CN213696901U - 降噪装置及磁共振系统 - Google Patents

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CN213696901U CN202022134763.9U CN202022134763U CN213696901U CN 213696901 U CN213696901 U CN 213696901U CN 202022134763 U CN202022134763 U CN 202022134763U CN 213696901 U CN213696901 U CN 213696901U
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吴文涛
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Abstract

本申请涉及一种降噪装置及磁共振系统。磁共振系统的降噪装置包括环形壳体和降噪体。环状结构的表面开设环形凹槽。降噪体收纳于环形凹槽。磁共振系统的梯度结构和射频结构在工作时会产生机械振动,机械振动传递给空气,产生噪声。本申请实施例提供的磁共振系统的降噪装置中降噪体用于当环形壳体扣设于磁共振系统的梯度结构的端面和/或磁共振系统的射频结构的端面时,贴合于梯度结构的端面和/或射频结构的端面,以吸收梯度结构和射频结构产生的振动。降噪装置避免了梯度结构和射频结构产生的振动通过空气传播在外界环境中产生的噪声。因此,降噪装置降低了磁共振系统的噪声。

Description

降噪装置及磁共振系统
技术领域
本申请涉及医疗技术领域,特别是涉及一种降噪装置及磁共振系统。
背景技术
磁共振检查的出现,在医学界产生了极大的积极作用,但是同样带来的问题一直困扰的人们,在进行磁共振检查时,往往会因为机器产生大量的噪声而对患者造成影响,在这一方面通常需要佩戴耳罩等手段对患者进行保护,但此方法并不能做到完全膈音,同时这种方法只能针对成人而无法对腹中的胎儿实现降噪保护,本身对胎儿无效,胎儿仍暴露在噪声中,由此需要一种既能对患者自行保护、同时能够做到最大程度的对胎儿进行保护,避免对胎儿造成不必要的危害。如何降低磁共振系统的噪声是亟待解决的问题。
实用新型内容
基于此,有必要针对如何降低磁共振系统的噪声的问题,提供一种降噪装置及磁共振系统。
一种磁共振系统的降噪装置包括环形壳体和降噪体。所述环形壳体开设环形凹槽。所述环形壳体的轴线与所述环形凹槽的轴线重合。所述降噪体收纳于所述环形凹槽。所述降噪体用于当所述环形壳体扣设于所述磁共振系统的梯度结构的端面和/或射频结构的端面时,贴合于所述梯度结构端面和/或所述射频结构的端面,以吸收所述梯度结构端面和/或所述射频结构的振动。
在一个实施例中,所述梯度结构套设于所述射频结构外。所述磁共振系统的磁体套设于所述梯度结构外。所述环形壳体的表面设置有环形安装板。所述环形安装板的轴线与所述环形凹槽的轴线重合。所述环形壳体用于通过所述环形安装板固定于所述磁共振系统的磁体。
在一个实施例中,所述环形安装板上开设安装孔。所述安装孔用于与所述磁体上的螺栓适配,以使所述降噪装置固定于所述磁共振系统。
在一个实施例中,所述降噪体为多孔结构。
一种磁共振系统,包括射频结构、梯度结构、磁体以及如上述任一个实施例所述的降噪装置。所述射频结构、所述梯度结构和所述磁体均为筒状结构。所述射频结构的内环面形成检测孔。所述梯度结构套设于所述射频结构外。所述磁体套设于所述梯度结构外。
在一个实施例中,所述降噪装置为两个。两个所述降噪装置相对设置于所述磁体相对的两个表面。
在一个实施例中,所述梯度结构的端面设置有凸起结构。所述降噪体远离所述环形壳体的表面开设凹槽。所述凹槽与所述凸起结构相匹配。
在一个实施例中,所述梯度结构的端面被所述降噪体的表面完全覆盖。
在一个实施例中,所述磁共振系统包括磁共振壳体、梯度结构和降噪体。所述磁共振壳体具有相对设置的第一端盖和第二端盖。所述梯度结构设置在所述磁共振壳体中。所述降噪体设置在所述磁共振壳体的所述第一端盖和/或所述第二端盖靠近所述磁共振壳体的内部空间的表面。
