CN213692044U - 一种用于tvs隔离的沟槽结构 - Google Patents
一种用于tvs隔离的沟槽结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN213692044U CN213692044U CN202022962274.2U CN202022962274U CN213692044U CN 213692044 U CN213692044 U CN 213692044U CN 202022962274 U CN202022962274 U CN 202022962274U CN 213692044 U CN213692044 U CN 213692044U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- silicon nitride
- poly
- trench
- isolation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种用于TVS隔离的沟槽结构，包括沟槽侧壁、氮化硅层和多晶poly层，所述沟槽侧壁内侧由外向内依次设置有增厚氧化层、氮化硅层、多晶poly层，多晶poly层顶部设有氧化硅层，其中沟槽侧壁、增厚氧化层和氮化硅层均呈凹字形，多晶poly层中部不存在裂缝；所述多晶poly层的厚度大于等于沟槽的宽度；所述多晶poly的高度低于氮化硅层；所述氧化硅层的高度高于氮化硅层；本实用新型的有益效果是沟槽结构的隔离效果更佳；且沟槽结构中间无缝隙，可靠性更佳。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种沟槽结构，具体是一种用于TVS隔离的沟槽结构。
背景技术
沟槽隔离技术是八十年代发展起来的一种隔离技术，它主要包括沟槽隔离、沟槽填充及表面平坦化三个主要步骤；一般选用各向异性好的反应离子刻蚀技术进行刻蚀，以得到窄而陡直的沟槽。在对沟槽表面热氧化之后，用绝缘介质填充，以得到优良的隔离性能。沟槽填充后表面平坦化步骤是比不可少的，否则将在隔离槽边缘出现不平的台阶，给布线带来许多困难。沟槽隔离技术占用的面积小，被广泛应用于各种分立器件及集成电路设计中。
对于TVS沟槽的填充，目前都偏向于选择用TEOS做填充，TEOS填充后的效果图如下图1所示，沟槽的中部往往会有一条缝隙，虽然不影响隔离效果，但是可靠性方面还是存在风险。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种填充后沟槽中间不会产生缝隙，具有更好的可靠性的用于TVS隔离的沟槽结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种用于TVS隔离的沟槽结构，包括沟槽侧壁、氮化硅层和多晶poly层，所述沟槽侧壁内侧由外向内依次设置有增厚氧化层、氮化硅层、多晶poly层，多晶poly层顶部设有氧化硅层，其中沟槽侧壁、增厚氧化层和氮化硅层均呈凹字形，多晶poly层不存在裂缝。
进一步的，所述多晶poly层的厚度大于等于沟槽的宽度。
进一步的，所述多晶poly的高度低于氮化硅层。
进一步的，所述氧化硅层的高度高于氮化硅层。
进一步的，所述增厚氧化层的厚度
进一步的，所述氮化硅层的厚度
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1.隔离效果更佳；
2.中间无缝隙，可靠性更佳。
附图说明
图1为一种用于TVS隔离的沟槽结构的结构示意图。
图2为一种用于TVS隔离的沟槽结构的SEM照片。
图3为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时沟槽刻蚀的示意图。
图4为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时清洗后的示意图。
图5为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时线性氧化层生长的示意图。
图6为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时热氧增加氧化层厚度的示意图。
图7为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时氮化硅淀积的示意图。
图8为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时多晶POLY填充的示意图。
图9为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时化学机械抛光至氮化硅表面的示意图。
图10为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时Poly刻蚀的示意图。
图11为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时炉管氧化的示意图。
图12为一种用于TVS隔离的沟槽结构加工时化学机械抛光(CMP)至硅界面的示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
请参阅图1-2，一种用于TVS隔离的沟槽结构，包括沟槽侧壁1、氮化硅层6和多晶poly层7，所述沟槽侧壁1内侧由外向内依次设置有增厚氧化层 5、氮化硅层6、多晶poly层7，多晶poly层7顶部设有氧化硅层8，其中沟槽侧壁1、增厚氧化层5和氮化硅层6均呈凹字形，多晶poly层7中部不存在裂缝，多晶poly层7的厚度大于等于沟槽的宽度，多晶poly7的高度低于氮化硅层6，氧化硅层8的高度高于氮化硅层6。
一种用于TVS隔离的沟槽结构是通过氮化硅，多晶POLY和氧化硅来进行沟槽填充的，具体的步骤如下：
S1、沟槽刻蚀，如图3中，未清洗的沟槽侧壁1；在沟槽内部及wafer表面长一层牺牲氧化，并且清除，如图3-图4所示，目的是清洗沟槽表面，优化表面态，牺牲氧化层2，清洗表面后的沟槽内侧3；
S2、线性氧化层生长，如图5所示，线性氧化层4的厚度
S3、热氧增加氧化层厚度，如图6所示，增厚氧化层5的厚度
S4、氮化硅淀积，如图7所示，氮化硅层6的厚度
S5、多晶POLY填充，如图8所示，多晶poly层7；
S6、化学机械抛光(CMP)至氮化硅表面，如图9所示；
S7、Poly刻蚀，如图10所示；
S8、炉管氧化，POLY表面会生长一层氧化层，厚度
左右，其余区域被氮化硅覆盖，会抑制氧化层的生长，如图11所示；
