CN213717165U - 一种高功率推入式射频同轴连接器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高功率推入式射频同轴连接器，属于通信技术领域，该高功率推入式射频同轴连接器包括插座和插头，插座由插座壳体、插座绝缘子和插座内导体组成，插头由插头壳体、插头绝缘子和插头内导体组成，通过改进导体、绝缘体、外壳三方面的尺寸和技术细节，确保连接器对接后具有出色的径向和轴向浮动能力，提升了整个产品的径向和轴向的偏差兼容能力和功率容量，当连接器插头和插座在径向和轴向有较大偏差时仍然可以承载较大的功率，本实用新型还具备结构简单、加工方便等优点，具有广阔的应用前景。

Description

一种高功率推入式射频同轴连接器

技术领域

本实用新型属于通信技术领域，尤其涉及一种高功率推入式射频同轴连接器。

背景技术

在信息化装备技术发展的推动下，国内外各个射频连接器制造商针对通讯、铁路交通、宇航、医疗仪器、高端武器等领域所使用的连接器进行了优化和改进工作，研究方向集中在了高密度、模块化、高可靠、高功率等方面，以满足系统传输的模块化、集成化、高功率等各种应用需求。但随着高速通讯时代的来临，对射频连接器的结构、性能要求更加严苛，特别是尺寸越来越小，功率越来越大、性能、可靠性越来越高。现有技术中，射频连接器普遍无法同时插拔且真空环境中承受200W的高功率，在连接器对接后，不具备径向和轴向浮动能力，整个产品的径向和轴向的偏差兼容能力和功率容量差。

实用新型内容

针对上述技术问题，本实用新型提供了一种高功率推入式射频同轴连接器，采用新型结构，通过改进导体、绝缘体、外壳三方面的尺寸和技术细节，确保连接器对接后具有出色的径向和轴向浮动能力，提升了整个产品的径向和轴向的偏差兼容能力和真空环境中功率容量，当连接器插头和插座在径向和轴向有较大偏差时仍然可以承载较大的功率，本实用新型还具备结构简单、加工方便等优点，具有广阔的应用前景。

本实用新型通过以下技术手段解决上述问题：

一种高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，包括插座和插头，其中：所述插座由插座壳体、插座绝缘子和插座内导体组成，所述插座壳体的末端设置有劈槽结构，劈槽结构的端面处设置有外圆鼓包，所述插座绝缘子同轴安装在插座壳体中，所述插座内导体通过倒刺结构同轴安装在插座绝缘子中，所述插座内导体的末端设置有插孔，所述插孔为开槽收口结构；所述插头由插头壳体、插头绝缘子和插头内导体组成，所述插头壳体的末端开设有用于配合劈槽结构插合的台阶插口，所述台阶插口内部开设有用于配合外圆鼓包限位的环形槽，所述插头绝缘子同轴安装在插头壳体中，所述插头内导体同轴安装在插头绝缘子中，插头内导体末端插针用于插合所述插孔。

优选的，所述台阶插口的外孔直径范围为4.76-4.84mm，所述环形槽的直径范围为4.34-4.42mm，所述台阶插口的内孔直径范围为4.21-4.29mm。

优选的，所述插头内导体的插针直径范围为0.55-0.62mm。

优选的，所述环形槽的倒角范围26-34度。

优选的，所述台阶插口的外孔深度范围为0.83- 0.95mm，所述环形槽的深度范围为0.52-0.60mm。

优选的，所述台阶插口的倒角范围为26-34度。

优选的，所述台阶插口的总深度范围为3.16-3.24mm。

优选的，所述插头内导体的插针长度范围为1.70-1.80mm。

优选的，所述插头的倒角深度为0.15-0.17mm，插头的端面倒角为26-34度。

优选的，所述劈槽结构的长度为2.7-2.8mm，劈槽结构的直径为4.48-4.56mm，所述插座绝缘子的端面距离为0.00-0.10mm，所述插座内导体的端面距离为0.00-0.20mm，所述外圆鼓包的宽度为0.44-0.66mm。

本实用新型的一种高功率推入式射频同轴连接器具有以下有益效果：

该高功率推入式射频同轴连接器采用新型结构，通过改进导体、绝缘体、外壳三方面的尺寸和技术细节，确保连接器对接后具有出色的径向和轴向浮动能力，提升了整个产品的径向和轴向的偏差兼容能力和功率容量，当连接器插头和插座在径向和轴向有较大偏差时仍然可以承载较大的功率，因此，可以满足连接器五个、十个或几十个为一组，板对板间同时插拔，同时满足在宇航真空环境中承受200W的高功率，本实用新型还具备结构简单、加工方便等优点，具有广阔的应用前景。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的整体结构示意图；

图2是本实用新型中插头和插座安装示意图；

图3是本实用新型中插座结构示意图；

图4是本实用新型的插头结构示意图；

图5是本实用新型中插头尺寸示意图；

图6是本实用新型中插座尺寸示意图。

其中，1-插座、101-插座壳体、102-插座绝缘子、103-插座内导体、1011-劈槽结构、1012-外圆鼓包、1031-插孔、1032-倒刺结构、2-插头、201-插头壳体、202-插头绝缘子、203-插头内导体、2011-台阶插口、2012-环形槽。

具体实施方式

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。 术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以下将结合附图对本实用新型进行详细说明。

如图1至图4所示，该高功率推入式射频同轴连接器包括插座1和插头2，插座1的两端均安装有插头2，插座1由插座壳体101、插座绝缘子102和插座内导体103组成，插头2由插头壳体201、插头绝缘子202和插头内导体203组成。该方案中插头和插座的一端有一定的径向浮动量和功率耐受能力，并且插入力和分离力适中。该连接器界面具有较粗的内外导体尺寸，获得更高的功率容量，插座端为开六槽弹性接触设计，使产品插入力拔出力柔和并且有助于空气的顺利排出，减小真空环境下微放电的风险。连接器对插深度可达3mm左右，增加了轴向浮动的可靠性，插合后插头端面内径大于接触头直径，且接触头为六瓣弹性设计增加了径向浮动的可靠性。

图中，插座壳体101的末端设置有劈槽结构1011，劈槽结构1011为六槽弹性接触设计，使产品插入力拔出力柔和并且有助于空气的顺利排出，减小真空环境下微放电的风险，劈槽结构1011的端面处设置有外圆鼓包1012，插合后插头端面内径大于接触头直径，且接触头为六瓣弹性设计增加了径向浮动的可靠性，插座绝缘子102同轴安装在插座壳体101中，插座内导体103通过倒刺结构1032同轴安装在插座绝缘子102中，插座内导体103的末端设置有插孔1031，插孔1031为开槽收口结构，口部设计有倒圆角，增加导向作用，减小尖点放电风险。

图2至图4中，插头壳体201的末端开设有用于配合劈槽结构1011插合的台阶插口2011，台阶插口2011内部开设有用于配合外圆鼓包1012限位的环形槽2012，插头绝缘子202同轴安装在插头壳体201中，插头内导体203同轴安装在插头绝缘子202中，插头内导体203末端插针用于插合插孔1031。具体的，台阶插口2011设计有倒圆角和锥面结构，以使插头连接器外壳和插座连接器外壳插合时径向有较大偏差时，插头连接器外壳能够顺利插入插座连接器外壳的内孔。

本实施例中，插头连接器和插座连接器的材料均采用铍青铜材料，加工成型后经过时效处理，获得较高的硬度。零件表面均采用镀金处理，有较高的导热性能。

如图5和图6所示，台阶插口2011的外孔直径a范围为4.76-4.84mm，环形槽2012的直径b范围为4.34-4.42mm，台阶插口2011的内孔直径c范围为4.21-4.29mm。插头内导体203的插针直径d范围为0.55-0.62mm。环形槽2012的倒角e范围26-34度。台阶插口2011的外孔深度f范围为0.83- 0.95mm，环形槽2012的深度g范围为0.52-0.60mm。台阶插口2011的倒角h范围为26-34度。台阶插口2011的总深度i范围为3.16-3.24mm。插头内导体203的插针长度j范围为1.70-1.80mm。插头2的倒角深度k为0.15-0.17mm，插头2的端面倒角l为26-34度。劈槽结构1011的长度m为2.7-2.8mm，劈槽结构1011的直径n为4.48-4.56mm，插座绝缘子102的端面距离o为0.00-0.10mm，插座内导体103的端面距离p为0.00-0.20mm，外圆鼓包1012的宽度q为0.44-0.66mm。