在一个实施例中,所述梯度结构的端面设置有凸起结构,所述降噪体远离所述第一端盖和/或所述第二端盖的表面开设凹槽,所述凹槽与所述凸起结构相匹配,以使所述降噪体与所述梯度结构的端部贴合。
本申请实施例提供的所述磁共振系统的降噪装置,包括环形壳体和降噪体。所述环状结构的表面开设环形凹槽。所述降噪体收纳于所述环形凹槽。磁共振系统的所述梯度结构和所述射频结构在工作时会产生机械振动,机械振动传递给空气,形成声波,即产生噪声。所述梯度结构和所述射频结构产生的噪声主要从梯度结构和射频结构的两端传出。本申请实施例提供的所述磁共振系统的降噪装置中所述降噪体用于当所述环形壳体扣设于所述磁共振系统的梯度结构的端面和/或磁共振系统的射频结构的端面时,贴合于所述梯度结构的端面和/或所述射频结构的端面,以吸收所述梯度结构和所述射频结构产生的振动。所述降噪装置避免了所述梯度结构和所述射频结构产生的振动通过空气传播在外界环境中产生的噪声。因此,所述降噪装置降低了磁共振系统的噪声。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例中提供的所述磁共振系统扣合有所述降噪装置的结构示意图;
图2为本申请一个实施例中提供的所述磁共振系统与所述降噪装置分开的结构示意图;
图3为本申请一个实施例中提供的所述环形壳体与所述降噪体的结构示意图;
图4为本申请一个实施例中提供的A-A截面的结构示意图;
图5为本申请一个实施例中提供的C-C截面的结构示意图;
图6为本申请一个实施例中提供的C-C的局部放大图;
图7为本申请一个实施例中提供的所述环形安装板和所述安装孔的结构示意图;
图8为本申请一个实施例中提供的D-D的局部放大图;
图9为本申请另一个实施例中提供的所述磁共振系统的结构示意图;
图10为本申请另一个实施例中提供的所述磁共振系统的结构示意图。
附图标号:
10、降噪装置;20、环形壳体;201、环形凹槽;202、环形安装板;203、安装孔;204、板筋;30、降噪体;301、凹槽;100、磁共振系统;40、射频结构;50、梯度结构;501、凸起结构;60、磁体;70、磁共振壳体;701、第一端盖;702、第二端盖。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
本文中为部件所编序号本身,例如“第一”、“第二”等,仅用于分所描述的对象,不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”,如无特别说明,均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参见图1、图2、图3、图4、图5和图6,本申请实施例提供一种磁共振系统100的降噪装置10包括环形壳体20和降噪体30。所述环形壳体20开设环形凹槽201。所述环形壳体20的轴线与所述环形凹槽201的轴线重合。所述降噪体30收纳于所述环形凹槽201。所述降噪体30用于当所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或射频结构40的端面时,贴合于所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面,以吸收所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的振动。
在一个实施例中,所述磁共振系统100的降噪装置10包括降噪体30和壳体。降噪体30与壳体可是固连的也可以是组合的。壳体上的收纳部可以根据降噪体30的底部结构来变化。即当降噪体30与壳体接触的一侧(记为降噪体30底部)无特殊形状时,收纳部可以是凹槽,即降噪体30设置于凹槽内。此时,当降噪体30底部设有凸起/卡槽时,收纳部的凹槽底部对应设置凹坑/凸起/筋板204等,起到限制降噪体30环向转动的作用。当然壳体上也可以没有凹槽,只要有与降噪体30底部匹配的结构即可,能达到限位的作用。