S9、化学机械抛光(CMP)至硅界面，如图12所示，最终多晶POLY会被氮化硅及氧化硅包围，图2即为本发明的实物的SEM照片。
上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (6)
1.一种用于TVS隔离的沟槽结构，包括沟槽侧壁、氮化硅层和多晶poly层，其特征在于，所述沟槽侧壁内侧由外向内依次设置有增厚氧化层、氮化硅层、多晶poly层，多晶poly层顶部设有氧化硅层，其中沟槽侧壁、增厚氧化层和氮化硅层均呈凹字形，多晶poly层不存在裂缝。
2.根据权利要求1所述的一种用于TVS隔离的沟槽结构，其特征在于，所述多晶poly层的厚度大于等于沟槽的宽度。
3.根据权利要求1所述的一种用于TVS隔离的沟槽结构，其特征在于，所述多晶poly的高度低于氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的一种用于TVS隔离的沟槽结构，其特征在于，所述氧化硅层的高度高于氮化硅层。
5.根据权利要求1所述的一种用于TVS隔离的沟槽结构，其特征在于，所述增厚氧化层的厚度
6.根据权利要求1所述的一种用于TVS隔离的沟槽结构，其特征在于，所述氮化硅层的厚度
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022962274.2U CN213692044U (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | 一种用于tvs隔离的沟槽结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022962274.2U CN213692044U (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | 一种用于tvs隔离的沟槽结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213692044U true CN213692044U (zh) | 2021-07-13 |
Family
ID=76738708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202022962274.2U Active CN213692044U (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | 一种用于tvs隔离的沟槽结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213692044U (zh) |
-
2020
- 2020-12-10 CN CN202022962274.2U patent/CN213692044U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5989978A (en) | Shallow trench isolation of MOSFETS with reduced corner parasitic currents | |
| KR100421046B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| US7915173B2 (en) | Shallow trench isolation structure having reduced dislocation density | |
| EP0856197B1 (en) | Novel shallow trench isolation technique | |
| JP3923214B2 (ja) | 半導体装置のトレンチ素子分離方法 | |
| TW418492B (en) | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device | |
| US6180466B1 (en) | Isotropic assisted dual trench etch | |
| US20030049893A1 (en) | Method for isolating semiconductor devices | |
| CN102117761B (zh) | 改善浅沟槽隔离顶部倒角圆滑性的湿法工艺方法 | |
| US6583488B1 (en) | Low density, tensile stress reducing material for STI trench fill | |
| CN102339782B (zh) | 浅沟道隔离区的制作方法 | |
| CN100578742C (zh) | 平坦化半导体结构的方法 | |
| WO2003058709A2 (en) | Method for forming a shallow trench isolation structure with improved corner rounding | |
| JPH06302684A (ja) | 半導体素子のフィールド酸化膜形成方法 | |
| CN213692044U (zh) | 一种用于tvs隔离的沟槽结构 | |
| CN101894786A (zh) | 浅沟槽隔离制备方法 | |
| US6486038B1 (en) | Method for and device having STI using partial etch trench bottom liner | |
| KR20000015161A (ko) | 반도체 소자의 트렌치 형성 방법 | |
| CN109216439B (zh) | 具有沟槽内渐变厚度的场板结构的半导体器件的制造方法 | |
| CN102456609A (zh) | 一种利用侧向边墙技术提高sti凹陷区特性的方法 | |
| CN101692434B (zh) | 绝缘体上硅的深槽隔离结构的填充方法 | |
| US6204149B1 (en) | Methods of forming polished material and methods of forming isolation regions | |
| CN102569161B (zh) | 半导体器件制造方法 | |
| CN102122658B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| JP2006210463A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |