CN213694053U - 麦克风和电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种麦克风和电子设备。麦克风包括控制器芯片和麦克风芯片；控制器芯片包括信号输入端和电荷泵端；麦克风芯片包括：衬底；振膜，振膜位于衬底上；背极板，背极板位于振膜远离衬底的一侧，背极板和振膜形成麦克风的工作电容；工作电容的第一极与控制器芯片的电荷泵端电连接，工作电容的第二极与控制器芯片的信号输入端电连接；寄生电容，寄生电容的第一极与工作电容的第一极电连接，寄生电容的第二极接地；寄生电容由麦克风芯片的膜层构成。本实用新型实施例通过设置寄生电容由麦克风芯片的膜层构成，以代替控制器芯片内的电容，从而有利于减小控制器芯片的面积，节约控制器芯片的成本。

Description

麦克风和电子设备

技术领域

本实用新型实施例涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种麦克风和电子设备。

背景技术

随着技术的进步，电子设备朝着智能性更好、稳定性更高的方向发展，例如，采用能够响应用户的声音信号的人机交互功能越来越受到人们的青睐。因此，麦克风作为将声音信号转换为电信号的元件，广泛应用于各种电子设备中，例如，手机、智能音箱、机器人、家用电器、声控设备、对讲机、耳麦、监控设备、助听器、MP3、MP4、数码相机等。

在现有技术中，麦克风的类型包括电容型麦克风、动圈型麦克风和驻极体电容麦克风等。其中，电容型麦克风由控制器芯片和麦克风芯片构成，控制器芯片和麦克风芯片通过金线来实现电信号传输。控制器芯片内部集成有一个电容，该电容用于稳定麦克风芯片的端口电压，防止麦克风芯片在上电和断电过程中，大电流对器件的造成损伤。然而，在控制器芯片内部集成电容使得控制器芯片的面积较大、工艺复杂且成本较高，导致麦克风的体积较大且成本较高。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种麦克风和电子设备，以减小麦克风的体积、降低麦克风的成本。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种麦克风，包括控制器芯片和麦克风芯片；所述控制器芯片包括信号输入端和电荷泵端；所述麦克风芯片包括：

衬底；

振膜，所述振膜位于所述衬底上；

背极板，所述背极板位于所述振膜远离所述衬底的一侧，所述背极板和所述振膜形成所述麦克风的工作电容；所述工作电容的第一极与所述控制器芯片的电荷泵端电连接，所述工作电容的第二极与所述控制器芯片的信号输入端电连接；

寄生电容，所述寄生电容的第一极与所述工作电容的第一极电连接，所述寄生电容的第二极接地；所述寄生电容由所述麦克风芯片的膜层构成。

可选地，所述衬底包括背腔开孔，所述工作电容与所述背腔开孔正对设置；

所述寄生电容位于所述工作电容外侧。

可选地，所述寄生电容由所述振膜和所述衬底构成；

其中，所述振膜的尺寸大于所述背极板的尺寸，且所述振膜与所述背极板正对的部分为所述工作电容的第一极，所述背极板为所述工作电容的第二极；所述振膜与所述衬底正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述衬底为所述寄生电容的第二极。

可选地，所述麦克风芯片还包括：

第一电极焊接点，所述第一电极焊接点位于所述背极板上，所述背极板通过所述第一电极焊接点与所述控制器芯片的信号输入端电连接；

第二电极焊接点，所述第二电极焊接点位于所述振膜上，所述振膜通过所述第二电极焊接点与所述控制器芯片的电荷泵端电连接；

第三电极焊接点，所述第三电极焊接点位于所述衬底上，所述衬底通过所述第三电极焊接点接地。

可选地，所述寄生电容由所述背极板和所述衬底构成；

其中，所述背极板与所述振膜正对的部分为所述工作电容的第二极，所述振膜为所述工作电容的第一极；所述背极板与所述衬底正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述衬底为所述寄生电容的第二极；且所述寄生电容位于所述工作电容的外侧。