所述磁共振系统100的所述梯度结构50和所述射频结构40在工作时会产生机械振动,机械振动传递给空气,形成声波,即产生噪声。所述梯度结构50和所述射频结构40产生的噪声主要从梯度结构50和射频结构40的两端传出。本申请实施例提供的所述磁共振系统100的降噪装置10中所述降噪体30用于当所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或磁共振系统100的射频结构40的端面时,贴合于所述梯度结构50的端面和/或所述射频结构40的端面,以吸收所述梯度结构50和所述射频结构40产生的振动。所述降噪装置10避免了所述梯度结构50和所述射频结构40产生的振动通过空气传播在外界环境中产生的噪声。因此,所述降噪装置10降低了磁共振系统的噪声。
所述磁共振系统100的所述梯度结构50的内表面形成所述检测孔。检测孔用于供患者进出所述磁共振系统100。所述环形壳体20的轴线与所述环形凹槽201的轴线重合。当所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或射频结构40的端面时,所述环形壳体20的轴线与所述磁共振系统100的检测孔的轴线重合,以保证患者能够进出所述检测孔。
在一个实施例中,所述环形壳体20扣合于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面时,所述降噪体30贴合于所述梯度结构50的端面和和/或所述射频结构40的端面,所述降噪体30减少了所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面与外部空间气体的接触,阻断了所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面的机械振动通过外部气体传播,降低了噪声。
在一个实施例中,所述环形壳体20扣合于所述磁共振系统100的射频结构40的端面时,所述降噪体30贴合于所述射频结构40的端面和/或所述射频结构40的端面,所述降噪体30减少了所述射频结构40端面和/或所述射频结构40的端面与外部空间气体的接触,阻断了所述射频结构40端面和/或所述射频结构40的端面的机械振动通过外部气体传播,降低了噪声。
在一个实施例中,所述环形壳体20扣合于所述磁共振系统100的射频结构40的端面和所述射频结构40的端面时,所述降噪体30贴合于所述射频结构40的端面和/或所述射频结构40的端面,所述降噪体30减少了所述射频结构40端面和/或所述射频结构40的端面与外部空间气体的接触,阻断了所述射频结构40端面和/或所述射频结构40的端面的机械振动通过外部气体传播,降低了噪声。
所述环形壳体20与所述降噪体30固定连接或活动连接。当所述环形壳体20扣合于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或射频结构40的端面时,所述降噪体30与所述梯度结构50和所述射频结构40的相对位置固定。
所述环形壳体20通过粘贴、磁吸、螺纹连接或焊接的形式与所述磁共振系统100的梯度结构50、射频结构40或磁体60中的一个或几个连接,进而使所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或射频结构40的端面。
所述环形壳体20的材料为刚性材料或柔性材料。所述环形壳体20为铝及铝合金、塑料或橡胶等。所述环形壳体20为热塑性塑料或热固性塑料,以减轻重量。
所述环形壳体20的材料与所述降噪体30的材料可以相同,也可以不同。
所述环形壳体20的形状和大小与所述磁共振系统100的端面形状相适应。所述环形壳体20还可以包括其他凹槽301,以与所述磁共振系统100的端面的其他构件的形状相匹配。
所述环形凹槽201可以完全被所述降噪体30填充,也可以部分被所述降噪体30填充。
在一个实施例中,所述环形壳体20的所述环形凹槽201完全被所述降噪体30填充,避免所述环形壳体20与所述降噪体30之间存在气体储藏空间,噪声从气体储藏空间向外传播。
所述梯度结构50的一个端面可以部分与所述降噪体30贴合覆盖,也可以完全被所述降噪体30贴合覆盖。
