炉膛、炉盖、炉底板采用铝制作而成。

作为优选技术方案，挂钩气缸的下端通过第七铰接纵轴与炉盖铰接；开盖气缸的底端与基座通过第八铰接纵轴铰接；各下转板的底端通过第九铰接纵轴与一锁紧气缸的右端铰接。炉底板的四个角通过四个隔热柱安装基座上。

本实用新型的有益效果是：开合装置包括设置在炉膛左侧的开盖气缸、设置在炉盖的顶面的右端的中部的挂钩气缸、设置在炉底板的底面的右端的两锁紧气缸，开盖气缸、挂钩气缸、两锁紧气缸相互配合，下转板的顶部设有挂杆活动槽，挂杆在挂入上转板的挂钩时，挂放可靠，密封效果好。炉体的炉膛、炉底板、炉盖采用分体的金属制成，可承受的压力大。炉膛、炉底板、炉盖均设有冷却液通道，炉膛、炉底板、炉盖升温降温迅速；炉膛、炉底板、炉盖之间通过开合装置连接，炉膛、炉底板、炉盖之间使用用一段时间之后，仅通过更换上密封条、下密封条即可实现密封的有效性，解决了现有技术中炉膛、炉底板整体铸造而成时，一旦炉膛、炉底板之间焊接部分一旦在长久使用的压力更迭下有可能出现的漏气现象时难以修复的问题。设置两锁紧气缸且沿挂钩气缸对称分布，炉膛的右侧密封效果好且占开和装置用的体积小。采用主石墨加热盘底部辐射加热，在石墨船的四周采用边缘石墨加热带四周辐射加热，且采用底反射盘反射，边缘反射带反射，加热速度快，耐腐蚀性好、变形量小、加热均匀。一旦加热结束后，直接给主石墨加热盘采用冷却液降温，且由于炉膛、炉底板、炉盖都是金属制成，散热很快，焊接需要的时间段，焊接速度快，焊接效果好。

附图说明

图1是本实用新型真空焊接炉的立体结构示意图。图2是图1的A部分的局部放大图。图3是图1的B部分的局部放大图。图4是图3的C部分的局部放大图。图5是图3的D部分的局部放大图。图6是图1所示真空焊接炉的左视图。图7是图1所示真空焊接炉的后视图。图8是图1所示真空焊接炉的俯视图。图9是图1所示真空焊接炉的正视图。图10是图9的E部分的局部放大图。图11是图8所示真空焊接炉沿F-F’线的剖视图。图12是图8所示真空焊接炉沿G-G’线的剖视图。图13是图11的H部分的局部放大图。图14是图11的I部分的局部放大图。图15是图12的K部分的局部放大图。图16是图12的L部分的局部放大图。图17是图12所示真空焊接炉沿J-J’线的剖视图。图18是图1所示真空焊接炉的主石墨加热盘安装在底反射盘上的示意图。图19是图17的M部分的局部放大图。图20是图1所示真空焊接炉的四边缘石墨加热带相连时的结构示意图。图21是图1所示真空焊接炉的主石墨加热盘的结构示意图。图22是盘管安装在石墨船上的立体结构示意图。图23是图22所示结构的仰视图。图24是图1所示真空焊接炉的石墨船的俯视图。图25是图1所示真空焊接炉的石墨船的左视图。图26是图1所示真空焊接炉的炉膛的立体透视图。图27是图1所示真空焊接炉的炉体的立体示意图。图28是图27的O部分的局部放大图。图29是图27所示炉体的仰视图。图30是图27所示炉体的炉盖打开时的状态图。

其中：基座-1；炉体-2；炉膛-21；炉底板-22；炉盖-23；第一铰接纵轴-24；上密封条-25；下密封条-26；第二铰接纵轴-27；开合装置-3；开盖气缸-31；挂钩气缸-32；锁紧气缸-33；耳板-34；第三铰接纵轴-35；上挂钩装置-36；第四铰接纵轴-37；上转板-38；顶纵杆-310；下挂钩装置-311；下挂钩装置-311；第五铰接纵轴-312；下转板-313；挂杆-314；挂杆活动槽-315；第七铰接纵轴-316；第八铰接纵轴-317；第九铰接纵轴-318；下齿板-319；上齿板-320；挂杆安装架-321；立板-322；底面板-323；支架-41；边缘支架-411；中心支架-412；底反射盘-42；主石墨加热盘-43；中心通孔-431；石墨船-44；石墨船散热孔-441；盘管槽-442；石墨船支撑架-45；边缘石墨加热带-46；边缘反射带-47；电极-48；抽真空管-5；氮气出入管-6；隔热柱-7；炉膛冷却通道-71；炉盖冷却通道-72;炉底板冷却通道-73；盘管-74；焊接工装-8；冷却液管进出孔-9。