可选地，所述麦克风芯片还包括：

电容结构层，位于所述振膜和所述衬底之间；所述寄生电容由所述电容结构层和所述衬底构成；所述电容结构层为所述寄生电容的第一极，所述衬底为所述寄生电容的第二极。

可选地，所述麦克风芯片还包括：

第一电极焊接点，所述第一电极焊接点位于所述背极板上，所述背极板通过所述第一电极焊接点与所述控制器芯片的信号输入端电连接；

第二电极焊接点，所述第二电极焊接点位于所述振膜上，所述振膜通过所述第二电极焊接点与所述控制器芯片的电荷泵端电连接；

第三电极焊接点，所述第三电极焊接点位于所述衬底上，所述衬底通过所述第三电极焊接点接地；

第四电极焊接点，所述第四电极焊接点位于所述电容结构层上，所述电容结构层通过所述第四电极焊接点与所述控制器芯片的电荷泵端电连接。

可选地，所述麦克风芯片还包括：

电容结构层，位于所述振膜和所述衬底之间；所述寄生电容由所述电容结构层和所述振膜构成；

其中，所述振膜与所述背极板正对的部分为所述工作电容的第一极，所述背极板为所述工作电容的第二极；所述振膜与所述电容结构层正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述电容结构层为所述寄生电容的第二极；且所述寄生电容位于所述工作电容的外侧。

可选地，所述麦克风芯片还包括：

电容结构层，位于所述振膜和所述衬底之间；所述寄生电容由所述背极板和所述电容结构层构成；

其中，所述背极板与所述振膜正对的部分为所述工作电容的第二极，所述振膜为所述工作电容的第一极；所述背极板与所述电容结构层正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述电容结构层为所述寄生电容的第二极；且所述寄生电容位于所述工作电容的外侧。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种电子设备，包括如本实用新型任意实施例所述的麦克风。

本实用新型实施例通过设置寄生电容由麦克风芯片的膜层构成，以代替控制器芯片内的电容，从而有利于减小控制器芯片的面积，节约控制器芯片的成本。与在控制器芯片中制作寄生电容相比，在麦克风芯片内采用MEMS工艺等制作寄生电容的工艺更加简单、成本较低，有利于优化声学性能。另外，由于麦克风芯片的面积较大，可以根据需要调整寄生电容的电容值，也有利于优化麦克风的声学性能。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种麦克风的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种麦克风的电路示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种麦克风芯片的俯视结构示意图；

图4为沿图3中A-A的剖面结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的另一种麦克风芯片的俯视结构示意图；

图6为沿图5中B-B的剖面结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的又一种麦克风芯片的俯视结构示意图；

图8为沿图7中C-C的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供了一种麦克风。图1为本实用新型实施例提供的一种麦克风的结构示意图，图2为本实用新型实施例提供的一种麦克风的电路示意图。参见图1和图2，麦克风1包括控制器芯片15和麦克风芯片16；控制器芯片15包括信号输入端和电荷泵端151。麦克风芯片16包括：衬底、振膜和背极板(图1和图2中未示出)；其中，振膜位于衬底上；背极板位于振膜远离衬底的一侧。背极板和振膜形成麦克风的工作电容C1；工作电容C1的第一极与控制器芯片15的电荷泵端151电连接，工作电容C1的第二极与控制器芯片15的信号输入端Usig电连接。麦克风芯片16还包括寄生电容C2，寄生电容C2的第一极与工作电容C1的第一极电连接，寄生电容C2的第二极接地；寄生电容C2由麦克风芯片16的膜层构成。

其中，控制器芯片15例如可以是专用集成电路芯片。专用集成电路芯片简称ASIC芯片，ASIC芯片为硅衬底上制造形成的CMOS电路，在ASIC芯片内集成电容所占用的面积较大、制作工艺复杂，成本较高。麦克风芯片16例如可以是微机电系统传感器。微机电系统传感器简称MEMS传感器，MEMS传感器是在硅衬底上加工形成的微型膜结构(振膜)，微型膜(振膜)与同样位于硅衬底上的背极板形成平行板电容，即工作电容C1。声压信号作用在振膜上时，振膜受力作用发生变形，使得平行板电容的间距发生变化，进而使得工作电容C1发生变化，控制器芯片15对麦克风芯片16中的变化信号做相应的处理。