所述射频结构40的一个端面可以部分与所述降噪体30贴合覆盖,也可以完全被所述降噪体30贴合覆盖。
在一个实施例中,所述梯度结构50和所述射频结构40的同侧的端面被所述降噪体30完全贴合覆盖,以使所述梯度结构50端面和所述射频结构40的端面产生的机械振动完全被所述降噪体30吸收。
在一个实施例中,所述环形壳体20开设环形凹槽201后,形成中空的盘状结构。所述降噪体30收纳于所述盘状结构中。所述降噪体30用于当所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或射频结构40的端面时,贴合于所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面,以减少所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面与外部空间气体的接触,阻断了所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面的机械振动传播路径。
在一个实施例中,所述梯度结构50套设于所述射频结构40外。所述磁共振系统100的磁体60套设于所述梯度结构50外。所述梯度结构50与所述射频结构40相对的侧壁之间存在空隙。空隙中有空气,所述梯度结构50端面和所述射频结构40的端面的机械振动产生的振动引起侧壁空隙间的空气产生声波。当所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和所述射频结构40的端面时,所述降噪体30贴合于所述梯度结构50端面、所述射频结构40的端面和侧壁空隙的端面时,所述降噪体30也吸收了侧壁空隙中的声波,进而降低了所述磁共振系统100的噪声。
所述环形壳体20可以直接与所述磁体60固定连接,也可以通过其他结构与所述磁体60固定连接。
请一并参见图7和图8,在一个实施例中,所述环形壳体20的表面设置有环形安装板202。所述环形安装板202的轴线与所述环形凹槽201的轴线重合。所述环形壳体20用于通过所述环形安装板202固定于所述磁共振系统100的磁体60。所述环形安装板可以设置在所述环形壳体20的侧表面或两个端面。
在一个实施例中,所述环形壳体20开设所述环形凹槽201后,形成中空盘状结构,所述环形安装板202设置在所述中空盘状结构的外侧边沿,避免影响所述降噪体30与所述梯度结构50的端面和/或所述射频结构40的端面贴合。
所述环形安装板202的材料为刚性材料或柔性材料。所述环形安装板202为铝及铝合金、塑料或橡胶等。所述环形安装板202为热塑性塑料或热固性塑料,以减轻重量。
所述环形安装板202的材料与所述环形壳体20的材料可以相同,也可以不同。
在一个实施例中,所述环形安装板202的材料与所述环形壳体20的材料相同,所述环形安装板202与所述环形壳体20一体压制成型或一体脱模成型。
所述环形安装板202可以为完整的环形结构,也可以为环形结构的一部分。所述环形安装板202的外径边缘的形状可以为圆弧形或波浪形等。所述环形安装板202可以为平板形或中空托盘形。
所述环形安装板202可以与所述环形凹槽201的外环边缘连接,也可以与所述环形凹槽201间隔设置。
所述环形安装板202通过粘贴、磁吸、螺纹连接或焊接的形式与所述磁共振系统100的所述磁体60连接。
在一个实施例中,所述环形安装板202通过粘贴形式与所述磁共振系统100的所述磁体60连接。所述环形安装板202的内边缘与所述环形壳体20的最大直径所在的截面连接,以增大所述环形安装板202与所述磁体60的接触面积和粘贴面积,增大固定的牢固性。
在一个实施例中,所述环形安装板202上开设安装孔203。所述安装孔203用于与所述磁体60上的螺栓适配,以使所述降噪装置10固定于所述磁共振系统100,所述降噪体30完全挤压在所述射频结构40和所述梯度结构50的同侧端面。所述环形安装板202通过螺栓连接的形式,便于拆卸和更换。所述安装孔203的数量与所述磁体60上的螺栓的数量相同。所述安装孔203的位置与所述磁体60上的螺栓的位置对应。