具体实施方式

下面，结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例1。如图1-30所示，一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，包括基座1、炉体2、焊接系统、真空系统、氮气系统、水冷系统。

所述炉体2包括横截面呈“口”字型的炉膛21、可密封炉膛21底部的炉底板22、可密封炉膛21顶部的炉盖23、炉盖开合装置3、密封装置；炉盖23的左端与炉膛21的左侧面的顶部通过第一铰接纵轴24铰接，炉盖23与炉膛21的结合部设有“口”字型的上密封条25；炉底板22的左端与炉膛21的左侧面的底部通过第二铰接纵轴27铰接，炉底板22与炉膛21的结合部设有“口”字型的下密封条26；炉膛21、炉底板22、炉盖23均采用金属材质制成；炉底板22设置在基座1上。所述炉盖开合装置3包括设置在炉膛21左侧的开盖气缸31、设置在炉盖23的顶面的右端的中部的挂钩气缸32、设置在炉底板22的底面的右端的两锁紧气缸33；开盖气缸31的输出轴、挂钩气缸32的输出轴、锁紧气缸33的输出轴所在面均垂直于第一铰接纵轴24；炉盖23的顶面的左端设有耳板34，开盖气缸31的顶端与耳板34通过第三铰接纵轴35铰接。

炉盖23的右端沿挂钩气缸32对称设有两上挂钩装置36，各上挂钩装置36包括第四铰接纵轴37、套装在第四铰接纵轴37上的上转板38，上转板38的底部设有开口向左的挂钩39；两上转板38顶端通过顶纵杆310相连；顶纵杆310与挂钩气缸32的上端铰接。炉底板22的右端设有第五铰接纵轴312；炉盖23的右端沿挂钩气缸32对称设有两下挂钩装置311；各下挂钩装置311包括第五铰接纵轴312、套装在第五铰接纵轴312上的两下转板313，各下转板313的顶部设有挂杆314；各下转板313的底端与一锁紧气缸33铰接；当炉盖23与炉膛21贴合时，通过开盖气缸31控制两上转板38的转动，通过两锁紧气缸33控制两下转板313的转动，可使各下转板313的挂杆314进入其上方的上转板38的挂钩39内。

所述焊接系统包括支架41、底反射盘42、主石墨加热盘43、石墨船44、石墨船支撑架45、四边缘石墨加热带46、四边缘反射带47、电极48；支架41上自下而上安装有主石墨加热盘43、石墨船支撑架45、石墨船44；底反射盘42设置在主石墨加热盘43的下方，底反射盘42的顶面与主石墨加热盘43的底面之间、主石墨加热盘43的顶面与石墨船支撑架45的底面之间不接触；各边缘反射带47分别安装在炉膛21的一内侧壁上，各边缘石墨加热带46分别安装在一边缘反射带47的内侧。底反射盘42安装在炉底板22上；支架41安装在底反射盘42上；主石墨加热盘43、各边缘石墨加热带46与设置在炉膛21上的电极48相连；石墨船44上设有若干石墨船散热孔441。所述真空系统包括设置在炉膛21上的抽真空管5，抽真空管5与设置在炉体2外的抽真空装置相连。

所述氮气系统包括设置在炉膛21上的氮气出入管6，氮气出入管6与设置在炉体2外的氮气抽送装置相连。所述水冷系统包括分别设置在炉膛21的各侧壁上的若干炉膛冷却通道71、设置在炉盖23上的若干炉盖冷却通道72、设置在炉底板22上的若干炉底板冷却通道73、设置在石墨船44的底面的盘管槽442及设置在盘管槽442上的盘管74；各盘管槽442的底面与石墨船支撑架45相接触；盘管74穿过炉膛21并与设置在炉体2外的冷却液液泵送装置、冷却液箱相连；各炉膛冷却通道71、炉盖冷却通道72、炉底板冷却通道73的进口和出口分别通过管路与设置在炉体2外的冷却液液泵送装置、冷却液箱。各炉膛冷却通道71、炉盖冷却通道72、炉底板冷却通道73均为螺旋状管道；各炉膛冷却通道71、炉盖冷却通道72、炉底板冷却通道73与设置在炉体外的冷却液液泵送装置之间的管路上设有水锤消除器。各下转板313的顶部设有挂杆活动槽315，挂杆活动槽315设有挂杆314，挂杆314可在挂杆活动槽315内上下活动。