同样地，还可以在麦克风芯片16内集成寄生电容C2，寄生电容C2的第一极与工作电容C1的第一极短接后连接至电荷泵端151，电荷泵端151对应于麦克风芯片16的bias端，起到稳定电压的作用。这样，可以用麦克风芯片16的寄生电容C2代替控制器芯片15内的电容，从而有利于减小控制器芯片15的面积，节约控制器芯片15的成本。与在控制器芯片15中制作寄生电容C2相比，在麦克风芯片16内采用MEMS工艺等制作寄生电容C2的工艺更加简单，成本较低，有利于优化声学性能。另外，由于麦克风芯片16的面积较大，可以根据需要调整寄生电容C2的电容值，也有利于优化麦克风的声学性能。

继续参见图1，在上述各实施例的基础上，可选地，麦克风1还包括：基板11和与基板11固定连接的外壳18；基板11包括声孔12，用于透过声波；麦克风芯片16覆盖声孔12，用于检测声音信号；控制器芯片15设置于基板11上。其中，控制器芯片15通过连接线19与麦克风芯片16连接，以及控制器芯片15通过连接线19与基板11连接，连接线19例如可以是金线等导电性能较好的材料。基板11用于支撑外壳18，以及用于将控制器芯片15输出的信号引出至电子设备的主板上。外壳18用于封装麦克风，外壳18的材料例如可以是金属或塑料等。示例性地，麦克风芯片16通过粘接胶水13固定在基板11上，以及控制器芯片15通过粘接胶水14固定在基板11上。

继续参见图2，在上述各实施例的基础上，可选地，控制器芯片15还包括第一二极管D1、第二二极管D2和运算放大器A1。其中，第一二极管D1和第二二极管D2反向并联连接，第一二极管D1的阳极和第二二极管D2的阴极短接后与控制器芯片15的信号输入端Usig电连接，第一二极管D1的阴极和第二二极管D2的阳极短接后接地。运算放大器A1的正相输入端与信号输入端Usig电连接，运算放大器A1的反相输入端和输出端短接后作为控制器芯片15的信号输出端Vout。这样，控制器芯片15实现了对麦克风芯片16中的变化信号进行处理。

图3为本实用新型实施例提供的一种麦克风芯片的俯视结构示意图，图4为沿图3中A-A的剖面结构示意图。参见图3和图4，麦克风芯片16包括：衬底100、振膜300和背极板(包括背极板下层500和背极板上层600)。其中，振膜300位于衬底100上，背极板位于振膜300远离衬底100的一侧，背极板和振膜300形成麦克风的工作电容C1。衬底100包括背腔开孔102，工作电容C1与背腔开孔102正对设置；寄生电容C2位于工作电容C1外侧。这样，有利于寄生电容C2和工作电容C1互不影响。

继续参见图3和图4，可选地，麦克风芯片16还包括：第一牺牲层200、第二牺牲层400和防粘接结构502。其中，第一牺牲层200位于衬底100和振膜300之间，以有利于振膜300的形成。示例性地，第一牺牲层200的材料为氧化硅，可以采用沉积工艺在衬底100上形成第一牺牲层200。第二牺牲层400位于振膜300和背极板之间，以作为振膜300和背极板之间的绝缘介质。示例性地，第二牺牲层400的材料为氧化硅，可以采用沉积工艺在振膜300上形成第二牺牲层400。衬底100的例如可以是硅基底等半导体材料，振膜300的材料例如可以是多晶硅(poly)等半导体材料。背极板包括背极板下层500和背极板上层600；其中，背极板下层500包括声孔501，背极板下层500的材料例如可以是氮化硅(SiN)，背极板上层600的材料例如可以是多晶硅(poly)；声孔501用于使空气通过，减小振膜300在开始振动时的空气阻力。