在一个实施例中,所述安装孔203的位置与所述磁体60上的螺栓的位置对应。所述磁体60上的螺栓中心对称设置,所述安装孔203的中心对称设置,以保证所述环形安装板202受力的均匀性。
在一个实施例中,所述环形壳体20的内径不大于所述射频结构40的直径。即所述环形壳体20能够完全扣合于所述射频结构40和所述梯度结构50的同侧端面,以使所述梯度结构50和所述磁体60之间形成密闭环境,所述降噪体30用于吸收所述梯度结构50和所述射频结构40产生的噪声,避免噪声向外部环境传播。
在一个实施例中,所述降噪体30为环状结构,且所述降噪环的外径不小于所述梯度结构50的外径,以使所述降噪体30能够完全贴和覆盖所述射频结构40和所述梯度结构50的同侧端面,减少所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面与外部空间气体的接触,阻断了所述梯度结构50端面和/或所述射频结构40的端面的机械振动传播路径。
在一个实施例中,所述降噪体30为多孔结构或多孔材料。当所述梯度结构50和所述射频结构40产生的噪声声波进入多孔的结构中,会发生折射或反射。声波的折射或反射会使声波传播减弱。经折射或反射后的声波在多孔结构中相遇,并叠加抵消。因此,所述降噪体30为多孔结构或多孔材料时,降低了所述磁共振系统100的整体噪声。
在一个实施例中,所述降噪体30为聚氨酯发泡或聚乙烯发泡。所述降噪体30的厚度20mm-200mm。所述降噪体30的密度在35Kg/m3-70Kg/m3之间。所述降噪体30的孔隙率在70%-80%范围内,能够很好吸收转化噪声能量。
所述环形壳体20与所述降噪体30可以采用胶粘工艺粘接在一起,也可先把所述环形壳体20放在模具中,再聚乙烯发泡形成所述降噪体30。
所述降噪体30远离所述环形凹槽201的表面的凹凸形状完全根据所述射频结构40和所述梯度结构50的同侧端面的形状设计,以使所述降噪体30能够完全贴合所述射频结构40和所述梯度结构50的同侧端面,并填满所有空隙,起到更好的密封降噪作用。
本申请实施例提供一种磁共振系统100,包括射频结构40、梯度结构50、磁体60以及如上述任一个实施例所述的降噪装置10。所述射频结构40、所述梯度结构50和所述磁体60均为筒状结构。所述射频结构40的内环面形成检测孔。所述梯度结构50套设于所述射频结构40外。所述磁体60套设于所述梯度结构50外。
所述射频结构40、所述梯度结构50和所述磁体60同轴对齐。
所述磁体60用于建立均匀的主磁场,响应射频激发而产生原子核(如氢原子核)。所述梯度结构50对主磁场施加一系列的脉冲激发的具有空间梯度的磁场,在成像脉冲序列中使成像空间中各个点对应其唯一的磁场组有空间上一致性。射频结构40建立激发频率脉冲,暂时性地建立射频线圈可检测到横向振荡励磁。
所述磁共振系统100采用电子激发的梯度结构50。所述梯度结构50向主磁场磁场施加时变磁场。这些时变磁场在在所述射频结构40的导体中产生涡流电流,这样可能导致梯度结构50和所述射频结构40的机械振动,进而引发噪声。
本申请实施例提供的所述磁共振系统100中的所述降噪体30用于当所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或磁共振系统100的射频结构40的端面时,贴合于所述梯度结构50的端面和/或所述射频结构40的端面,以吸收所述梯度结构50和所述射频结构40产生的噪声。所述降噪装置10避免了噪声泄露至外界环境,降低了所述磁共振系统的噪声。
请一并参见图9,在一个实施例中,所述降噪装置10为两个。两个所述降噪装置10相对设置于所述磁体60相对的两个表面,以封闭所述磁共振系统的两个端面,避免所述梯度结构50和所述射频结构40产生的噪声沿轴向从两端传播。
在一个实施例中,所述梯度结构50的端面设置有凸起结构501。所述降噪体30远离所述环形壳体20的表面开设凹槽301。所述凹槽301与所述凸起结构501相匹配,以使所述降噪体30的表面与所述梯度结构50的端面贴合,避免所述梯度结构50的噪声通过其他结构传播。