如图9-10所示，下转板313包括固定连接的下齿板319、上齿板320；上齿板320的顶端设有挂杆安装架321，挂杆安装架321包括底面板323及两立板322，两立板322沿距其最近的上转板对称排列；各立板322上设有挂杆活动槽315，挂杆314的两端分别位于两立板322的挂杆活动槽315内。边缘反射带47包括由金属制成的边缘反射带本体，边缘反射带本体的内侧面上设有边缘反射带涂层；底反射盘42包括由金属制成的底反射盘本体，底反射盘本体的内侧面上设有底反射盘涂层。所述边缘反射带涂层为银制成的边缘反射带涂层；所述底反射盘涂层为银制成的底反射盘涂层。

炉体2的顶面设有用于安装上密封条25的上密封条安装槽，炉体2的底面设有用于安装下密封条26的下密封条安装槽。所述支架41包括中心支架412及若干边缘支架411，主石墨加热盘43的中心设有中心通孔431，中心支架412、边缘支架411上设有用于放置主石墨加热盘43的台阶，中心支架412穿过主石墨加热盘43的中心通孔431；边缘支架411、中心支架412的顶端与石墨船支撑架45相连。主石墨加热盘43包括三个接线头的石墨带，石墨带绕中心通孔431盘旋设置。炉盖的厚度80mm，炉膛、炉底板的厚度为350mm，最高加热温度500℃，最高加热速度可达到220℃/min；不使用氮气降温的情况下，降温速度可以达到120℃/min。石墨电加热，选用导热性能优越的等静压高纯石墨，能保证各个点间的温度均匀性，样品间温差小于±1.5 ℃。控温 PID参数自检，可调节加热速率，控温精度±0.1℃，各点温度波动度±1.0℃。石墨带的底面平行于地面。

石墨船44上放置有焊接工装8，待焊接件放置在焊接工装8内；焊接工装8由石墨制成；所述炉膛21、炉盖23、炉底板22采用铝制作而成。主石墨加热盘43、石墨船44、石墨船支撑架45、边缘石墨加热带46等采用防腐处理石墨导热材料，表面特氟龙喷涂耐强酸强碱腐蚀。整机防腐喷塑处理，保证仪器在酸环境下正常工作。

挂钩气缸32的下端通过第七铰接纵轴316与炉盖23铰接；开盖气缸31的底端与基座1通过第八铰接纵轴317铰接；各下转板313的底端通过第九铰接纵轴318与一锁紧气缸33的右端铰接。炉底板22的四个角通过四个隔热柱7安装基座1上。炉膛21上设有冷却液管进出孔9，盘管穿过冷却液管进出孔9。

Claims (10)

1.一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，包括基座、炉体、焊接系统、真空系统、氮气系统、水冷系统，其特征在于：

所述炉体包括横截面呈“口”字型的炉膛、可密封炉膛底部的炉底板、可密封炉膛顶部的炉盖、炉盖开合装置、密封装置；炉盖的左端与炉膛的左侧面的顶部通过第一铰接纵轴铰接，炉盖与炉膛的结合部设有“口”字型的上密封条；炉底板的左端与炉膛的左侧面的底部通过第二铰接纵轴铰接，炉底板与炉膛的结合部设有“口”字型的下密封条；炉膛、炉底板、炉盖均采用金属材质制成；炉底板设置在基座上；

所述炉盖开合装置包括设置在炉膛左侧的开盖气缸、设置在炉盖的顶面的右端的中部的挂钩气缸、设置在炉底板的底面的右端的两锁紧气缸；开盖气缸的输出轴、挂钩气缸的输出轴、锁紧气缸的输出轴所在面均垂直于第一铰接纵轴；炉盖的顶面的左端设有耳板，开盖气缸的顶端与耳板通过第三铰接纵轴铰接；

炉盖的右端沿挂钩气缸对称设有两上挂钩装置，各上挂钩装置包括第四铰接纵轴、套装在第四铰接纵轴上的上转板，上转板的底部设有开口向左的挂钩；两上转板顶端通过顶纵杆相连；顶纵杆与挂钩气缸的上端铰接；