需要说明的是，所述插座外壳外周圈为开槽张口结构，对插时可向内收紧，插合到位向外弹开，起到增加外壳和插座外壳接触稳定性的作用。插座外壳的对插端有较大的倒角，当插头外壳与插座外壳径向有较大偏差时，插头外壳能够顺利插入插座外壳的孔内。插头外壳的基准面左边加工环形槽，可以容纳对插端的外圆鼓包，保证了插头连接器和插座连接器对接后保持一定的啮合力量，提高了插头连接器和插座连接器的接触稳定性。向左高出插座基准面一段距离，受外力时可以向右压缩，当插头连接器的基准面和插座连接器的基准面之间有间隙时，插座外壳和插头外壳可以保持良好接触，从而保证了插头外壳和插座外壳的电气连续性。通过上述手段达到连接器头座对接时径向和轴向的偏差兼容能力，使得连接器插头和插座在径向有较大偏差时仍然可以顺利对接，具有结构简单、加工方便等特点。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，包括插座（1）和插头（2），其中：

所述插座（1）由插座壳体（101）、插座绝缘子（102）和插座内导体（103）组成，所述插座壳体（101）的末端设置有劈槽结构（1011），劈槽结构（1011）的端面处设置有外圆鼓包（1012），所述插座绝缘子（102）同轴安装在插座壳体（101）中，所述插座内导体（103）通过倒刺结构（1032）同轴安装在插座绝缘子（102）中，所述插座内导体（103）的末端设置有插孔（1031），所述插孔（1031）为开槽收口结构；

所述插头（2）由插头壳体（201）、插头绝缘子（202）和插头内导体（203）组成，所述插头壳体（201）的末端开设有用于配合劈槽结构（1011）插合的台阶插口（2011），所述台阶插口（2011）内部开设有用于配合外圆鼓包（1012）限位的环形槽（2012），所述插头绝缘子（202）同轴安装在插头壳体（201）中，所述插头内导体（203）同轴安装在插头绝缘子（202）中，插头内导体（203）末端插针用于插合所述插孔（1031）。

2.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于， 所述台阶插口（2011）的外孔直径（a）范围为4.76-4.84mm，所述环形槽（2012）的直径（b）范围为4.34-4.42mm，所述台阶插口（2011）的内孔直径（c）范围为4.21-4.29mm。

3.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述插头内导体（203）的插针直径（d）范围为0.55-0.62mm。

4.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述环形槽（2012）的倒角（e）范围26-34度。

5.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述台阶插口（2011）的外孔深度（f）范围为0.83- 0.95mm，所述环形槽（2012）的深度（g）范围为0.52-0.60mm。

6.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述台阶插口（2011）的倒角（h）范围为26-34度。

7.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述台阶插口（2011）的总深度（i）范围为3.16-3.24mm。

8.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述插头内导体（203）的插针长度（j）范围为1.70-1.80mm。

9.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述插头（2）的倒角深度（k）为0.15-0.17mm，插头（2）的端面倒角（l）为26-34度。

10.根据权利要求1所述的高功率推入式射频同轴连接器，其特征在于，所述劈槽结构（1011）的长度（m）为2.7-2.8mm，劈槽结构（1011）的直径（n）为4.48-4.56mm，所述插座绝缘子（102）的端面距离（o）为0.00-0.10mm，所述插座内导体（103）的端面距离（p）为0.00-0.20mm，所述外圆鼓包（1012）的宽度（q）为0.44-0.66mm。

Images