CN214087737U - 多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉 - Google Patents

多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉 Download PDF

Info

Publication number
CN214087737U
CN214087737U CN202022890679.XU CN202022890679U CN214087737U CN 214087737 U CN214087737 U CN 214087737U CN 202022890679 U CN202022890679 U CN 202022890679U CN 214087737 U CN214087737 U CN 214087737U
Authority
CN
China
Prior art keywords
polycrystalline silicon
reduction furnace
tail gas
gas outlet
silicon reduction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202022890679.XU
Other languages
English (en)
Inventor
何乃栋
施光明
王琳
李宇辰
吉红平
郭光伟
陈宏博
杨月龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qinghai Asia Silicon Materials Co ltd
Original Assignee
Qinghai Asia Silicon Silicon Material Engineering Technology Co Ltd
Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qinghai Asia Silicon Silicon Material Engineering Technology Co Ltd, Asia Silicon Qinghai Co Ltd filed Critical Qinghai Asia Silicon Silicon Material Engineering Technology Co Ltd
Priority to CN202022890679.XU priority Critical patent/CN214087737U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN214087737U publication Critical patent/CN214087737U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其包括密封垫片、硬质密封板及紧固压紧机构,所述密封垫片设置在多晶硅还原炉底盘尾气出口的台面上,所述硬质密封板设置在密封垫片上且位于密封垫片与紧固压紧机构之间;并且,在所述紧固压紧机构沿轴向向硬质密封板施加压力,以使所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述紧固压紧机构与硬质密封板的接触面积保持为点接触。本实用新型能有效密封尾气出口,并可杜绝密封垫片的损坏问题,以及避免还原炉内物料向外泄漏,提高了生产安全性,同时还降低了生产成本。

Description

多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅还原炉,具体涉及一种多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构。
背景技术
目前,国内大部分的多晶硅生产厂家均使用西门子改良法工艺,该工艺的主要设备均为CVD还原炉。现有还原炉主要由钟罩和底盘构成,考虑到工艺优化及尾气排放,一般将底盘尾气出口设置为4至10个不等,在后期生产运行过程中可以根据工艺要求,因需求选择使用尾气出口。目前主要是在尾气出口通过螺纹连接的方式将不使用的尾气出口封闭,这种封闭方式存在如下缺陷:一方面,封闭盖在旋紧过程中会带动密封垫片旋转,造成垫片损坏,影响密封效果,另一方面,还原炉内部的物料还可能通过堵头与尾气口之间的螺纹间隙泄漏至尾气管线中,发生漏料现象。
如何实现还原炉底盘尾气出口的有效密封,进而避免还原炉内物料的泄漏,这已然成为本领域亟待解决的难题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提出一种多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,以克服现有技术的问题。
本实用新型的另一目的在于提供一种具有所述底盘尾气出口密封结构的多晶硅还原炉。
为实现前述发明目的,本实用新型采用的技术方案包括:
本实用新型的一些实施例提供了一种多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其包括密封垫片、硬质密封板及紧固压紧机构,所述密封垫片设置在多晶硅还原炉底盘尾气出口的台面上,所述硬质密封板设置在密封垫片上且位于密封垫片与紧固压紧机构之间;并且,在所述紧固压紧机构沿轴向向硬质密封板施加压力,以使所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述紧固压紧机构与硬质密封板的接触面积保持为点接触。
在一些实施方式中,所述紧固压紧机构与硬质密封板配合的一端面上分布有一个突起部或凹陷部,而所述硬质密封板与紧固压紧机构配合的一端面上分布有一个凹陷部或突起部,所述突起部与凹陷部能够相互配合,且在所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述突起部与凹陷部的接触面积为点接触。
在一些实施方式中,所述紧固压紧机构与硬质密封板配合的一端面的中心处分布有一个所述突起部,而所述硬质密封板与紧固压紧机构配合的一端面的中心处分布有一个所述凹陷部。
在一些实施方式中,所述突起部的高度大于或等于所述凹陷部的深度。
在一些实施方式中,所述突起部的顶端为表面光滑的球形,而所述凹陷部与所述突起部顶端配合的内壁面为光滑面。
在一些实施方式中,在所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述突起部的顶端与所述凹陷部的底壁抵紧。
在一些实施方式中,所述硬质密封板的直径与多晶硅还原炉底盘尾气出口的直径相同。
在一些实施方式中,所述硬质密封板为钢制或耐腐蚀复合材料制成的圆盘形构件。
在一些实施方式中,所述紧固压紧机构与多晶硅还原炉底盘尾气出口的内壁通过螺纹机构配合。
本实用新型的一些实施例还提供了一种多晶硅还原炉,包括钟罩和底盘,所述底盘上设置有多个尾气出口,其中至少一个尾气出口上设置有前述的任一种密封结构。
与现有技术相比,本实用新型至少具有如下有益效果:提供的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构能有效密封尾气出口,并可杜绝密封垫片的损坏问题,以及避免还原炉内物料向外泄漏,提高了生产安全性,同时还有效降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一实施例中一种多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构示意图;
图2是图1中突起部与凹陷部配合结构的局部放大示意图;
附图标记说明:1-尾气出口、2-密封垫片、3-硬质密封板、4-紧固压紧机构、5-突起部、6-凹陷部。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足,本案发明人经长期研究和大量实践,得以提出本实用新型的技术方案。以下通过实施例并结合附图进一步详细说明本实用新型的技术方案、其实施过程及原理。然而,所选的实施例仅用于说明本实用新型,而不限制本实用新型的范围。
请参阅图1-图2所示,本实用新型的一个典型实施例提供了一种多晶硅还原炉底盘尾气出口1的密封结构,其包括密封垫片2、硬质密封板3及紧固压紧机构4,所述密封垫片2设置在多晶硅还原炉底盘尾气出口1的台面上,所述硬质密封板3设置在密封垫片2上且位于密封垫片2与紧固压紧机构4之间。
进一步的,在所述紧固压紧机构4沿轴向向硬质密封板3施加压力,以使所述硬质密封板3与密封垫片2密封接合时,所述紧固压紧机构4与硬质密封板3的接触面积保持为点接触。
进一步的,所述紧固压紧机构4与多晶硅还原炉底盘尾气出口1的内壁通过螺纹机构配合。
进一步地,所述紧固压紧机构4可以具有与堵头类似的结构,其外壁上可以设有外螺纹,该螺纹与分布在尾气出口1的内壁上的内螺纹配合,通过旋动紧固压紧机构4,可以使之在尾气出口1内移动。例如,通过逐步旋紧紧固压紧机构4,可以使之将硬质密封板3与密封垫片2紧密贴合而实现密封。
在一些实施方式中,所述紧固压紧机构与硬质密封板配合的一端面上分布有一个突起部或凹陷部,而所述硬质密封板与紧固压紧机构配合的一端面上分布有一个凹陷部或突起部,所述突起部与凹陷部能够相互配合,且在所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述突起部与凹陷部的接触面积为点接触。
进一步的,所述紧固压紧机构4与硬质密封板3配合的一端面的中心处分布有一个突起部5,而所述硬质密封板3与紧固压紧机构4配合的一端面的中心处分布有一个凹陷部6。
该突起部5的高度可以大于或等于凹陷部6的深度,优选的,该突起部5的高度稍大于凹陷部6的深度。
优选的,所述突起部的顶端为表面光滑的球形,而所述凹陷部与突起部顶端配合的内壁面为光滑面。
进一步的,在所述硬质密封板3与密封垫片2密封接合时,所述突起部5的顶端与凹陷部6的底壁抵紧。
其中,所述硬质密封板3的直径与多晶硅还原炉底盘尾气出口1的直径相同。
其中,所述硬质密封板3可以为钢制或耐腐蚀复合材料制成的圆盘形构件。
其中,所述尾气出口1、密封垫片2、硬质密封板3及紧固压紧机构4可以是同轴设置。
当应用该密封结构时,可以通过将紧固压紧机构4逐步旋紧,待紧固压紧机构4的突出部的顶端与硬质密封板3上的凹陷部6接触,此时在轻轻旋转紧固压紧机构4直至达到有效密封效果,而紧固压紧机构4在旋紧过程中硬质密封板3下的密封垫片2不会跟随旋转,因而可以杜绝密封垫片2在此过程中损坏的问题,并还可做到有效密封,避免还原炉内物料向外泄漏,提高了生产安全性。
作为替代方案,本领域人员亦可想到将突起部设置在硬质密封板3上端面,而将凹陷部设置在紧固压紧机构4下端面。
应用本实施例密封结构的一种多晶硅还原炉可以包括钟罩和底盘,所述底盘上设置有多个尾气出口,其中至少一个尾气出口上设置有所述密封结构。
应当理解,以上所述的仅是本实用新型的一些实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型的创造构思的前提下,还可以做出其它变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于包括密封垫片、硬质密封板及紧固压紧机构,所述密封垫片设置在多晶硅还原炉底盘尾气出口的台面上,所述硬质密封板设置在密封垫片上且位于密封垫片与紧固压紧机构之间;并且,在所述紧固压紧机构沿轴向向硬质密封板施加压力,以使所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述紧固压紧机构与硬质密封板的接触面积保持为点接触。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:所述紧固压紧机构与硬质密封板配合的一端面上分布有一个突起部或凹陷部,而所述硬质密封板与紧固压紧机构配合的一端面上分布有一个凹陷部或突起部,所述突起部与凹陷部能够相互配合,且在所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述突起部与凹陷部的接触面积为点接触。
3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:所述紧固压紧机构与硬质密封板配合的一端面的中心处分布有一个所述突起部,而所述硬质密封板与紧固压紧机构配合的一端面的中心处分布有一个所述凹陷部。
4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:所述突起部的高度大于或等于所述凹陷部的深度。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:所述突起部的顶端为表面光滑的球形,而所述凹陷部与所述突起部顶端配合的内壁面为光滑面。
6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:在所述硬质密封板与密封垫片密封接合时,所述突起部的顶端与所述凹陷部的底壁抵紧。
7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:所述硬质密封板的直径与多晶硅还原炉底盘尾气出口的直径相同。
8.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:所述硬质密封板为钢制或耐腐蚀复合材料制成的圆盘形构件。
9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构,其特征在于:所述紧固压紧机构与多晶硅还原炉底盘尾气出口的内壁通过螺纹机构配合。
10.一种多晶硅还原炉,包括钟罩和底盘,所述底盘上设置有多个尾气出口,其特征在于:其中至少一个尾气出口上设置有如权利要求1-9中任一项所述的密封结构。
CN202022890679.XU 2020-12-03 2020-12-03 多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉 Active CN214087737U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202022890679.XU CN214087737U (zh) 2020-12-03 2020-12-03 多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202022890679.XU CN214087737U (zh) 2020-12-03 2020-12-03 多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN214087737U true CN214087737U (zh) 2021-08-31