在一个实施例中,所述梯度结构50的端面被所述降噪体30的表面完全覆盖,所述梯度结构50的振动完全被所述降噪体30吸收,避免所述梯度结构50的振动通过空气传播产生的噪声。
请一并参见图10,在一个实施例中,所述磁共振系统100包括磁共振壳体70、梯度结构50和降噪体30。所述磁共振壳体70具有相对设置的第一端盖701和第二端盖702。所述梯度结构50设置在所述磁共振壳体70中。所述降噪体30设置在所述磁共振壳体70的所述第一端盖701和/或所述第二端盖701靠近所述磁共振壳体70的内部空间的表面。
在一个实施例中,所述梯度结构50的端面设置有凸起结构,所述降噪体30远离所述第一端盖701和/或所述第二端盖701的表面开设凹槽,所述凹槽与所述凸起结构相匹配,以使所述降噪体30与所述梯度结构50的端部贴合。
所述磁共振系统100的所述梯度结构50和所述射频结构40在工作时会产生机械振动,机械振动传递给空气,形成声波,即产生噪声。所述梯度结构50和所述射频结构40产生的噪声主要从梯度结构50和射频结构40的两端传出。本申请实施例提供的所述磁共振系统100中所述降噪体30用于当所述环形壳体20扣设于所述磁共振系统100的梯度结构50的端面和/或磁共振系统100的射频结构40的端面时,贴合于所述梯度结构50的端面和/或所述射频结构40的端面,以吸收所述梯度结构50和所述射频结构40产生的振动。所述磁共振系统100避免了所述梯度结构50和所述射频结构40产生的振动通过空气传播在外界环境中产生的噪声。因此,所述磁共振系统100噪声降低。
在本说明书的描述中,参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种磁共振系统的降噪装置,其特征在于,包括:
环形壳体,开设环形凹槽,所述环形壳体的轴线与所述环形凹槽的轴线重合;
降噪体,收纳于所述环形凹槽,所述降噪体用于当所述环形壳体扣设于所述磁共振系统的梯度结构的端面和/或射频结构的端面时,贴合于所述梯度结构端面和/或所述射频结构的端面,以吸收所述梯度结构端面和/或所述射频结构的振动产生的噪声。
2.如权利要求1所述的磁共振系统的降噪装置,其特征在于,所述梯度结构套设于所述射频结构外,所述磁共振系统的磁体套设于所述梯度结构外,所述环形壳体的表面设置有环形安装板,所述环形安装板的轴线与所述环形凹槽的轴线重合,所述环形壳体用于通过所述环形安装板固定于所述磁共振系统的磁体。
3.如权利要求2所述的磁共振系统的降噪装置,其特征在于,所述环形安装板上开设安装孔,所述安装孔用于与所述磁体上的螺栓适配,以使所述降噪装置固定于所述磁共振系统。
4.如权利要求1所述的磁共振系统的降噪装置,其特征在于,所述降噪体为多孔结构。
5.一种磁共振系统,其特征在于,包括:
射频结构,为筒状结构,所述射频结构的内环面形成检测孔;
梯度结构,为筒状结构,所述梯度结构套设于所述射频结构外;
磁体,为筒状结构,所述磁体套设于所述梯度结构外;以及
如权利要求1-4所述的降噪装置。
6.如权利要求5所述的磁共振系统,其特征在于,所述降噪装置为两个,两个所述降噪装置相对设置于所述磁体相对的两个表面。
7.如权利要求5所述的磁共振系统,其特征在于,所述梯度结构的端面设置有凸起结构,所述降噪体远离所述环形壳体的表面开设凹槽,所述凹槽与所述凸起结构相匹配。
8.如权利要求5所述的磁共振系统,其特征在于,所述梯度结构的端面被所述降噪体的表面完全覆盖。
9.一种磁共振系统,其特征在于,包括:
磁共振壳体,具有相对设置的第一端盖和第二端盖;
梯度结构,设置在所述磁共振壳体中,且从所述磁共振壳体的第一端盖延伸至所述第二端盖;
降噪体,设置在所述磁共振壳体的第一端盖和/或第二端盖靠近内部空间的表面。
10.如权利要求9所述的磁共振系统,其特征在于,所述梯度结构的端面设置有凸起结构,所述降噪体远离所述第一端盖和/或所述第二端盖的表面开设凹槽,所述凹槽与所述凸起结构相匹配,以使所述降噪体与所述梯度结构的端部贴合。
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