在上述各实施例的基础上，寄生电容C2的设置方式有多种，下面就其中的几种进行说明，但不作为对本实用新型的限定。

继续参见图3和图4，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，寄生电容C2由振膜300和衬底100构成。其中，振膜300与背极板(具体为poly材质的背极板上层600)正对的部分为工作电容C1的第一极，背极板(背极板上层600)为工作电容C1的第二极；振膜300与衬底100正对的部分为寄生电容C2的第一极，衬底100为寄生电容C2的第二极。寄生电容C2位于工作电容C1外侧，具体地，振膜300与衬底100正对的部分位于振膜300与背极板上层600正对的部分的外侧，即寄生电容C2的第一极和第二极的投影重叠部分位于工作电容C1的第一极和第二极的投影重叠部分的外侧。振膜300与背极板构成工作电容C1，实现对声音信号的检测；同时振膜300与衬底100构成寄生电容C2，代替控制器芯片中与电荷泵端并联的电容，来达到减小控制器芯片的面积，降低麦克风成本的效果。

继续参见图3和图4，可选地，麦克风还包括：第一电极焊接点601、第二电极焊接点301和第三电极焊接点101。第一电极焊接点601位于背极板上，背极板通过第一电极焊接点601与控制器芯片的信号输入端电连接。第二电极焊接点301位于振膜300上，振膜300通过第二电极焊接点301与控制器芯片的电荷泵端电连接。第三电极焊接点101位于衬底100上，衬底100通过第三电极焊接点101接地。

其中，由于振膜300既作为工作电容C1的电极，又作为寄生电容C2的电极，相当于直接将工作电容C1的第一极和寄生电容C2的第一极短接，第二电极焊接点301能够同时将工作电容C1的第一极和寄生电容C2的第一极的信号引出。因此，本实用新型实施例通过设置三个电极焊接点即可实现四个电容电极的信号连接。

图5为本实用新型实施例提供的另一种麦克风芯片的俯视结构示意图，图6为沿图5中B-B的剖面结构示意图。参见图5和图6，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，寄生电容C2由背极板(背极板上层600)和衬底100构成。其中，背极板(背极板上层600)与振膜300正对的部分为工作电容C1的第二极，振膜300为工作电容C1的第一极；背极板(背极板上层600)与衬底100正对的部分为寄生电容C2的第一极，衬底100为寄生电容C2的第二极。寄生电容C2位于工作电容C1外侧，具体地，背极板上层600与衬底正对的部分位于背极板上层600与振膜300正对的部分的外侧，即寄生电容C2的第一极和第二极的投影重叠部分位于工作电容C1的第一极和第二极的投影重叠部分的外侧。工作电容C1由振膜300和背极板构成，实现对声音信号的检测；同时背极板(背极板上层600)与衬底100构成寄生电容C2，代替控制器芯片中的电容，来达到减小控制器芯片的面积，降低麦克风成本的效果。

继续参见图5和图6，可选地，麦克风芯片16还包括：第一电极焊接点601、第二电极焊接点301、第三电极焊接点101和第五电极焊接点602。背极板上层600包括凹槽503，凹槽503将背极板上层600隔开，划分为与振膜300正对的部分(主区域)和与衬底100正对的部分(剩余区域)，背极板上层600的主区域与振膜300形成工作电容C1，背极板上层600的剩余区域与衬底100形成寄生电容C2。第一电极焊接点601位于背极板上层600上与振膜300正对的部分，背极板上层600通过第一电极焊接点601与控制器芯片的信号输入端电连接；第五电极焊接点602位于背极板上层600上与衬底100正对的部分，背极板上层600通过第五电极焊接点602与控制器芯片的电荷泵端电连接。第二电极焊接点301位于振膜300上，振膜300通过第二电极焊接点301与控制器芯片的电荷泵端电连接。第三电极焊接点101位于衬底100上，衬底100通过第三电极焊接点101接地。