Family

ID=77455357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202022890679.XU Active CN214087737U (zh) 2020-12-03 2020-12-03 多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN214087737U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN214087737U (zh) 多晶硅还原炉底盘尾气出口的密封结构及多晶硅还原炉
CN206436014U (zh) 一种用于缸套粗镗的夹具
CN111735578B (zh) 一种安全阀门气密试验工装与试验方法
CN216112294U (zh) 一种真空球阀
CN204828843U (zh) 一种三通排气阀总成
CN205118278U (zh) 一种偏心球型蝶阀
CN207964493U (zh) 一种大功率柴油机机体气缸孔水压试验工装
CN211550572U (zh) 一种气动设备用锁止阀
CN206786185U (zh) 一种法兰盘内紧固结构
CN214093271U (zh) 一种密封性良好的填料压盖
CN211231981U (zh) 一种新型球型面法兰
CN205060476U (zh) 一种酒坛封装压紧装置
CN201126055Y (zh) 截止阀以及截止阀与管路连接的接管组件
CN208578539U (zh) 垫环有径向密封功能的井口密封装置
CN210890066U (zh) 金属密封环垫
CN200958601Y (zh) 一种密封圈
CN216843285U (zh) 一种螺纹固定结构
CN212106907U (zh) 一种高压空冷器丝堵密封装置
CN220060990U (zh) 一种带压作业的鞍型电熔管件
CN212755309U (zh) 便携式气泡水机的安全泄压机构
CN218440803U (zh) 一种用于多管道连接的四通球阀
CN220478789U (zh) 一种密封性强的焦炭反应器
CN214550591U (zh) 一种留置胃管的高压氧气面罩
CN210243118U (zh) 气瓶水压测试装置
CN220453419U (zh) 一种大口径封头用加工成型设备

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221228

Address after: 810007 No. 1, Jinsi Road, Dongchuan Industrial Park, Xining City, Qinghai Province

Patentee after: Qinghai Asia Silicon Materials Co.,Ltd.

Address before: 810000 No.1, Jinsi Road, Xining Economic and Technological Development Zone, Qinghai Province

Patentee before: Asia silicon (Qinghai) Co.,Ltd.

Patentee before: QINGHAI ASIA SILICON SILICON MATERIAL ENGINEERING TECHNOLOGY Co.,Ltd.