炉底板的右端设有第五铰接纵轴；炉盖的右端沿挂钩气缸对称设有两下挂钩装置；各下挂钩装置包括第五铰接纵轴、套装在第五铰接纵轴上的两下转板，各下转板的顶部设有挂杆；各下转板的底端与一锁紧气缸铰接；当炉盖与炉膛贴合时，通过开盖气缸控制两上转板的转动，通过两锁紧气缸控制两下转板的转动，可使各下转板的挂杆进入其上方的上转板的挂钩内；

所述焊接系统包括支架、底反射盘、主石墨加热盘、石墨船、石墨船支撑架、四边缘石墨加热带、四边缘反射带、电极；支架上自下而上安装有主石墨加热盘、石墨船支撑架、石墨船；底反射盘设置在主石墨加热盘的下方，底反射盘的顶面与主石墨加热盘的底面之间、主石墨加热盘的顶面与石墨船支撑架的底面之间不接触；各边缘反射带分别安装在炉膛的一内侧壁上，各边缘石墨加热带分别安装在一边缘反射带的内侧；

底反射盘安装在炉底板上；支架安装在底反射盘上；主石墨加热盘、各边缘石墨加热带与设置在炉膛上的电极相连；石墨船上设有若干石墨船散热孔；

所述真空系统包括设置在炉膛上的抽真空管，抽真空管与设置在炉体外的抽真空装置相连；

所述氮气系统包括设置在炉膛上的氮气出入管，氮气出入管与设置在炉体外的氮气抽送装置相连；

所述水冷系统包括分别设置在炉膛的各侧壁上的若干炉膛冷却通道、设置在炉盖上的若干炉盖冷却通道、设置在炉底板上的若干炉底板冷却通道、设置在石墨船的底面的盘管槽及设置在盘管槽上的盘管；各盘管槽的底面与石墨船支撑架相接触；盘管穿过炉膛并与设置在炉体外的冷却液液泵送装置、冷却液箱相连；各炉膛冷却通道、炉盖冷却通道、炉底板冷却通道的进口和出口分别通过管路与设置在炉体外的冷却液液泵送装置、冷却液箱。

2.如权利要求1所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：各下转板的顶部设有挂杆活动槽，挂杆活动槽设有挂杆，挂杆可在挂杆活动槽内上下活动。

3.如权利要求2所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：下转板包括固定连接的下齿板、上齿板；上齿板的顶端设有挂杆安装架，挂杆安装架包括底面板及两立板，两立板沿距其最近的上转板对称排列；各立板上设有挂杆活动槽，挂杆的两端分别位于两立板的挂杆活动槽内。

4.如权利要求1所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：边缘反射带包括由金属制成的边缘反射带本体，边缘反射带本体的内侧面上设有边缘反射带涂层；底反射盘包括由金属制成的底反射盘本体，底反射盘本体的内侧面上设有底反射盘涂层。

5.如权利要求4所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：所述边缘反射带涂层为银制成的边缘反射带涂层；所述底反射盘涂层为银制成的底反射盘涂层。

6.如权利要求1所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：炉体的顶面设有用于安装上密封条的上密封条安装槽，炉体的底面设有用于安装下密封条的下密封条安装槽。

7.如权利要求6所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：所述支架包括中心支架及若干边缘支架，主石墨加热盘的中心设有中心通孔，中心支架、边缘支架上设有用于放置主石墨加热盘的台阶，中心支架穿过主石墨加热盘的中心通孔；边缘支架、中心支架的顶端与石墨船支撑架相连。

8.如权利要求7所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：主石墨加热盘包括三个接线头的石墨带，石墨带绕中心通孔盘旋设。

9.如权利要求1所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：石墨船上放置有焊接工装，待焊接件放置在焊接工装内；焊接工装由石墨制成；所述炉膛、炉盖、炉底板采用铝制作而成。

10.如权利要求1所述的一种可实现半导体产品快速焊接的真空焊接炉，其特征在于：挂钩气缸的下端通过第七铰接纵轴与炉盖铰接；开盖气缸的底端与基座通过第八铰接纵轴铰接；各下转板的底端通过第九铰接纵轴与一锁紧气缸的右端铰接；炉底板的四个角通过四个隔热柱安装基座上。

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