需要说明的是，在图5和图6中示例性地示出了背极板上层600包括凹槽503，背极板上层600划分为两部分，并非对本实用新型的限定。在其他实施例中，还可以设置背极板上层600为一个整体，背极板上层600与振膜300正对的部分为工作电容C1的第一极，振膜300为工作电容C1的第二极；背极板上层600与衬底100正对的部分为寄生电容C2的第一极，衬底100为寄生电容C2的第二极。这样，无需将背极板分为两个部分，在背极板上仅设置一个电极焊接点即可。

图7为本实用新型实施例提供的又一种麦克风芯片的俯视结构示意图，图8为沿图7中C-C的剖面结构示意图。参见图7和图8，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，还可以在振膜300和背腔高度方向上额外增加一个电容结构层800。具体地，电容结构层800位于振膜300和衬底100之间；寄生电容C2由电容结构层800和衬底100构成；电容结构层800为寄生电容C2的第一极，衬底100为寄生电容C2的第二极。振膜300与背极板构成工作电容C1，实现对声音信号的检测；同时电容结构层800与衬底100构成寄生电容C2，代替控制器芯片中与电荷泵端并联的电容，来达到减小控制器芯片的面积，降低麦克风成本的效果。

继续参见图7和图8，可以理解的是，还需要在衬底100上沉积第三牺牲层700，第三牺牲层700作为隔离层(电介质层)，电容结构层800在第三牺牲层700上沉积形成。

继续参见图7和图8，可选地，麦克风芯片16还包括：第一电极焊接点601、第二电极焊接点301、第三电极焊接点101和第四电极焊接点802。第一电极焊接点601位于背极板上，背极板通过第一电极焊接点601与控制器芯片的信号输入端电连接。第二电极焊接点301位于振膜300上，振膜300通过第二电极焊接点301与控制器芯片的电荷泵端电连接。第三电极焊接点101位于衬底100上，衬底100通过第三电极焊接点101接地。第四电极焊接点802位于电容结构层800上，电容结构层800通过第四电极焊接点802与控制器芯片的电荷泵端电连接。

在本实用新型的一种实施方式中，可选地，寄生电容C2由电容结构层800和振膜300构成。其中，振膜300与背极板正对的部分为工作电容C1的第一极，背极板为工作电容C1的第二极；振膜300与电容结构层800正对的部分为寄生电容C2的第一极，电容结构层800为寄生电容C2的第二极。寄生电容C2位于工作电容C1外侧，具体地，振膜300与电容结构层800正对的部分位于振膜300与背极板正对的部分的外侧，即寄生电容C2的第一极和第二极的投影重叠部分位于工作电容C1的第一极和第二极的投影重叠部分的外侧。

在本实用新型的一种实施方式中，可选地，寄生电容C2由背极板和电容结构层800构成。其中，背极板的尺寸大于振膜300的尺寸，且背极板与振膜300正对的部分为工作电容C1的第二极，振膜300为工作电容C1的第一极；背极板与电容结构层800正对的部分为寄生电容C2的第一极，电容结构层800为寄生电容C2的第二极。

综上所述，本实用新型实施例通过设置寄生电容C2由麦克风芯片16的膜层构成，以代替控制器芯片内的电容，从而有利于减小控制器芯片的面积，节约控制器芯片的成本。与在控制器芯片中制作寄生电容C2相比，在麦克风芯片16内采用MEMS工艺等制作寄生电容C2的工艺更加简单、成本较低，有利于优化声学性能。另外，由于麦克风芯片16的面积较大，可以根据需要调整寄生电容C2的电容值，也有利于优化麦克风的声学性能。

本实用新型实施例还提供了一种电子设备，该电子设备例如可以是手机、智能音箱、机器人、家用电器、声控设备、对讲机、耳麦、监控设备、助听器、MP3、MP4、数码相机等。该电子设备包括如本实用新型任意实施例所提供的麦克风，其技术原理和产生的效果类似，不再赘述。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种麦克风，其特征在于，包括控制器芯片和麦克风芯片；所述控制器芯片包括信号输入端和电荷泵端；所述麦克风芯片包括：

衬底；

振膜，所述振膜位于所述衬底上；

背极板，所述背极板位于所述振膜远离所述衬底的一侧，所述背极板和所述振膜形成所述麦克风的工作电容；所述工作电容的第一极与所述控制器芯片的电荷泵端电连接，所述工作电容的第二极与所述控制器芯片的信号输入端电连接；

寄生电容，所述寄生电容的第一极与所述工作电容的第一极电连接，所述寄生电容的第二极接地；所述寄生电容由所述麦克风芯片的膜层构成。

2.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述衬底包括背腔开孔，所述工作电容与所述背腔开孔正对设置；

所述寄生电容位于所述工作电容外侧。

3.根据权利要求1或2所述的麦克风，其特征在于，所述寄生电容由所述振膜和所述衬底构成；

其中，所述振膜的尺寸大于所述背极板的尺寸，且所述振膜与所述背极板正对的部分为所述工作电容的第一极，所述背极板为所述工作电容的第二极；所述振膜与所述衬底正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述衬底为所述寄生电容的第二极。

4.根据权利要求3所述的麦克风，其特征在于，所述麦克风芯片还包括：

第一电极焊接点，所述第一电极焊接点位于所述背极板上，所述背极板通过所述第一电极焊接点与所述控制器芯片的信号输入端电连接；

第二电极焊接点，所述第二电极焊接点位于所述振膜上，所述振膜通过所述第二电极焊接点与所述控制器芯片的电荷泵端电连接；

第三电极焊接点，所述第三电极焊接点位于所述衬底上，所述衬底通过所述第三电极焊接点接地。

5.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述寄生电容由所述背极板和所述衬底构成；

其中，所述背极板与所述振膜正对的部分为所述工作电容的第二极，所述振膜为所述工作电容的第一极；所述背极板与所述衬底正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述衬底为所述寄生电容的第二极；且所述寄生电容位于所述工作电容的外侧。

6.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述麦克风芯片还包括：

电容结构层，位于所述振膜和所述衬底之间；所述寄生电容由所述电容结构层和所述衬底构成；所述电容结构层为所述寄生电容的第一极，所述衬底为所述寄生电容的第二极。

7.根据权利要求6所述的麦克风，其特征在于，所述麦克风芯片还包括：

第一电极焊接点，所述第一电极焊接点位于所述背极板上，所述背极板通过所述第一电极焊接点与所述控制器芯片的信号输入端电连接；

第二电极焊接点，所述第二电极焊接点位于所述振膜上，所述振膜通过所述第二电极焊接点与所述控制器芯片的电荷泵端电连接；

第三电极焊接点，所述第三电极焊接点位于所述衬底上，所述衬底通过所述第三电极焊接点接地；

第四电极焊接点，所述第四电极焊接点位于所述电容结构层上，所述电容结构层通过所述第四电极焊接点与所述控制器芯片的电荷泵端电连接。

8.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述麦克风芯片还包括：

电容结构层，位于所述振膜和所述衬底之间；所述寄生电容由所述电容结构层和所述振膜构成；

其中，所述振膜与所述背极板正对的部分为所述工作电容的第一极，所述背极板为所述工作电容的第二极；所述振膜与所述电容结构层正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述电容结构层为所述寄生电容的第二极；且所述寄生电容位于所述工作电容的外侧。

9.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，所述麦克风芯片还包括：

电容结构层，位于所述振膜和所述衬底之间；所述寄生电容由所述背极板和所述电容结构层构成；

其中，所述背极板与所述振膜正对的部分为所述工作电容的第二极，所述振膜为所述工作电容的第一极；所述背极板与所述电容结构层正对的部分为所述寄生电容的第一极，所述电容结构层为所述寄生电容的第二极；且所述寄生电容位于所述工作电容的外侧。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的麦克风。

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